JPH03183693A - 気相成長装置のクリーニング方法及び装置 - Google Patents
気相成長装置のクリーニング方法及び装置Info
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- JPH03183693A JPH03183693A JP31767589A JP31767589A JPH03183693A JP H03183693 A JPH03183693 A JP H03183693A JP 31767589 A JP31767589 A JP 31767589A JP 31767589 A JP31767589 A JP 31767589A JP H03183693 A JPH03183693 A JP H03183693A
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- reactive cleaning
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、気相成長装置のクリーニング方法及び装置に
関するものである。
関するものである。
［従来の技術］
例えば、ＧａＡｓウェハー上にＧａＡｓ薄膜やＡｌ２Ｇ
ａＡｓ薄膜を有機金属化学堆積法（以下、ＭＯＣＶＤ法
という）により成膜したエピタキシャルウェハーは、電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や高電子移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）用として近年注目されている。また、
ＩｎＰｎ上ウェハー上ｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｓＰ等の薄膜をＭＯＣＶＤ法により成膜したエピタキシ
ャルウェハーは、レーザダイオード等用として使用され
つつある。ＭＯＣＶＤ法は、リアクタ内で８［）［１℃
位に加熱された■族の有機金属ＴＭＩｎ即ち（Ｉｎ （
ＣＨ３）３）、ＴＭＧ即ち（Ｇａ （ＣＨ３）３）と
Ｖ族のＰＨ３，ＡＳＨ３をガス状にして流し、ＩｎＰウ
ェハー上に成膜することにより行う。このとき、加熱さ
れたリアクタ及びサセプタ上にも反応生成物が付着する
ので、リアクタ内を清浄にするため定期的に該リアクタ
やサセプタ等は分解して洗浄を行っていた。また、リア
クタの後に接続されている排気管の内面にも反応生成物
が付着する。減圧ＭＯＣＶＤ法の場合には、減圧ポンプ
の中にも反応生成物が付着する。特に、Ｐ（燐）を使う
プロセスでは、Ｐと空気中の酸素が反応し、リアクタ等
の分解清掃時にＰに着火して非常に危険な状態になる。
ａＡｓ薄膜を有機金属化学堆積法（以下、ＭＯＣＶＤ法
という）により成膜したエピタキシャルウェハーは、電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や高電子移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）用として近年注目されている。また、
ＩｎＰｎ上ウェハー上ｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｓＰ等の薄膜をＭＯＣＶＤ法により成膜したエピタキシ
ャルウェハーは、レーザダイオード等用として使用され
つつある。ＭＯＣＶＤ法は、リアクタ内で８［）［１℃
位に加熱された■族の有機金属ＴＭＩｎ即ち（Ｉｎ （
ＣＨ３）３）、ＴＭＧ即ち（Ｇａ （ＣＨ３）３）と
Ｖ族のＰＨ３，ＡＳＨ３をガス状にして流し、ＩｎＰウ
ェハー上に成膜することにより行う。このとき、加熱さ
れたリアクタ及びサセプタ上にも反応生成物が付着する
ので、リアクタ内を清浄にするため定期的に該リアクタ
やサセプタ等は分解して洗浄を行っていた。また、リア
クタの後に接続されている排気管の内面にも反応生成物
が付着する。減圧ＭＯＣＶＤ法の場合には、減圧ポンプ
の中にも反応生成物が付着する。特に、Ｐ（燐）を使う
プロセスでは、Ｐと空気中の酸素が反応し、リアクタ等
の分解清掃時にＰに着火して非常に危険な状態になる。
これを避けるため、イオン源で活性化されたイオン活性
化反応性クリーニングガスをリアクタ及び排気管に流し
てクリーニングを行う方法が提案されている。
化反応性クリーニングガスをリアクタ及び排気管に流し
てクリーニングを行う方法が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このようにイオン源で活性化されたイオ
ン活性化反応性クリーニングガスでは、イオン源を必要
とし、コスト高になる問題点がある。また、イオン源で
活性化されたイオン活性化反応性クリーニングガスでは
、イオンの寿命が短いため排気管のクリーニングが行い
にくい問題点があった。
ン活性化反応性クリーニングガスでは、イオン源を必要
とし、コスト高になる問題点がある。また、イオン源で
活性化されたイオン活性化反応性クリーニングガスでは
、イオンの寿命が短いため排気管のクリーニングが行い
にくい問題点があった。
本発明の目的は、安価な設備でクリーニングを行うこと
ができる気相成長装置のクリーニング方法及び装置を提
供することにある。
ができる気相成長装置のクリーニング方法及び装置を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明する。
請求項（１）に記載の気相成長装置のクリーニング方法
は、気相成長装置のリアクタ内及びこれに接続されてい
る排気管内に、イオン活性化されていない反応性クリー
ニングガスを流して該リアクタ及び該排気管の内面に付
着されている反応生成物を除去することを特徴とする。
は、気相成長装置のリアクタ内及びこれに接続されてい
る排気管内に、イオン活性化されていない反応性クリー
ニングガスを流して該リアクタ及び該排気管の内面に付
着されている反応生成物を除去することを特徴とする。
イオン活性化されていない反応性クリーニングガスとし
ては、例えばＮＦ３．Ｃ，ＱＦ３．ＣＪ２２等を用いる
。
ては、例えばＮＦ３．Ｃ，ＱＦ３．ＣＪ２２等を用いる
。
請求項（２）に記載の発明は、リアクタと、該リアクタ
に接続されている排気管と、該排気管に接続されている
原料ガス用廃ガス処理部とを備えた気相成長装置のクリ
ーニング装置において、前記リアクタ内に開閉バルブを
介してイオン活性化されていない反応性クリーニングガ
スを供給する反応性クリーニングガス供給配管と、前記
原料ガス用廃ガス処理部とは別に前記排気管に反応性ク
リーニングガス排気管を介して接続されていて前記反応
性クリーニングガスの処理を行う反応性クリーニングガ
ス用廃ガス処理部と、前記原料ガス用廃ガス処理部又は
前記反応性クリーニングガス用廃ガス処理部のいずれか
を選択的に使用するために前記排気管と前記反応性クリ
ーニングガス排気管とに接続されている切替えバルブと
を有することを特徴とする。
に接続されている排気管と、該排気管に接続されている
原料ガス用廃ガス処理部とを備えた気相成長装置のクリ
ーニング装置において、前記リアクタ内に開閉バルブを
介してイオン活性化されていない反応性クリーニングガ
スを供給する反応性クリーニングガス供給配管と、前記
原料ガス用廃ガス処理部とは別に前記排気管に反応性ク
リーニングガス排気管を介して接続されていて前記反応
性クリーニングガスの処理を行う反応性クリーニングガ
ス用廃ガス処理部と、前記原料ガス用廃ガス処理部又は
前記反応性クリーニングガス用廃ガス処理部のいずれか
を選択的に使用するために前記排気管と前記反応性クリ
ーニングガス排気管とに接続されている切替えバルブと
を有することを特徴とする。
［作用］
このようなイオン活性化されていない反応性クリーニン
グガスは、イオン源を必要としないでクリーニングが行
える。また、この反応性クリーニングガスはイオン化さ
れてなく、反応性が持続するので、排気管内のクリーニ
ングも支障なく行える。
グガスは、イオン源を必要としないでクリーニングが行
える。また、この反応性クリーニングガスはイオン化さ
れてなく、反応性が持続するので、排気管内のクリーニ
ングも支障なく行える。
特に、請求項（２）では、原料ガス用廃ガス処理部とは
別に反応性クリーニングガス用廃ガス処理部を設けてい
るので、原料ガス用廃ガス処理部で反応性クリーニング
ガスの処理を行う場合に生ずるような処理中の反応の進
み過ぎとそれに伴う過熱を避けて反応性クリーニングガ
スの無害化処理を行うことができる。
別に反応性クリーニングガス用廃ガス処理部を設けてい
るので、原料ガス用廃ガス処理部で反応性クリーニング
ガスの処理を行う場合に生ずるような処理中の反応の進
み過ぎとそれに伴う過熱を避けて反応性クリーニングガ
スの無害化処理を行うことができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。図において、１はサセプタ（図示せず）を内蔵するリ
アクタ、２は該リアクタ１内に原料ガスを供給する原料
ガス供給配管、３は該原料ガス供給配管２に設けられて
いる原料ガス用開閉バルブ、４はリアクタ１に接続され
ている排気管、５は排気管４に設けられている排気用開
閉バルブ、６は排気管４の末端側に接続されている油回
転ポンプ等よりなる原料ガス用吸引機、７は原料ガス用
吸引機６の後に接続されていて原料ガスを無害化処理す
る原料ガス用廃ガス処理部である。これら１〜７にて気
相成長装置８が構成されている。
。図において、１はサセプタ（図示せず）を内蔵するリ
アクタ、２は該リアクタ１内に原料ガスを供給する原料
ガス供給配管、３は該原料ガス供給配管２に設けられて
いる原料ガス用開閉バルブ、４はリアクタ１に接続され
ている排気管、５は排気管４に設けられている排気用開
閉バルブ、６は排気管４の末端側に接続されている油回
転ポンプ等よりなる原料ガス用吸引機、７は原料ガス用
吸引機６の後に接続されていて原料ガスを無害化処理す
る原料ガス用廃ガス処理部である。これら１〜７にて気
相成長装置８が構成されている。
また、９はリアクタ１又は排気管４に反応性クリーニン
グガスを供給する反応性クリーニングガス供給配管、１
０は反応性クリーニングガス供給配管９から分岐されて
リアクタ１内に反応性クリーングガスを供給する分岐反
応性クリーニングガス供給配管、１１は分岐反応性クリ
ーニングガス供給配管１０に設けられた反応性クリーニ
ングガス用開閉バルブ、１２は反応性クリーニングガス
供給配管９から分岐されて配管４内に反応性クリーニン
グガスを供給する分岐反応性クリーニングガス供給配管
、１３は分岐反応性クリーニングガス供給配管１２に設
けられた反応性クリーニングガス用開閉バルブである。
グガスを供給する反応性クリーニングガス供給配管、１
０は反応性クリーニングガス供給配管９から分岐されて
リアクタ１内に反応性クリーングガスを供給する分岐反
応性クリーニングガス供給配管、１１は分岐反応性クリ
ーニングガス供給配管１０に設けられた反応性クリーニ
ングガス用開閉バルブ、１２は反応性クリーニングガス
供給配管９から分岐されて配管４内に反応性クリーニン
グガスを供給する分岐反応性クリーニングガス供給配管
、１３は分岐反応性クリーニングガス供給配管１２に設
けられた反応性クリーニングガス用開閉バルブである。
１４は原料ガス用吸引機６の人口側で排気管４に分岐接
続された反応性クリーニングガス排気管、１５は反応性
クリーニングガス排気管１４の途中にバイパス反応性ク
リーニングガス排気管１６を介してバイパス接続されて
いる油回転ポンプ等よりなる反応性クリーニングガス用
吸引機、１７．１８はバイパス反応性クリーニングガス
排気管１６の入口と出口に設けられた反応性クリーニン
グガス用開閉バルブ、１９はバイパス反応性クリーニン
グガス排気管１６に並列となっている反応性クリーニン
グガス排気管１４の部分に設けられた反応性クリーニン
グガス用開閉バルブ、２０は反応性クリーニングガス排
気管１４の末端側に接続されていて反応性クリーニング
ガスを無害化処理する反応性クリーニングガス用廃ガス
処理部である。２１．２２は原料ガス用廃ガス処理部７
を使うか反応性クリーニングガス用廃ガス処理部２０を
使うかの切替えを行うために排気管４と反応性クリーニ
ングガス排気管↑４とに接続された切替えバルブである
。これら９〜２２にて気相成長装置８のクリーニング装
置２３が構成されている。
続された反応性クリーニングガス排気管、１５は反応性
クリーニングガス排気管１４の途中にバイパス反応性ク
リーニングガス排気管１６を介してバイパス接続されて
いる油回転ポンプ等よりなる反応性クリーニングガス用
吸引機、１７．１８はバイパス反応性クリーニングガス
排気管１６の入口と出口に設けられた反応性クリーニン
グガス用開閉バルブ、１９はバイパス反応性クリーニン
グガス排気管１６に並列となっている反応性クリーニン
グガス排気管１４の部分に設けられた反応性クリーニン
グガス用開閉バルブ、２０は反応性クリーニングガス排
気管１４の末端側に接続されていて反応性クリーニング
ガスを無害化処理する反応性クリーニングガス用廃ガス
処理部である。２１．２２は原料ガス用廃ガス処理部７
を使うか反応性クリーニングガス用廃ガス処理部２０を
使うかの切替えを行うために排気管４と反応性クリーニ
ングガス排気管↑４とに接続された切替えバルブである
。これら９〜２２にて気相成長装置８のクリーニング装
置２３が構成されている。
次に、このようなりリーニング装置２３による気相成長
装置８のクリーニング方法について説明する。
装置８のクリーニング方法について説明する。
減圧ＭＯＣＶＤ法の場合、エピタキシャルウェハーの製
造中は、バルブ３． ５． ２１を開、他のバルブは全
て閉として、原料ガス用吸引機６を作動し、リアクタ１
から排出される原料ガスの廃ガスを原料ガス用廃ガス処
理部７に導いて無害化処理する。即ち、この原料ガス用
廃ガス処理部７では、例えばＰＨ３、ＡｓＨ３、ＴＭＧ
、ＴＭＩ ｎ等の無害化処理を行う。
造中は、バルブ３． ５． ２１を開、他のバルブは全
て閉として、原料ガス用吸引機６を作動し、リアクタ１
から排出される原料ガスの廃ガスを原料ガス用廃ガス処
理部７に導いて無害化処理する。即ち、この原料ガス用
廃ガス処理部７では、例えばＰＨ３、ＡｓＨ３、ＴＭＧ
、ＴＭＩ ｎ等の無害化処理を行う。
エピタキシャルウェハーの製造後は、原料ガス供給配管
２からリアクタ１及び排気管４に窒素又はＡｒからなる
パージガスを流して原料ガスのパージを行う。
２からリアクタ１及び排気管４に窒素又はＡｒからなる
パージガスを流して原料ガスのパージを行う。
次に、バルブ３を閉とし、原料ガス用吸引機６の作動に
よりリアクタ１及び排気管４内を真空引きする。
よりリアクタ１及び排気管４内を真空引きする。
次いで、バルブ１１．２２．１９を開、バルブ２１を閉
として反応性クリーニングガス供給配管９及び分岐反応
性クリーニングガス供給配管１０を経てリアクタ１及び
排気管４内にイオン活性化されていない反応性クリーニ
ングガスを数時間流し、リアクタ１内及び排気管４内の
クリーニングを行う。イオン活性化されていない反応性
クリーニングガスとしては、例えばＮＦ３．ＣＪ２Ｆ３
゜Ｃ１２等を用いる。このような反応性クリーニングガ
スを用いると、リアクタ１内及び排気管４内の付着物は
例えばＣ℃系化合物のガスやＦ系化合物のガス等となっ
て除去できる。使用済の反応性クリーニングガスは反応
性クリーニングガス用廃ガス処理部２０で逐次無害化処
理してから大気中に放出する。即ち、反応性クリーニン
グガス用廃ガス処理部２０では、例えばＣ℃系化合物や
Ｆ系化合物等の無害化処理を行う。
として反応性クリーニングガス供給配管９及び分岐反応
性クリーニングガス供給配管１０を経てリアクタ１及び
排気管４内にイオン活性化されていない反応性クリーニ
ングガスを数時間流し、リアクタ１内及び排気管４内の
クリーニングを行う。イオン活性化されていない反応性
クリーニングガスとしては、例えばＮＦ３．ＣＪ２Ｆ３
゜Ｃ１２等を用いる。このような反応性クリーニングガ
スを用いると、リアクタ１内及び排気管４内の付着物は
例えばＣ℃系化合物のガスやＦ系化合物のガス等となっ
て除去できる。使用済の反応性クリーニングガスは反応
性クリーニングガス用廃ガス処理部２０で逐次無害化処
理してから大気中に放出する。即ち、反応性クリーニン
グガス用廃ガス処理部２０では、例えばＣ℃系化合物や
Ｆ系化合物等の無害化処理を行う。
次に、バルブ１１を閉、バルブ３を開として、リアクタ
１．排気管４９反応性クリーニングガス排気管１４に原
料ガス供給配管２からパージガスを流し、反応性クリー
ニングガスのパージを行う。
１．排気管４９反応性クリーニングガス排気管１４に原
料ガス供給配管２からパージガスを流し、反応性クリー
ニングガスのパージを行う。
しかる後、バルブ１９を閉、バルブ１７．１８を開とし
、反応性クリーニングガス用吸引機１５を使ってリアク
タ１．排気管４内を減圧する。この工程によって、リア
クタ１及び排気管４内の反応性クリーニングガスの濃度
が下がる。
、反応性クリーニングガス用吸引機１５を使ってリアク
タ１．排気管４内を減圧する。この工程によって、リア
クタ１及び排気管４内の反応性クリーニングガスの濃度
が下がる。
次に、バルブ１１を閉、バルブ３を開、バルブ２２を閉
、反応性クリーニングガス用吸引機１５を停止、バルブ
２１を開として、リアクタ１及び排気管４内にパージガ
スを流してこれらの中を元の状態に戻す。
、反応性クリーニングガス用吸引機１５を停止、バルブ
２１を開として、リアクタ１及び排気管４内にパージガ
スを流してこれらの中を元の状態に戻す。
なお、原料ガス用供給機６９反応性クリーニングガス用
吸引機１５としては、油回転ポンプ以外に、メカニカル
ブースタポンプ、乾式排気ポンプ。
吸引機１５としては、油回転ポンプ以外に、メカニカル
ブースタポンプ、乾式排気ポンプ。
ターボポンプ等を使用することができる。
また、反応性クリーニングガスとしてＣｌＦ３を使う場
合、リアクタ１及び排気管４内の温度がクリーニング反
応で急激に上ることもあるので、リアクタ１及び排気管
４の近くに温度センサを設けて常時モニタすることが好
ましい。
合、リアクタ１及び排気管４内の温度がクリーニング反
応で急激に上ることもあるので、リアクタ１及び排気管
４の近くに温度センサを設けて常時モニタすることが好
ましい。
更に、リアクタ１やサセプタはある程度クリーニングし
た後に、分解洗浄することもできる。この場合、これら
は予めクリーニングされているので、Ｐに着火するよう
なことは起こらないので安全である。また、排気管４内
もクリーニングすることにより閉塞したり不純物がリア
クタ１内に逆流してエピタキシャルウェハーを汚染する
ことも防ぐことができる。
た後に、分解洗浄することもできる。この場合、これら
は予めクリーニングされているので、Ｐに着火するよう
なことは起こらないので安全である。また、排気管４内
もクリーニングすることにより閉塞したり不純物がリア
クタ１内に逆流してエピタキシャルウェハーを汚染する
ことも防ぐことができる。
かつまた、排気管４内に水分があると、ＨＣ℃やＨＦが
できる可能性があるので、排気管４内に露点計を設けて
常にモニタすることが好ましい。
できる可能性があるので、排気管４内に露点計を設けて
常にモニタすることが好ましい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係る気相成長装置のクリー
ニング方法及び装置によれば、下記のような効果を得る
ことができる。
ニング方法及び装置によれば、下記のような効果を得る
ことができる。
請求項（１）（２）では、イオン活性化されてない反応
性クリーニングガスを用いてクリーニングを行うので、
イオン源を必要としないでクリーニングが行える利点が
ある。また、この反応性クリーニングガスはイオン化さ
れてなく、反応性が持続するので、排気管内のクリーニ
ングも支障なく行える利点がある。
性クリーニングガスを用いてクリーニングを行うので、
イオン源を必要としないでクリーニングが行える利点が
ある。また、この反応性クリーニングガスはイオン化さ
れてなく、反応性が持続するので、排気管内のクリーニ
ングも支障なく行える利点がある。
特に、請求項（２）では、原料ガス用廃ガス処理部とは
別に反応性クリーニングガス用廃ガス処理部を設けてい
るので、原料ガス用廃ガス処理部で反応性クリーニング
ガスの処理を行う場合に生ずるような処理中の反応の進
み過ぎとそれに伴う過熱を避けて反応性クリーニングガ
スの無害化処理を行うことができる利点がある。
別に反応性クリーニングガス用廃ガス処理部を設けてい
るので、原料ガス用廃ガス処理部で反応性クリーニング
ガスの処理を行う場合に生ずるような処理中の反応の進
み過ぎとそれに伴う過熱を避けて反応性クリーニングガ
スの無害化処理を行うことができる利点がある。
図面は本発明に係るクリーニング装置を取付けた気相成
長装置の一実施例の系統図である。 １・・・リアクタ、２・・・原料ガス供給配管、３・・
・開閉バルブ、４・・・排気管、５・・・開閉バルブ、
６・・・原料ガス用吸引機、７・・・原料ガス用廃ガス
処理部、８・・・気相成長装置、９・・・反応性クリー
ニングガス供給配管、１０．１２・・・分岐反応性クリ
ーニングガス供給配管、１１．１３・・・開閉バルブ、
１４・・・反応性クリーニングガス排気管、■５・・・
反応性クリーニングガス用吸引機、１６・・・バイパス
反応性クリーニングガス排気管、１７．１８・・・開閉
バルブ、１９・・・開閉バルブ、２０・・・反応性クリ
ーニングガス用廃ガス処理部、２１．２２・・・切替え
バルブ、 ２３・・・クリーニング装置。
長装置の一実施例の系統図である。 １・・・リアクタ、２・・・原料ガス供給配管、３・・
・開閉バルブ、４・・・排気管、５・・・開閉バルブ、
６・・・原料ガス用吸引機、７・・・原料ガス用廃ガス
処理部、８・・・気相成長装置、９・・・反応性クリー
ニングガス供給配管、１０．１２・・・分岐反応性クリ
ーニングガス供給配管、１１．１３・・・開閉バルブ、
１４・・・反応性クリーニングガス排気管、■５・・・
反応性クリーニングガス用吸引機、１６・・・バイパス
反応性クリーニングガス排気管、１７．１８・・・開閉
バルブ、１９・・・開閉バルブ、２０・・・反応性クリ
ーニングガス用廃ガス処理部、２１．２２・・・切替え
バルブ、 ２３・・・クリーニング装置。
Claims (2)
- （１）気相成長装置のリアクタ内及びこれに接続されて
いる排気管内に、イオン活性化されていない反応性クリ
ーニングガスを流して該リアクタ及び該排気管の内面に
付着されている反応生成物を除去することを特徴とする
気相成長装置のクリーニング方法。 - （２）リアクタと、該リアクタに接続されている排気管
と、該排気管に接続されている原料ガス用廃ガス処理部
とを備えた気相成長装置のクリーニング装置において、
前記リアクタ内に開閉バルブを介してイオン活性化され
ていない反応性クリーニングガスを供給する反応性クリ
ーニングガス供給配管と、前記原料ガス用廃ガス処理部
とは別に前記排気管に反応性クリーニングガス排気管を
介して接続されていて前記反応性クリーニングガスの処
理を行う反応性クリーニングガス用廃ガス処理部と、前
記原料ガス用廃ガス処理部又は前記反応性クリーニング
ガス用廃ガス処理部のいずれかを選択的に使用するため
に前記排気管と前記反応性クリーニングガス排気管とに
接続されている切替えバルブとを有することを特徴とす
る気相成長装置のクリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31767589A JPH03183693A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 気相成長装置のクリーニング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31767589A JPH03183693A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 気相成長装置のクリーニング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183693A true JPH03183693A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18090769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31767589A Pending JPH03183693A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 気相成長装置のクリーニング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183693A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799187A (ja) * | 1993-07-09 | 1995-04-11 | Iwatani Internatl Corp | 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法 |
| JPH07283152A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置、ガス供給装置及び排ガス処理装置並びに空圧機器の大気開放方法 |
| JP2002353210A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2003101152A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法、および該製造方法を用いて製造した半導体レーザ、ならびに光通信システム |
| US7453096B2 (en) | 2001-03-27 | 2008-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device |
| US7518161B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-04-14 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| JP2023022938A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板水蒸気処理方法、および基板水蒸気処理システム |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP31767589A patent/JPH03183693A/ja active Pending
Cited By (9)
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