JPH0758018A - 半導体結晶成長装置 - Google Patents
半導体結晶成長装置Info
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- JPH0758018A JPH0758018A JP22817493A JP22817493A JPH0758018A JP H0758018 A JPH0758018 A JP H0758018A JP 22817493 A JP22817493 A JP 22817493A JP 22817493 A JP22817493 A JP 22817493A JP H0758018 A JPH0758018 A JP H0758018A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 長期間にわたって安全、かつ安定に運転する
ことが可能な半導体結晶成長装置を提供する。 【構成】 反応炉１に隣接した予備室２と、前記反応炉
１と予備室２間を結ぶ仕切り弁３を有するウエハ搬送路
４とを具備した半導体結晶成長装置であって、前記反応
炉１には、プロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒
１５を経由して原料ガスを排気する反応炉内ガス排気パ
イプライン８が配設されており、また、前記予備室２に
は、該予備室内の有毒ガスを検知するためのガス検知器
１８と、前記予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空
排気する排気パイプライン１２とが配設されており、前
記排気パイプライン１２の真空ポンプ１１とその下流に
設けた調節バルブ１６の中間と、反応炉内ガス排気パイ
プライン８のプロセスポンプ９とフィルター１４の中間
との間に、両排気ラインを連結する接続バルブ１３を有
する分岐ライン２３が設けられていることを特徴とす
る。
ことが可能な半導体結晶成長装置を提供する。 【構成】 反応炉１に隣接した予備室２と、前記反応炉
１と予備室２間を結ぶ仕切り弁３を有するウエハ搬送路
４とを具備した半導体結晶成長装置であって、前記反応
炉１には、プロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒
１５を経由して原料ガスを排気する反応炉内ガス排気パ
イプライン８が配設されており、また、前記予備室２に
は、該予備室内の有毒ガスを検知するためのガス検知器
１８と、前記予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空
排気する排気パイプライン１２とが配設されており、前
記排気パイプライン１２の真空ポンプ１１とその下流に
設けた調節バルブ１６の中間と、反応炉内ガス排気パイ
プライン８のプロセスポンプ９とフィルター１４の中間
との間に、両排気ラインを連結する接続バルブ１３を有
する分岐ライン２３が設けられていることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ上に有機金属化
合物を気相成長させる半導体結晶成長装置に関する。
合物を気相成長させる半導体結晶成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハ上に有機金属化合物を気相
成長させる半導体結晶成長装置としては、図２に示すよ
うな装置が使用されていた。即ち、図中、１は結晶成長
が行われる反応炉、２は反応炉１へのウエハの出し入れ
を行う予備室で、１０は予備室２へのウエハの出し入れ
を行う扉である。４は前記反応炉１と前記予備室２間を
結ぶ中間に仕切り弁３を有するウエハ搬送路、５は前記
反応炉１中で被成長基板を支持するサセプタ、６は前記
予備室２中でウエハまたはウエハを載置したトレーを支
持する支持台、７は前記支持台６に載置されたウエハま
たはトレーをサセプタ５に搬送するための搬送アーム、
８は反応炉１内を排気する反応炉内ガス排気パイプライ
ンで、プロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒１５
が順次配設され、各装置の間には接続バルブ２０、２
１、２２がそれぞれ設けられている。１２は予備室２内
を排気する排気パイプラインで、予備室２内を排気する
真空ポンプ１１が配設され、その下流は接続バルブ１３
を介して反応炉内ガス排気パイプライン８の接続バルブ
２１とフィルター１４との間に接続されている。なお、
フィルター１４は排気ガス中に含まれるダストや反応生
成物などの有害ガス成分を除去蓄積するものであり、除
害筒１５はフィルター１４で除去できなかった有害ガス
成分を吸着するものである。なお、１７は予備室２内を
排気する排気パイプライン１２の排気の流れを遮断する
ための調節バルブである。
成長させる半導体結晶成長装置としては、図２に示すよ
うな装置が使用されていた。即ち、図中、１は結晶成長
が行われる反応炉、２は反応炉１へのウエハの出し入れ
を行う予備室で、１０は予備室２へのウエハの出し入れ
を行う扉である。４は前記反応炉１と前記予備室２間を
結ぶ中間に仕切り弁３を有するウエハ搬送路、５は前記
反応炉１中で被成長基板を支持するサセプタ、６は前記
予備室２中でウエハまたはウエハを載置したトレーを支
持する支持台、７は前記支持台６に載置されたウエハま
たはトレーをサセプタ５に搬送するための搬送アーム、
８は反応炉１内を排気する反応炉内ガス排気パイプライ
ンで、プロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒１５
が順次配設され、各装置の間には接続バルブ２０、２
１、２２がそれぞれ設けられている。１２は予備室２内
を排気する排気パイプラインで、予備室２内を排気する
真空ポンプ１１が配設され、その下流は接続バルブ１３
を介して反応炉内ガス排気パイプライン８の接続バルブ
２１とフィルター１４との間に接続されている。なお、
フィルター１４は排気ガス中に含まれるダストや反応生
成物などの有害ガス成分を除去蓄積するものであり、除
害筒１５はフィルター１４で除去できなかった有害ガス
成分を吸着するものである。なお、１７は予備室２内を
排気する排気パイプライン１２の排気の流れを遮断する
ための調節バルブである。
【０００３】このような従来の半導体結晶成長装置にお
いては、反応炉１から製造したウエハを取り出すには、
前記反応炉１への原料ガスの供給を止めた後、前記反応
炉１に配設した反応炉内ガス排気パイプライン８の反応
炉１に近い個所の接続バルブ２０を閉じ、しかる後、前
記反応炉１と前記予備室２間を結ぶウエハ搬送路４に配
設した仕切り弁３を開き、この状態で前記反応炉１と前
記予備室２に水素ガスを導入する。その後、製造したウ
エハを反応炉１からウエハ搬送路４を経て前記予備室２
内に移送した後、前記仕切り弁３を閉じる。しかる後、
予備室２内を真空ポンプ１１により真空引きし、その排
気を排気パイプライン１２を通し、反応炉内ガス排気パ
イプライン８のフィルター１４および除害筒１５を経て
外部に排出する。このとき反応炉内ガス排気パイプライ
ン８のバルブ２２は開けておくが、２１の接続バルブは
閉じ、プロセスポンプ９も止める。その後、前記排気パ
イプライン１２の予備室２に近い個所の調節バルブ１７
を閉じ、次いで前記予備室２内に窒素ガスを導入する。
その後、前記予備室２の扉１０を開けて、支持台６上の
製品ウエハを取り出すものである。
いては、反応炉１から製造したウエハを取り出すには、
前記反応炉１への原料ガスの供給を止めた後、前記反応
炉１に配設した反応炉内ガス排気パイプライン８の反応
炉１に近い個所の接続バルブ２０を閉じ、しかる後、前
記反応炉１と前記予備室２間を結ぶウエハ搬送路４に配
設した仕切り弁３を開き、この状態で前記反応炉１と前
記予備室２に水素ガスを導入する。その後、製造したウ
エハを反応炉１からウエハ搬送路４を経て前記予備室２
内に移送した後、前記仕切り弁３を閉じる。しかる後、
予備室２内を真空ポンプ１１により真空引きし、その排
気を排気パイプライン１２を通し、反応炉内ガス排気パ
イプライン８のフィルター１４および除害筒１５を経て
外部に排出する。このとき反応炉内ガス排気パイプライ
ン８のバルブ２２は開けておくが、２１の接続バルブは
閉じ、プロセスポンプ９も止める。その後、前記排気パ
イプライン１２の予備室２に近い個所の調節バルブ１７
を閉じ、次いで前記予備室２内に窒素ガスを導入する。
その後、前記予備室２の扉１０を開けて、支持台６上の
製品ウエハを取り出すものである。
【０００４】また、次ぎの製品ウエハの製造は、開けた
前記予備室２の扉１０よりウエハを支持台６上にのせた
後、前記扉１０を閉じ、予備室２内を真空ポンプ１１に
より真空引きする。この際の排気は、前記排気パイプラ
イン１２の調節バルブ１７および接続バルブ１３を通
し、反応炉内ガス排気パイプライン８のフィルター１４
および除害筒１５を経て外部に排出し、しかる後、前記
排気パイプライン１２の調節バルブ１７および接続バル
ブ１３を閉じ、真空ポンプ１１も止める。その後、前記
反応炉１と前記予備室２間を結ぶウエハ搬送路４に配設
した仕切り弁３を開き、予備室２内のウエハを反応炉１
のサセプタ５に搬送したのち、前記仕切り弁３を閉じ
る。しかるのち、前記反応炉内ガス排気パイプライン８
の接続バルブ２０、２１、２２を開き、プロセスポンプ
９を稼働させながら、前記反応炉１に原料ガスを導入し
て結晶成長反応を行わしめる。このとき前記反応炉１内
は、プロセスポンプ９により吸引され、その排気は反応
炉内ガス排気パイプライン８を通り、フィルター１４お
よび除害筒１５を経て処理され外部に排出される。
前記予備室２の扉１０よりウエハを支持台６上にのせた
後、前記扉１０を閉じ、予備室２内を真空ポンプ１１に
より真空引きする。この際の排気は、前記排気パイプラ
イン１２の調節バルブ１７および接続バルブ１３を通
し、反応炉内ガス排気パイプライン８のフィルター１４
および除害筒１５を経て外部に排出し、しかる後、前記
排気パイプライン１２の調節バルブ１７および接続バル
ブ１３を閉じ、真空ポンプ１１も止める。その後、前記
反応炉１と前記予備室２間を結ぶウエハ搬送路４に配設
した仕切り弁３を開き、予備室２内のウエハを反応炉１
のサセプタ５に搬送したのち、前記仕切り弁３を閉じ
る。しかるのち、前記反応炉内ガス排気パイプライン８
の接続バルブ２０、２１、２２を開き、プロセスポンプ
９を稼働させながら、前記反応炉１に原料ガスを導入し
て結晶成長反応を行わしめる。このとき前記反応炉１内
は、プロセスポンプ９により吸引され、その排気は反応
炉内ガス排気パイプライン８を通り、フィルター１４お
よび除害筒１５を経て処理され外部に排出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き、従来の半
導体結晶成長装置を使用した場合、原料ガスとして有機
金属であるＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）等とＰＨ
3 等のハイドライドガスを用いて行うＭＯＣＶＤ法（有
機金属気相成長法）では、前記装置の反応炉内ガス排気
パイプライン８のパイプやプロセスポンプ９、フィルタ
ー１４等の内部に、反応炉１中で生成したリン等が蓄積
し、また、未反応の有機金属ガスも残留する。そのた
め、前記予備室２の扉１０を開け、ウエハを支持台にの
せた後、前記予備室２の扉１０を閉じて予備室内を真空
ポンプ１１により排気し、その排気を排気パイプライン
１２を経て反応炉内ガス排気パイプライン８を通して排
出すると、前記反応炉内ガス排気パイプライン８のパイ
プや、フィルター１４、除害筒１５等の内部に空気が侵
入し、これらの場所に蓄積または残留していた前記リン
や有機金属ガスなどと排気ガス中の酸素、水分とが反応
して、例えばリンの場合は燃焼してしまう。このよう
に、リンが燃焼すると燃焼により生成する五酸化リン
が、水分を吸収した形で新たな堆積物を生じ、また、有
機金属ガスはＩｎ2 Ｏ5 などの酸化物を生成し堆積する
などによって、前記排気パイプライン８のパイプや接続
バルブ２２、フィルター１４などの詰まりの原因となっ
ていた。また、接続バルブを閉め忘れてポンプ１１を運
転すると、排気ガス（空気）がプロセスポンプ９ヘ逆流
しポンプの運転不良等を引き起こす原因ともなった。
導体結晶成長装置を使用した場合、原料ガスとして有機
金属であるＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）等とＰＨ
3 等のハイドライドガスを用いて行うＭＯＣＶＤ法（有
機金属気相成長法）では、前記装置の反応炉内ガス排気
パイプライン８のパイプやプロセスポンプ９、フィルタ
ー１４等の内部に、反応炉１中で生成したリン等が蓄積
し、また、未反応の有機金属ガスも残留する。そのた
め、前記予備室２の扉１０を開け、ウエハを支持台にの
せた後、前記予備室２の扉１０を閉じて予備室内を真空
ポンプ１１により排気し、その排気を排気パイプライン
１２を経て反応炉内ガス排気パイプライン８を通して排
出すると、前記反応炉内ガス排気パイプライン８のパイ
プや、フィルター１４、除害筒１５等の内部に空気が侵
入し、これらの場所に蓄積または残留していた前記リン
や有機金属ガスなどと排気ガス中の酸素、水分とが反応
して、例えばリンの場合は燃焼してしまう。このよう
に、リンが燃焼すると燃焼により生成する五酸化リン
が、水分を吸収した形で新たな堆積物を生じ、また、有
機金属ガスはＩｎ2 Ｏ5 などの酸化物を生成し堆積する
などによって、前記排気パイプライン８のパイプや接続
バルブ２２、フィルター１４などの詰まりの原因となっ
ていた。また、接続バルブを閉め忘れてポンプ１１を運
転すると、排気ガス（空気）がプロセスポンプ９ヘ逆流
しポンプの運転不良等を引き起こす原因ともなった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の如き事
柄に鑑み鋭意検討した結果、上述の如き半導体結晶成長
装置の排気系のトラブルの発生を防止でき、安全、かつ
安定して長期間稼働することができる半導体結晶成長装
置を開発し得たものである。即ち、本発明の半導体結晶
成長装置は、結晶成長を行うための反応炉１と、この反
応炉１に隣接した予備室２と、前記反応炉１と予備室２
間を結ぶ仕切り弁３を有するウエハ搬送路４とを具備し
た半導体結晶成長装置であって、前記反応炉１には、プ
ロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒１５を経由し
て原料ガスを排気する反応炉内ガス排気パイプライン８
が配設されており、また、前記予備室２には、該予備室
内の有毒ガスを検知するためのガス検知器１８と、前記
予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空排気する排気
パイプライン１２とが配設されており、前記排気パイプ
ライン１２の真空ポンプ１１とその下流に設けた調節バ
ルブ１６の中間と、反応炉内ガス排気パイプライン８の
プロセスポンプ９とフィルター１４の中間との間に、両
排気ラインを連結する接続バルブ１３を有する分岐ライ
ン２３が設けられていることを特徴とするものである。
柄に鑑み鋭意検討した結果、上述の如き半導体結晶成長
装置の排気系のトラブルの発生を防止でき、安全、かつ
安定して長期間稼働することができる半導体結晶成長装
置を開発し得たものである。即ち、本発明の半導体結晶
成長装置は、結晶成長を行うための反応炉１と、この反
応炉１に隣接した予備室２と、前記反応炉１と予備室２
間を結ぶ仕切り弁３を有するウエハ搬送路４とを具備し
た半導体結晶成長装置であって、前記反応炉１には、プ
ロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒１５を経由し
て原料ガスを排気する反応炉内ガス排気パイプライン８
が配設されており、また、前記予備室２には、該予備室
内の有毒ガスを検知するためのガス検知器１８と、前記
予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空排気する排気
パイプライン１２とが配設されており、前記排気パイプ
ライン１２の真空ポンプ１１とその下流に設けた調節バ
ルブ１６の中間と、反応炉内ガス排気パイプライン８の
プロセスポンプ９とフィルター１４の中間との間に、両
排気ラインを連結する接続バルブ１３を有する分岐ライ
ン２３が設けられていることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明の半導体結晶成長装置は、予備室２に接
続させて配設したガス検知器１８により、予備室２の扉
１０を開ける前に、予備室２内部の有害ガスの有無を確
認できる。また、予備室２の扉１０を開放する前に、万
が一、予備室２内部の有害ガスが検知された場合には、
前記排気パイプライン１２に配設してある調節バルブ１
７を開け、調節バルブ１６は閉じて、反応炉内ガス排気
パイプライン８と排気パイプライン１２の両排気ライン
を連結する分岐ライン２３の接続バルブ１３を開き、こ
の有害ガスを含む排気を反応炉内ガス排気パイプライン
８のフィルター１４を経て除害筒１５へ導いて処理でき
る。予備室２に有害ガスが存在しない場合には、分岐ラ
イン２３の接続バルブ１３を閉じて、この予備室２内を
真空排気した排気をフィルター１４、除害筒１５を経ず
に排気パイプライン１２を介して直接大気中に排出でき
る。従って、予備室２の扉１０の開放により予備室２内
に入った空気などは、反応炉内ガス排気パイプライン８
のパイプやプロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒
１５等に触れることなく排出できる。
続させて配設したガス検知器１８により、予備室２の扉
１０を開ける前に、予備室２内部の有害ガスの有無を確
認できる。また、予備室２の扉１０を開放する前に、万
が一、予備室２内部の有害ガスが検知された場合には、
前記排気パイプライン１２に配設してある調節バルブ１
７を開け、調節バルブ１６は閉じて、反応炉内ガス排気
パイプライン８と排気パイプライン１２の両排気ライン
を連結する分岐ライン２３の接続バルブ１３を開き、こ
の有害ガスを含む排気を反応炉内ガス排気パイプライン
８のフィルター１４を経て除害筒１５へ導いて処理でき
る。予備室２に有害ガスが存在しない場合には、分岐ラ
イン２３の接続バルブ１３を閉じて、この予備室２内を
真空排気した排気をフィルター１４、除害筒１５を経ず
に排気パイプライン１２を介して直接大気中に排出でき
る。従って、予備室２の扉１０の開放により予備室２内
に入った空気などは、反応炉内ガス排気パイプライン８
のパイプやプロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒
１５等に触れることなく排出できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明半導体結晶成長装置およびその
運転方法を実施例を挙げて詳細に説明する。 （実施例）図１は、本発明の半導体結晶成長装置の一実
施例を示すものである。図中、１は結晶成長が行われる
反応炉、２は反応炉からウエハの出し入れを行う扉１０
を有する予備室、４は前記反応炉１と前記予備室２間を
結ぶウエハ搬送路で、中間に仕切り弁３が設けられてい
る。５は前記反応炉１中で被成長基板を支持するサセプ
タ、６は前記予備室２中でウエハまたはウエハを載置し
たトレーを支持する支持台、７は前記支持台６に載置さ
れたウエハまたはトレーをサセプタ５に搬送するための
搬送アーム、９は反応炉内ガス排気パイプライン８に組
み込まれた反応炉１内の吸気を行うプロセスポンプ、１
４は該プロセスポンプ９からの排気ガス中に含まれるダ
ストや反応生成物を除去蓄積するためのフィルター、１
５はフィルター１４で除去できなかった排気ガス中の有
毒ガス成分を吸着する除害筒である。１２は、本発明の
半導体結晶成長装置において重要な排気パイプライン
で、該排気パイプライン１２は、予備室２内を真空引き
する排気を、前記反応炉内ガス排気パイプライン８を経
ずに独立して大気中に排出するラインで、調節バルブ１
６、真空ポンプ１１および調節バルブ１７が配設されて
いる。２３は、反応炉内ガス排気パイプライン８の接続
バルブ２１とフィルター１４との間と、排気パイプライ
ン１２の真空ポンプ１１と接続バルブ１６との間とを連
結する分岐ラインで、該分岐ライン２３には接続バルブ
１３が配設されている。なお、２０、２１、２２は接続
バルブである。また、１８は予備室２に接続バルブ１９
を介して接続された有毒ガス検知器である。
運転方法を実施例を挙げて詳細に説明する。 （実施例）図１は、本発明の半導体結晶成長装置の一実
施例を示すものである。図中、１は結晶成長が行われる
反応炉、２は反応炉からウエハの出し入れを行う扉１０
を有する予備室、４は前記反応炉１と前記予備室２間を
結ぶウエハ搬送路で、中間に仕切り弁３が設けられてい
る。５は前記反応炉１中で被成長基板を支持するサセプ
タ、６は前記予備室２中でウエハまたはウエハを載置し
たトレーを支持する支持台、７は前記支持台６に載置さ
れたウエハまたはトレーをサセプタ５に搬送するための
搬送アーム、９は反応炉内ガス排気パイプライン８に組
み込まれた反応炉１内の吸気を行うプロセスポンプ、１
４は該プロセスポンプ９からの排気ガス中に含まれるダ
ストや反応生成物を除去蓄積するためのフィルター、１
５はフィルター１４で除去できなかった排気ガス中の有
毒ガス成分を吸着する除害筒である。１２は、本発明の
半導体結晶成長装置において重要な排気パイプライン
で、該排気パイプライン１２は、予備室２内を真空引き
する排気を、前記反応炉内ガス排気パイプライン８を経
ずに独立して大気中に排出するラインで、調節バルブ１
６、真空ポンプ１１および調節バルブ１７が配設されて
いる。２３は、反応炉内ガス排気パイプライン８の接続
バルブ２１とフィルター１４との間と、排気パイプライ
ン１２の真空ポンプ１１と接続バルブ１６との間とを連
結する分岐ラインで、該分岐ライン２３には接続バルブ
１３が配設されている。なお、２０、２１、２２は接続
バルブである。また、１８は予備室２に接続バルブ１９
を介して接続された有毒ガス検知器である。
【０００９】次に、本発明の半導体結晶成長装置の運転
方法について説明する。本発明の半導体結晶成長装置に
おいて、予備室２にウエハを入れる際に、先ず、反応炉
１と予備室２間を結ぶウエハ搬送路４に設けた仕切り弁
３を閉じる。次に、予備室２の内部と接続したバルブ１
９を開いて有毒ガス検知器１８を予備室２と連結させ、
予備室２内部に有害ガスが残留しているか、いないかを
確認する。もし、予備室２内部に有害ガスが存在してい
たら、排気パイプライン１２の調節バルブ１６を閉じ、
分岐ライン２３の接続バルブ１３を開いた状態で、予備
室２内を真空ポンプ１１により真空引きし、その排気を
反応炉内ガス排気パイプライン８のフィルター１４を経
て除害筒１５へ導いて除害する。このとき、反応炉内ガ
ス排気パイプライン８の接続バルブ２１が閉じられてい
ることは勿論である。有害ガスが検知されなくなったな
らば、調節バルブ１７、および接続バルブ１３を閉じ、
真空ポンプ１１の運転を止めると共に、予備室２内に窒
素ガスを送り込み大気圧に戻す。なお、検知器１８によ
る予備室２内の有毒ガス検知結果が有毒ガスなしのとき
には、排気運転は不要である。
方法について説明する。本発明の半導体結晶成長装置に
おいて、予備室２にウエハを入れる際に、先ず、反応炉
１と予備室２間を結ぶウエハ搬送路４に設けた仕切り弁
３を閉じる。次に、予備室２の内部と接続したバルブ１
９を開いて有毒ガス検知器１８を予備室２と連結させ、
予備室２内部に有害ガスが残留しているか、いないかを
確認する。もし、予備室２内部に有害ガスが存在してい
たら、排気パイプライン１２の調節バルブ１６を閉じ、
分岐ライン２３の接続バルブ１３を開いた状態で、予備
室２内を真空ポンプ１１により真空引きし、その排気を
反応炉内ガス排気パイプライン８のフィルター１４を経
て除害筒１５へ導いて除害する。このとき、反応炉内ガ
ス排気パイプライン８の接続バルブ２１が閉じられてい
ることは勿論である。有害ガスが検知されなくなったな
らば、調節バルブ１７、および接続バルブ１３を閉じ、
真空ポンプ１１の運転を止めると共に、予備室２内に窒
素ガスを送り込み大気圧に戻す。なお、検知器１８によ
る予備室２内の有毒ガス検知結果が有毒ガスなしのとき
には、排気運転は不要である。
【００１０】しかる後、予備室２の扉１０を開いて、ウ
エハまたはウエハトレーの差し入れを行う。予備室２内
へのウエハの差し入れ後、前記予備室２の扉１０を閉
じ、前記排気パイプライン１２の調節バルブ１６、１７
を開状態、分岐ライン２３の接続バルブ１３を閉状態と
した後、前記予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空
引きし、その排気を前記排気パイプライン１２を通して
大気中に排気する。しかる後、前記排気パイプライン１
２中の調節バルブ１７を閉じ、反応炉１と予備室２間を
結ぶウエハ搬送路４の前記仕切り弁３を開き、予備室２
と反応炉１とを同一真空下となした後、前記予備室２内
のウエハを反応炉１に移し、しかる後、前記ウエハ搬送
路４の前記仕切り弁３を閉じ、前記反応炉内ガス排気パ
イプライン８の接続バルブ２０、２１、２２を開き、プ
ロセスポンプ９を稼働させながら、前記反応炉１内に原
料ガスを導入して半導体の結晶成長反応を行うものであ
る。
エハまたはウエハトレーの差し入れを行う。予備室２内
へのウエハの差し入れ後、前記予備室２の扉１０を閉
じ、前記排気パイプライン１２の調節バルブ１６、１７
を開状態、分岐ライン２３の接続バルブ１３を閉状態と
した後、前記予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空
引きし、その排気を前記排気パイプライン１２を通して
大気中に排気する。しかる後、前記排気パイプライン１
２中の調節バルブ１７を閉じ、反応炉１と予備室２間を
結ぶウエハ搬送路４の前記仕切り弁３を開き、予備室２
と反応炉１とを同一真空下となした後、前記予備室２内
のウエハを反応炉１に移し、しかる後、前記ウエハ搬送
路４の前記仕切り弁３を閉じ、前記反応炉内ガス排気パ
イプライン８の接続バルブ２０、２１、２２を開き、プ
ロセスポンプ９を稼働させながら、前記反応炉１内に原
料ガスを導入して半導体の結晶成長反応を行うものであ
る。
【００１１】上記の本発明の半導体結晶成長装置を使用
してＩｎＰを結晶成長させた結果、従来の装置を用いて
行った場合、結晶成長工程の３０〜４０回の繰り返し後
に生じていた反応炉内ガス排気パイプライン８における
パイプの詰まり、バルブ部、フィルター部などの詰まり
等が、結晶成長工程の２００回以上の繰り返し後におい
ても生じておらず、装置の長期間の安定な運転が実現で
きた。
してＩｎＰを結晶成長させた結果、従来の装置を用いて
行った場合、結晶成長工程の３０〜４０回の繰り返し後
に生じていた反応炉内ガス排気パイプライン８における
パイプの詰まり、バルブ部、フィルター部などの詰まり
等が、結晶成長工程の２００回以上の繰り返し後におい
ても生じておらず、装置の長期間の安定な運転が実現で
きた。
【００１２】なお、本発明の半導体結晶成長装置は、材
料系や結晶の成長方式にとらわれるものでなく、Ｉｎ
Ｐ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、Ｓｉ等種々の材料を取り扱う
半導体結晶成長に適用可能であり、また、ＭＯ−ＭＥＢ
（有機金属分子線エピタキシヤル法）、クロライドＶＰ
Ｅ法、ハライドＶＰＥ法などのような結晶成長方式にも
広く応用可能である。また、有害ガス検知器としては、
発生し得るガスの種類に応じて機種を選定すべきであ
り、必要に応じて数種設けてもよく、更に、必ずしもガ
ス濃度を数値で示す方式にはとらわれず、ガス濃度に応
じて変色する検知剤等で代用しても差し支えない。
料系や結晶の成長方式にとらわれるものでなく、Ｉｎ
Ｐ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、Ｓｉ等種々の材料を取り扱う
半導体結晶成長に適用可能であり、また、ＭＯ−ＭＥＢ
（有機金属分子線エピタキシヤル法）、クロライドＶＰ
Ｅ法、ハライドＶＰＥ法などのような結晶成長方式にも
広く応用可能である。また、有害ガス検知器としては、
発生し得るガスの種類に応じて機種を選定すべきであ
り、必要に応じて数種設けてもよく、更に、必ずしもガ
ス濃度を数値で示す方式にはとらわれず、ガス濃度に応
じて変色する検知剤等で代用しても差し支えない。
【００１３】
【発明の効果】以上、説明した如く、本発明の半導体結
晶成長装置を使用すれば、フィルター１４、除害筒１５
を早期に劣化させる空気の侵入を最小限に抑えることが
できるので、装置の運転に支障をきたすことがなく、従
って、フィルター、除害筒の詰まりなどが防止でき、長
期間にわたって安全、かつ安定に運転することが可能と
なり、その実用的効果は極めて大きいものである。
晶成長装置を使用すれば、フィルター１４、除害筒１５
を早期に劣化させる空気の侵入を最小限に抑えることが
できるので、装置の運転に支障をきたすことがなく、従
って、フィルター、除害筒の詰まりなどが防止でき、長
期間にわたって安全、かつ安定に運転することが可能と
なり、その実用的効果は極めて大きいものである。
【図１】本発明の半導体結晶成長装置の一実施例の概略
図である。
図である。
【図２】従来の半導体結晶成長装置の一実施例の概略図
である。
である。
１・・・・・・・反応炉 ２・・・・・・・予備室 ３・・・・・・・仕切り弁 ４・・・・・・・ウエハ搬送路 ５・・・・・・・サセプタ ６・・・・・・・支持台 ７・・・・・・・搬送アーム ８・・・・・・・反応炉内ガス排気パイプライン ９・・・・・・・プロセスポンプ １０・・・・・・予備室の扉 １１・・・・・・真空ポンプ １２・・・・・・排気パイプライン １３・・・・・・接続バルブ １４・・・・・・フィルター １５・・・・・・除害筒 １６、１７・・・調節バルブ １８・・・・・・有害ガス検知器 １９〜２２・・・接続バルブ ２３・・・・・・分岐ライン
Claims (1)
- 【請求項１】 結晶成長を行うための反応炉１と、この
反応炉１に隣接した予備室２と、前記反応炉１と予備室
２間を結ぶ仕切り弁３を有するウエハ搬送路４とを具備
した半導体結晶成長装置であって、前記反応炉１には、
プロセスポンプ９、フィルター１４、除害筒１５を経由
して原料ガスを排気する反応炉内ガス排気パイプライン
８が配設されており、また、前記予備室２には、該予備
室内の有毒ガスを検知するためのガス検知器１８と、前
記予備室２内を真空ポンプ１１を介して真空排気する排
気パイプライン１２とが配設されており、前記排気パイ
プライン１２の真空ポンプ１１とその下流に設けた調節
バルブ１６の中間と、前記反応炉内ガス排気パイプライ
ン８のプロセスポンプ９とフィルター１４の中間との間
に、両排気ラインを連結する接続バルブ１３を有する分
岐ライン２３が設けられていることを特徴とする半導体
結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22817493A JPH0758018A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22817493A JPH0758018A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758018A true JPH0758018A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16872384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22817493A Pending JPH0758018A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114790572A (zh) * | 2021-01-26 | 2022-07-26 | 爱思开矽得荣株式会社 | 氧化燃烧铸锭生长机的装置及其方法 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP22817493A patent/JPH0758018A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114790572A (zh) * | 2021-01-26 | 2022-07-26 | 爱思开矽得荣株式会社 | 氧化燃烧铸锭生长机的装置及其方法 |
| CN114790572B (zh) * | 2021-01-26 | 2024-02-20 | 爱思开矽得荣株式会社 | 氧化燃烧铸锭生长机的装置及其方法 |
| US12110608B2 (en) | 2021-01-26 | 2024-10-08 | Sk Siltron Co., Ltd. | Apparatus of oxidation-combusting an ingot grower and method thereof |
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