JPH03183761A - 蒸着法 - Google Patents

蒸着法

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JPH03183761A
JPH03183761A JP32188089A JP32188089A JPH03183761A JP H03183761 A JPH03183761 A JP H03183761A JP 32188089 A JP32188089 A JP 32188089A JP 32188089 A JP32188089 A JP 32188089A JP H03183761 A JPH03183761 A JP H03183761A
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JP
Japan
Prior art keywords
gas
refractive index
vapor deposition
vacuum
index layer
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Pending
Application number
JP32188089A
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English (en)
Inventor
Tatsuo Ota
達男 太田
Tomohito Nakano
智史 中野
Setsuo Tokuhiro
節夫 徳弘
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光学系に用いられる薄膜の蒸着法に関し、詳し
くは薄膜組成の安定化に関する。
(発明の背景) 近年、大容量のデータ記憶装置の必要性が高まり、光デ
イスク装置、光磁気ディスク装置などが多く利用される
ようになっている。これらの装置では、光学ヘッドを使
用してデータを読み取っている。この光学ヘッドの中に
ビームスプリッタが使用されており、骸光学ヘッドは例
えば所定形状に加工されたプリズムの一面に、高屈折率
の防電体物質と低屈折率の誘電体物質とが真空蒸着等に
より交互に累積された積層光学膜が形成される。
前記真空蒸着法は、蒸着物質に対する禁忌が少く、薄膜
形成の制御が容易で、作業性がよく大量生産に適してい
ることから広く活用されている。
しかし一方において、蒸着条件によって薄膜の性質が変
り易く、合金、化合物を蒸着すると蒸発源m或と蒸着暎
組戊との間に差を生することが多い。即ち一般に真空蒸
着法におていは、基板ホールダに配置された基板上への
蒸着膜厚を均一にするために、真空槽中にアルゴン等の
不活性ガスを導入し、訣ガス圧を調整しながら蒸着が進
められるが、往々にして製造バッチ間或はパッチ内で、
基板上に生皮した薄膜特性が変動する。
その顕著な例として弗化マグネシウム(以後MgFxと
標記する。但しX≦2)をアルゴン(Arと標記)ガス
の存在下蒸着すると、弗素の含有量の低下、従ってマグ
ネシウム(Mg)11の増大を呼び膜組成が変動し、屈
折率の変化を招く。
従ってレンズ、プリズム等の光学部材表面に酸化チタン
(TtO,) 、酸化プラセオジム(Prow) 、或
はその混合物Tie、−Pry、を高屈折率層とし、M
gFxを低屈折率層として繰返し積層して所定の光学特
性を有する累積N(コートティングと称す)を形成する
と、その透過率、反射率或は偏光性等の光学特性の再現
性、性能値確度が著しく不安定となる。
(発明の目的) 本発明の目的は、MgFxの関る真空蒸着において、基
板ホールダに配置される基板上の蒸着膜が製造バッチ間
及びバッチ内で、 l)蒸着膜厚が均一で、 2 ) MgFx蒸着膜中の弗素含有■の低下がなく光
学屈折率の再現性、確度が良好であり、 3)高屈折率層とMgFxの関る低屈折率層からなる累
積蒸着層の光学特性が均一、安定である。
蒸着法を提供することにある。
(発明の構成及び作用効果) 前記した本発明の目的は、MgFxの真空蒸着を酸素ガ
ス又は酸素と不活性ガス例えば、Ar、N*等との混合
ガスの存在下に行うことを特徴とする蒸着法によって達
成される。
更に本発明の態様は高屈折率及びMgFx低屈折率贋の
累積真空蒸着に用いて効果を挙げることができ、また前
記高屈率層としてTi01、Pr01又はその混合物T
ie、−Pry、を用いる場合にも有用である。
次に本発明の真空蒸着に用いる真空蒸着装置の概要を第
1図に示した。
図において11は真空槽、12は径80〜150cmの
大きさの曲面をもつ回転する蒸着基板ホールダであって
、回転によって蒸着の均一性を図っている。
13は蒸発源を入れる坩堝である。本発明においては低
屈折率材料(L材料と称す)としてMgF x、高屈折
率材料(H材料)としてTie、、Pro、又はその混
合物TiO,−PrO,を用いる。
前記蒸発源は加熱によって蒸発させられるが、本発明に
おでいは好ましくは電子銃14からの電子ビーム15に
よって行われる。
16はガス導入管であって、本発明に係る酸素(0,)
ガスは、単独或はArガスとの併用の場合も1.0〜4
XIO−’+mbarに調整される。尚併用するArガ
スは10〜3XIO−’mbarが好ましい。
また蒸着速度はり、H両材料共にlO〜50A/see
に制御される。
蒸着基板にBK−7ガラスを用いる場合には基板温度2
50〜350℃、好ましくは300℃に調節される。
前記の要件の下にArガス単独、O,ガス単独及びAr
ガスとO,ガスの混合ガスの導入でMgFx層を蒸着し
た場合の蒸着膜中の弗素含有■を表1に相対値表 表1に明かなようにO,ガスの存在によって弗素含有量
が上り、光学特性が安定となり、またバッチ内及びバッ
チ間の膜厚分布の均一性が上る。
弗素含有量はオージェ(Auger)電子分光法を用い
た。又Arガスの代りにN、ガスを用いた場合も同様な
煩向を示した。
また累積する蒸着層数は必要に応じ任意に定めうる。本
発明における高屈折率層は” 101P r Oxの単
組戊層であってもよいし、混合物Ti0x−PrOxの
混成高屈折率層であってもよいが、すべての高屈折率層
が混成高屈折率層であることが好ましい。
また該as、ymにおいてpro、、’rio、の重量
比は0.5〜5、好ましくは2〜3である。
更に前記混合物に、Zr、 Ta、 Y、 La等の金
属及び/又はそれらの酸化物が特性を損なわぬ範囲含有
されていてもよい。
〔実施例〕
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例1 Pro、とTiO2とを主成分とする混合物(例えばE
Merck社製商品名”サブスタンス2H;以下5ub
−■と標記)を高屈折率物質、化学量論的にMgF、を
低屈折率物質として、直角等辺三角形ガラスプリズム(
材質:BK−7)の斜辺面上に真空蒸着を用いて交互に
7層累積蒸着した。蒸着時、基板加熱温度は300℃で
あった。5ub−IIは0.ガス2X10−’mbar
、蒸着速度4 A / see%MgF、は0.ガス3
XlO−’mbar%10人/seeで蒸着を行った。
前記斜辺面から数えて奇数番層を123.6gtμの高
屈折率層(5ub−n層)、偶数番層を196.7−μ
の低屈折率層(MgFx層)とした。
蒸着後、前記プリズムを大気中に取出し、同形の接合ガ
ラスプリズム(材質:BK−7)と、紫外線硬化型接着
剤(ノーランド社製No、61)を用いて斜辺面を接合
した。10mw/cm”の強さの紫外線を仮固定に5秒
間、本硬化に10分間照射し、第2図に示す光学プリズ
ムを作成した。
このプリズムへ垂直に光を入射させた時(積層膜への入
射角は45’) P波成分とS波成分の分光透過率を第
3図に示す。
図の実線A、、 A、に示されるように780±15m
μの波長領域で P波成分;透過率85±1%1反射率15±1%S波戊
分;透過率4±1%1反射率96±1%となり、化学量
論的MgF!を用いた設計光学特性(曲線Cp、 Cm
)に近い値かえられた。
また性能の均一化、確度が良好となる。また再現性もよ
い。
比較例(1) 実施例1と同材料、層構成で、導入ガスを、5ub−I
I ; O,ガス、2X10−’mbarMgF1 ;
 Arガス、3X1G−’mbarとした外は全く同様
にして接合プリズムを作成し同様に評価し、第3図に併
示した(曲線B□ns)。
P波成分;透過率90±3%、反射率lO±3%S波成
分;透過率2±3%、反射率98±3%実施例に対して
、透過率においてP波成分が増加し、S波成分が減少す
る。
化学量論的MgF!を用いた設計値から大きく偏り、ま
た性能値確度も低下し、また再現性も低下した。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る真空蒸着装置の概要図、第2図は
本発明に係る高、低屈折率層コーテングを有する接合プ
リズムの断面図、第3図は前記接合プリズムのP、S波
成分の光透過率−波長の関係図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)弗化マグネシウムの真空蒸着を酸素ガス又は酸素
    と不活性ガスの混合ガスの存在下に行うことを特徴とす
    る蒸着法。
  2. (2)高屈折率層及び低屈折率層の累積真空蒸着におい
    て、酸素ガス又は酸素と不活性ガスの混合ガスの存在下
    に弗化マグネシウム低屈折率層を形成することを特徴と
    する蒸着法。
  3. (3)前記高屈折率層として酸化チタン、酸化プラセオ
    ジム又は、酸化チタンと酸化プラセオジウムの混合物を
    主成分とする材料を用いる請求項2に記載の蒸着法。
JP32188089A 1989-12-12 1989-12-12 蒸着法 Pending JPH03183761A (ja)

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