JPH03183780A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPH03183780A
JPH03183780A JP32453489A JP32453489A JPH03183780A JP H03183780 A JPH03183780 A JP H03183780A JP 32453489 A JP32453489 A JP 32453489A JP 32453489 A JP32453489 A JP 32453489A JP H03183780 A JPH03183780 A JP H03183780A
Authority
JP
Japan
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pipe
pipes
trap
piping
semiconductor manufacturing
Prior art date
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Pending
Application number
JP32453489A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsutoshi Hagiwara
萩原 勝敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体製造装置に係わbl特にCVD装置に
釦ける配管系の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のCVD装置における配管系の構成を示す
図である。同図にかいて、1は配管であう、この配管1
の途中にはトラップ3を有する配管部4が設けられて>
、6、ポンプ側の配管6へ連結されている。
このような構成において、配管1を通過したガスや固体
状物質などのうち、爵体状物質は、配管部4を通過する
際にトラップ3に捕えられてこのトラップ3に溜る。こ
れによってポンプ内への固体状物質の流入を防止させて
いる。そして、配管6にはガス状物質のみが流れ、ポン
プを汚さないようになる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の半導体製造装置は、トラップ3内
に固体状物質が溜すすぎると、配管部4を詰らせ配管前
での圧力が高く々つでしまうという問題があった。また
、この溜った固体状物質を取り除くためには半導体製造
装置の駆動を停止しなければならないという問題があっ
た。
この発明は、上記従来の課題を解決するためになされた
ものであり1配管前の圧力の変化を防ぐとともに装置を
使用しながら、トラップの洗浄ができる半導体製造装置
を得ることを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、配管の一部を複数に
分岐させ、この複数本の配管生金てにトラップを設ける
とともにこの複数本のうちの1本を常に使用し、他の配
管との切シ換えが可能な切換手段を設けたものである。
〔作用〕
この発明における複数本に分かれた配管は、1本の配管
中のトラップの目詰シ前に切換手段によシ他方と切り換
えることによう、配管前の部分での急な圧力上昇を防ぎ
、筐九−本の配管を使用中に他方の配管のネットに溜っ
たものを取り除けるので、半導体製造装置を止める必要
がなくなる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する
第1図はこの発明による半導体製造装置の一実施例を示
す要部構成図であシ、上述の図と同一部分には同一符号
を付しである。同図において、配管1は、その一部が分
岐点2から二叉に分岐されこの分岐された各配管11.
1zにはそれぞれトラップ3が配管部4内に収容されて
結合されるとともに配管6も同様に一部が分岐点5から
二叉に分岐され、この分岐された各配管61,6zにそ
れぞれ連結されている。また、配管10分岐点2および
配管60分岐点5には流路を切シ換えるそれぞれパルプ
71および7雪が設けられ、これらのバルブ?r 、7
2の一方向、他方向への切シ換えによ多分岐された配管
のうち、いずれか一方を使用する。
このよう碌構成において、配管1を通過したガスや固体
状物質は、分岐点2で配v4に流れ込む。
このとき、バルブ71は一箇所のみが開いているので、
ガスや固体状物質はパルプTIの開いている配管401
本へのみ流れ込む。そして、配管4内にあるトラップ3
によって固体状物質は捕えられ、配管の分岐点5を通っ
て配管6を流れる際にはガスのみと女b1その後のポン
プへのダメージを軽減させている。この際、トラップ3
へは次第に固体状物質が溜b1最後には配管を詰らせ、
配管前での圧力が漸次高くなってし筐うが、トラップ3
が詰る前にバルブ7t 、 7zを切シ換え・その間に
溜った固体状物質を除去することができるので、トラッ
プ3を詰らせることがなく、圧力の変化を防ぐことがで
きる。筐た、一方の配管を使用中に他方の配管を洗浄で
きるので、炉を使用しながら、配管を洗浄できる。
なお、上述した実施例にかいては、分岐される配管を2
本としfc場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、2本以上伺本でも良いことは言
う1でもない。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、配管を複数にし
たので、配管の詰りによる圧力変動を起こすこともなく
、炉を使用しながら、配管を洗浄することが可能となる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面図、第2図は従来の半導体製造装置を示す断面図
である。 1.11,12 ・O#・配管、2・・・・分岐点、3
11@1111)ラップ、4・・・・配管、5・・・・
パルプ。 代 理 人 大 岩 増 雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 配管の一部を複数に分けて分岐させ、該分岐させた複数
    の配管内にトラツプを設けるとともに該分岐点に流路の
    切り換え手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置
JP32453489A 1989-12-13 1989-12-13 半導体製造装置 Pending JPH03183780A (ja)

Priority Applications (1)

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JP32453489A JPH03183780A (ja) 1989-12-13 1989-12-13 半導体製造装置

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JPH03183780A true JPH03183780A (ja) 1991-08-09

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ID=18166875

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JP32453489A Pending JPH03183780A (ja) 1989-12-13 1989-12-13 半導体製造装置

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JP (1) JPH03183780A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09187612A (ja) * 1995-10-31 1997-07-22 Takasago Thermal Eng Co Ltd ガス状不純物処理システム及び粒子除去フィルタ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09187612A (ja) * 1995-10-31 1997-07-22 Takasago Thermal Eng Co Ltd ガス状不純物処理システム及び粒子除去フィルタ

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