JPH03183781A - 薄膜被着方法及び装置 - Google Patents
薄膜被着方法及び装置Info
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- JPH03183781A JPH03183781A JP2211743A JP21174390A JPH03183781A JP H03183781 A JPH03183781 A JP H03183781A JP 2211743 A JP2211743 A JP 2211743A JP 21174390 A JP21174390 A JP 21174390A JP H03183781 A JPH03183781 A JP H03183781A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/38—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal at least one coating being a coating of an organic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性基体上、より詳しくは導電性薄層の被
着により予め導電性にされた絶縁性基体上にプラズマ−
ＣＶＤ技法により薄層を被着するための方法及び装置な
らびに得られた製品に関する。
着により予め導電性にされた絶縁性基体上にプラズマ−
ＣＶＤ技法により薄層を被着するための方法及び装置な
らびに得られた製品に関する。
単量体から減圧プラズマ下での化学反応により得られた
有機化合物の薄層を被着させることによってさまざまな
材料の表面を保護することが既に知られている。例えば
、欧州特許出願明細書ＥＰ２３０、１８８号は、アース
に接続され被覆すべき基体を支持する電極及び１メガヘ
ルツ未満の周波数で作動する電力発生器に接続されてい
るわずかな距離のところに位置づけされた電極という互
いにわずかな距離をとって配置された２つの電極の間の
静電結合により作り出される放電の中に気体形状の有機
ケイ素化合物の単量体を一次真空下で導入することによ
り得られる有機ケイ素化合物フィルムを記述している。
有機化合物の薄層を被着させることによってさまざまな
材料の表面を保護することが既に知られている。例えば
、欧州特許出願明細書ＥＰ２３０、１８８号は、アース
に接続され被覆すべき基体を支持する電極及び１メガヘ
ルツ未満の周波数で作動する電力発生器に接続されてい
るわずかな距離のところに位置づけされた電極という互
いにわずかな距離をとって配置された２つの電極の間の
静電結合により作り出される放電の中に気体形状の有機
ケイ素化合物の単量体を一次真空下で導入することによ
り得られる有機ケイ素化合物フィルムを記述している。
かかる方法により、特にガラス上に被着された銀ベース
の薄層の保護といった数多くの利用分野をもつ薄層を得
ることができる。
の薄層の保護といった数多くの利用分野をもつ薄層を得
ることができる。
前述の方法においては、基体は被着中不動の状態にとど
まるが、磁界を用いてプラズマを封じ込める一方で、基
体は電極ひいてはプラズマとの関係において移動させら
れるような他の方法も同様に知られている。
まるが、磁界を用いてプラズマを封じ込める一方で、基
体は電極ひいてはプラズマとの関係において移動させら
れるような他の方法も同様に知られている。
このような方法は、機械的な真空下での駆動システムを
必要とし、従って製作及びメンテナンスがむずかしいこ
とから、利用が大変である。又、有機ケイ素化合物は、
より跪性の機能層を保護することを目的とすることが最
も多かった。ガラス上に第１層（上述の銀ベースの層を
含む）の被着を行う工業的生産ライン上では、第１の層
の被着が行われるチャンバと類似のものでしかもかかる
チャンバと、圧力を一般に大気圧へ戻す出力圧力調節室
の間に設置されている特殊なチャンバが必要であり、こ
の場合かかるチャンバ内で最後の保護層の被着が行われ
る。
必要とし、従って製作及びメンテナンスがむずかしいこ
とから、利用が大変である。又、有機ケイ素化合物は、
より跪性の機能層を保護することを目的とすることが最
も多かった。ガラス上に第１層（上述の銀ベースの層を
含む）の被着を行う工業的生産ライン上では、第１の層
の被着が行われるチャンバと類似のものでしかもかかる
チャンバと、圧力を一般に大気圧へ戻す出力圧力調節室
の間に設置されている特殊なチャンバが必要であり、こ
の場合かかるチャンバ内で最後の保護層の被着が行われ
る。
これとは反対に、前述の最初の方法によると、成る程度
の限界はあるものの、後に重合層を形成するため再結合
するイオンと基が生み出されるプラズマとガラスの間の
相対的な移動無しに、被着を行うことができ、従って、
例えば工業的な陰極スパッタリングラインの入口圧力調
節室又は出口圧力調節室内での停止の間に不動のガラス
上に被着を行うことが可能である。
の限界はあるものの、後に重合層を形成するため再結合
するイオンと基が生み出されるプラズマとガラスの間の
相対的な移動無しに、被着を行うことができ、従って、
例えば工業的な陰極スパッタリングラインの入口圧力調
節室又は出口圧力調節室内での停止の間に不動のガラス
上に被着を行うことが可能である。
しかしながらかかる方法には限界がある。特に重合体被
着の大部分が行われるゾーンがガラスの上に置かれた電
極に近いゾーンであり、被着はかかる電極上でも処理す
べきガラス上と同じ速さで行われることがわかる。この
ことは多くの影響をもたらす。まず第１に、該方法の量
的効率は良くない。ガラス上の重合体の中には、エンク
ロージャ内に導入された単量体の量のうちわずかな部分
しか再び見い出すことができない、一方、プロセス自体
の機能は上部電極上への優先的な該被着によって妨げら
れる。つまり、絶縁性をもつ被着物は電極下に作られた
電界の特性を変え、プロセスの電気パラメータを操作す
ることによって補正しなければならないドリフトが見ら
れる。しかし、又、不利な機械的効果も同様に現れる可
能性がある。すなわち、互いに連続して複数のガラスシ
ートを処理する場合、時間の経過につれて電極上の被着
物の厚みが規則的に増加するのである。かかる層は厚み
を増しながら、砕けやすくなり、最終的には剥離し、破
片は基体上に落ちて被着を妨げる。一方、ガラス上への
被着速度は非常に速いものでなく、縁効果がみられる。
着の大部分が行われるゾーンがガラスの上に置かれた電
極に近いゾーンであり、被着はかかる電極上でも処理す
べきガラス上と同じ速さで行われることがわかる。この
ことは多くの影響をもたらす。まず第１に、該方法の量
的効率は良くない。ガラス上の重合体の中には、エンク
ロージャ内に導入された単量体の量のうちわずかな部分
しか再び見い出すことができない、一方、プロセス自体
の機能は上部電極上への優先的な該被着によって妨げら
れる。つまり、絶縁性をもつ被着物は電極下に作られた
電界の特性を変え、プロセスの電気パラメータを操作す
ることによって補正しなければならないドリフトが見ら
れる。しかし、又、不利な機械的効果も同様に現れる可
能性がある。すなわち、互いに連続して複数のガラスシ
ートを処理する場合、時間の経過につれて電極上の被着
物の厚みが規則的に増加するのである。かかる層は厚み
を増しながら、砕けやすくなり、最終的には剥離し、破
片は基体上に落ちて被着を妨げる。一方、ガラス上への
被着速度は非常に速いものでなく、縁効果がみられる。
つまり、最終層の厚みは、電極の縁部正面におけるより
も中心においてより大きいものとなる。
も中心においてより大きいものとなる。
本発明は上述のさまざまな欠点を補正することを目的と
する。
する。
本発明は、放電を作り出すための電極として役立つのが
基体であるような、導電性基体上へのプラズマ−Ｃｖ口
による薄層の被着方法を提案している。
基体であるような、導電性基体上へのプラズマ−Ｃｖ口
による薄層の被着方法を提案している。
かかる基体は、導電性の薄層で被覆された絶縁材料でで
きている。被着は導電路から１８０ｃｍまで好ましくは
約１６０ｃ＋＋＋まで行われる。さらに、周波数は１Ｏ
ｋＨｚと４００ｋＨｚの間であるのが有利である。被着
が有機ケイ素化合物の被着である場合、かかる被着は亜
酸化窒素によりもたらされる酸素が存在する中で行われ
る。
きている。被着は導電路から１８０ｃｍまで好ましくは
約１６０ｃ＋＋＋まで行われる。さらに、周波数は１Ｏ
ｋＨｚと４００ｋＨｚの間であるのが有利である。被着
が有機ケイ素化合物の被着である場合、かかる被着は亜
酸化窒素によりもたらされる酸素が存在する中で行われ
る。
本発明は同様に、少なくとも金属層特に銀の層を一層含
む複数の薄層で被覆され、上に当該方法に従って有機ケ
イ素化合物層が被着されるガラス製の基体にも関する。
む複数の薄層で被覆され、上に当該方法に従って有機ケ
イ素化合物層が被着されるガラス製の基体にも関する。
以下の説明及び添付の図面により、本発明の機能及びそ
の利点を理解することができるだろう。
の利点を理解することができるだろう。
本発明に基づく被着方法は、あらゆる真空設備において
利用可能である。かかる方法は特に、真空が実現される
とき設備内のいかなる可動部分も試料も移動させる必要
がない、第１図は、設備を概略的に示している。真空エ
ンクロージャｌは、図示していない従来の一次及び／又
は二次ポンプ送りシステムに接続された配管２によって
排気されている。ゲート弁３により、特にエンクロージ
ャ内部を周辺雰囲気と連絡させたい場合にポンプ設備を
分離させることができる。図示されている例においては
、ガラスの試料４は導電性層５で被覆されている。この
層は例えば、各々厚み４０ｎｍの酸化錫ＳｎＯ，の層２
層の間に被着された厚みｌＯｎ鋼の銀層である。重合さ
れた有機ケイ素化合物の層の被着により保護しようとい
うのは、外部の影響に対して比較的敏感なこれらの層で
ある。実際、銀は機械的及び化学的に脆性の金属であり
、かかる銀ベース層を有する内側面を１つもつ絶縁ガラ
スを製作したい場合、さらに層付きガラス自体の製造と
は独立してかかる加工を行なえることを望む場合つまり
全く異なる場所でさらに遅い時期にこれを行いたい場合
、乾燥した環境での保管、特殊な洗浄装置などといった
厳格な保管及び利用上の予防措置を構しることを余儀な
くされる。無色の保護層を用いたいと考えるのは、かか
る措置の厳格さを軽減するためである。かかる保護層は
、まとめるのが困難な−揃いの特性を有していなくては
ならない。というのも、目に見えない状態にあるだけで
なくかかる層は機械的及び化学的保護という自らの役目
を果たさなくてはならず、それでもその厚みは、下の層
の赤外線特性、特にその低い輻射能を変えないよう充分
小さいものにとどまらなくてはならないからである。欧
州特許出願明細書ＵＰ ２３０１８８号の中に記述され
ているタイプの層は、かかる特性を合わせもっている。
利用可能である。かかる方法は特に、真空が実現される
とき設備内のいかなる可動部分も試料も移動させる必要
がない、第１図は、設備を概略的に示している。真空エ
ンクロージャｌは、図示していない従来の一次及び／又
は二次ポンプ送りシステムに接続された配管２によって
排気されている。ゲート弁３により、特にエンクロージ
ャ内部を周辺雰囲気と連絡させたい場合にポンプ設備を
分離させることができる。図示されている例においては
、ガラスの試料４は導電性層５で被覆されている。この
層は例えば、各々厚み４０ｎｍの酸化錫ＳｎＯ，の層２
層の間に被着された厚みｌＯｎ鋼の銀層である。重合さ
れた有機ケイ素化合物の層の被着により保護しようとい
うのは、外部の影響に対して比較的敏感なこれらの層で
ある。実際、銀は機械的及び化学的に脆性の金属であり
、かかる銀ベース層を有する内側面を１つもつ絶縁ガラ
スを製作したい場合、さらに層付きガラス自体の製造と
は独立してかかる加工を行なえることを望む場合つまり
全く異なる場所でさらに遅い時期にこれを行いたい場合
、乾燥した環境での保管、特殊な洗浄装置などといった
厳格な保管及び利用上の予防措置を構しることを余儀な
くされる。無色の保護層を用いたいと考えるのは、かか
る措置の厳格さを軽減するためである。かかる保護層は
、まとめるのが困難な−揃いの特性を有していなくては
ならない。というのも、目に見えない状態にあるだけで
なくかかる層は機械的及び化学的保護という自らの役目
を果たさなくてはならず、それでもその厚みは、下の層
の赤外線特性、特にその低い輻射能を変えないよう充分
小さいものにとどまらなくてはならないからである。欧
州特許出願明細書ＵＰ ２３０１８８号の中に記述され
ているタイプの層は、かかる特性を合わせもっている。
当該先行出願に記されている方法においてと同様に、本
発明に基づく方法においても、ヘキサメチルジシロキサ
ン（ＨＭＤＳＯ）又はヘキサメチルジシラザン（ＭＭＤ
Ｓ）及び一般にアルキルシラザン、ビニルトリメトキシ
シラン（ＶＴＭＯＳ） 、ビニルジメチルエトキシシラ
ン（ＶＤ？１ＨＯ３）、ジメチルジェトキシシラン（口
ＭＤＨＯＳ）、トリメチルエトキシシラン（ＴＨＥＯＳ
）、テトラメトキシシラン（７ＭＯ３）、テトラエトキ
シシラン（ＴＩ！Ｏ５）及び一般にアルコキシシランと
いった有機ケイ素化合物単量体とプラズマ発生ガスの混
合物を導入する。かかる気体は全て二酸化ケイ素ベース
の層の獲得へと導＜、シかし該方法は、例えば炭素化合
物層を生成するメタンといったようなその他の層の獲得
を可能にするその他の気体、もしくは、関係する金属酸
化物を基本成分とする層へと導く有機金属ガスについて
も有効である。
発明に基づく方法においても、ヘキサメチルジシロキサ
ン（ＨＭＤＳＯ）又はヘキサメチルジシラザン（ＭＭＤ
Ｓ）及び一般にアルキルシラザン、ビニルトリメトキシ
シラン（ＶＴＭＯＳ） 、ビニルジメチルエトキシシラ
ン（ＶＤ？１ＨＯ３）、ジメチルジェトキシシラン（口
ＭＤＨＯＳ）、トリメチルエトキシシラン（ＴＨＥＯＳ
）、テトラメトキシシラン（７ＭＯ３）、テトラエトキ
シシラン（ＴＩ！Ｏ５）及び一般にアルコキシシランと
いった有機ケイ素化合物単量体とプラズマ発生ガスの混
合物を導入する。かかる気体は全て二酸化ケイ素ベース
の層の獲得へと導＜、シかし該方法は、例えば炭素化合
物層を生成するメタンといったようなその他の層の獲得
を可能にするその他の気体、もしくは、関係する金属酸
化物を基本成分とする層へと導く有機金属ガスについて
も有効である。
気体の導入は配管６により行われ、図示していない気体
管理システムにより制御されるゲート弁７により管理さ
れている。
管理システムにより制御されるゲート弁７により管理さ
れている。
プラズマ発生ガス内の単量体の割合は、それぞれの性質
及び被着条件により左右され、以下の実施例の条件は優
れた結果を与えてくれる。
及び被着条件により左右され、以下の実施例の条件は優
れた結果を与えてくれる。
エンクロージャが高さ３５ｃｍ＋、直径６０ｃｍの垂直
軸の円筒形である実験室設備において、試料は、寸法３
０Ｘ３０ｃｍのケイ素−ナトリウム−カルシウムガラス
で作られた厚み４■の平坦なガラス板で構威されている
。かかるガラス板は、錫の標的から反応性陰極スパッタ
リングにより被着された厚み４０ｎｍのＳｎＯ，の誘導
性下層、アルゴン雰囲気内で同じ方法により被着された
厚み１０ｎｍの銀の「活性」層ならびに、第１の層と類
似の第３の誘電体層で被覆されている。かかるプレート
は、層を上方に向けた状態で、エンクロージャの半分の
高さのところに置かれている。かかるプレートは、１つ
の支持体上に載せられているが支持体の性質はさほど重
要ではない。
軸の円筒形である実験室設備において、試料は、寸法３
０Ｘ３０ｃｍのケイ素−ナトリウム−カルシウムガラス
で作られた厚み４■の平坦なガラス板で構威されている
。かかるガラス板は、錫の標的から反応性陰極スパッタ
リングにより被着された厚み４０ｎｍのＳｎＯ，の誘導
性下層、アルゴン雰囲気内で同じ方法により被着された
厚み１０ｎｍの銀の「活性」層ならびに、第１の層と類
似の第３の誘電体層で被覆されている。かかるプレート
は、層を上方に向けた状態で、エンクロージャの半分の
高さのところに置かれている。かかるプレートは、１つ
の支持体上に載せられているが支持体の性質はさほど重
要ではない。
本発明の装置は、適合させられたケーブル１０を介して
交流電源９に導電性基体（又は例の場合同様に導電体に
された基体）を接続できるようにする導電路８を含んで
戒る。エンクロージャ自体はケーブル１１によりアース
にならびに交流電源９のもう１つの極１２に接続されて
いる。
交流電源９に導電性基体（又は例の場合同様に導電体に
された基体）を接続できるようにする導電路８を含んで
戒る。エンクロージャ自体はケーブル１１によりアース
にならびに交流電源９のもう１つの極１２に接続されて
いる。
いわゆる導電路は、プレート４の長さ全体及び縁部上に
置かれている。かかる導電路は、絶縁材料１４内に埋め
込まれた導電性要素１３（例中では銅製の）を有してい
る。
置かれている。かかる導電路は、絶縁材料１４内に埋め
込まれた導電性要素１３（例中では銅製の）を有してい
る。
第２図は、導電路８の特定の一実施態様の詳細図を示し
ている。銅の導体１３は、プレート４の縁部全体に沿っ
て層５と接触している。しかし金属製のかかる導体１３
は、絶縁材料１４で完全に被覆されている０例において
はＰＴＦＩ！でできたかかる材料は、導電路の支持体の
２つの部分１５及び１６を構威し、かかる部分は連結さ
れて、１７に表わされているようなネジによりガラス上
に締めつけられている。例中では銅製であるいわゆる導
電路１３も同様に、絶縁性の一連のネジ１８によりガラ
ス上に押しつけられている。かかる導電路は、ケーブル
ｌＯを介して交流電源９に接続されている。
ている。銅の導体１３は、プレート４の縁部全体に沿っ
て層５と接触している。しかし金属製のかかる導体１３
は、絶縁材料１４で完全に被覆されている０例において
はＰＴＦＩ！でできたかかる材料は、導電路の支持体の
２つの部分１５及び１６を構威し、かかる部分は連結さ
れて、１７に表わされているようなネジによりガラス上
に締めつけられている。例中では銅製であるいわゆる導
電路１３も同様に、絶縁性の一連のネジ１８によりガラ
ス上に押しつけられている。かかる導電路は、ケーブル
ｌＯを介して交流電源９に接続されている。
被着技法には、きわめて清潔な基体が利用できなければ
ならない、これは、入念な清掃或いは又、被着が雰囲気
への戻り無しに下にある層の被着のすぐ後に行われると
いう事実の結果として得られることである。前者のケー
スにおいてすなわち２つの製造段階が分離されている場
合、清掃はグロー放電で終わるのが有利である。ここで
挙げられている例においては、０．０１３ｈＰａの真空
を実施した後、アルゴンを導入して、圧力が０．４０ｈ
Ｐａになるようにし、次に、選択された例においては出
力１００ワット周波数１００ｋＨ，でエンクロージャと
基体の導電性表面の間に打ち立てた交流電流を用いてグ
ロー放電を作り出す、３０秒後、電流を切る。
ならない、これは、入念な清掃或いは又、被着が雰囲気
への戻り無しに下にある層の被着のすぐ後に行われると
いう事実の結果として得られることである。前者のケー
スにおいてすなわち２つの製造段階が分離されている場
合、清掃はグロー放電で終わるのが有利である。ここで
挙げられている例においては、０．０１３ｈＰａの真空
を実施した後、アルゴンを導入して、圧力が０．４０ｈ
Ｐａになるようにし、次に、選択された例においては出
力１００ワット周波数１００ｋＨ，でエンクロージャと
基体の導電性表面の間に打ち立てた交流電流を用いてグ
ロー放電を作り出す、３０秒後、電流を切る。
被着を行うため、次にプラズマ発生ガスにより運ばれる
単量体ガスを導入する。
単量体ガスを導入する。
実施例においては、プラズマ発生ガスは亜酸化窒素Ｎ、
Ｏであった。このガスは反応に必要な酸素をもたらす。
Ｏであった。このガスは反応に必要な酸素をもたらす。
アルゴン−酸素混合気を用いた試験も同様に納得のいく
結果を与えてくれた。有機ケイ素化合物ガスは、実験に
おいては１０％の割合のヘキサメチルジシロキサン（Ｈ
ＭＤＳＯ）であった。
結果を与えてくれた。有機ケイ素化合物ガスは、実験に
おいては１０％の割合のヘキサメチルジシロキサン（Ｈ
ＭＤＳＯ）であった。
圧力が０．１５ｈＰａで安定化した後、混合物を２００
ｃｍ’／分の流量で導入する（温度、圧力条件は通常の
もの、ＣＮＴＰ）。
ｃｍ’／分の流量で導入する（温度、圧力条件は通常の
もの、ＣＮＴＰ）。
流量、圧力条件が安定化すると直ちに、導体１３に交流
電圧を印加することによってプラズマに点火する。選択
された例においては、周波数は１００ｋＨ，であり、最
良の結果は、導電路の長さ３０ｃｍについて３００ワツ
トの出力で得られた。複数の試験により、一般に、出力
が導電路の長さと正比例して変化する場合被着条件は比
較可能なものであることがわかった。当該例においては
、８秒で厚み３０ｎ−の均質で規則的な層が得られる。
電圧を印加することによってプラズマに点火する。選択
された例においては、周波数は１００ｋＨ，であり、最
良の結果は、導電路の長さ３０ｃｍについて３００ワツ
トの出力で得られた。複数の試験により、一般に、出力
が導電路の長さと正比例して変化する場合被着条件は比
較可能なものであることがわかった。当該例においては
、８秒で厚み３０ｎ−の均質で規則的な層が得られる。
被着時点でのプラズマの様相を観察すると、プラズマが
最も明るい場所は、電極として用いられる基体の表面に
あるということがわかる：つまりここが、プラズマ内に
作られた多少の差こそあれ解離された種の密度が最も大
きい場所なのである。
最も明るい場所は、電極として用いられる基体の表面に
あるということがわかる：つまりここが、プラズマ内に
作られた多少の差こそあれ解離された種の密度が最も大
きい場所なのである。
得られた層が基体に特に良く付着し、又その成長速度が
大きい理由はここにあるのである（つまり、作り出され
た種の運動エネルギーが大きく、−露程同士の遭遇及び
形成生の層と種との遭遇の可能性も同様に高い）、この
ような条件下で得られた層は、例えば欧州特許出願明細
書ＢＰ ２３０１８８号に基づく装置のような２つの電
極を用いる従来の装置による場合と非常に異なるもので
ある。
大きい理由はここにあるのである（つまり、作り出され
た種の運動エネルギーが大きく、−露程同士の遭遇及び
形成生の層と種との遭遇の可能性も同様に高い）、この
ような条件下で得られた層は、例えば欧州特許出願明細
書ＢＰ ２３０１８８号に基づく装置のような２つの電
極を用いる従来の装置による場合と非常に異なるもので
ある。
ここで提起されうる問いかけの１つは、当該方法の限界
、より厳密に言うと導電路１３からどれだけの距離まで
プラズマは、有機ケイ素化合物からの単量体の解離が充
分でありそのため基体上への重合された形での再結合が
確認できるほど充分な活性種が作り出されるのに充分な
濃度を有するか、ということに関するものである。
、より厳密に言うと導電路１３からどれだけの距離まで
プラズマは、有機ケイ素化合物からの単量体の解離が充
分でありそのため基体上への重合された形での再結合が
確認できるほど充分な活性種が作り出されるのに充分な
濃度を有するか、ということに関するものである。
従って、特殊な試料を製作した。つまり、前述のものと
同じ銀層と誘電体層の組合せが上に被着された３ ０ｃ
ｍＸ ３０ｃｍ＋のガラスプレートである。
同じ銀層と誘電体層の組合せが上に被着された３ ０ｃ
ｍＸ ３０ｃｍ＋のガラスプレートである。
ただし第３図において１９という番号で表わしたいくつ
かのゾーンでは、砥石を用いて層を全面研摩した。残り
のゾーン２０は、試料の幅全体にわたり延びる導電路２
１から最も遠い隅２２まで交流電流が通過しなければな
らない迷路（ラビリンス）を構成している。被着中の発
光プラズマを観察すると、導電層が存在するゾーン２０
の上にのみそれが局在しておりゾーン１９は暗いままで
あること、ならびに導電路２１のそばで非常に強い明度
が約ｌＯセンチメートルにわたり急速に低下して最も遠
い点２２まで見かけ上一定にとどまっていることがわか
る。
かのゾーンでは、砥石を用いて層を全面研摩した。残り
のゾーン２０は、試料の幅全体にわたり延びる導電路２
１から最も遠い隅２２まで交流電流が通過しなければな
らない迷路（ラビリンス）を構成している。被着中の発
光プラズマを観察すると、導電層が存在するゾーン２０
の上にのみそれが局在しておりゾーン１９は暗いままで
あること、ならびに導電路２１のそばで非常に強い明度
が約ｌＯセンチメートルにわたり急速に低下して最も遠
い点２２まで見かけ上一定にとどまっていることがわか
る。
前述の例と同じ条件下で行われる被着の終了時点で、最
も離れたゾーン２２まで（このゾーン内を含めて）通路
２０全体に沿って被着が起こったことがわかる。その厚
みは規則的で、測定すると２０±２ｎ−であった、かか
る厚みの変化は目でみてもほとんどわからない。従って
、当該方法により、少なくとも約１８０ｃｍという長い
距離まで質の良い被着を得ることができるということが
わかる。
も離れたゾーン２２まで（このゾーン内を含めて）通路
２０全体に沿って被着が起こったことがわかる。その厚
みは規則的で、測定すると２０±２ｎ−であった、かか
る厚みの変化は目でみてもほとんどわからない。従って
、当該方法により、少なくとも約１８０ｃｍという長い
距離まで質の良い被着を得ることができるということが
わかる。
導電性層で被覆されたフロートガラス製基体の相対する
２つの面のうちの各々一方の上にある２つの導電路を用
いる場合、当該技法は、通常見られる３、２０ｍ又は４
．０Ｏｍのテーブルのような工業的幅のテーブル上でプ
ラズマ−ＣＶＤにより層を被着させることができる。
２つの面のうちの各々一方の上にある２つの導電路を用
いる場合、当該技法は、通常見られる３、２０ｍ又は４
．０Ｏｍのテーブルのような工業的幅のテーブル上でプ
ラズマ−ＣＶＤにより層を被着させることができる。
前述のことから、本発明に基づく方法が、導電性の基体
又は予め導電性層を被着させることにより導体にされた
基体の上に層特に良質の有機ケイ素化合物薄層を製造す
るためのきわめて有利な技法を提供することがわかる。
又は予め導電性層を被着させることにより導体にされた
基体の上に層特に良質の有機ケイ素化合物薄層を製造す
るためのきわめて有利な技法を提供することがわかる。
かかる技法は、特に陰極スパッタリングによる誘電体層
及び／又は金属層の被着の前又は後で上層の形の或いは
熱分解などがほどこされた導電層がすでに備わったガラ
ス上に被着された下層の形での大きな寸法の層付きガラ
スプレートの工業生産と矛盾しない技法である。このと
き、かかる作業は、好ましくは工業生産ラインの入口又
は出口圧力調節室内で行われる。
及び／又は金属層の被着の前又は後で上層の形の或いは
熱分解などがほどこされた導電層がすでに備わったガラ
ス上に被着された下層の形での大きな寸法の層付きガラ
スプレートの工業生産と矛盾しない技法である。このと
き、かかる作業は、好ましくは工業生産ラインの入口又
は出口圧力調節室内で行われる。
第１図は、当該方法を利用できる設備の概略図を示す図
、第２図は、導電性基体の通電を可能にする導電路を表
わす図、第３図は、第２図の導電路から長い距離のとこ
ろでの被着を可能にする実験条件を示す図。 ２．６・・・配管、 ３．７・・・ゲート弁、
５・・・導電性層、 ８・・・導電路、９・・
・交流電源、 １２・・・極、１４・・・絶縁
材料、 １７・・・ネジ、１９、２０．２２・・
・ゾーン。 ＦＩＧ、３
、第２図は、導電性基体の通電を可能にする導電路を表
わす図、第３図は、第２図の導電路から長い距離のとこ
ろでの被着を可能にする実験条件を示す図。 ２．６・・・配管、 ３．７・・・ゲート弁、
５・・・導電性層、 ８・・・導電路、９・・
・交流電源、 １２・・・極、１４・・・絶縁
材料、 １７・・・ネジ、１９、２０．２２・・
・ゾーン。 ＦＩＧ、３
Claims (19)
- １．基体は導電性の薄層で被覆された絶縁材料でできて
いることを特徴とする、放電と生成するための電極とし
て役立つ導電性基体上プラズマ−ＣＶＤにより薄層を被
着させる方法。 - ２．基体はプレート又はシートの形をしていることを特
徴とする、請求項１に記載の方法。 - ３．被着が行われるいずれかの地点と最も近い導電路の
離隔距離が約１８０ｃｍ以下であることを特徴とする、
請求項２に記載の方法。 - ４．該距離が好ましくは約１６０ｃｍであることを特徴
とする、請求項３に記載の方法。 - ５．放電を誘発する交流電流は基板の両面のうち少なく
とも一方上に導かれることを特徴とする、請求項１乃至
４のいずれか１項に記載の方法。 - ６．放電を誘発する交流電流は矩形テーブルの相対する
２つの面上に導かれることを特徴とする、請求項５に記
載の方法。 - ７．電流周波数は１ＭＨｚ未満であることを特徴とする
、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。 - ８．周波数は１０ｋＨｚから４００ｋＨｚの間であるこ
とを特徴とする、請求項７に記載の方法。 - ９．被着される層は有機ケイ素化合物であることを特徴
とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。 - １０．被着は酸素が存在する中で行われることを特徴と
する、請求項９に記載の方法。 - １１．酸素は、亜酸化窒素によってもたらされることを
特徴とする、請求項１０に記載の方法。 - １２．基体で構成されていない電極を通して反応気体が
導かれることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれ
か１項に記載の方法。 - １３．請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法に
よって得られた層で被覆された基体であって、少なくと
も金属特に銀の薄層を含む予め被着された薄層で被覆さ
れているガラスでできていることを特徴とする基体。 - １４．薄層には、基体と直接接触しているＳｎＯ＿２と
いった誘電体層、次にＡｇといった金属の層、次に場合
によってＡｌもしくはＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｚｒ，Ｃｕのグループに属する金属の層、次に場合によ
って同様にプラズマ下で被着させられた有機ケイ素化合
物のフィルムにより置換されるＳｎＯ＿２といったもう
一層の誘電体層が含まれていることを特徴とするガラス
製基体。 - １５．薄層には、プラズマ下で被着された有機ケイ素化
合物フィルム、Ａｇ場合によってはＡｌ又はＡｌ，Ｔｉ
，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｃｕのグループに属する金
属といった金属層、プラズマ下で重合された一定の厚み
の有機ケイ素化合物が含まれていること、しかもかかる
一定厚の有機ケイ素化合物及び同じく有機ケイ素化合物
でできたフィルムは場合によって単一の作業工程で被着
されることを特徴とする、請求項１３に記載の基体。 - １６．基体と密に接触した金属製の導電路が少なくとも
１つ含まれていることを特徴とする、請求項１乃至１２
のいずれか１項に記載の方法を利用するための装置。 - １７．金属製の導電路は、基体との接触面を除いて完全
に絶縁材料内に含み込まれていることを特徴とする、請
求項１６に記載の装置。 - １８．基体で構成されていない電極内に単数又は複数の
反応気体取入れ口が含まれていることを特徴とする、請
求項１２に記載の方法を利用するための装置。 - １９．有機ケイ素化合物の被覆といったプラズマ−ＣＶ
Ｄ技法による被覆をさらに受ける、特に銀といった導電
性の層を少なくとも１層含む複数の薄層で被覆されたガ
ラス製の、導電性層で被覆されているか又は導電性をも
つ基体であって、少なくとも３．６０ｍの幅にわたり有
機ケイ素化合物といったタイプの被覆層の厚みの変化が
１０％以下であることを特徴とする基体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8910870A FR2650822B1 (fr) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | Procede de depot de couches minces |
| FR8910870 | 1989-08-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183781A true JPH03183781A (ja) | 1991-08-09 |
| JP3165143B2 JP3165143B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=9384698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21174390A Expired - Fee Related JP3165143B2 (ja) | 1989-08-14 | 1990-08-13 | 薄膜被着方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206060A (ja) |
| EP (1) | EP0413617B1 (ja) |
| JP (1) | JP3165143B2 (ja) |
| AT (1) | ATE120439T1 (ja) |
| DE (1) | DE69018159T2 (ja) |
| ES (1) | ES2071055T3 (ja) |
| FR (1) | FR2650822B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8117355B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-02-14 | Ricoh Company, Limited | Data processing apparatus and method that monitors and controls mounting and unmounting of a removable storage device |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO931606L (no) * | 1992-05-26 | 1993-11-29 | Saint Gobain Vitrage | Vindusplate med en funksjonell film |
| FR2701474B1 (fr) * | 1993-02-11 | 1995-03-31 | Saint Gobain Vitrage Int | Vitrage muni d'une couche fonctionnelle. |
| US5354583A (en) * | 1992-11-09 | 1994-10-11 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Apparatus and method for selective area deposition of thin films on electrically biased substrates |
| JPH06326026A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 半導体装置の薄膜形成方法 |
| US5571571A (en) * | 1993-06-16 | 1996-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a thin film for a semiconductor device |
| US5846649A (en) * | 1994-03-03 | 1998-12-08 | Monsanto Company | Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses |
| US5888593A (en) * | 1994-03-03 | 1999-03-30 | Monsanto Company | Ion beam process for deposition of highly wear-resistant optical coatings |
| US5508368A (en) * | 1994-03-03 | 1996-04-16 | Diamonex, Incorporated | Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings |
| US6077567A (en) * | 1997-08-15 | 2000-06-20 | University Of Cincinnati | Method of making silica coated steel substrates |
| FI20070991A7 (fi) * | 2007-12-19 | 2009-06-20 | Beneq Oy | Lasituote, tuotteen käyttö ja valmistusmenetelmä |
| WO2013079798A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Beneq Oy | Surface treatment apparatus and method |
| CN107056085B (zh) * | 2017-06-08 | 2023-09-05 | 东莞鑫泰玻璃科技有限公司 | 一种烤箱用隔热玻璃及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01195285A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Stanley Electric Co Ltd | メタライズガラス基板の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1542299A (en) * | 1976-03-23 | 1979-03-14 | Warner Lambert Co | Blade shields |
| GB1582231A (en) * | 1976-08-13 | 1981-01-07 | Nat Res Dev | Application of a layer of carbonaceous material to a surface |
| DE2847620C2 (de) * | 1978-11-02 | 1984-10-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur Herstellung von elektrischen Bauelementen, insbesondere Schichtkondensatoren |
| CA1141020A (en) * | 1979-10-19 | 1983-02-08 | Slawomir W. Sapieha | Electrets from plasma polymerized material |
| JPS58222438A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60163901A (ja) * | 1984-02-04 | 1985-08-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ重合処理方法 |
| EP0154814A3 (en) * | 1984-03-16 | 1987-08-26 | American Cyanamid Company | Substrates coated by plasma enhanced chemical vapor deposition, apparatus and process for their production |
| US4693927A (en) * | 1984-03-19 | 1987-09-15 | Fuji Photo Film Company Limited | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| US4612207A (en) * | 1985-01-14 | 1986-09-16 | Xerox Corporation | Apparatus and process for the fabrication of large area thin film multilayers |
| FR2591587A1 (fr) * | 1985-12-17 | 1987-06-19 | Saint Gobain Vitrage | Film organo-mineral depose sur un substrat en verre eventuellement revetu d'une ou plusieurs couches metalliques minces. |
| DE3624467A1 (de) * | 1986-07-19 | 1988-01-28 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren zum herstellen transparenter schutzschichten aus siliziumverbindungen |
-
1989
- 1989-08-14 FR FR8910870A patent/FR2650822B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-26 AT AT90402153T patent/ATE120439T1/de not_active IP Right Cessation
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01195285A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Stanley Electric Co Ltd | メタライズガラス基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8117355B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-02-14 | Ricoh Company, Limited | Data processing apparatus and method that monitors and controls mounting and unmounting of a removable storage device |
Also Published As
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