JPH03184041A - 光記録媒体及びその再生方法 - Google Patents

光記録媒体及びその再生方法

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JPH03184041A
JPH03184041A JP2080125A JP8012590A JPH03184041A JP H03184041 A JPH03184041 A JP H03184041A JP 2080125 A JP2080125 A JP 2080125A JP 8012590 A JP8012590 A JP 8012590A JP H03184041 A JPH03184041 A JP H03184041A
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強 辻岡
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史生 立園
Kotaro Matsuura
松浦 宏太郎
Masahiro Irie
正浩 入江
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、高密度記録を可能とする光記録媒体及びその
再生方法に関するものである。
(ロ)従来の技術 最近、記録層としてフォトンモードの有機7オトクロミ
ツク材料を用いる研究が進められている。斯かるフォト
クロミック材料は、所定波長の光が照射されると、光化
学反応によって分子の構造が変化し、更に又、他の波長
の光が照射されると、この変化した分子の構造が元の構
造に戻るといった性質を有している。又、この様に分子
の構造が変化すると、それに応じて所定の波長のビーム
に対する光吸収特性が大きく変わるといった様な性質も
有している。
従って、この様な性質を有する7オトクロミツク材料を
媒体の記録層に用いた場合、前記した先の波長を有する
ビームを記録用として用いることにより情報の記録を達
成でき、又、後の波長を有するビームを再生用として用
いることにより情報の再生を達成できる。
然し乍ら、この様な再生方法を用いた場合、記録層の既
記録部分が再生ビームを吸収し、この既記録部分が未記
録状態の分子構造に変化してしまうといった不都合が生
じる。
これに対し、斯かる不都合を解消する方法の一つとして
、フォトクロミック材料の旋光性を利用した再生方法が
特開昭63−259850号公報(G11B7/24)
に開示されている。旋光性とは、所定の材料に直線偏光
ビームを入射させたときに、このビームの偏光面が材料
を透過するに従って徐々に回転するといった現象である
。上記フォトクロミック材料では、前述した記録・未記
録状態に応じて旋光性の有無が存在するため、読取装置
が斯かる偏光面の回転を検出する手段を具備していれば
、情報の読取りが可能となる。又、この方法では、偏光
面の回転が吸収波長領域外でも存在するので、再生ビー
ムとして、記録層によって全く吸収されない様な波長の
ビームを選ぶことができ、以って、前述した様な再生ビ
ームによる情報の消去を防ぐことができる。
第9図に、前記特開昭63−259850号公報に開示
されている媒体の構成を示す。図において、(101)
は透明な基板、(102)は記録層、(103)は反射
層である。ここで、情報の記録は、記録層に特定波長の
ビームを照射して、この照射部分の分子構造を変化させ
ることによってなされる。
(ハ)発明が解決しようとする課題 然し乍ら、媒体がこの様に反射型として構成されている
場合、上記従来例の構成では旋光性を利用した再生は理
論上不可能である。直線偏光ビームを、旋光性を有する
材料に入射せしめると、ビームの変更面は、ビームの進
行方向に対して時計方向或いは反時計方向の何れか一方
の方向に回転される。上記従来技術のell戊の場合、
再生ビームの変更面が、入射時に、反射面に達するまで
に基板(101)側から見て時計方向にδだけ回転した
としても、反射層(103)によって反射されて記録層
(102)を透過する間に、入射時と反射時のビームの
進行方向が反対であるため、偏向面が基板側から見て反
時計方向にδだけ回転し、結局、媒体から反射された再
生ビームの偏光面は、入射時の偏光面に戻ってしまう(
第10図■■■■参照)。又、同様に媒体に円偏光或い
はだ円偏光ビームを入射させた場合にも、その反射ビー
ムに、記録層の状態に応じた偏光状態の変化は生じず、
このため、記録層の旋光性を利用した再生は不可能であ
る。従って、上記t#I或の場合、記録層に旋光作用が
存在したとしても、媒体からの反射ビームには、偏光状
態の変化は生じず、このため、旋光性を利用した情報の
読取りは不可能であった。
そこで、本発明は、この様な反射型のディスクにおいて
、旋光性を利用した再生が可能となる様な光記録媒体及
びその再生方法を提供せんとするものである。
(ニ)課題を解決するための手段 上記課題に鑑み本発明の光記録媒体は、斯かる記録層と
反射層の他に複屈折層を配する構成とした。
又、斯かる媒体に偏光ビームを照射し、このビームの媒
体からの反射ビームの偏光状態の変化を検出して媒体に
保持された情報を読取る様にした。
更にこの再生方法の好ましい方法として、再生用ビーム
を直線偏光ビームとし、このビームの偏光面が媒体の複
屈折層の中性軸(進相軸又は遅相軸)方向に一致する様
に前記ビームを媒体に入射させる様にした。
(ホ)作用 媒体に旋光性が存在するとき、その旋光性による作用は
、旋光角をδとしたとき、ジョーンズマトリックス表示
では次の様に表わされる。
在するとき、位相の遅延量をγとすると、この作用は、
次の様にマトリックス表示される。
本発明の媒体は、斯かる2つの作用と反射の組合わせを
有している。ビームの偏光状態は、−数式として次の様
にマトリックス表示される。
E・−=(K”)”(’)   −(3)斯かるビーム
が本発明の媒体に入射されると、先づ、記録層によって
旋光作用を受けると共に複屈折層によって位相遅延作用
を受け、然る後反射層によって反射される。媒体に(3
)式に示されたビームが入射された場合、反射層によっ
て反射される直前のビームの偏光状態は(1)式、(2
)式から次の様になる。
El=P(γ)・R(δ)・E・ 次に1反射されたビームは再び複屈折層中を通り抜け、
記録層に至る。ここで記録層に入射されるビームは、記
録層によって再び旋光作用を受けるが、この際の旋光方
向は、ビームの進行方向が上記とは相反するため、基板
側から見ると反対となる。即ち、この際の旋光角は、基
板側から見ると−δとなる。斯かるーδの旋光作用は次
式の様にマトリックス表示される。
従って記録層を通過した際の反射ビームの偏光状態は次
式にて表わすことができる。
Ej=R(−δ)・P(γ)・P(γ)・P(δ)・E
(sinδ cosδ)(5) =D(δ、 γ)・E。
・・・(7) (7)式から、媒体によって反射されるビームの偏光状
態が、入射時に比べて、記録層の旋光性及び複屈折層の
位相遅延作用に応じて変化し得ることが分る。
又、記録層に旋光作用が生じない場合は、δ=0だから
、δ=Oを(7)式に代入して、=(:”ニー・−)(
; ) ズD(r)・ EI         ・・・(8)と
なり、複屈折層の影響のみを受ける。ここで、(7)式
と(8)式とを比較すると、D(δ+  r)≠D〈γ
) であるから、記録層の旋光性の有無によって、反射ビー
ムの偏光状11E、が相違し、以ってこの偏光状態の相
違を検出することによって媒体上の情報を読取ることが
できる。斯かる偏光状態の相違は例えば、反射ビームの
Estr、分をビームスプリッタにより取出し、この成
分の大小によって検出することができる。
尚、従来例の様に、媒体に複屈折層が配されていない場
合には、r=oであるから(7)式においてr=oとす
ると、 パ=(。   8.。・5゜。。8・−)に)=(o 
1)(1) =に) となり、Es=E+どなって、入射ビームと反射ビーム
の間に偏光状態の変化は生じない。
次に、直線偏光ビームを複屈折層の中性軸(進相軸又は
遅相軸)に一致する様に媒体に照射し、更に、複屈折層
の厚みを、前記位相遅延が十になる様に設定した場合に
ついて述べる。この場合の条件は次式にて表わされる。
1゛゛(ニ)−(9) r=丁 ・・・(1o) (9)式及び(10)式を(7)式に代入すると次式が
得られる。
1・=i−←:i二2,1;  s:r;’、、1; 
)(1,)=1°(−:胃: 7土I E・ °(11
)(11)式は、偏光面が入射時に比べ一2δだけ回転
したことを示す。又、この場合に、記録層に旋光性が生
じていないと、δ=0であるから、反射ビームの偏光状
態は E・’= + 1.”  o、 )E r” iE l
   ・・・(12) と表わされる。斯かる(12)式において、iはビーム
全体の位相が+だけずれたことを示し、このため、E、
の偏光状態は入射時の偏光状態であるElと実質的に相
違しない。
斯かる状態を記録層と複屈折層とが独立した第8図に示
す媒体を用いて更に説明する。偏光面が複屈折層に一致
する様に媒体に直線偏光ビームを入射させると(同図■
)、記録層を透過する間にこのビームの偏光面がδだけ
時計方向に回転され(同図■)、このビームが複屈折層
に入射されると、ビームのEx、Ey成分間に」ト切位
相遅れが生じ、ビームがだ円偏光に変わる(同図■)。
次に、反射層によってビームが反射されると(同図■)
、複屈折層を通る間に、ビームに再度十の位相遅れが生
じ、結局ビームにπの位相遅れが生じるため、複屈折層
を出る直前には、ビームの偏光面が、複屈折層の進層軸
に対して反時計方向にδだけ回転した直線偏光ビームに
変換される(同図■)。このビームが更に記録層に入射
されると、ビーム進行方向が入射時と逆であるため、ビ
ームの偏向面が入射時とは逆の反時計方向にδだけ回転
しく同図■)、結局、媒体から出射されるビームの偏光
面は、入射時に比べて2δだけ反時計方向に回転する。
尚、記録層に旋光性がない場合、同図■の偏光面の回転
は生じず、入射ビームは、複屈折層に、その偏光面が複
屈折層の中性軸に一致する様に入射されるため、複屈折
層による偏光状態の変化も生じない。従って、ビームは
、入射時と同様の偏光状態にて媒体から反射される。
(へ)実施例 以下、本発明の実施例につき図面を用いて説明する。
先づ、本実施例に係る媒体について説明する。
第1図は、該媒体の主たる構成を示す図である。
図において、(1)は基板、(2)は記録層、(3)は
複屈折層、(4)は反射層である。本実施例では、基板
(1)として石英ガラス基板を用い、この基板(1)上
に7オトクロミツク材料をスピンコード法により塗布し
て1μm厚の記録層(2)を形成し、λ 次に、この記録層(2)上に、人工水晶から戊るT板を
密着させて複屈折層(3)を形成し、更にこの複屈折層
(3)上にアルミニウムを真空蒸着して1000人厚の
反射層(4)を形成した。
記録層(2)としては、基底状態にて第2図Aに示す分
子構造を有し、励起状態にて第2図Bに示す分子構造を
有する7オトクロミツク材料を用いた。尚同図において
Meはメチル基である。
斯かるフォトクロミック材料の吸光度特性を第3図に示
す。尚、図中Aは基底状態の吸光度特性を示し、Bは励
起状態の吸光度特性を示す。材料が基底状態にあるとき
は、その吸収ピークが400nm又は325nm付近の
波長にあるため、この付近のビームを照射すると、材料
の分子構造が励起状態へと変化する。同様に、材料が励
起状態にあるときに、550nm付近の波長を有するビ
ームを照射すると、材料の分子構造が励起状態から基底
状態へと変化する。斯かる材料は、基底状態にある時に
は旋光性を有さず、励起状態にある時に旋光性を有する
尚、斯かる材料の前記基板(1)に対する塗布は、この
材料をMEK (メチルエチルケトン)に溶解し、更に
バインダーとしてPVB (ポリビニルブチラール)を
添加し、この溶液を前記基板(1)上に塗布することに
よって行った。
以上の様に構成した媒体に、白熱電球からの放射ビーム
にフィルターをかけ、波長500nm以上のビームのみ
を選択して照射し、記録層(2)中に存在する7オトク
ロミツク材料の分子構造を全て基底状態にし、然る後こ
の媒体に、上記7オトクロミツク材料ではほとんど吸収
されないところの(第3図参照)波長780nmの半導
体レーザからのビームを照射し、このレーザビームの偏
光面の回転を測定した。ただしこの場合、レーザビーム
の偏光面が複屈折層(土板)(3)の進相軸又は遅相軸
に一致する様にレーザビームを媒体に照射し、記録層(
2)に旋光性が生じない場合に、複屈折層(3)のみに
よる偏光面の回転が生じない様にした。測定結果として
、斯かる実験では、偏光面の回転は検出できなかった。
次に斯かる媒体にHe−Cdレーザを用いて325nm
の波長のビームを照射し、記録層(2)の分子構造を励
起状態にし、上記と同様の実験を行った。斯かる実験で
は、媒体からの反射ビームに偏光面の回転が検出された
更に同様の実験を、複屈折層を配さない従来の構成の媒
体(第9図参照)について行ったところ(各層の組成、
寸法、形成方法は上記と同じ)、偏光面の回転は検出で
きなかった。
以上から、記録層(2)と反射層(4)の間に複屈折層
(3)を配することにより、記録層(2)が励起状態に
ある場合においてのみ、反射ビームに偏光面の回転を生
じせしめることができることが確認できた。
第4図は、斯かる偏光面の回転を検出するための光学系
の一例を示す図である。図において、(5)は波長78
0nmのビームを出射する半導体レーザ、(6)はコリ
メータレンズ、(7)は半導体レーザ(5)からのビー
ム中、ランダム偏光した自然発光成分を除去する偏光子
、(8)は偏光子(7)から発せられる直線偏光ビーム
を全透過するべく、その透過偏光面が前記ビームの偏光
面に一致する様に配された偏光ビームスプリッタ、(9
)は媒体、(10)は光センサである。
斯かる光学系を用いた場合、媒体(9)からの反射ビー
ムに偏光面の回転が生じていなければ、この反射ビーム
がビームスプリッタ(8)に入射する際に、この反射ビ
ームの偏光面がビームスプリッタ(8)の透過偏光面に
一致しているため、この反射ビームはビームスプリッタ
(8)を全透過し、以って、光センサ(10)はビーム
を全く受光せず、光センサ(10)からの出力信号は生
じない。ところが、媒体(9)によって反射ビームに偏
光面の回転が生ぜしめられると、この反射ビームの偏光
面がビームスプリッタ(8)の透過偏光面に対して傾く
ため、ビームの偏光面の前記透過偏光面に対する直角成
分の大きさに相当するビームが、ビームスプリッタ(8
)によって側方に反射され、以って、この側方に反射さ
れたビーム強度に応じたレベルの信号が光センサ(10
)から出力される。
尚、この際、前述した如く、半導体レーザ(5)からの
ビームの偏光面が複屈折層(3)の進相軸又は遅相軸に
一致する様に半導体レーザと媒体の関係及びこれに応じ
た他の光学系の配置を設定する必要がある。斯様に溝底
すると、記録層(2)に旋光性が生じる場合においての
み、複屈折層(3)に入射するビームの偏光面が複屈折
層(3)の進相軸又は遅相軸に対して傾斜する様になり
、このため、記録層(2)に旋光性があるときにのみ、
前述した複屈折層(3)によるビームの偏光面の変更作
用が生じる。
尚、斯かる光学系では、半導体レーザ(5)に対する戻
り光を排斥するため、半導体レーザ(5)の出射ビーム
軸が媒体に対してわずかに傾いて入射する様に半導体レ
ーザ(5)を配しているが、戻り光ノイズに強いマルチ
モードレーザを使用すれば、傾ける必要はない。
次に、記録層(2)の材料として7オトクロミツク材料
の一種であるスピロピラン系の1’、3’、3’−トリ
メチル−6−ニトロスピロ[2H−1−ベンゾビラン−
2,2゛−インドリン]  (NBPS)を使用して上
記と同様の実験を行った。斯かるフォトクロミック材料
は、第5図に示す様に、紫外光照射によって、旋光性を
有するスピロピラン型から旋光性を有さないメロシアニ
ン型へと変化し、可視光を照射することによりこれとは
逆にメロシアニン型からスピロピラン型へと変化する。
斯かる7オトクロミツク材料を記録層として第1図及び
第9図に示す媒体を構威し、実験を行ったところ、上記
と同様、第1図に示す構造の媒体に関して、記録層(2
)が旋光性を有するスピロピラン型とした場合にのみ、
反射ビームの旋光が確認された。
更に、記録層として7オトクロミツク材料の一種である
アゾベンカルボン配コレステロールエステルの化合物を
用いて上記と同様の実験を行った。具体的には、このフ
ォトクロミック材料10mgとn−ノナン酸コレステロ
ールエステル100mg及び塩化コレステリル22mg
をクロロフォルム0.2mItに溶解し、この溶液をス
ピンコード法にて塗布し、クロロフォルムを蒸発させて
記録層を形成した。該記録層は、第6図に示される様に
、紫外光(350nm<λ<400nm)照射により、
アゾベンゼン基がトランス型からシス型へと変化し、又
、可視光(λ>450nm)照射によりシス型からトラ
ンス型へと変化する。当該記録層は、シス型にて大きな
旋光性を有しており、トランス型では旋光性を有さない
斯かる実験においても、第1図に示す構造の媒体に対し
て紫外光を照射し、記録層をシス型に変化させた後に媒
体に直線偏光ビームを照射した時にのみ、媒体からの反
射ビームに偏光面の回転が検出された。
ところで、光照射により旋光性が変化する7オトクロミ
ツク材料では初めに分子が旋光性を有さない状態にして
おき、次にランダム偏光した光を照射して分子を旋光性
を有する状態としても、記録層全体としては旋光性を示
さない場合がある。
これは再生光の線傷光面を右回転させる右旋光性をもつ
分子と、同様に左回転させる左旋光性をもつ分子が記録
層中に同量形成されるためで、この様な場合には例えば
第2図においてまず波長325nmの紫外光を照射して
分子をB状態とし、次に光学異性体分離カラム等により
互いに逆向きの旋光性を有する2種の分子を分離してか
らその分離されたどちらか一方の分子を使用して記録層
を形成すれば良い。この時には550nm付近の波長の
光を照射する事により記録層は旋光性を有する状態から
無い状態へと変化するので本発明の媒体構造をとる事に
より反射光による旋光性変化の検出ができる。
以上、本発明の種々の実施例について説明したが、本発
明は、斯かる実施例に限定されるものではない。例えば
、上記実施例では、記録層に用い得る材料を3種顕示し
たが、光の照射又は熱の付与によって材料の旋光性が変
化する様な他の材料も用い得る。
又、上記実施例では、複屈折層として人工水晶から戊る
表−板を用いたが、他にT i O*、CaC03、N
 a N Os等の材料も用いることができ、更λ にT i O*を用いた場合、同様にT板を形成しよう
とすると、その厚みが0.7μmとなり、上記人工水晶
のものに比べ、約30分のlとすることができる。
λ 更に、本実施例では、複屈折層をT板とし、即ち複屈折
層の厚みを、半導体レーザビームの波長域に対して位相
遅れがπ/2となる厚みに設定したが、複屈折層の厚み
を斯様に設定しなくても偏光面の回転を検出できる。
又、上記実施例では、半導体レーザビームの偏光面が複
屈折層の進相軸又は遅相軸に一致させる様に半導体レー
ザを配したが、この様に半導体レーザを配さすとも偏光
面の回転を検出することは可能である。
上記実施例は、偏光面の回転の検出を最も簡単に遠戚で
きる具体例にすぎない。例えば、媒体の複屈折層の厚み
を上板相当に設定せず、且つ半導体レーザビームの偏光
面を複屈折層の進相軸に一致させない場合には、−例と
して、媒体からの反射ビームの偏向状態は、記録層が旋
光性を有するか否かに応じて、第7図に(a)(b)示
す様に、だ円偏光の状態が相違する。従ってこの場合、
第7図のY軸方向の偏光成分の強度を検出し得る光学系
をt*戒してやれば、記録層の状態を検出することがで
きる。
ところで、以上説明した媒体は、何れも記録層と反射層
の間に複屈折層を配する構成であるが、記録層に旋光作
用のみならず複屈折作用をも有せしめる様にしても良い
。この場合、上記実施例に比べ複屈折層を省略できるた
め、媒体の構成を簡素化することができる。
斯かる媒体の記録層は例えば旋光性を有する材料を延伸
することにより得られる。一般に材料を一方向に延伸す
ると、この延伸方向に進相軸若しくは遅相軸が平行とな
る様に材料に複屈折作用が生じることが知られている。
従って、旋光性を有する材料を薄膜に形成し、然る後こ
の媒体を一方向に延伸すれば、この材料に旋光作用と複
屈折作用の両方を有せしめることができる。
この様に記録層が旋光作用と複屈折作用の両方を兼ね備
えた媒体を実際に製造して記録再生の実験を行った。記
録層材料としては、第5図に示す7オトクロミツク材料
を用い、この材料を、PET(ポリエチレンテレフタレ
ート)を添加したトリクロルフエーノール液に溶解させ
、これをスピンコード法によりガラス基板上に厚さ5〜
10μmにて塗布して記録膜を形成する。次にこの記録
膜をガラス基板から分離し、更にこれを一方向に延伸し
て複屈折を誘起した後、石英基板上に張りつける。
更にこの記録膜の上に、厚さ1000人のアルミニウム
反射層を真空蒸着法により形成する。第11図は斯かる
媒体の構造を示す側断面図で、(11)は基板、(12
)は記録層、(13)は反射層である。
この様にして形成した媒体に、第4図に示す装置を用い
て情報の記録再生の実験を行った。
先ず、媒体に500nm以上の波長を有するビームを照
射して記録層中の7オトクロミツク材料を全てスピロピ
ラン型にする。ここで、媒体に照射するビームは、白熱
電球からの放射ビームにフィルターをかけて取り出した
ものを用いる。斯かる媒体に第4図に示す装置を用いて
ビームを照射すると共にセンサ(10)の出力を測定す
る。
次に、この媒体にHe−Cdレーザからの紫外レーザビ
ームを照射して記録層中の7オトクロミツク材料を全て
メロシアニン型とする。そしてこの媒体に対して第4図
に示す装置を用いて同様にセンサ(10)の出力を測定
する。ただし、この測定の際の記録層の中性軸の方向(
媒体の延伸方向)を先の測定時の場合に一致させておく
斯かる実験において、それぞれのセンサ出力に相違が認
められ、以って、先の実施例と同様、記録層の記録・再
生に係る状態の相違に応じた旋光性の変化を、媒体から
の反射ビームによって検出できることが確認できた。
(ト)発明の効果 以上、本発明に依れば、媒体が反射型であっても、旋光
性を利用した情報の記録再生が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例に係る媒体の構成を示す図、第2図及び
第3図は記録層に適用した旋光性材料の組成及び吸光特
性を示す図、第4図は同記録媒体から情報を読出す光学
系を示す図、第5図は、他の旋光性材料の組成を示す図
、第6図は、更に他の旋光性材料の組成を示す図、第7
図は、媒体に円偏光ビームを照射した場合の反射ビーム
の偏光状態を示す図、第8図は本発明に係る偏光面の回
転作用を示す図、第9図は従来例の媒体の構成を示す図
、第10図は従来例に係る偏光面の回転作用を示す図、
第11図は本発明の他の実施例を示す図である。 (1)(11)・・・基板、(2)(12)・・・記録
層、(3)・・・複屈折層、(4)(13)・・・反射
層。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光照射又は加熱等により旋光性が変化する材料を
    含む記録層と、反射層と、ビームに複屈折を導入する複
    屈折層とを備えてなる光記録媒体。
  2. (2)光照射又は加熱等により旋光性が変化する材料を
    含む記録層と、反射層と、ビームに複屈折を導入する複
    屈折層とを備えた光記録媒体に偏光ビームを照射し、前
    記記録媒体から反射される該偏光ビームの偏向状態の変
    化を検出して前記記録層に記録された情報を読取ること
    を特徴とする光記録媒体の再生方法。
  3. (3)光照射又は加熱等により旋光性が変化する材料を
    含む記録層と、反射層と、ビームに複屈折を導入する複
    屈折層とを備えた光記録媒体を再生する再生方法であっ
    て、再生光として直線偏光ビームを用い、この直線偏光
    ビームの偏光面が前記複屈折層の進層軸方向若しくは遅
    層軸方向に一致する様に、前記ビームを前記光記録媒体
    に入射せしめたことを特徴とする光記録媒体の再生方法
  4. (4)複屈折層の厚みを、再生光の波長域に対して位相
    遅れがπ/2となる厚さとしたことを特徴とする請求項
    2又は3に記載の光記録媒体の再生方法。
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