JPH03184110A - メモリカード - Google Patents

メモリカード

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JPH03184110A
JPH03184110A JP1321535A JP32153589A JPH03184110A JP H03184110 A JPH03184110 A JP H03184110A JP 1321535 A JP1321535 A JP 1321535A JP 32153589 A JP32153589 A JP 32153589A JP H03184110 A JPH03184110 A JP H03184110A
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power supply
battery
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memory card
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Ryuji Tanaka
龍二 田中
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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    • G11C5/143Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は携帯用にパーソナルコンピュータ、ワードプロ
セッサ等のシステムの分野におり)て用1.)られるメ
モリカードに関し、特に、データ保持1こ常時電源供給
を必要とするメモリ素子を有するメモリカードに関し、 システムに装着される前であっても一次電池の電位低下
直後直ちに一次電池に交換を行なうことができ、また一
次電池をノくツクアップする二次電池を極めて短時に充
電できるメモリカードを提供することを目的とし、 データ保持に常時電源供給を必要とするメモ1ノ素子を
備えて構成し、システムへの装着時1こシステムとメモ
リ素子との間でデータの授受を行なうメモリカードにお
いて、上記システム力)ら分離された場合にメモリ素子
に電源を供給する一次電池と、該一次電池を交換する場
合(こメモI)素子(こ電源を供給する二次電池と、上
記システムへの装着時にシステム電源及び一次電池から
二次電池を充電すると共にシステムから分離時に一次電
池から二次電池を充電する電源制御手段とを備える構成
である。
〔産業上の利用分野〕
本発明は携帯用にパーソナルコンピュータ、ワードプロ
セッサ等のシステムの分野において用いられるメモリカ
ードに関し、特に、データ保持に常時電源供給を必要と
するメモリ素子を有するメモリカードに関する。
近年、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ等シ
ステムは携帯用のものが普及し、活動性を重視すること
からシステム自体が電池駆動形式となることが多い。こ
の電池駆動形式のため、メモリカードはシステムに装着
された状態においてシステムの電源を極力消費しないこ
とが望まれる。
また、二次電池搭載のメモリカードにあっては、この二
次電池が過放電状態となった場合には充電効率が低下す
ることとなり、メモリデータ保持に最低限必要となる一
定電圧までに充電するのに長時間を要することとなる。
この充電時間を短縮するためには、メモリカードがシス
テムから分離されている場合であっても、放電時以外は
充電状態であることが望まれる。
〔従来の技術〕
従来、この種のメモリカードとして第6図に示すものが
あった。この第6図に従来メモリカードの概略構成図を
示し、同図において従来のメモリカードは、システム7
から分離された場合にメモリ5にデータ保持用の電流を
供給する一次電池1と、該一次電池1を交換する場合に
メモリ5にデータ保持用に電流を供給する二次電池2と
、上記システム7への装着時にシステム7側からメモリ
5及び二次電池2に電源を供給する回路切換え制御を行
なう切換制御部31とを備える構成である。
次に、上記構成に基づ〈従来のメモリカードの動作につ
いて説明する。メモリカードがシステム7へ装着されて
いる場合は、システム7側からメモリ5にメモリ保持用
の電流が供給されると共に二次電池へも充電電流が供給
される。
また、メモリカードがシステム7から分離している場合
は、一次電池1からメモリ5ヘデータ保持用の電流が常
時供給される。この状態において、一次電池1の電位レ
ベルが低下して電池交換を行なう場合には、一次電池1
を取外すと同時に二次電池2からメモリ5ヘデータ保持
のための電流が供給される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のメモリカードは以上にように構成されていること
から、一定時間以上メモリカードをシステム7に装着し
なければデータ保持に必要な電位まで二次電池が充電さ
れず、システム7にメモリカードを装着する以前の分離
した状態で一次電池の交換ができないという課題を有し
ていた。
また、二次電池の充電電流の供給源がシステム7のみで
あることから、過放電状態となる場合が多くなり充電効
率が低下して充電時間に長時間を有するという課題も有
していた。さらに、二次電池を充電するためにシステム
7側からのみ充電することから、システム7側の電源を
消費することとなり、システム7側の電源寿命を短くす
るという課題をも併有していた。
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、シ
ステムに装着される前であっても一次電池の電位低下直
後直ちに一次電池に交換を行なうことができ、また一次
電池をバックアップする二次電池を極めて短時間に充電
できるメモリカードを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理説明図を示す。
同図において本発明に係るメモリカードは、データ保持
に常時電源供給を必要とするメモリ素子を備えて構成し
、システムへの装着時にシステムとメモリ素子との間で
データの授受を行なうメモリカードにおいて、上記シス
テムから分離された場合にメモリ素子に電源を供給する
一次電源と、該一次電源を交換する場合にメモリ素子に
電源を供給する二次電源と、上記システムへの装着時に
システム電源及び一次電源から二次電源を充電すると共
にシステムから分離時に一次電源から二次電源を充電す
る電源制御手段とを備えるものである。
〔作用〕
本発明においては、システムに装着した場合にシステム
の電源及び一次電源から二次電源を充電すると共にシス
テムから分離した場合に一次電源から二次電源を充電し
、一次電源交換時に二次電源からメモリ素子にデータ保
持用の電流を供給することにより、システム装着前に直
ちに又は装着後短時間で二次電源を十分充電でき、一次
電源の交換を円滑に行なうことができる。また、システ
ムが電准駆動式の場合には、システム側の電源寿命を短
くすることを防止する。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施を第2図及び第3図に基づいて説
明する。この第2図は本実施例メモリカードの概略構成
図、第3図(A)、(B)、(C)は本実施例における
各動作説明図を示す。
上記各図において本実施例に係るメモリカードは、前記
従来技術と同様に一次電池1、二次電池2及びメモリ5
をカード本体6内に収納して構成される。上記構成に加
え本実施例メモリカードは、上記一次電池1及び二次電
池2の出力側相互間に一次電池1から二次電池2への電
流方向が順バイアスとなるように接続されるダイオード
4と、上記一次電池1及び二次電池2の電位レベルを検
出し、一次電池1、二次電池2、メモリ5及びシステム
7との各相互間における接続を制御する切換制御部31
とを備える構成である。
上記切換制御部31は、一次電池1、二次電池2及びシ
ステム7例の電源電位V。Cの各電位レベルを所定の参
照電位と比較する比較電圧検出回路31Aと、該比較電
圧検出回路31Aの比較結果に基づいて駆動状態となり
システム7の電源からメモリ5にデータ保持用の電流を
供給するトランジスタ31Bと、上記電圧検出回路31
Aの比較結果に基づいて駆動状態となり一次電池1を交
換すべき旨に警報を発するトランジスタ31Cと、一次
電池1からメモリ5側への電流供給が順バイアスとなる
ように接続されたダイオード31Dと、二次電池2から
メモリ5側への電流供給が順バイアスとなるように接続
されたダイオード31Eとを備える構成である。
次に、上記構成に基づく本実施例の動作を第3図及び第
4図を参照して説明する。この第4図は従来技術との比
較における本実施例充電動作説明図である。
まず、メモリカードをシステム7へ装着した場合には、
システム7側の電源電圧vccが所定の参照電位値以上
か否かを比較電圧検出回路31Aで比較し、参照電位値
以上であれば第3図(A)に示す接続構成となるように
トランジスタ31Bが駆動状態となると共に比較電圧検
出回路31A内のスイッチ(第2図において図示を省略
)が投入状態となる。上記第3図(A)の接続構成によ
りシステム7側の電源から上記駆動状態のトランジスタ
31Bを介してメモリ5ヘデータ保持用の電流が供給さ
れる。また、上記投入状態のスイッチを介してシステム
7側の電源から二次電池2へ充電電流が供給される。こ
の二次電池2への充電電流の供給は、システム7側の電
流と併せて一次電池lからも供給され(第4図(B)の
ハツチング部分を参照)、充電を迅速に行なうと共に、
システム7側の電源消費を極力低減できることとなる。
次にメモリカードをシステム7から分離した場合には、
一次電池1の電位レベルがデータ保持に必要な所定の電
位以上か否かを比較電位検出回路31Aで比較し、所定
電位以上であれば一次電池1からメモリ5にデータ保持
用の電流が供給される。さらに上記電位レベルにおいて
、一次電池lの電位が二次電池2の電位以上か否から比
較電圧検出回路31Aで比較し、一次電池1の電位が上
回っている間はダイオード4が順バイアスとなり、一次
電池1から二次電池2に充電電流が供給される。このよ
うにメモリカードがシステム7から分離された状態にお
いても一次電池1から充電されることから、システム7
に再装着される以前においても一次電池1の変換が可能
となる(第4図(A)のハツチング部分を参照)。この
システム7に短時間で十分な充電を確保できると共に、
システム7側の電流消費を極力低減できることとなる。
また、上記メモリカードをシステム7から分離した場合
において、比較電圧検出回路31Aが一次電池1の電位
レベルを所定値以下と判断した場合にはアラーム端子A
LMからアラーム信号をブザー8に出力し、メモリカー
ド保持者に対して一次電池1の交換を警告する。
上記電池交換警告に基づき一次電池1を取外した場合に
は、第3図(C)に示すような接続構成となり、二次電
池2がメモリ5に対してメモリ保持用の電流をバックア
ップ供給する。
なお、上記実施例においては電源制御部3の外部にダイ
オード4を接続する構成としたが、第5図に示すように
電源制御部3の機能の一つとじて一次電池■の電位が二
次電池2の電位より高い場合には常時一次電池1から二
次電池2へ充電電流を供給する構成とすることもできる
。また、電源制御部3内にダイオード4を設けるIC等
に構成とすることもできる。
また、上記実施例においては一次電池のバックアップ用
電池として二次電池を用いて構成したが、大容量のキャ
パシタを用いて構成することもできる。
また、上記実施例においてはアラーム端子ALMを設け
、比較電圧検出回路31Aの動作に基づいてアラーム信
号を出力する構成としたが、これらの機能を設けない簡
略化した構成とすることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、 本発明においては、システム装着時にシステム電源及び
一次電源から二次電源を充電すると共に、システムから
分離した場合に一次電源から二次電源を充電し、一次電
源交換時に二次電源からメモリにデータ保持用の電流を
供給する構成を採ったことからシステム装着前に直ちに
、又は装着後層時間で二次電源を十分充電でき一次電源
の交換を円滑に行なうことができるという効果を奏する
また、システムが電池駆動式の場合には、システム側の
電源寿命を短くすることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、 第2図は本発明の一実施例に係るメモリカードの概略構
成図、 第3図は本発明の一実施例における電源制御部の動作説
明図であり、同図(A)はシステム装着時の動作説明図
、同図(B)はシステムから分離した時の動作説明図、
同図(C)は一次電池交換時の動作説明図、 第4図は本発明の一実施例における充電動作説明図であ
り、同図(A)は従来技術との比較による充電時間及び
一次電池交換可能時期の説明図、同図(B)は従来技術
との比較による充電ソースの説明図、 第5図は本発明の他の実施例に係るメモリカードの概略
構成図、 第6図は従来のメモリカードの概略構成図を示す。 1・・・一次電池 2・・・二次電池 3・・・電源制御手段 4・・・ダイオード 5・・・メモリ (メモリ) 6・・・カード本体 7・・・システム 31・・・切換制御部 31A・・・比較電圧検出回路

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 データ保持に常時電源供給を必要とするメモリ素子を備
    えて構成し、システムへの装着時にシステムとメモリ素
    子との間でデータの授受を行なうメモリカードにおいて
    、 上記システムから分離された場合にメモリ素子に電源を
    供給する一次電源と、 該一次電源を交換する場合にメモリ素子に電源を供給す
    る二次電源と、 上記システムへの装着時にシステム電源及び一次電源か
    ら二次電源を充電すると共にシステムから分離時に一次
    電源から二次電源を充電する電源制御手段とを備える ことを特徴とするメモリカード。
JP1321535A 1989-12-13 1989-12-13 メモリカード Expired - Fee Related JPH0823793B2 (ja)

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KR9020497A KR940001490B1 (en) 1989-12-13 1990-12-13 Card type semiconductor memory device
EP90403584A EP0437129B1 (en) 1989-12-13 1990-12-13 Card type semiconductor device
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KR910012974A (ko) 1991-08-08
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