JPH03184353A - バンプ付フィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents
バンプ付フィルムキャリア及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03184353A JPH03184353A JP1321544A JP32154489A JPH03184353A JP H03184353 A JPH03184353 A JP H03184353A JP 1321544 A JP1321544 A JP 1321544A JP 32154489 A JP32154489 A JP 32154489A JP H03184353 A JPH03184353 A JP H03184353A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film carrier
- bump
- bumps
- lead
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子の実装に使用されるフィルムキャリ
アに関し、特にフィルムキャリアのリードの先端部にバ
ンプを有するバンプ付フィルムキャリアとその製造方法
に関する。
アに関し、特にフィルムキャリアのリードの先端部にバ
ンプを有するバンプ付フィルムキャリアとその製造方法
に関する。
（従来の技術）
半導体素子のボンディング方式の一つに高速で量産性に
富み、かつ、高い信頼性を有する方式として複数の電極
を一度にボンディングすることが可能なフィルムキャリ
アによる方式がある。
富み、かつ、高い信頼性を有する方式として複数の電極
を一度にボンディングすることが可能なフィルムキャリ
アによる方式がある。
このフィルムキャリアは第３図に示すようにデバイス孔
が形成された可撓性樹脂フィルムｌ上にデバイスに延在
するように形成された複数本のり−ド２が保持されたも
ので、半導体素子３のアルミニウム電極４上に形成され
た金バンプ５とフィルムキャリアのリード２の先端とを
熱圧着及び超音波印加により接合するものである。
が形成された可撓性樹脂フィルムｌ上にデバイスに延在
するように形成された複数本のり−ド２が保持されたも
ので、半導体素子３のアルミニウム電極４上に形成され
た金バンプ５とフィルムキャリアのリード２の先端とを
熱圧着及び超音波印加により接合するものである。
しかしながら、このような半導体素子３側にバンプ電極
を形成する方法としては、電極形成部以外をマスクして
電極形成部のみにろう材組成を被着する部分メツキ法、
部分蒸着法等が考えられるが、メツキ法によるとメツキ
浴からの不純物が混入することにより半導体素子そのも
のの歩留りを低下させる恐れがあり、また蒸着法は一般
にコストが高く特に金を成分とするろう材で電極を形成
する場合はそのコストも無視し得ない。
を形成する方法としては、電極形成部以外をマスクして
電極形成部のみにろう材組成を被着する部分メツキ法、
部分蒸着法等が考えられるが、メツキ法によるとメツキ
浴からの不純物が混入することにより半導体素子そのも
のの歩留りを低下させる恐れがあり、また蒸着法は一般
にコストが高く特に金を成分とするろう材で電極を形成
する場合はそのコストも無視し得ない。
そこで第４図に示すようにリード２の先端部分に転写バ
ンプ法、エツチング法によりバンプ６を形成し半導体素
子３のアルミニウムバッド４を未処理のままでボンディ
ングすることができるバンプ付フィルムキャリアが提案
されている。
ンプ法、エツチング法によりバンプ６を形成し半導体素
子３のアルミニウムバッド４を未処理のままでボンディ
ングすることができるバンプ付フィルムキャリアが提案
されている。
転写バンプ法は第５図に示すような各工程からなる。即
ち、（イ）基板７上に導電層８を形成し、（ロ）その上
に絶縁層９を、（ハ）次いでレジスト膜１０を形成した
後、（ニ）マスク１１を用いて露光し、光の照射領域に
重合反応を起こし、（ネ）レジスト膜１０の現象と絶縁
層９のエツチング処理により開孔部１２を形成し、（へ
）そして開孔部１２に金メツキを施してバンプ１３を形
成した後、（ト）フィルムキャリア１４のリード１５の
先端にバンプ１３を転写するのである。
ち、（イ）基板７上に導電層８を形成し、（ロ）その上
に絶縁層９を、（ハ）次いでレジスト膜１０を形成した
後、（ニ）マスク１１を用いて露光し、光の照射領域に
重合反応を起こし、（ネ）レジスト膜１０の現象と絶縁
層９のエツチング処理により開孔部１２を形成し、（へ
）そして開孔部１２に金メツキを施してバンプ１３を形
成した後、（ト）フィルムキャリア１４のリード１５の
先端にバンプ１３を転写するのである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このバンプ形成法によればバンプ形成ま
でに、現像、エツチング、メツキ等の湿式処理を必要と
するため、レジスト残、エツチング残による仕上りバン
プ１３の形状、寸法のばらつきが大きく、半導体素子３
とのボンディングの際に接続不良、隣接の電極への接触
等を招くことがある。また、高価なマスク及び高価な露
光装置が必要であり、リードパターンの設計変更がある
とそれに伴なってマスク１１の変更を要する。
でに、現像、エツチング、メツキ等の湿式処理を必要と
するため、レジスト残、エツチング残による仕上りバン
プ１３の形状、寸法のばらつきが大きく、半導体素子３
とのボンディングの際に接続不良、隣接の電極への接触
等を招くことがある。また、高価なマスク及び高価な露
光装置が必要であり、リードパターンの設計変更がある
とそれに伴なってマスク１１の変更を要する。
一方、エツチング法によりリード先端を突起状に形成す
るバンプ形成法では、リードの材質に通常銅を使用して
いるためバンプは銅で形成されることになるが、この銅
バンプはボンディング時に変形が少なくたとえ該バンプ
が金メツキされているとしてもそのままでは接合しにく
いものである。
るバンプ形成法では、リードの材質に通常銅を使用して
いるためバンプは銅で形成されることになるが、この銅
バンプはボンディング時に変形が少なくたとえ該バンプ
が金メツキされているとしてもそのままでは接合しにく
いものである。
従って、この銅バンプの相手側になる半導体素子３のア
ルミニウム電極４上に金の蒸着膜を形成しておく必要が
あり、その分余分のコストが掛る。
ルミニウム電極４上に金の蒸着膜を形成しておく必要が
あり、その分余分のコストが掛る。
本発明の目的は、構造が簡単で製造し易く、安価に得ら
れるバンプ付フィルムキャリアを提供するものである。
れるバンプ付フィルムキャリアを提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明のバンプ付フィルムキ
ャリアはリード先端部分の穿孔された開孔部に半田ボー
ルが熱圧着により固定されている点に特徴がある。また
このバンプ形成方法はレーザーによりフィルムキャリア
のリード先端部分に半田ボールを載置するための開孔部
を穿孔し、この開孔部へ半田ボールを載置し、熱圧着に
より固定する点に特徴がある。
ャリアはリード先端部分の穿孔された開孔部に半田ボー
ルが熱圧着により固定されている点に特徴がある。また
このバンプ形成方法はレーザーによりフィルムキャリア
のリード先端部分に半田ボールを載置するための開孔部
を穿孔し、この開孔部へ半田ボールを載置し、熱圧着に
より固定する点に特徴がある。
第１図は本発明のバンプ付フィルムキャリアの構成を示
す図で、リード１６の先端部分の開孔に半田ボール１７
が嵌入、圧着固定されている。このようなフィルムキャ
リアは第２図に示すように（イ）まず、リード１６に通
常の金あるいは錫メツキ仕上げを施す前に、リード１６
の先端部をＹＡＧレーザーのようなレーザーのパルスに
より穿孔する。ただし孔は半田ボール１７の径よりも若
干小さめに穿孔する。（ロ）次にリード表面に金あるい
は錫メツキ仕上げを施した後、半田ボール１７を開孔１
８へ載置して、水素１０％アルゴン９０％程度の還元雰
囲気中でボンディングツールにより熱圧着することによ
り固定する。
す図で、リード１６の先端部分の開孔に半田ボール１７
が嵌入、圧着固定されている。このようなフィルムキャ
リアは第２図に示すように（イ）まず、リード１６に通
常の金あるいは錫メツキ仕上げを施す前に、リード１６
の先端部をＹＡＧレーザーのようなレーザーのパルスに
より穿孔する。ただし孔は半田ボール１７の径よりも若
干小さめに穿孔する。（ロ）次にリード表面に金あるい
は錫メツキ仕上げを施した後、半田ボール１７を開孔１
８へ載置して、水素１０％アルゴン９０％程度の還元雰
囲気中でボンディングツールにより熱圧着することによ
り固定する。
この場合リード１６に施された金あるいは錫メツキ面と
半田ボール１７が圧着固定される程度の圧力で充分であ
り、ツール温度２００〜３００ ’Ｃ、ボンディング時
間０．５秒程度が適当である。従ってこのようなボンデ
ィング条件では半田ボール１７の形状が変化することは
ない。
半田ボール１７が圧着固定される程度の圧力で充分であ
り、ツール温度２００〜３００ ’Ｃ、ボンディング時
間０．５秒程度が適当である。従ってこのようなボンデ
ィング条件では半田ボール１７の形状が変化することは
ない。
（作用）
本発明のバンプ付フィルムキャリアにおいてレーザーに
より穿孔された開孔１８の断面は第２図（イ）の如く鼓
状に穿孔されるので金ボール１７を所定の位置に正確に
載置することができ、しがも熱圧着により固定した後の
バンプの高さ及び形状は均一である。
より穿孔された開孔１８の断面は第２図（イ）の如く鼓
状に穿孔されるので金ボール１７を所定の位置に正確に
載置することができ、しがも熱圧着により固定した後の
バンプの高さ及び形状は均一である。
また、ＹＡＧレーザーの出力、パルス幅を調整すること
により任意の径で穿孔することが可能であり、半田ボー
ル１７をリード開孔１８へ載置した状態での高さを調整
できる。
により任意の径で穿孔することが可能であり、半田ボー
ル１７をリード開孔１８へ載置した状態での高さを調整
できる。
さらにフィルムキャリア全体を反転させてり−ド１６の
裏面から半田ボール１７を載置すれば裏面バンプ付のフ
ィルムキャリアを製造することも可能であり、半導体素
子とフェースダウン、フェースアップのいずれのボンデ
ィングも行うことができる。
裏面から半田ボール１７を載置すれば裏面バンプ付のフ
ィルムキャリアを製造することも可能であり、半導体素
子とフェースダウン、フェースアップのいずれのボンデ
ィングも行うことができる。
（発明の効果）
本発明のバンプ付フィルムキャリアによれば、多数の均
一形状、均一寸法のバンプな容易に形成することができ
、しかも所定の位置に正確に形成することができるので
半導体素子とのボンディングの際に接続不良やショート
事故がなく信頼性の高いバンプ接続を行うことができる
。
一形状、均一寸法のバンプな容易に形成することができ
、しかも所定の位置に正確に形成することができるので
半導体素子とのボンディングの際に接続不良やショート
事故がなく信頼性の高いバンプ接続を行うことができる
。
第１図は本発明のバンプ付フィルムキャリアの構成を示
す図で、第２図はそのバンプ形成法を工程的に示す図で
ある。第３図は従来のフィルムキャリアとバンプ付半導
体素子との関係を示す図、第４図は従来のバンプ付フィ
ルムキャリアと半導体素子との関係を示す図。第５図は
従来のバンプ形成方法を示す工程図である。 １６・・・リード、１７・・・半田ボール、１８・・・
開孔部・
す図で、第２図はそのバンプ形成法を工程的に示す図で
ある。第３図は従来のフィルムキャリアとバンプ付半導
体素子との関係を示す図、第４図は従来のバンプ付フィ
ルムキャリアと半導体素子との関係を示す図。第５図は
従来のバンプ形成方法を示す工程図である。 １６・・・リード、１７・・・半田ボール、１８・・・
開孔部・
Claims (2)
- （１）フィルムキャリアのリード先端部分の穿孔された
開孔部に半田ボールが圧着により固定されていることを
特徴とするバンプ付フィルムキャリア。 - （２）フィルムキャリアのリード先端部分にレーザー加
工により穿孔し、この開孔部へ半田ボールを載置して、
熱圧着により固定することを特徴とするバンプ付フィル
ムキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321544A JPH03184353A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | バンプ付フィルムキャリア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321544A JPH03184353A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | バンプ付フィルムキャリア及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184353A true JPH03184353A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18133744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321544A Pending JPH03184353A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | バンプ付フィルムキャリア及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184353A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5341564A (en) * | 1992-03-24 | 1994-08-30 | Unisys Corporation | Method of fabricating integrated circuit module |
| US5762258A (en) * | 1996-07-23 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Method of making an electronic package having spacer elements |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1321544A patent/JPH03184353A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5341564A (en) * | 1992-03-24 | 1994-08-30 | Unisys Corporation | Method of fabricating integrated circuit module |
| US5762258A (en) * | 1996-07-23 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Method of making an electronic package having spacer elements |
| US5941449A (en) * | 1996-07-23 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Method of making an electronic package having spacer elements |
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