JPH03184980A - 1H―ピラゾロ〔1,5―b〕―1,2,4―トリアゾール系化合物の製造方法 - Google Patents

1H―ピラゾロ〔1,5―b〕―1,2,4―トリアゾール系化合物の製造方法

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JPH03184980A
JPH03184980A JP32446689A JP32446689A JPH03184980A JP H03184980 A JPH03184980 A JP H03184980A JP 32446689 A JP32446689 A JP 32446689A JP 32446689 A JP32446689 A JP 32446689A JP H03184980 A JPH03184980 A JP H03184980A
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formula
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hal
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JP32446689A
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Hiroki Mizukawa
裕樹 水川
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Fujifilm Holdings Corp
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Fuji Photo Film Co Ltd
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  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ハロゲン化銀カラー写真用カプラーとして有
用な1H ピラゾロ 〔1゜ b〕 ■。
2゜ 4−トリアゾール系化合物の製造方法に関するものであ
る。
(従来技術) 1H−ピラゾロ(1,5−b)−1,2,4−トリアゾ
ール系化合物はハロゲン化銀カラー写真用カプラーとし
て有用な化合物である。一般式(I)で表わされるアミ
ドオキシム類を原料とする、1H−ピラゾロ(1,5−
b:] −1,2,4トリアゾール系化合物の合成法と
しては特開昭60−197688号、同61−2094
57号等に記載の合成法が知られている。すなわち、以
下の反応スキームで示す様に 反応スキーム アミドオキシム体(III) を脱水環化縮合するこ とにより1H−ピラゾロ (1,5−b)−1,2 4−トリアゾール化合物を製造する方法である。
上記の合成法に用いられている脱水縮合剤としては、メ
タンスルホニルクロライド、p−トルエンスルホニルク
ロライド、塩化チオニル、オキシ塩化リン等が知られて
いる。しかしながら、特に前記アミドオキシム体(DI
)において置換基R1が、アルコキシ基、又はアリール
オキシ基の場合、上記の脱水環化縮合剤を用いた台底で
は収率が低いといった問題点を有していた。又、置換基
R2がアリール基又はヘテロ環基の場合においても同様
な問題を有していた。
(発明が解決しようとする課題) 先に述べた様にアミドオキシム類に脱水剤を作用させて
1H−ピラゾロ(1,5−b) −1,2゜4−トリア
ゾール系化合物を台底する方法においでは、従来、脱水
剤としてp−)ルエンスルホン酸クロライド等が優れて
いることが知られている。
この合成法において、一部のアミドオキシム類に対して
は、トシレート化工程に用いる反応溶媒と、次の閉環工
程に用いる反応溶媒は、その収率の関係から異なった溶
媒を用いなければならず、その操作性が繁雑であった。
また特に一般式(1))で表わされる化合物の置換基R
2がアリール基及びヘテロ環基の化合物の台底において
は、従来の合成法においては低収率であった。又、置換
基R1がアルコキシ基又はアリールオキシ基の場合にお
いても収率は低く更に改良が望まれた。
我々の目的は、前記一般式(I[I)で表わされるアミ
ドオキシム類を原料にして、より簡便な方法でしかも収
率良く、1H−ピラゾロ(1,5−b)1.2.4−ト
リアゾール化合物を製造する方法を提供することである
(課題を解決する為の手段) 本発明の前記目的は下記一般式(1)で表わされる三級
ホスフィン類を用いる工程を含むことを特徴とする、下
記一般式(II)で表わされる、1H−ピラゾロCI、
5−b)−1,,2,4−トリアゾール系化合物の製造
方法によって遠戚された。
一般式(+)    (y)、lp 一般式(II) 以下、本発明の詳細な説明する。本発明の具体的な製造
方法としては、前記一般式(1)で表わされる三級ホス
フィン類と下記一般式(rV)で表わされ三級ホスフィ
ン類と下記一般式(V)又は一般式(VI)で表わされ
るホスホニウム塩類又はホスホラン類を、下記一般式(
III)で表わされるアくドオキシム類又は一般式(I
II−1)で表わされるl−アミノ−5−アシルアミノ
ピラゾール類に作用させて脱水縮合する工程を含む前記
一般式(II)で表わされる1H−ピラゾロ〔15−b
)−1,2,4−トリアゾール系化合物の製造方法があ
げられる。
一般式(I[I)       一般式(III−1)
NH。
(式中、R R2及びXは一般式([) ) 一般式(IV) an 一般式(V) 〔 (Y)3P−Ha I!、〕” (ある これらの製造方法は以下に示す反応スキーム(A)によ
り進行すると考えられる。
/ 10 本発明において原料として用いられる、一般式(Iff
)で表わされるアミドオキシ類のR1は水素原子又は置
換基を表わす。その置換基としてはアルキル基、アリー
ル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
ヘテロ環チオ基、アミノ基、アニリノ基、アシルアミノ
基、ウレイド基、ウレタン基、アルコキシカルボニル基
、スルホンアミド基、スルファモイル基、スルホニル基
、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、等を表わす。
置換基について更に詳しく説明すると、アルキル基とは
炭素数1〜50の直鎖又は分岐鎖の置換又は無置換のア
ルキル基を表わし、置換アルキル基の置換基としては、
ハロゲン原子(例えばフッ素、塩素、臭素)、シアノ基
、ニトロ基、アリール基(例えばフェニル、ナフチル)
、ヘテロ環基(例えば、フリル、■−ピラゾリル)、ア
ルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、イソプロピル
オキシ、ブトキシ、ドデシルオキシ)、アリールオキシ
基(例えばフェノキシ、2−4−ジt−ア逅ルフェノキ
シ、3−メタンスルホンアミドフェノキシ)、アルキル
チオ基(例えばメチルチオ、エチルチオ、オクチルチオ
、ヘキサデシルチオ)、アリールチオ基(例えばフェニ
ルチオ、2−ブトキシ−5−t−オクチルフェニルチオ
、4−ドデシルオキシフェニルチオ、2−ピバロイルア
ミノフェニルチオ)、アミノ基(例えば、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ)、アシルアミノ基(例えば、N−メチルアセチルア
ミノ、N−プチルテトラデカノイルア珈))、ウレイド
基(例えばN、  NN′−トリエチルウレイド)、ウ
レタン基(例えばN−ブチル−フェニルウレタン、N−
オクチルエチルウレタン)、アルコキシカルボニル基(
例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ドデ
シルオキシカルボニル)、スルホンアもド基(例えばメ
チルスルホニルくド、エタンスルホンアミド、ヘキサデ
カンスルホンアミド、p−トルエンスルホンアミド)、
スルファモイルIg (例工ば、N−メチルスルファモ
イル、N−ブチルスルファモイル、N、N−ジオクチル
スルファモイル)、スルホニル基(例えば、メチルスル
ホニル、エチルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル、
フェニルスルホニル)等を表わし、2個以上の置換基を
有していてもよい。又2個以上の置換基を有す場合には
、同じであっても異なっていてもよい。
アリール基は前記置換アルキル基で説明した置換基を有
していてもよい(例えば、フェニル、ジクロロフェニル
、2−メトキシフェニル、2,4ジメトキシフエニル、
4−t−ブチルフェニル)、ヘテロ環基(例えば3−ピ
リジル、4−ピリジル)、アルコキシ基のアルキル基は
前記置換アルキル基の置換基を有していてもよい(例え
ば、メトシキ、エトキシ、プロピルオキシ、ブチルオキ
シ、イソプロピルオキシ、t−ブトキシ、2フエノキシ
エトキシ、l−(2,4−ジ−t−アミルフェノキシエ
トキシ)、2−メチルスルホニルエトキシ)、アリール
オキシ基〈例えばフェノキシ、2−メトキシフェノキシ
、2,4−ジメトキシフェノキシ、2.6−ジメトキシ
フェノキシ、=13 2.4−ジ−t−アミルフェノキシ、2−エトキシカル
ボニルフェノキシ)、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ
基(例えばメチルチオ、エチルチオ、ヘキサデシルチオ
)、了り−ルチオ基(例えばフェニルチオ、2−エトキ
シカルボニルフェニルチオ、2−ブトキシ−5−t−オ
クチルフェニルチオ、2−ピバロイルアミドフェニルチ
オ)、ヘテロ環チオ基、アミノ基(例えばジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアξ)、ジブチル
アミノ)、アニリノ基(例えば2,5−ジクロロアニリ
ノ、2−エトキシカルボニルアニリノ)、アシルアミノ
基(例えば、N−メチルアセチルアξ)、N−フェニル
アセチルアミノ、N−ブチルピバロイルアミノ、N−メ
チルテトラデカノイルアミノ)、ウレイド基(例えば、
N、N、N’トリエチルウレイド)、ウレタン基(例え
ばNメチルフェニルウレタン)、アルコキシカルボニル
(例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ド
デシルオキシカルボニル)、スルホンアミド基(例えば
、メタンスルホンアミド、エタン4 スルホンアミド、ヘキサデカンスルホンアくド、N−メ
チルオクタンスルホンアミド、1)−)ルエンスルホン
アミド)、スルファモイル基(例えば、N−ブチルスル
ファモイル、メチルスルファモイル、エチルスルファモ
イル、フェニルスルファモイル)、シアノ基、ニトロ基
、ヒドロキシル基等を表わす。R1がアルコキシ基、ア
リールオキシ基の場合、本発明の効果が大きい。
又、一般式(III−1)で表わされる1−アミノ5−
アジルアごノピラール類のR,、R,、Xは、前記一般
式(Ill)で説明したのと同しである。
Xで表わされる置換基は水素原子又は置換基を表わし、
その置換基としては、ハロゲン原子、又はC,N、 ○
、  S、  P及びHよりなる群より選ばれた少なく
とも2つの原子を有す1価の基である。
好ましくは、Xは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、ヘテロ原子として○、N又はSを含有する3
ないし10員環のへテロ環基、アルコキシカルボニル基
、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基
、アルキルチオ基、アリールチオ基、等を表わす。更に
詳しくは、Xは水素原子、ハロゲン原子(例えばフン素
、塩素、臭素)、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基(例
えば、ピラゾリル、イミダゾリル)、アルコキシカルボ
ニル基(例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボ
ニル)、アルコキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ)
、アリールオキシ基(例えばフェノキシ、4−メチルフ
ェノキシ、4−エトキシカルボニルフェノキシ、2−エ
トキシカルボニルフェノキシ、4−シアノフヱノキシ、
4−メチルスルホニルフェノキシ)、ヘテロ環オキシ基
、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ドデシルチオ、
1−エトキシカルボニルドデシルチオ)、アリールチオ
基(例えば、フェニルチオ、2−エトキシカルボニルフ
ェニルチオ、2−ブトキシ−5−tオクチルフェニルチ
オ)、等を表わす。
R2は水素原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロ
環基を表わす。更に詳しく説明すると、R2のアルキル
基とは、炭素原子数1〜50の直鎖又は分岐鎖の置換又
は無置換のアルキル基を表わし、置換アルキル基の置換
基としては、前記置換基R1で説明した置換アルキル基
の置換基と同義であり、2個以上の置換基を有していて
もよく、その場合には、それらの置換基は同一であって
も異なっていてもよい。R2のアリール基とは、置換又
は無置換のアリール基を表わし、無置換了り−ル基(例
えばフェニル、ナフチル)、置換アリール基の置換基と
しては、前記R1の置換アルキル基で説明した置換基と
同義である(例えば、34−ジクロロフェニル、3.5
−)lロロフェニル、2−ニトロフェニル、3−ニトロ
フェニル、2−メトキシフェニル、2.4−ジメトキシ
フェニル)を表わす。
R2のへテロ環基とは、例えば3−ピリジル、4−ピリ
ジルを表わす。本発明においてR2がアリール基、ヘテ
ロ環基のとき本発明の効果が大きい。特にアリール基の
とき効果が大きい。
前記一般式(III)で表わされる化合物の代表的具体
例を以下に示すが、本発明はこれらによって限定される
ものではない。
7 8 ■ 9 ■ 3 ■ 4 ■ 1)  ゝC8゜ /N 0 ■0 1 ■ 6 ■ 7 CI2)125 ■ 8 2 ■ 19 ■ 0 ■ 2 ■ 3 NO□ 5 1 0 2 6 ■ 39 9− ■ 2 ■ 3 0 ■ 46 ■ 7 ■ 8 しに 本発明に用いられる原料、すなわち、一般式(I[[)
で表わされるアミドオキシム類は特開昭61−1451
63号に記載の方法、すなわち、以下に記載の反応スキ
ームに従って容易に台底することができる。
3 一般式(1)で表わされる三級ホスフィン類のYはアル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基
、またはアミノ基を表わし、更に詳しく説明すると、ア
ルキル基は炭素数1ないし10の直鎖又は分岐鎖の置換
又は無置換のアルキル基を表わし、置換アルキル基の置
換基としては、前記一般式(III)で表わされるアも
ドオキシム体のR1で示した置換アルキル基の置換基と
同義であり、それらの置換基は2個以上有していてもよ
い。2個以上の置換基を有す場合は同一であっても異な
っていてもよい。アリール基は置換又は無置換のアリー
ル基を表わし、置換アリール基の置換基としては、前記
置換アルキル基の置換基と同義である。アルコキシ基は
(例えばメトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ブチル
オキシ、イソプロピルオキシ)、了り−ルオキシ基(例
えばフェノキシ、ナフチルオキシ)、アミノ基(例えば
ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、
ジブチルアミノ、ジイソプロピルアミノ)を表わす。好
ましくはYはアリール基又はジアルキ4 ルアミノ基であり、特に好ましくはフェニル基である。
以下に一般式(1)で表わされる三級ホスフィン類の具
体例を示すが、本発明は、これらによって限定されない
■ (CH,IhP ■ (CJ5+rP ■ (CH30−)丁P ■ (C,05#rP (C4H10+rP I   9     (CtHq+−rP般式(IV)
で表わされるハロゲン化剤のHalはハロゲン原子(例
えば塩素、臭素〉を表わし、Qは置換基を表わす。その
置換基としては、ハロゲン原子(例えば塩素、臭素)、
イミド基(例えばコハク酸イミド、フタル酸イミド)、
ハロゲン化アルキル基(例えばトリクロロメチル、トリ
ブロモメチル、ペンタクロロエチル、ペンタブロモエチ
ル〉を表わす。
以下に一般式(TV)で表わされるハロゲン化剤の好ま
しい具体例を示すが、本発明はこれらによって限定され
るものではない。
IV−1cz。
IV2    Brz ■ C14 ■ CB r a 一般式(V)で表わされるホスホニウム塩類及び一般式
(VI)で表わされるホスボラン類は、それぞれ一般弐
〇)で表わされる三級ホスフィン類と一般式(IV)で
表わされるハロゲン化剤から導かれる。それらのY、H
al、及びQはそれぞ 7− れ、前記一般式(1)及び一般式(IV)で述べたと同
義である。
本発明の方法によって、下記一般式(II)で表わされ
る1H−ピラゾロ(1,5−b) −1,2゜4−トリ
アゾール系化合物が得られる。
2 (R,、X及びR2は先に一般式(III)で述べたと
同義である。) 一般式(n)で表わされる化合物の代表的具体例を以下
に示すが、本発明はこれらによって限定されるものでは
ない。
8 7 1 2 12 3 5 5 6 9 0 0 50 次に本発明の実施態様について説明する。
前記一般式(I[[)で表わされるアミドオキシム類の
、前記一般式(I)で表わされる三級ホスフィン類と前
記一般式(IV)で表わされるハロゲン化剤を用いる脱
水縮合反応においては、無溶媒で行なってもよいし、適
当な溶媒に溶解又は分散して行なってもよい。本発明に
用いることのできる代表的な溶媒としては、アセトニト
リル、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、ジメチル
アセトアミド、ジメチルイミダゾリトン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチル、1,2−ジメトキシエタン、ヘン
ゼン、トルエン等の溶媒が挙げられる。これ3− らの溶媒は単一で使用してもよいし、2種以上を混合し
て使用してもよい。
溶媒の使用量は一般式(Ill)又は(I[+−1)で
表わされるアミドオキシム類の1重量部当り1〜100
0重量部、好ましくは1〜30重量部の割合で使用され
る。
一般式(Ill)又は(I[1−1)で表わされるアミ
ドオキシム類と一般式(1)で表わされる化合物は1:
0.5〜1:20のモル比で用いられ、好ましくは1:
1〜1:10のモル比で使用される。
一般式(1)で表わされる化合物と、一般式(IV)で
表わされるハロゲン化剤は1:1〜1:100のモル比
で用いられ、好ましくは1:1〜1:10のモル比で使
用される。
反応温度は一20℃〜150℃で行えるが、20°C〜
80°Cが好ましく、−20℃〜50℃が特に好ましい
反応時間は、反応温度が一20℃〜150℃の場合には
30分間〜48時間で反応が終結する。
4 (実施例) 以下に本発明の具体的実施例の一部を示すが、本発明は
これらによって限定されるものではない。
実施例1 (例示化合物 M−21) アミドオキシム体(I[Ia)92.3g (0,25
モル)、四塩化炭素501n1にアセトニトリル500
−を加えて5℃〜10℃に冷却し攪拌した。
これにトリフェニルホスフィン34.0g (0゜13
モル)を添加し、5〜10℃で3時間攪拌した後、更に
34.0g (0,13モル)のトリフェニルホスフィ
ンを添加した。添加終了後、5〜10℃で5時間攪拌を
続けた。反応終了後、この反応液に攪拌しながら水50
0−を滴下した。析出した結晶を炉取し、メタノール−
水(1:、1)の混合溶媒で洗浄した後、乾燥した。6
1.7g(70,3%)の例示化合物M−21を得た。
融点は216〜218℃であった。この化合物は特開昭
63−307453の実施例−3に記載の例示化合物と
NMRが一致し、同一物と確認した。
7 アミドオキシム体(I[[b)44.8g (0,1モ
ル)、四塩化炭素30−にアセトニトリル300−を加
えて室温で攪拌した。これにトリフェニルホスフィン3
1.0g (0,12モル)を添加し、室温で5時間攪
拌し続けた後、更に20g(0,076モル)のトリフ
ェニルホスフィンを添加し3時間攪拌を行なった。反応
終了後、水300−を攪拌下で滴下した。析出した結晶
を炉取し、メタノール−水(1: 1)の混合溶媒で洗
浄し乾燥した。31.2g (72,6%)の例示化合
物M−44を得た。融点は201〜205℃であった。
実施例3 (例示化合物 M−44) アミドオキシム体(Il[b)44.8g (0,1モ
ル)、トリフェニルホスフィン31.0g (0゜12
モル)にテトラヒドロフラン250−を加えてO℃〜5
℃に冷却し攪拌した。これにN−クロルコハク酸イミド
16.Og (0,12モル)を数回に分けて、ゆっく
り添加した。添加終了後3時間0°C〜5℃で攪拌した
後、室温で更に4時間8 攪拌を続けた。反応終了後、反応液を水100〇−中に
攪拌下で注いだ。析出したガム状物を水洗した後、カラ
ムクロマト(クロロホルム/メタノール)で精製した。
アセトニトリルで晶析し28゜6g (66,6%)の
例示化合物M−44を得た。
融点は実施例2で得たものと同しであった。
実施例4〜実施例13及び実施例15はアミドオキシム
体を変更した以外は実施例1と同し方法に従って行なっ
た。
実施例14は実施例3と同じ方法に従って行なった。
以下に実施例1〜実施例15の得られた化合物の収率と
融点を示す。
59− (比較例−1) 実施例−1(例示化合物M−21)で示した化合物の従
来の合成法は特開昭63−307453に記載されてお
り例示化合物M−21の収率は35%であった。
(発明の効果) 本発明の合成法により、より簡便に、好収率で1H−ピ
ラゾロ(1,5,−b)−1,2,4−トリアゾール系
化合物を台底することが可能となった。更に比較例で示
した様にR1がアリールオキシ基、アルコキシ基であり
、R2がアリール基の化合物の台底においては、大巾な
収率の向上が遠戚され、本発明が優れていることがわか
った。
又、比較例で示した様に特開昭63−307453等に
記載されているトシル化及び閉環工程の操作性に関して
も本発明がより簡単であり優れていることがわかった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式( I )で表わされる三級ホスフィン
    類を用いる工程を含むことを特徴とする、下記一般式(
    II)で表わされる、1H−ピラゾロ〔1,5−b〕−1
    ,2,4−トリアゾール系化合物の製造方法。 一般式( I )(Y)_3P 〔式中、Yはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、
    アリールオキシ基、またはアミノ基を表わす。〕 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は水素原子、又は置換基を表わし、R_
    2は水素原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロ環
    基を表わす。Xは水素原子又は置換基を表わす。〕
  2. (2)請求項(1)記載の一般式( I )で表わされる
    三級ホスフィン類と下記一般式(IV)で表わされるハロ
    ゲン化剤から形成される下記一般式(V)又は一般式(
    VI)で表わされるホスホニウム塩類又はホスホラン類を
    、下記一般式(III)で表わされるアミドオキシム類又
    は一般式(III− I )で表わされる1−アミノ−5−ア
    シルアミノピラゾール類に作用させて脱水縮合する工程
    を含むことを特徴とする請求項(1)記載の一般式(I
    I)で表わされる1H−ピラゾロ〔1,5−b〕−1,
    2,4−トリアゾール系化合物の製造方法。 一般式(III)一般式(III− I ) ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ (式中、R_1、R_2及びXは一般式(II)と同義で
    ある。) 一般式(IV) Hal−Q [式中、Halはハロゲン原子を表わし、Qは置換基を
    表す。] 一般式(V) 〔(Y)_3P−Hal〕^+Q^− [式中、Y、Hal、及びQはそれぞれ一般式( I )
    及び一般式(IV)と同義である。]一般式(VI) (Y)_3P(Hal)_2 [式中、Y及びHalはそれぞれ一般式( I )及び一
    般式(IV)と同義である。]
JP32446689A 1989-12-14 1989-12-14 1H―ピラゾロ〔1,5―b〕―1,2,4―トリアゾール系化合物の製造方法 Pending JPH03184980A (ja)

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