JPH03185302A - 走査トンネル顕微鏡 - Google Patents
走査トンネル顕微鏡Info
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- JPH03185302A JPH03185302A JP32403389A JP32403389A JPH03185302A JP H03185302 A JPH03185302 A JP H03185302A JP 32403389 A JP32403389 A JP 32403389A JP 32403389 A JP32403389 A JP 32403389A JP H03185302 A JPH03185302 A JP H03185302A
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、走査トンネル顕微鏡に関する。
[従来の技術]
走査トンネル顕微#i!(以下STMという)は。
導電性の試料表面に先端の鋭い金属探針を10オングス
トロ一ム程度の距離に近接させ、探針と試料との間にバ
イアス電圧を印加したときに生じるトンネル電流が、探
針先端と試料表面との距離に指数函数的に依存すること
を利用して試料表面の凹凸等の状態を原子的分解能で測
定する装置である。
トロ一ム程度の距離に近接させ、探針と試料との間にバ
イアス電圧を印加したときに生じるトンネル電流が、探
針先端と試料表面との距離に指数函数的に依存すること
を利用して試料表面の凹凸等の状態を原子的分解能で測
定する装置である。
第2図にSTMの概念図を示し、動作の一例について説
明する。
明する。
探針21はピエゾ素子によって構成されるスキャナー2
2の先端に取り付けられている。この探針21を探針近
接機lI23によって試料ホルダー25に取り付けられ
た試料24の表面に近接させる。ここで探針21は、探
針21と試料24との間にバイアス電圧を印加した場合
に、トンネル電流が生じるような距離まで近づけられる
。
2の先端に取り付けられている。この探針21を探針近
接機lI23によって試料ホルダー25に取り付けられ
た試料24の表面に近接させる。ここで探針21は、探
針21と試料24との間にバイアス電圧を印加した場合
に、トンネル電流が生じるような距離まで近づけられる
。
探針21と試料24との間に流れるトンネル電流は、プ
リアンプ26により電圧変換された後増躯される。その
後、サーボ−路27を通じて、探針先端と試料表面の距
離を制御するスキャナー22のピエゾ素子にフィードバ
ックされる。このフィードバックはスキャナー22を試
料表面上で試料表面に平行な面内(X−Y平面内)で走
査したときに、探針21の先端と試料24表面の間に流
れるトンネル電流の値が常に一定になるように行なわれ
る。このように、フィードバックをかけるとそのフィー
ドバック電圧は試料表面の凹凸に対応する。従って2画
像表示部28によってその電圧を走査に対応させて表示
すれば、試料表面の凹凸像が得られる。
リアンプ26により電圧変換された後増躯される。その
後、サーボ−路27を通じて、探針先端と試料表面の距
離を制御するスキャナー22のピエゾ素子にフィードバ
ックされる。このフィードバックはスキャナー22を試
料表面上で試料表面に平行な面内(X−Y平面内)で走
査したときに、探針21の先端と試料24表面の間に流
れるトンネル電流の値が常に一定になるように行なわれ
る。このように、フィードバックをかけるとそのフィー
ドバック電圧は試料表面の凹凸に対応する。従って2画
像表示部28によってその電圧を走査に対応させて表示
すれば、試料表面の凹凸像が得られる。
このような走査トンネル顕微鏡を構成する部品のうち、
探針、スキャナー近接機構、試料ホルダー等の機械的な
部分が一体化されたものをトンネルユニットと呼び、プ
リアンプ、サーボ回路1画像表示等の電気的な部分を制
御系と呼ぶことにする。これら以外に走査トンネル顕微
鏡を構成する重要な機構としては、外部からの振動を除
くための除震機構(図示せず)がある。
探針、スキャナー近接機構、試料ホルダー等の機械的な
部分が一体化されたものをトンネルユニットと呼び、プ
リアンプ、サーボ回路1画像表示等の電気的な部分を制
御系と呼ぶことにする。これら以外に走査トンネル顕微
鏡を構成する重要な機構としては、外部からの振動を除
くための除震機構(図示せず)がある。
STMは前述のように探針を利用しており、この探針先
端の状!!!(酸化・汚染など)が得られるSTM像に
大きく影響することが知られている。
端の状!!!(酸化・汚染など)が得られるSTM像に
大きく影響することが知られている。
特に、超高真空(UHV)中でSTMにより試料の清浄
な表面の原子像を観察するためには、探針先端も清浄で
あることが不可欠である。
な表面の原子像を観察するためには、探針先端も清浄で
あることが不可欠である。
そのため、STMにトンネルユニットとは別に探針清浄
機構を設け、Tめ清浄化した探針をトンネルユニットま
でもって来てトンネルユニットに取り付けて使用する方
法がある。しかし、この方法は探針の移動機構が必要で
ある。探針の着脱が可能なS7Mユニットが必要である
1等の問題を有している。
機構を設け、Tめ清浄化した探針をトンネルユニットま
でもって来てトンネルユニットに取り付けて使用する方
法がある。しかし、この方法は探針の移動機構が必要で
ある。探針の着脱が可能なS7Mユニットが必要である
1等の問題を有している。
そこで、探針の移動や着脱が不要な探針清浄化機構とし
て縮小・拡大てこによる試料移動機構を有するトンネル
ユニットに探針清浄機構及び観察機構を設けたものがあ
る。これは第3図に示すように、縮小・拡大てこによっ
て試料を探針先端から大きく離す事ができる点を利用し
、試料を探針先端から遠ざけたときに、探針に電極とマ
ルチチャンネルプレートを対向させ、電界イオン顕微鏡
を構成したものである。
て縮小・拡大てこによる試料移動機構を有するトンネル
ユニットに探針清浄機構及び観察機構を設けたものがあ
る。これは第3図に示すように、縮小・拡大てこによっ
て試料を探針先端から大きく離す事ができる点を利用し
、試料を探針先端から遠ざけたときに、探針に電極とマ
ルチチャンネルプレートを対向させ、電界イオン顕微鏡
を構成したものである。
以下にこのようなSTMを第3図を参照して説明する。
第3図(a)はこのトンネルユニットでS7M測定をし
ている状態を示す図である。第3図(a)において、3
1は探針、32はスキャナー、33は試料、34は拡大
・縮小でこのレバー、35はストッパー 36は拡大・
縮小てこを動かすためのロッドで、真空室外から直進導
入機等(図示せず)によって燥作される。又、37は除
震用積層ダンパーで、除震機構としては、これ以外にト
ンネルユニット全体を真空室内でバネでつっている(図
示せず)。
ている状態を示す図である。第3図(a)において、3
1は探針、32はスキャナー、33は試料、34は拡大
・縮小でこのレバー、35はストッパー 36は拡大・
縮小てこを動かすためのロッドで、真空室外から直進導
入機等(図示せず)によって燥作される。又、37は除
震用積層ダンパーで、除震機構としては、これ以外にト
ンネルユニット全体を真空室内でバネでつっている(図
示せず)。
第3図(b)に探針清浄化および探針先端の観察をする
状態を示す。第3図(b)において31〜37は第3図
(a)の場合と同様で、38は中央に穴の開いた電極、
39はマルチチャンネルプレートである。電極38及び
マルチチャンネルプレート39はトンネルユニットとは
別の支持台40に固定されており、レバー34が探針3
1から遠ざけられたのちに第3図(b)に示した位置即
ち、探針31に対向する位置に来るよう真空室外部から
コントロールされるものである。探針31、電極38.
マルチチャンネルプレート39はこのようにして電界イ
オン顕@鏡を構成し、探針先端の観察を可能にしている
。
状態を示す。第3図(b)において31〜37は第3図
(a)の場合と同様で、38は中央に穴の開いた電極、
39はマルチチャンネルプレートである。電極38及び
マルチチャンネルプレート39はトンネルユニットとは
別の支持台40に固定されており、レバー34が探針3
1から遠ざけられたのちに第3図(b)に示した位置即
ち、探針31に対向する位置に来るよう真空室外部から
コントロールされるものである。探針31、電極38.
マルチチャンネルプレート39はこのようにして電界イ
オン顕@鏡を構成し、探針先端の観察を可能にしている
。
次に、この電界イオン顕微鏡の使用方法を説明する。
ここで試料の取り付けられたトンネルユニットが真空室
に収められすでに超高真空状態にあるものとする。
に収められすでに超高真空状態にあるものとする。
■第3図(b)のように、ロッド36を図の下側へ移動
させることによって、レバー34を探針31から遠ざけ
、電極38.マルチチャンネルプレート39を探針31
に対向させる。
させることによって、レバー34を探針31から遠ざけ
、電極38.マルチチャンネルプレート39を探針31
に対向させる。
■真空室内にHeガスを10−’Torr程度導入し。
探針31と電極38との間に、探針側が正であって探針
先端近傍での電界強度が数ボルト/オングストロームに
なるように電界を印加する。
先端近傍での電界強度が数ボルト/オングストロームに
なるように電界を印加する。
■電界イオン顕微鏡で、探針31の先端を観察しながら
、印加電圧を適当に調整し、探針先端から電界蒸発によ
り酸化物を除き、探針清浄化を行つO ■探針清浄化用電極38に印加されていた電圧を除き、
Heガスの導入を悴止して 74空室内を再び超高真空
状態にする。
、印加電圧を適当に調整し、探針先端から電界蒸発によ
り酸化物を除き、探針清浄化を行つO ■探針清浄化用電極38に印加されていた電圧を除き、
Heガスの導入を悴止して 74空室内を再び超高真空
状態にする。
■ロッド36を図の上方へ移動させ、レバー34により
試料33を探針31の近接させ、 STM t’l1
1定を行う。
試料33を探針31の近接させ、 STM t’l1
1定を行う。
[発明が角q決しようとする課題]
しかしながら、この場合には縮小・拡大てこによる試料
移動機構を6するトンネルユニットが必要なため、トン
ネルユニットが大きくなり、ユニット自体の機械的共振
周波数が低下する。このため良好なSTM観察を行うた
めには、大規模、かつ高性能な除振システムが必要とな
る。実際、上記の例ではこのようなトンネルユニットを
UHV中で使用するために長さ約1mの除振バネを必要
とし、そのため高さ2.4mの超高真空室と排気量12
0ON / sものイオンポンプを使用している。
移動機構を6するトンネルユニットが必要なため、トン
ネルユニットが大きくなり、ユニット自体の機械的共振
周波数が低下する。このため良好なSTM観察を行うた
めには、大規模、かつ高性能な除振システムが必要とな
る。実際、上記の例ではこのようなトンネルユニットを
UHV中で使用するために長さ約1mの除振バネを必要
とし、そのため高さ2.4mの超高真空室と排気量12
0ON / sものイオンポンプを使用している。
本発明は探針清浄機構を備えた走査トンネル顕微鏡のト
ンネルユニットの小型化をはかることを目的とする。
ンネルユニットの小型化をはかることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明は、トンネルユニットと、探針清浄化機構とを備
えた走査トンネル顕@鏡において、前記探針清浄化機構
を前記トンネルユニットに組み込み一体化したことを特
徴とする。
えた走査トンネル顕@鏡において、前記探針清浄化機構
を前記トンネルユニットに組み込み一体化したことを特
徴とする。
[実施例]
以下に1図面を参照して本発明の詳細な説明する。
く丈施例1〉
第1図に本発明によるトンネルユニットを示す。
このユニットは探針11.そのスキャナー12゜探針1
1を試料14表面に近接させるためのインチワームによ
る近接機構13.試料14を保持する試料ホルダー15
.探針清浄化用電極16.マルチチャンネルプレート1
7.試料ホルダー15と探針清浄化用電極16とを入れ
替えるためのインチワームによる入れ替え機構18を備
えている。
1を試料14表面に近接させるためのインチワームによ
る近接機構13.試料14を保持する試料ホルダー15
.探針清浄化用電極16.マルチチャンネルプレート1
7.試料ホルダー15と探針清浄化用電極16とを入れ
替えるためのインチワームによる入れ替え機構18を備
えている。
また、電極16の中央部には穴が開けられている。
次に、このトンネルユニットの使用方法について説明す
る。
る。
観察したい試料を取り付けたトンネルユニットがすでに
超高真空状態になった真空室(図示せず)に収められて
いるものとする。
超高真空状態になった真空室(図示せず)に収められて
いるものとする。
■試料14の代わりに電極16が探針に対向するように
入れ替え機構18により電極16を移動させる。このと
き電極16の穴の中心に探針先端が向かうようにする。
入れ替え機構18により電極16を移動させる。このと
き電極16の穴の中心に探針先端が向かうようにする。
■近接機構13により探針11を移動させ、探針先端と
電極16を近接させる。これによって。
電極16を近接させる。これによって。
探針11.電極16.マルチチャンネルプレート17が
電界イオン顕微鏡を構成する。
電界イオン顕微鏡を構成する。
■真空室内部にHeガスを10−’Torr程度導入し
、同時に探針11と探針清浄化用電極16の間に探針側
が正になるように電圧を印加し探針先端近傍に数ボルト
/オングストロームの電昇を形成する。ただし、電極1
6とマルチチャンネルプレート17は同電位とする。
、同時に探針11と探針清浄化用電極16の間に探針側
が正になるように電圧を印加し探針先端近傍に数ボルト
/オングストロームの電昇を形成する。ただし、電極1
6とマルチチャンネルプレート17は同電位とする。
■探針11先端の様子を電界イオン顕微鏡で観察しなが
ら、電極16にかける電圧を調整して。
ら、電極16にかける電圧を調整して。
探針先端から電界蒸発により、酸化物等の汚染層を除き
、探針先端を清浄化する。また、清浄化だけでなく探針
先端形状を、より鋭く成形することも可能である。
、探針先端を清浄化する。また、清浄化だけでなく探針
先端形状を、より鋭く成形することも可能である。
■探針先端の清浄化が確認された後、電極16に印加さ
れていた電圧を除き、かつHeガスの導入鈴止及び排気
を行い真空室内部をUHV状態にする。
れていた電圧を除き、かつHeガスの導入鈴止及び排気
を行い真空室内部をUHV状態にする。
■入れ替え機構18により、電極16と試料14を入れ
替え、近接機構13により探針11を試料表面にトン″
ネル領域まで近接させる。
替え、近接機構13により探針11を試料表面にトン″
ネル領域まで近接させる。
■探針11を走査し、試料表面のSTM像を得る。
なお1本実施例では、探針近接機構13および入れ替え
機構18にインチワームを利用したが。
機構18にインチワームを利用したが。
ステッピングモーター等を利用した移動機構やマイクロ
メータヘッドを真空室の外部から回転導入軸を使って回
転させるカl(による移動機構を使ってもよいし、それ
らの組み合せでも良い。
メータヘッドを真空室の外部から回転導入軸を使って回
転させるカl(による移動機構を使ってもよいし、それ
らの組み合せでも良い。
また、探針先端を清浄化し、かつ観察する方法として1
本実施例ではFIMを応用する方法を使用したが本発明
はこれらにとられれるものではない。
本実施例ではFIMを応用する方法を使用したが本発明
はこれらにとられれるものではない。
探針先端の清浄化方法としては、探針に電子ビームを当
てる。直接電流を流す、探針近傍でフィラメントを加熱
し、輻射を生じさせる等の方法で。
てる。直接電流を流す、探針近傍でフィラメントを加熱
し、輻射を生じさせる等の方法で。
探針先端を加熱し、酸化物や汚染層を取り除く方法でも
よい。また、探針先端を観察するためには。
よい。また、探針先端を観察するためには。
上記と同じ構成で電界を逆方向に印加し、電界放出され
る電子によって、探針先端を観察する電界放出顕微鏡(
FEM)も利用できる。
る電子によって、探針先端を観察する電界放出顕微鏡(
FEM)も利用できる。
く実施例2〉
次に、第4図を参照して、探針清浄化機能を省略した簡
易な形の実施例を説明する。
易な形の実施例を説明する。
第4図のトンネルユニットは、探針41.そのスキャナ
ー42.探針41を試料44表面に近接させるためのイ
ンチワームによる近接a1横43゜試料44を保持する
試料ホルダー45.探針清浄化用電極46.試料ホルダ
ー45と探針清浄化用電極46とを入れ替えるためのイ
ンチワームによる入れ替え機構47.および電極46か
らの蒸発物が試料44表面を汚染しないようにするため
の遮蔽板48を備えている。
ー42.探針41を試料44表面に近接させるためのイ
ンチワームによる近接a1横43゜試料44を保持する
試料ホルダー45.探針清浄化用電極46.試料ホルダ
ー45と探針清浄化用電極46とを入れ替えるためのイ
ンチワームによる入れ替え機構47.および電極46か
らの蒸発物が試料44表面を汚染しないようにするため
の遮蔽板48を備えている。
次にこのトンネルユニットの使用方法について説明する
。
。
観察したい試料を取り付けたトンネルユニットがすでに
超高真空状態になった真空室(図示せず)に収められて
いるものとする。
超高真空状態になった真空室(図示せず)に収められて
いるものとする。
■試料44の代わりに電極46が探針41に対向するよ
うに入れ替え機構47により電極46を移動させる。
うに入れ替え機構47により電極46を移動させる。
■近接機構43により探針41を移動させ、探針41の
先端を電極46に近接させトンネル領域に入れる。
先端を電極46に近接させトンネル領域に入れる。
■大きなトンネル電流を流し、探針41の清浄化を行う
。
。
■トンネル電流の大きさを一ケタ変化させた時のスキャ
ナー42の2方向(図の左右方向)の変位を観察し、清
浄化が十分量われたかどうかを判断する。
ナー42の2方向(図の左右方向)の変位を観察し、清
浄化が十分量われたかどうかを判断する。
ここで清浄な探針の場合、このスキャナーの変位は1
程度である。
程度である。
■探針4−1が十分清浄化されたら、近接機構43によ
り探針41を電極46から遠ざける。
り探針41を電極46から遠ざける。
■入れ替え機fil!47により、電極46と試料44
を入れ替え、近接機構43により探針41を試料41の
表面にトンネル領域まで近接させる。
を入れ替え、近接機構43により探針41を試料41の
表面にトンネル領域まで近接させる。
■探針41を走査し、試料表面のSTM像を得る。
なお2本実施例では、探針近接機構43および入れ替え
機l847にインチワームを利用したが。
機l847にインチワームを利用したが。
ステッピングモータ等を利用した移動機構やマイクロメ
ータヘッドを真空室の外部から回転導入軸を使って回転
させる事による移動機構を使ってもよいし、それらの組
合せでもよい。
ータヘッドを真空室の外部から回転導入軸を使って回転
させる事による移動機構を使ってもよいし、それらの組
合せでもよい。
また、探針先端を清浄化する方法として1本実施例では
大きなトンネル電流を流す方法を利用したが本発明はこ
れにとられれるものではない。
大きなトンネル電流を流す方法を利用したが本発明はこ
れにとられれるものではない。
探針先端の清浄化方法としては、探針に電子ビームを当
てる。III接電流を流す、探針近傍でフィラメントを
加熱し、輻射を生じさせる等の方法で。
てる。III接電流を流す、探針近傍でフィラメントを
加熱し、輻射を生じさせる等の方法で。
探針先端を加熱し、酸化や汚染層を取り除く方法でもよ
い。
い。
[発明の効果]
本発明によれば、STMのトンネルユニットに探針清浄
化機構を組み込み一体化させたことで。
化機構を組み込み一体化させたことで。
トンネルユニットの共振周波数を低下させる事なく探針
清浄化機能を有するトンネルユニットを実現することが
できた。
清浄化機能を有するトンネルユニットを実現することが
できた。
第1図は本発明の第1の実施例の走査トンネル顕微鏡に
用いられる探針清浄化機構を組み込んだトンネルユニッ
トの(a)上面図及び(b)側面図、第2図は走査トン
ネル顕微鏡の概念図、第3図は従来の探針清浄化機構及
び探針先端観察機構をh″する走査トンネル顕微鏡の動
作を説明するための側面図で(a)は観察時、(b)は
探針清浄動作時を示す図、第4図は本発明の第2の実施
例の走査トンネル顕微鏡に用いられるトンネルユニット
の(a)上面図、(b)側面図である。 11・・・探針、12・・・スキャナー、13・・・イ
ンチワームによる近接機構、14・・・試料、15・・
・試料ホルダー、16・・・電極、17・・・マルチチ
ャンネルプレート、18・・・入れ替え機構、21・・
・探針。 22・・・スキャナー、23・・・近接機構、24・・
・試料。 25・・・試料ホルダー、26・・・プリアンプ、27
・・・サーボ回路、28・・・画像表示部、31・・・
探針。 32・・・スキャナー、33・・・試料、34・・・レ
バー35・・・ストッパー 36・・・ロッド、37・
・・積層除振用ダンパー、38・・・電極、39・・・
マルチチャンネルプレート、41・・・探針、42・・
・スキャナー43・・・インチワームを利用した近接機
構、44・・・試料、45・・・試料ホルダー、46・
・・電極、47・・・インチワームを利用した入れ替え
機構、48・・・遮蔽板。 第1図 ((1) 第2図 w−−−−−−−;−−−−−−−−−J第3図(a) 第4図 (a) (b) 4’/ 4′::3
用いられる探針清浄化機構を組み込んだトンネルユニッ
トの(a)上面図及び(b)側面図、第2図は走査トン
ネル顕微鏡の概念図、第3図は従来の探針清浄化機構及
び探針先端観察機構をh″する走査トンネル顕微鏡の動
作を説明するための側面図で(a)は観察時、(b)は
探針清浄動作時を示す図、第4図は本発明の第2の実施
例の走査トンネル顕微鏡に用いられるトンネルユニット
の(a)上面図、(b)側面図である。 11・・・探針、12・・・スキャナー、13・・・イ
ンチワームによる近接機構、14・・・試料、15・・
・試料ホルダー、16・・・電極、17・・・マルチチ
ャンネルプレート、18・・・入れ替え機構、21・・
・探針。 22・・・スキャナー、23・・・近接機構、24・・
・試料。 25・・・試料ホルダー、26・・・プリアンプ、27
・・・サーボ回路、28・・・画像表示部、31・・・
探針。 32・・・スキャナー、33・・・試料、34・・・レ
バー35・・・ストッパー 36・・・ロッド、37・
・・積層除振用ダンパー、38・・・電極、39・・・
マルチチャンネルプレート、41・・・探針、42・・
・スキャナー43・・・インチワームを利用した近接機
構、44・・・試料、45・・・試料ホルダー、46・
・・電極、47・・・インチワームを利用した入れ替え
機構、48・・・遮蔽板。 第1図 ((1) 第2図 w−−−−−−−;−−−−−−−−−J第3図(a) 第4図 (a) (b) 4’/ 4′::3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、トンネルユニットと、探針清浄化機構とを備えた走
査トンネル顕微鏡において、前記探針清浄化機構を前記
トンネルユニットに組み込み一体化したことを特徴とす
る走査トンネル顕微鏡。 2、前記探針清浄化機構が探針先端観察手段を有するこ
とを特徴とする請求項1記載の走査トンネル顕微鏡。 3、探針の走査領域内から試料を移動させると共に前記
走査領域へ前記探針清浄化機構を移動させる移動手段を
設けたことを特徴とする請求項1及び2記載の走査トン
ネル顕微鏡。 4、前記移動手段がインチワームを利用したものである
ことを特徴とする走査トンネル顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324033A JP2711311B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 走査トンネル顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324033A JP2711311B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 走査トンネル顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185302A true JPH03185302A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2711311B2 JP2711311B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=18161406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1324033A Expired - Lifetime JP2711311B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 走査トンネル顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711311B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000298091A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Jeol Ltd | 走査型トンネル顕微鏡 |
| WO2006035403A3 (en) * | 2004-09-29 | 2006-08-24 | Univ Roma | Cleaning device and process for scanning tunneling microscopy (stm) tip |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448860U (ja) * | 1987-09-21 | 1989-03-27 | ||
| JPH01159954A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Jeol Ltd | 透過型電子顕微鏡用走査トンネル顕微鏡 |
| JPH01287404A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Shimadzu Corp | 固体表面複合分析装置 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1324033A patent/JP2711311B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448860U (ja) * | 1987-09-21 | 1989-03-27 | ||
| JPH01159954A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Jeol Ltd | 透過型電子顕微鏡用走査トンネル顕微鏡 |
| JPH01287404A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Shimadzu Corp | 固体表面複合分析装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000298091A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Jeol Ltd | 走査型トンネル顕微鏡 |
| WO2006035403A3 (en) * | 2004-09-29 | 2006-08-24 | Univ Roma | Cleaning device and process for scanning tunneling microscopy (stm) tip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2711311B2 (ja) | 1998-02-10 |
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