JPH03185447A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JPH03185447A JPH03185447A JP32535089A JP32535089A JPH03185447A JP H03185447 A JPH03185447 A JP H03185447A JP 32535089 A JP32535089 A JP 32535089A JP 32535089 A JP32535089 A JP 32535089A JP H03185447 A JPH03185447 A JP H03185447A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist composition
- alkali
- formula
- quinonediazide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、Ｔ値の高いレジスト組成物に関するものであ
る。
る。
〈従来の技術及び発明の課題〉
キノンジアジド基を有する化合物とアルカリ可溶性樹脂
からなる組成物は、３００〜５００ｎａ＋の光照射によ
りキノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生ずる
ことにより、アルカリ不溶状態からアリカリ可溶性にな
ることを利用してポジ型レジストとして用いられる。こ
のポジ型レジストはネガ型レジストに比べ解像力が著し
く優れているという特長を有し、ＩＣやＬＳＩなどの集
積回路の製作に利用されている。
からなる組成物は、３００〜５００ｎａ＋の光照射によ
りキノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生ずる
ことにより、アルカリ不溶状態からアリカリ可溶性にな
ることを利用してポジ型レジストとして用いられる。こ
のポジ型レジストはネガ型レジストに比べ解像力が著し
く優れているという特長を有し、ＩＣやＬＳＩなどの集
積回路の製作に利用されている。
近年集積回路については高集積化に伴う微細化が進み、
今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに至って
いる。その結果ポジ型レジストについてもより優れた解
像度（高いγ値〉が求められるようになった。
今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに至って
いる。その結果ポジ型レジストについてもより優れた解
像度（高いγ値〉が求められるようになった。
しかるに、キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性樹脂
からなるレジスト材料において、従来からある材料の組
合せではγ値の向上には限界があった。
からなるレジスト材料において、従来からある材料の組
合せではγ値の向上には限界があった。
例えば、γ値を向上させるには、キノンジアジド化合物
の量を増やすことが考えられる。
の量を増やすことが考えられる。
ところが、キノンジアジド化合物の量を増やすことは、
感度の低下や現像残渣の増加といった重大な欠点がある
。
感度の低下や現像残渣の増加といった重大な欠点がある
。
従って、γ値の向上には制限があった。
本発明の目的は、他の性能を損なうことなくγ値の高い
ポジ型レジスト組成物を提供することである。
ポジ型レジスト組成物を提供することである。
本発明者は、特定の構造を有する多価フェノール化合物
のキノンジアジドスルホン酸エステルを用いれば著しく
γ値が向上することを見出し本発明を完成した。
のキノンジアジドスルホン酸エステルを用いれば著しく
γ値が向上することを見出し本発明を完成した。
く課題の解決手段〉
本発明は、アルカリ可溶性樹脂、および下記上を含有す
るポジ型レジスト組成物である。
るポジ型レジスト組成物である。
６
上記一般式においては、Ｙ、 、Ｙ２ 、Ｚ。
Ｚｚ 、Ｚｓ 、Ｚ４ 、Ｚｓ −Ｚａ及びＺｔｌｔツ
レぞれハロゲン原子で置換されていてもよいＣＩ〜Ｃ１
のアルキル基、水素原子又は−ＯＨ基を表す。又、Ｙ＋
、Ｙ２ のうち少なくとも１つは一〇Ｈ基、Ｚｔ 、
Ｚａ 、Ｚｓ 、２４ 、Ｚｓ ＳＺｌ、Ｚ、のうち
少なくとも２つは−ＯＨ基でなければならなイ。特にＺ
ｔ 、Ｚｔ 、Ｚｓ 、Ｚ４ 、Ｚｓ、ｚｓ Ｓｚｔの
うち、２つのみが−ＯＨ基であるものはレジストのγ値
が特に高いので好ましく用イラレル。又、Ｚｔ 、Ｚ雪
、Ｚｓ 、Ｚ４のうち少なくとも１つが−ＯＨ基であり
かつＺＳ ＳＺｌ、Ｚ、のうち少なくとも１つが−ＯＨ
基であるものはレジストの残膜率が高くなるので好まし
く用いられる。
レぞれハロゲン原子で置換されていてもよいＣＩ〜Ｃ１
のアルキル基、水素原子又は−ＯＨ基を表す。又、Ｙ＋
、Ｙ２ のうち少なくとも１つは一〇Ｈ基、Ｚｔ 、
Ｚａ 、Ｚｓ 、２４ 、Ｚｓ ＳＺｌ、Ｚ、のうち
少なくとも２つは−ＯＨ基でなければならなイ。特にＺ
ｔ 、Ｚｔ 、Ｚｓ 、Ｚ４ 、Ｚｓ、ｚｓ Ｓｚｔの
うち、２つのみが−ＯＨ基であるものはレジストのγ値
が特に高いので好ましく用イラレル。又、Ｚｔ 、Ｚ雪
、Ｚｓ 、Ｚ４のうち少なくとも１つが−ＯＨ基であり
かつＺＳ ＳＺｌ、Ｚ、のうち少なくとも１つが−ＯＨ
基であるものはレジストの残膜率が高くなるので好まし
く用いられる。
又上記一般式におけるＲ８−Ｒ１としては、メチル、エ
チル等、ｃ＋ 〜ＣＩＯのアルキル基、Ｃ３〜Ｃ６のア
ルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、または水
素原子が示される。
チル等、ｃ＋ 〜ＣＩＯのアルキル基、Ｃ３〜Ｃ６のア
ルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、または水
素原子が示される。
上記−線式で表されるフェノール化合物としでは
Ｈ３
等が例示される。
上記のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エ
ステルの製造法としては公知の方法が用いられる。例え
ばナフトキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物や、ベ
ンゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と上記のフ
ェノール化合物を、炭酸ソーダ等の弱アルカリの存在下
で縮合することにより得られる。
ステルの製造法としては公知の方法が用いられる。例え
ばナフトキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物や、ベ
ンゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と上記のフ
ェノール化合物を、炭酸ソーダ等の弱アルカリの存在下
で縮合することにより得られる。
本発明において、上述のキノンジアジドスルホン酸エス
テルは１種類を用いてもよいし、２種類以上を用いても
よい。
テルは１種類を用いてもよいし、２種類以上を用いても
よい。
本発明の組成物には、他の多価フェノール化合物のキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを加えてもよい。他の多
価フェノール化合物としては、ハイドロキノン、レゾル
シン、フロログリシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２．３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、
２、 ２°、３−）ジヒドロキシベンゾフェノン、２、
２°、４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．２°
１５−トリヒドロキシベンゾフェノン、２、 ３． ３
°−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．３．４°−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２．３°、４−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２、 ３°、５−）ジヒドロキ
シベンゾフェノン、２．４．４°−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２．４°、５−）ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、２°、３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、
３．３°、４−トリヒドロキシベンゾフェノン、３．４
．４°−トリヒドロキシベンゾフェノンなどのトリヒド
ロキシベンゾフェノン類、２．３３′、４−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン２．３．４．４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２．２’、４．４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２．２′、３．４−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２．２’、３゜４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２゜２’ ５．５’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２．３’、４’、５−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２．３’、５．５’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのテトラヒドロ
キシベンゾフェノン類、２．２’、３．４．４−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、２．２３．４．５’ −ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、２．２’、３．３’、
４−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２．３．３’、
４．５−ペンタヒドロキシベンゾフェノンなどのペンタ
ヒドロキシベンゾフェノンＩＩ、２． ３． ３４．４
’、５’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、２．２’
３．３’、４．５’−へキサヒドロキシベンゾフ
ェノンなどのへキサヒドロキシベンゾフェノン類、没食
子酸アルキルエステル等が例示される。
ンジアジドスルホン酸エステルを加えてもよい。他の多
価フェノール化合物としては、ハイドロキノン、レゾル
シン、フロログリシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２．３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、
２、 ２°、３−）ジヒドロキシベンゾフェノン、２、
２°、４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．２°
１５−トリヒドロキシベンゾフェノン、２、 ３． ３
°−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．３．４°−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２．３°、４−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２、 ３°、５−）ジヒドロキ
シベンゾフェノン、２．４．４°−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２．４°、５−）ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、２°、３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、
３．３°、４−トリヒドロキシベンゾフェノン、３．４
．４°−トリヒドロキシベンゾフェノンなどのトリヒド
ロキシベンゾフェノン類、２．３３′、４−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン２．３．４．４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２．２’、４．４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２．２′、３．４−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２．２’、３゜４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２゜２’ ５．５’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２．３’、４’、５−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２．３’、５．５’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのテトラヒドロ
キシベンゾフェノン類、２．２’、３．４．４−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、２．２３．４．５’ −ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、２．２’、３．３’、
４−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２．３．３’、
４．５−ペンタヒドロキシベンゾフェノンなどのペンタ
ヒドロキシベンゾフェノンＩＩ、２． ３． ３４．４
’、５’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、２．２’
３．３’、４．５’−へキサヒドロキシベンゾフ
ェノンなどのへキサヒドロキシベンゾフェノン類、没食
子酸アルキルエステル等が例示される。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、ノボ
ラック樹脂が好適に用いられる。ノボラック樹脂は、フ
ェノール類とホルムアルデヒドを付加縮合反応して得ら
れるものである。
ラック樹脂が好適に用いられる。ノボラック樹脂は、フ
ェノール類とホルムアルデヒドを付加縮合反応して得ら
れるものである。
ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノール類の具体
例としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、
エチルフェノール、トリメチルフェノール、プロピルフ
ェノール、メチルブチルフェノール、ブチルフェノール
、ジヒドロキシベンゼン、ナフトール類等を挙げること
ができる。これらフェノール類は単独で、又は混合して
使用することができる。フェノール類と付加縮合反応さ
せるホルムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液
（ホルマリン）やパラホルムアルデヒドが用いられる。
例としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、
エチルフェノール、トリメチルフェノール、プロピルフ
ェノール、メチルブチルフェノール、ブチルフェノール
、ジヒドロキシベンゼン、ナフトール類等を挙げること
ができる。これらフェノール類は単独で、又は混合して
使用することができる。フェノール類と付加縮合反応さ
せるホルムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液
（ホルマリン）やパラホルムアルデヒドが用いられる。
特に３７％のホルマリン１よ工業的に量産されており好
都合である。フェノール類とホルムアルデヒドとの付加
縮合反応は常法に従って行われる。反応は通常６０〜１
２０℃、２〜３０゛時間で行われる。
都合である。フェノール類とホルムアルデヒドとの付加
縮合反応は常法に従って行われる。反応は通常６０〜１
２０℃、２〜３０゛時間で行われる。
触媒としては有機酸或いは無機酸や二価金属塩等が用い
られる。具体例として蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ
−）ルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸
、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等があげられる。
られる。具体例として蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ
−）ルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸
、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等があげられる。
また反応はバルクで行っても適当な溶剤を用いてもよい
。
。
本発明においてキノンジアジドスルホン酸エステル成分
の添加量は、レジスト組成物中゛の全固型分中に占める
割合が１５〜５０重量％の範囲であることが好ましい。
の添加量は、レジスト組成物中゛の全固型分中に占める
割合が１５〜５０重量％の範囲であることが好ましい。
又アルカリ可溶性樹脂は全固型分中の５０〜８５重量％
の範囲であることが好ましい。
の範囲であることが好ましい。
レジスト液の調整は、キノンジアジドスルホン酸エステ
ルとアルカリ可溶性樹脂を溶剤に混合溶解することによ
り行う。
ルとアルカリ可溶性樹脂を溶剤に混合溶解することによ
り行う。
用いる溶剤は、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発して
均一で平滑な塗膜を与えるものがよい。
均一で平滑な塗膜を与えるものがよい。
このような溶剤としては、エチルセロソルブアセテート
、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブ、プロピレングリコールｌモノメチルエ
ーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチルケト
ン、キシレン等があげられる。溶剤量は、エチルセロソ
ルブアセテートを溶剤とした場合は５０〜８０％（溶剤
量重量％）である。以上の方法で得られたレジスト組成
物は、さらに必要に応じて付加物として少量の樹脂や染
料等が添加されていてもよい。
、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブ、プロピレングリコールｌモノメチルエ
ーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチルケト
ン、キシレン等があげられる。溶剤量は、エチルセロソ
ルブアセテートを溶剤とした場合は５０〜８０％（溶剤
量重量％）である。以上の方法で得られたレジスト組成
物は、さらに必要に応じて付加物として少量の樹脂や染
料等が添加されていてもよい。
〈発明の効果〉
本発明のポジ型しジスト組底物はＴ値の高いレジスト組
成物である。そして現像残渣の増加等の問題点もない。
成物である。そして現像残渣の増加等の問題点もない。
〈実施例〉
次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。
合成餌１
内容積５００−の四ツロフラスコに、レゾルシン８８ｇ
１水２４１．４ｇ、３６％塩酸２２．６ｇを仕込み、５
０〜５５℃に昇温し均一溶液とした。次にシクロヘキサ
ノン１９．６ ｇを６０分で滴下ロートより滴下した。
１水２４１．４ｇ、３６％塩酸２２．６ｇを仕込み、５
０〜５５℃に昇温し均一溶液とした。次にシクロヘキサ
ノン１９．６ ｇを６０分で滴下ロートより滴下した。
その後５０〜５５℃で６時間撹拌した。室温まで冷却後
、析出したケーキを濾別し、２１の水で洗浄した。ウェ
ットケーキを酢酸エチル５００ｇに溶解後、水５００ｇ
で水層が中性になるまで水洗した。
、析出したケーキを濾別し、２１の水で洗浄した。ウェ
ットケーキを酢酸エチル５００ｇに溶解後、水５００ｇ
で水層が中性になるまで水洗した。
分液後、減圧蒸留で酢酸エチルを留去し、残さ？ ５．
２ ｇを得た。得られた残さに、トルエン７５ｇを加え
８０℃に加熱し均一溶液とし、２５℃まで冷却後氷冷し
、５℃以下で１時間保持し、濾過した。ウェットケーキ
をトルエン３０ｇで洗浄した。洗浄ケーキをトルエン４
８ｇに加え８０℃まで昇温後１時間撹拌し、次に放冷で
２５℃まで冷却し濾過した。ケーキをトルエン３０ｇで
洗浄後、乾燥し、下式（ＩＩ）の白色結晶２７．６ ｇ
を得た。
２ ｇを得た。得られた残さに、トルエン７５ｇを加え
８０℃に加熱し均一溶液とし、２５℃まで冷却後氷冷し
、５℃以下で１時間保持し、濾過した。ウェットケーキ
をトルエン３０ｇで洗浄した。洗浄ケーキをトルエン４
８ｇに加え８０℃まで昇温後１時間撹拌し、次に放冷で
２５℃まで冷却し濾過した。ケーキをトルエン３０ｇで
洗浄後、乾燥し、下式（ＩＩ）の白色結晶２７．６ ｇ
を得た。
ＦＤＭＳ ３８０
融点 ２５９〜２６１℃
参考例１
内容積３００ｄの三ツロフラスコに、合成餌１で得られ
た化合物（ｎ）を６．００ ｇ 、ナフトキノン−（１
，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドを
８．４９ ｇ 、 （反応モル比ｌ：２）、ジオキサ
ンを１６８ｇ仕込んだのち、撹拌して完溶させた。その
のち、撹拌しながら、フラスコを水浴に浸して、反応温
度を２０〜２５℃にコントロールし、トリエチルアミン
４．４５ｇを滴下ロートを用いて３０分間で滴下させた
。そののち、反応温度を２０〜２５℃に保ちながら４時
間撹拌を続けた。反応後、イオン交換水にチャージした
のち、濾過、乾燥させることによって 、感放射線性成
分Ａを得た。
た化合物（ｎ）を６．００ ｇ 、ナフトキノン−（１
，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドを
８．４９ ｇ 、 （反応モル比ｌ：２）、ジオキサ
ンを１６８ｇ仕込んだのち、撹拌して完溶させた。その
のち、撹拌しながら、フラスコを水浴に浸して、反応温
度を２０〜２５℃にコントロールし、トリエチルアミン
４．４５ｇを滴下ロートを用いて３０分間で滴下させた
。そののち、反応温度を２０〜２５℃に保ちながら４時
間撹拌を続けた。反応後、イオン交換水にチャージした
のち、濾過、乾燥させることによって 、感放射線性成
分Ａを得た。
参考例２．３
式（ｆｆ）で表される化合物のかわりに２．２４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン及び２３．４−）リヒドロキ
シベンゾフェノンを用いた以外は参考例１と同様にして
感放射線性成分を得た。得られた感放射線性成分をそれ
ぞれＢ、Ｃとする。
ヒドロキシベンゾフェノン及び２３．４−）リヒドロキ
シベンゾフェノンを用いた以外は参考例１と同様にして
感放射線性成分を得た。得られた感放射線性成分をそれ
ぞれＢ、Ｃとする。
実施例および比較例
参考例で得られた感放射線性成分を７ポラツク樹脂とと
もに、表１に示す組成で、エチルセロソルブアセテート
４８部に溶かし、レジスト液を調合した。□調合したレ
ジスト液は０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過す
ることにより、レジスト液を調整した。これを常法によ
って洗浄したシリコンウェハーに回転岐布機を用いて１
．３μ厚に塗布した。ついでこのシリコンウェハーを１
００℃のホットプレートで６０秒間ベータした。ついで
このウェハーに４３６ｎｍ（ｇ線〉の露光波長を有する
縮小投影露光機（ＧＣＡ社ＤＳｗ４８０ＯＮ＾・０．２
８）を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。こ
れを住友化学製現像液５ＯＰＤで１分間現像することに
より、ポジ型パターンを得た。
もに、表１に示す組成で、エチルセロソルブアセテート
４８部に溶かし、レジスト液を調合した。□調合したレ
ジスト液は０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過す
ることにより、レジスト液を調整した。これを常法によ
って洗浄したシリコンウェハーに回転岐布機を用いて１
．３μ厚に塗布した。ついでこのシリコンウェハーを１
００℃のホットプレートで６０秒間ベータした。ついで
このウェハーに４３６ｎｍ（ｇ線〉の露光波長を有する
縮小投影露光機（ＧＣＡ社ＤＳｗ４８０ＯＮ＾・０．２
８）を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。こ
れを住友化学製現像液５ＯＰＤで１分間現像することに
より、ポジ型パターンを得た。
ついで露光量の対数に対する、規格化膜厚（＝残膜厚／
初期膜厚）をプロットし、その傾きθを求めｔａｎθを
γ値とした。
初期膜厚）をプロットし、その傾きθを求めｔａｎθを
γ値とした。
結果を表１に示す。
表 ｌ
＊ノボラック樹脂
：メタクレゾール／パラクレゾール＝７／３゜クレゾー
ル／ホルマリン＝１１０．８ のモル比で、シュウ酸触
媒を用い還流下に反応させることにより得られた重量平
均分子量９８００ （ポリスチレン換 算） のノボラック樹脂。
ル／ホルマリン＝１１０．８ のモル比で、シュウ酸触
媒を用い還流下に反応させることにより得られた重量平
均分子量９８００ （ポリスチレン換 算） のノボラック樹脂。
（以下余白）
Claims (3)
- （１）アルカリ可溶性樹脂、および下記一般式（ I ）
で表されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルの１種または２種以上を含有するポジ型レジ
スト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｙ＿１、Ｙ＿２、Ｚ＿１、Ｚ＿２、Ｚ＿３、Ｚ
＿４Ｚ＿５、Ｚ＿６及びＺ＿７はそれぞれハロゲン原子
で置換されていてもよいＣ＿１〜Ｃ＿４のアルキル基、
水素、原子又は−ＯＨ基を表し、Ｙ＿１、Ｙ＿２のうち
少なくとも１つは−ＯＨ基であり、ＺＲ＿１、Ｒ＿２、
Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５およびＲ＿６は水素原子、Ｃ＿
１〜Ｃ＿１＿０のアルキル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のアルケ
ニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。〕 - （２）Ｚ＿１、Ｚ＿２、Ｚ＿３、Ｚ＿４、Ｚ＿５、Ｚ＿
６およびＺ＿７のうち２つが−ＯＨ基である請求項１の
ポジ型レジスト組成物。 - （３）Ｚ＿１、Ｚ＿２、Ｚ＿３およびＺ＿４のうち少な
くとも１つが−ＯＨ基であり、かつＺ＿５、Ｚ＿６およ
びＺ＿７のうち少なくとも１つが−ＯＨ基である請求項
１のポジ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325350A JP2629988B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325350A JP2629988B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185447A true JPH03185447A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2629988B2 JP2629988B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=18175831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325350A Expired - Lifetime JP2629988B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629988B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0695740A1 (en) | 1994-08-05 | 1996-02-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Quinonediazine sulfonic acid esters and positive photoresist compositions comprising the same |
| US6448383B2 (en) | 2000-05-08 | 2002-09-10 | Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. | Method for producing 1,2-naphthoquinonediazide photosensitive agent |
| US9740097B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-08-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284650A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-03-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325350A patent/JP2629988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| JPH0284650A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-03-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
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| JP2629988B2 (ja) | 1997-07-16 |
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