JPH03185767A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH03185767A JPH03185767A JP1325426A JP32542689A JPH03185767A JP H03185767 A JPH03185767 A JP H03185767A JP 1325426 A JP1325426 A JP 1325426A JP 32542689 A JP32542689 A JP 32542689A JP H03185767 A JPH03185767 A JP H03185767A
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- connection part
- semiconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イン産業上の利用分野
本発明は、複数の発電領域に設けられた光起電力素子を
電気的に直列接続した光起電力装置の製造方法に関する
。
電気的に直列接続した光起電力装置の製造方法に関する
。
（ロ）＃：米の技術
基板の絶縁表面の複数の発電領域に設けられた複数の光
起電力素子を電気的に直列接続した光起電力装置におい
ては、隣接する光起電力素子の第１電極膜と第２電極膜
とを電気的に接続する方法として、特開昭６２−７６７
８６号公報に示されたように、エネルギービームを用い
る方法が用いられている。この方法によれば、基板の絶
縁表面の複数の発電領域に、延長部を有する第１電極膜
を分割配置し、この第１電極膜を含んで上記基板の略全
面に半導体光活性層を設けた後、上記第１電極膜の延長
部を被っている半導体光活性層部分にエネルギービーム
を照射してこの部分の半導体光活性層を除去する。次い
で、隣接した発電領域の半導体層上に設けた第２を極膜
の延長部を露出した第１１ｉ極膜の延長部に延在させて
いる。
起電力素子を電気的に直列接続した光起電力装置におい
ては、隣接する光起電力素子の第１電極膜と第２電極膜
とを電気的に接続する方法として、特開昭６２−７６７
８６号公報に示されたように、エネルギービームを用い
る方法が用いられている。この方法によれば、基板の絶
縁表面の複数の発電領域に、延長部を有する第１電極膜
を分割配置し、この第１電極膜を含んで上記基板の略全
面に半導体光活性層を設けた後、上記第１電極膜の延長
部を被っている半導体光活性層部分にエネルギービーム
を照射してこの部分の半導体光活性層を除去する。次い
で、隣接した発電領域の半導体層上に設けた第２を極膜
の延長部を露出した第１１ｉ極膜の延長部に延在させて
いる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上述の方法によれば、半導体光活性層を除去するときに
、半導体の微粒子が飛散した半導体光活性層上に残留す
る恐れがある。この微粒子は光起電力装置の特性に悪影
響を及ぼす。
、半導体の微粒子が飛散した半導体光活性層上に残留す
る恐れがある。この微粒子は光起電力装置の特性に悪影
響を及ぼす。
また、半導体光活性層を除去する工程のために、この層
は長時間周囲環境に露出される。従って、半導体光活性
層表面が酸化されたり、表面に水分や埃が吸着し、光起
電力装置の特性のみならず、半４体光活性層と第２電極
膜との接合性にも悪影響を及ぼす。
は長時間周囲環境に露出される。従って、半導体光活性
層表面が酸化されたり、表面に水分や埃が吸着し、光起
電力装置の特性のみならず、半４体光活性層と第２電極
膜との接合性にも悪影響を及ぼす。
そこで、本発明の目的は、半導体光活性層上に半導体の
微粒子を残留させず、−更に半導体光活性層の表面を劣
化させない光起電力装置の製造方法を提供することにあ
る。
微粒子を残留させず、−更に半導体光活性層の表面を劣
化させない光起電力装置の製造方法を提供することにあ
る。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の光起電力装置の製造方法は。
基板の絶縁表面上の複数の発電領域に、第１接続部を有
する第１電極膜を分割配置する工程と、この第１電極膜
を含んで上記基板の絶縁表面の略全面に、半導体光活性
層を形成する工程と、上記半導体光活性層上の発電領域
に、隣りの発電領域に配されている第１電極膜の第１接
続部と重なり合う第２接続部を有する第２電極膜を分割
配置する工程と、 上記第２梳統部上からエネルギービームを照射すること
により、上記第１接Ｍ＃と第２接続部とを電気的に接続
する工程と、 を備えた光起電力装置の製造方法であって、上記第２電
極膜は導電性ペーストから形成されると共に、上記第２
接続部はエネルギービームの照射方向に沿って凹凸状に
形成されていることを特徴とする。
する第１電極膜を分割配置する工程と、この第１電極膜
を含んで上記基板の絶縁表面の略全面に、半導体光活性
層を形成する工程と、上記半導体光活性層上の発電領域
に、隣りの発電領域に配されている第１電極膜の第１接
続部と重なり合う第２接続部を有する第２電極膜を分割
配置する工程と、 上記第２梳統部上からエネルギービームを照射すること
により、上記第１接Ｍ＃と第２接続部とを電気的に接続
する工程と、 を備えた光起電力装置の製造方法であって、上記第２電
極膜は導電性ペーストから形成されると共に、上記第２
接続部はエネルギービームの照射方向に沿って凹凸状に
形成されていることを特徴とする。
（ホ）作用
本発明のよれば、第１接続部を有する第１電極膜、基板
の略全面の半導体光活性層及び凹凸状の第２接続部を有
する第１を極膜をこの順に積層形成した後、凹凸状の第
２接続部上にエネルギービームを照射することにより、
上記第２接続部の凹部が上記第１接続部に溶着し、上記
第１ｉ極膜と第２を極膜とが電気的に接続される。
の略全面の半導体光活性層及び凹凸状の第２接続部を有
する第１を極膜をこの順に積層形成した後、凹凸状の第
２接続部上にエネルギービームを照射することにより、
上記第２接続部の凹部が上記第１接続部に溶着し、上記
第１ｉ極膜と第２を極膜とが電気的に接続される。
Ｃへ）実施例
第１図乃至第３図は、第１の構造の光起電力装置におけ
る本発明製造方法を工程順に示す平面図である。
る本発明製造方法を工程順に示す平面図である。
第１図に示す工程においては、ガラス、耐熱性プラスチ
ック等の透光性の絶縁基板ｌの一表面の長手方向に沿っ
て整列区画された複数の発電領域２ａ〜２ｃに、第１を
極膜３ａ〜３Ｃが分割配置される。
ック等の透光性の絶縁基板ｌの一表面の長手方向に沿っ
て整列区画された複数の発電領域２ａ〜２ｃに、第１を
極膜３ａ〜３Ｃが分割配置される。
これら第１ｔ極１１４１！３ａ〜３Ｃは、酸化インジュ
ーム錫（Ｉ Ｔｏ）や酸化錫（Ｓｎｏｗ）等の透光性導
電酸化物からなる。また、これら第１電極膜３ａ〜３Ｃ
は、基板ｌの一側辺に沿って延在する第１接ＭＭＪ３ａ
ｅ〜３ｃｅを有し、第１を極１１１３ｂ、３Ｃに形成さ
れた第１接続部３ｂｅ、３ｃｅは、左隣の第１電極膜３
ａ、３ｂの方向に延びている。
ーム錫（Ｉ Ｔｏ）や酸化錫（Ｓｎｏｗ）等の透光性導
電酸化物からなる。また、これら第１電極膜３ａ〜３Ｃ
は、基板ｌの一側辺に沿って延在する第１接ＭＭＪ３ａ
ｅ〜３ｃｅを有し、第１を極１１１３ｂ、３Ｃに形成さ
れた第１接続部３ｂｅ、３ｃｅは、左隣の第１電極膜３
ａ、３ｂの方向に延びている。
第２図に示す工程においては、第１１を極膜３ａ〜３ｃ
及び第１接続部３ａｅ〜３ｃｅを含んで基板ｌの一表面
に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、非晶質シリコンカー
バイド（ａ−３ｉＣ）、非晶質シリコンゲルマニウム（
ａ −Ｓ １Ｇｅ）等の非晶質半導体膜からなる半導体
光活性層４が形成される。この半導体光活性層４は、膜
面に並行にｐｎ、ｐｉｎ等の半導体接合を備えるように
、周知のプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法等により形成さ
れる。
及び第１接続部３ａｅ〜３ｃｅを含んで基板ｌの一表面
に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、非晶質シリコンカー
バイド（ａ−３ｉＣ）、非晶質シリコンゲルマニウム（
ａ −Ｓ １Ｇｅ）等の非晶質半導体膜からなる半導体
光活性層４が形成される。この半導体光活性層４は、膜
面に並行にｐｎ、ｐｉｎ等の半導体接合を備えるように
、周知のプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法等により形成さ
れる。
第３図に示す工程においては、半導体光活性層４上の複
数の発電領域２ａ〜２ｃに、第１電極膜３ａ〜３Ｃと重
なるように、第２電極膜５ａ〜５ｃが分割配置される。
数の発電領域２ａ〜２ｃに、第１電極膜３ａ〜３Ｃと重
なるように、第２電極膜５ａ〜５ｃが分割配置される。
これら第２電極膜５ａ〜５０は、スクリーン印刷により
パターニングされた後に１５０℃程度で焼成された導電
性ペーストからなる。導電性ペーストとしては、Ａｇ、
Ｎｉ、Ｃｕ等のフィラーを、フェノール、エポキシ、ポ
リエステル等のバインダに添加したものが用いられる。
パターニングされた後に１５０℃程度で焼成された導電
性ペーストからなる。導電性ペーストとしては、Ａｇ、
Ｎｉ、Ｃｕ等のフィラーを、フェノール、エポキシ、ポ
リエステル等のバインダに添加したものが用いられる。
また、これら第２を極膜５ａ−５ｃは、第１ｔＩｆｉ膜
３ａ−３ｃと同様に、基板ｌの一側辺に沿って延在する
第２接続部５ａｃ〜５ｃｅを有し、第２電極膜５ａ、
５ｂに形成された第１接続部５ａｅ、５ｂｅは、右隣の
第１電極膜３ｂ、３ｃの方向に延び、第１接続部３ｂｅ
、３ｃｅと重なり合っている。
３ａ−３ｃと同様に、基板ｌの一側辺に沿って延在する
第２接続部５ａｃ〜５ｃｅを有し、第２電極膜５ａ、
５ｂに形成された第１接続部５ａｅ、５ｂｅは、右隣の
第１電極膜３ｂ、３ｃの方向に延び、第１接続部３ｂｅ
、３ｃｅと重なり合っている。
更に、左端の第１電極膜３ａの第１接続部３ａｅと重な
るように、取出電極膜６が形成される。
るように、取出電極膜６が形成される。
ところで、本発明の特徴として、第２接続部５ａｅ〜５
ｃｅ及び取出電極膜６は、これらの延在方向（即ち、基
板１の一側辺方向）に沿って凹凸状に形成されているで
第４図に示す要部拡大断面図参照）。このために、第２
電極１１ｉ５ａ〜５ｃ及び取出電極膜６を形成するに当
っては、パターニングのために用いられるマスクとして
、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及び取出電極膜６の部分が
、約０．２ｍｍ間隔で櫛型となっているも・のが用いら
れる。これにより、マスクで覆われていない部分から、
導電性ペーストがマスクで覆われている部分に若干流れ
込み、マスクで覆われている部分に凹部７ａが形成され
る。一方、マスクで覆われていない部分には、凸部７ｂ
が形成され、結果として、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及
び取出電極膜６は、凹凸状となる。
ｃｅ及び取出電極膜６は、これらの延在方向（即ち、基
板１の一側辺方向）に沿って凹凸状に形成されているで
第４図に示す要部拡大断面図参照）。このために、第２
電極１１ｉ５ａ〜５ｃ及び取出電極膜６を形成するに当
っては、パターニングのために用いられるマスクとして
、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及び取出電極膜６の部分が
、約０．２ｍｍ間隔で櫛型となっているも・のが用いら
れる。これにより、マスクで覆われていない部分から、
導電性ペーストがマスクで覆われている部分に若干流れ
込み、マスクで覆われている部分に凹部７ａが形成され
る。一方、マスクで覆われていない部分には、凸部７ｂ
が形成され、結果として、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及
び取出電極膜６は、凹凸状となる。
こうして、第２電極膜５ａ〜５ｃ及び取出電極膜６を＃
威した後、第２接続部５ａｅ〜５ｃｃ及び取出ｘｉ膜６
上にレーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを
照射することにより、第１電極膜３ａ〜３ｃの第１接続
部３ａｅ〜３ｃｅの夫々と、取出電極膜６及び第２電極
膜５ａ、 ５ｂの第２接続部５ａｅ、５ｂｅとが夫々溶
着される。より詳しくは、取出型Ｉｆ！ｉ６及び第２接
続部５ａｅ、５ｂｅのｒｕＪ部７ａが溶融し、第１接続
部３ａｅ〜３ｃｅと電気的に接続されることとなる。
威した後、第２接続部５ａｅ〜５ｃｃ及び取出ｘｉ膜６
上にレーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを
照射することにより、第１電極膜３ａ〜３ｃの第１接続
部３ａｅ〜３ｃｅの夫々と、取出電極膜６及び第２電極
膜５ａ、 ５ｂの第２接続部５ａｅ、５ｂｅとが夫々溶
着される。より詳しくは、取出型Ｉｆ！ｉ６及び第２接
続部５ａｅ、５ｂｅのｒｕＪ部７ａが溶融し、第１接続
部３ａｅ〜３ｃｅと電気的に接続されることとなる。
使用されるエネルギービームとしては、Ｑスイッチ付の
ＹＡＧレーザが適当である。
ＹＡＧレーザが適当である。
こうして、３つの発電領域２ａ〜２ｃは、電気的に直列
接続され、これら発電領域２３〜２ｃの出力は、取出電
極膜６と右端の第２接続部５ｃｅとの間がら取り出され
る。
接続され、これら発電領域２３〜２ｃの出力は、取出電
極膜６と右端の第２接続部５ｃｅとの間がら取り出され
る。
ところで、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及び取出電極膜６
を凹凸状に形成することなく、−様に形成した場合、そ
の厚さはｌＯ〜数１０ｐｍとなる。従って、これらにエ
ネルギービームを照射して溶融し、第１接続部３ａｅ〜
３ｃｅと接続させることは非常に困難となる。
を凹凸状に形成することなく、−様に形成した場合、そ
の厚さはｌＯ〜数１０ｐｍとなる。従って、これらにエ
ネルギービームを照射して溶融し、第１接続部３ａｅ〜
３ｃｅと接続させることは非常に困難となる。
そこで、本発明によれば、第２按続部５ａｅ〜５ｃｅ及
び取出電極膜６を凹凸状に形成することにより、凹部７
ａにおいて、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及び取出ｔＶｉ
膜６が容易に溶融して第１接続部３ａｅ〜３ｃｅと電気
的に接続されるようにしている。
び取出電極膜６を凹凸状に形成することにより、凹部７
ａにおいて、第２接続部５ａｅ〜５ｃｅ及び取出ｔＶｉ
膜６が容易に溶融して第１接続部３ａｅ〜３ｃｅと電気
的に接続されるようにしている。
一方、第５図は、本発明方法により製造された第２の構
造の光起電力装置を示す平面図である。
造の光起電力装置を示す平面図である。
この光起電力装置″置においては、基＠ｌｌの一表面の
複数の発電領域１２ａ〜１２ｃに形成された第１接続部
１３ａｅ −１３ｃｅを有する第ｉｔ ｌｌｉ ｖ１３
ａ −１３ｃ、第１を極膜１３ｇ−１３ｃ及び第１接続
部１３ａｅ 〜！３ｃｃを含んで基板１１の一表面の略
全面に形成された半導体光活性層１４、及び半導体光活
性層１４上の発電領域１２ａ−１２Ｃに第１電極膜１３
ａ〜１３ｃと重なるように形成された導電性ペーストか
らなる第２接続部１５ａｅ〜１５ｃｅを有する第２を極
膜１５ａ −１５ｃを備えている。
複数の発電領域１２ａ〜１２ｃに形成された第１接続部
１３ａｅ −１３ｃｅを有する第ｉｔ ｌｌｉ ｖ１３
ａ −１３ｃ、第１を極膜１３ｇ−１３ｃ及び第１接続
部１３ａｅ 〜！３ｃｃを含んで基板１１の一表面の略
全面に形成された半導体光活性層１４、及び半導体光活
性層１４上の発電領域１２ａ−１２Ｃに第１電極膜１３
ａ〜１３ｃと重なるように形成された導電性ペーストか
らなる第２接続部１５ａｅ〜１５ｃｅを有する第２を極
膜１５ａ −１５ｃを備えている。
そして、第１接続部１３ａｅ−１３ｃｅと第２接続部１
５ａｅ〜１５ｃｅとが、エネルギービームの照射により
、各発を領域１２ａ −１２ｃの隣接間隔部にて接続さ
れている。
５ａｅ〜１５ｃｅとが、エネルギービームの照射により
、各発を領域１２ａ −１２ｃの隣接間隔部にて接続さ
れている。
なお、この実施例においてら、第２接続部１５ａｅ〜１
５ｃｅは凹凸状に形成されている。
５ｃｅは凹凸状に形成されている。
（ト）発明の効果
本発明のよれば、第１接続部を有する第１電極膜、基板
の略全面の半導体光活性層及び第２接続部を有する第１
を極膜をこの順に積層形成した後、第２接続部上にエネ
ルギービームを照射することにより、上記第１接続部と
上記第２接続部とを溶着し、これらを電気的に接続した
ので、半導体光活性層上に半導体の微粒子を残留させず
、また半導体光活性層の表面を劣化させることなく。
の略全面の半導体光活性層及び第２接続部を有する第１
を極膜をこの順に積層形成した後、第２接続部上にエネ
ルギービームを照射することにより、上記第１接続部と
上記第２接続部とを溶着し、これらを電気的に接続した
ので、半導体光活性層上に半導体の微粒子を残留させず
、また半導体光活性層の表面を劣化させることなく。
複数の発電領域が電気的に直列接続された光起電力装置
を製造することができる。
を製造することができる。
更に、第２接続部は凹凸状に形成されているので、エネ
ルギービームの照射により、確実にｉ１！２接続部を溶
融し、第１ ｔ＆続部と電気的に接続することができる
。
ルギービームの照射により、確実にｉ１！２接続部を溶
融し、第１ ｔ＆続部と電気的に接続することができる
。
第１図乃至第３図は、第１の構造の光起電力装置におけ
る本発明製造方法を工程順に示す平面図、第４図は第３
図の要部拡大断面図、第５図は本発明方法により製造さ
れた第２の構造の光起電力装置を示す平面図である。
る本発明製造方法を工程順に示す平面図、第４図は第３
図の要部拡大断面図、第５図は本発明方法により製造さ
れた第２の構造の光起電力装置を示す平面図である。
Claims (1)
- （１）基板の絶縁表面上の複数の発電領域に、第１接続
部を有する第１電極膜を分割配置する工程と、 この第１電極膜を含んで上記基板の絶縁表面の略全面に
、半導体光活性層を形成する工程と、上記半導体光活性
層上の発電領域に、隣りの発電領域に配されている第１
電極膜の第１接続部と重なり合う第２接続部を有する第
２電極膜を分割配置する工程と、 上記第２接続部上からエネルギービームを照射すること
により、上記第１接続部と第２接続部とを電気的に接続
する工程と、 を備えた光起電力装置の製造方法であって、上記第２電
極膜は導電性ペーストから形成されると共に、上記第２
接続部はエネルギービームの照射方向に沿って凹凸状に
形成されていることを特徴とする光起電力装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325426A JP2771650B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325426A JP2771650B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185767A true JPH03185767A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2771650B2 JP2771650B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18176725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325426A Expired - Lifetime JP2771650B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771650B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325426A patent/JP2771650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771650B2 (ja) | 1998-07-02 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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