JPH03185852A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03185852A JPH03185852A JP1325332A JP32533289A JPH03185852A JP H03185852 A JPH03185852 A JP H03185852A JP 1325332 A JP1325332 A JP 1325332A JP 32533289 A JP32533289 A JP 32533289A JP H03185852 A JPH03185852 A JP H03185852A
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- adhesive
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- ultraviolet curable
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体素子を形成したウェハを複数のチップに分割する
工程を含む半導体装置の製造方法に関し、紫外線硬化性
接着剤上で分割されたチップを容易に剥離することを目
的とし、 素子が形成されていないウェハの下面側を、第一の基体
表面の紫外線硬化性接着剤に貼付ける工程と、該接着剤
を紫外線により硬化した後、前記接着剤から前記ウェハ
を剥離し、前記ウェハの下面側に付着した汚染物質を前
記接着剤に付着させて除去する工程と、第二の基体に塗
布された紫外線硬化性接着剤に前記ウェハの下面側を貼
付ける工程と、前記第２の基体上の前記ウェハを複数の
チップに分割する工程とを含み構成する。
工程を含む半導体装置の製造方法に関し、紫外線硬化性
接着剤上で分割されたチップを容易に剥離することを目
的とし、 素子が形成されていないウェハの下面側を、第一の基体
表面の紫外線硬化性接着剤に貼付ける工程と、該接着剤
を紫外線により硬化した後、前記接着剤から前記ウェハ
を剥離し、前記ウェハの下面側に付着した汚染物質を前
記接着剤に付着させて除去する工程と、第二の基体に塗
布された紫外線硬化性接着剤に前記ウェハの下面側を貼
付ける工程と、前記第２の基体上の前記ウェハを複数の
チップに分割する工程とを含み構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、半導体素子を形成したウェハを複数のチップに分割す
る工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
、半導体素子を形成したウェハを複数のチップに分割す
る工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置を製造する工程において、ウェハ上に半導体
素子を形成した後に、グラインダー等によりその下面を
一様に削って′ｒ！ｉＮ化することが行われており、こ
の場合には、第２図に例示するように、ウェハ５０の上
にレジスト５Ｉを塗布して素子を保護するようにしてい
る（第２図（ａ）（ｂ））。
素子を形成した後に、グラインダー等によりその下面を
一様に削って′ｒ！ｉＮ化することが行われており、こ
の場合には、第２図に例示するように、ウェハ５０の上
にレジスト５Ｉを塗布して素子を保護するようにしてい
る（第２図（ａ）（ｂ））。
そして、薄層化を終えた後に、トリクレン等の溶液中に
ウェハ５０を入れてレジスト５１を剥離しく第２図（ｃ
）Ｌついでウェハ５０を水中に入れて洗浄するようにし
ている。
ウェハ５０を入れてレジスト５１を剥離しく第２図（ｃ
）Ｌついでウェハ５０を水中に入れて洗浄するようにし
ている。
その後、第２図（ｄ）に示すように、光透過性基体５２
の上に塗布された紫外線硬化性接着剤５３にウェハ５０
を貼付け、これをダイサにより切断して複数のチップに
分割する。
の上に塗布された紫外線硬化性接着剤５３にウェハ５０
を貼付け、これをダイサにより切断して複数のチップに
分割する。
この後に、基体５２の下から紫外線を照射して接着剤５
３を硬化し、第２図（ｅ）に示すように、デツプ５４を
真空チャック５５により取り出して、図示しないリード
フレーム等にｉｉするようにしている。
３を硬化し、第２図（ｅ）に示すように、デツプ５４を
真空チャック５５により取り出して、図示しないリード
フレーム等にｉｉするようにしている。
ところで、ウェハ５０に塗布したレジスト５１を除去し
たり、ウェハ５０を洗浄する際に使用する溶液はレジス
ト等によって汚染されるために、第２図（ｃ）に示すよ
うに、その汚染物質５５がウェハ５０の下面の一部領域
に強固に付着し、しかも、その汚染物１１５５は、紫外
線硬化性接着剤５３と反応して密着性が良くなるといっ
た性質を有している。
たり、ウェハ５０を洗浄する際に使用する溶液はレジス
ト等によって汚染されるために、第２図（ｃ）に示すよ
うに、その汚染物質５５がウェハ５０の下面の一部領域
に強固に付着し、しかも、その汚染物１１５５は、紫外
線硬化性接着剤５３と反応して密着性が良くなるといっ
た性質を有している。
このため、分割されたチップ５４を真空チャック５５に
よって取り上げる場合に、チップ５４の下面に汚染物質
５５が付着していると、そのチップ５４は基体５２から
離れ難くなり、作業性を損なうといった不都合がある。
よって取り上げる場合に、チップ５４の下面に汚染物質
５５が付着していると、そのチップ５４は基体５２から
離れ難くなり、作業性を損なうといった不都合がある。
また、ウェハ５０の下面に金膜を形成した後に、ウェハ
５０を分割することが行われているが、ウェハに金膜を
形成した状態で、ウェハを長期間空気中に放置すると、
金膜の表面には酸素や炭素等の元素からなる不純物が付
着することがあり、この不純物のために、チップ５４が
紫外線硬化性接着剤５３からｔ、１１がれ難くなるとい
った問題もある。
５０を分割することが行われているが、ウェハに金膜を
形成した状態で、ウェハを長期間空気中に放置すると、
金膜の表面には酸素や炭素等の元素からなる不純物が付
着することがあり、この不純物のために、チップ５４が
紫外線硬化性接着剤５３からｔ、１１がれ難くなるとい
った問題もある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、紫外線硬化性接着剤上で分割されたチップを容易に剥
離することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
、紫外線硬化性接着剤上で分割されたチップを容易に剥
離することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
（ｉ！題を解決するための手段〕
上記課題は、第１図に例示するように、素子が形成され
ていないウェハ１の下面側を、第一の基体７表面の紫外
線硬化性接着剤１０に貼付ける工程と、該接着剤１０を
紫外線により硬化した後、前記接着剤１０から前記ウェ
ハｌを剥離し、前記ウェハｌの下面側に付着した汚染物
質６を前記接着剤１０に付着させて除去する工程と、第
二の基体１３に塗布された紫外線硬化性接着剤１４に前
記ウェハの下面側を貼付ける工程と、前記第二の基体１
３上の前記ウェハ１を複数のチップ１５に分割する工程
とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によ
って解決する。
ていないウェハ１の下面側を、第一の基体７表面の紫外
線硬化性接着剤１０に貼付ける工程と、該接着剤１０を
紫外線により硬化した後、前記接着剤１０から前記ウェ
ハｌを剥離し、前記ウェハｌの下面側に付着した汚染物
質６を前記接着剤１０に付着させて除去する工程と、第
二の基体１３に塗布された紫外線硬化性接着剤１４に前
記ウェハの下面側を貼付ける工程と、前記第二の基体１
３上の前記ウェハ１を複数のチップ１５に分割する工程
とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によ
って解決する。
本発明によれば、第一の基体７に塗布した紫外線硬化性
接着剤１０にウェハｌを貼付け、ついで、紫外線硬化性
接着剤１０に紫外線を照射してこれを硬化した後、この
接着剤１０からウエノ＼１を剥離することにより、ウェ
ハ１下面に付着した汚染物質６を紫外線硬化性接着剤１
０に付着させて除去するようにし、その後に、ウェハ１
を第二の基体１３表面の紫外線硬化性接着剤１４に貼付
けてこれを分割するようにしている。
接着剤１０にウェハｌを貼付け、ついで、紫外線硬化性
接着剤１０に紫外線を照射してこれを硬化した後、この
接着剤１０からウエノ＼１を剥離することにより、ウェ
ハ１下面に付着した汚染物質６を紫外線硬化性接着剤１
０に付着させて除去するようにし、その後に、ウェハ１
を第二の基体１３表面の紫外線硬化性接着剤１４に貼付
けてこれを分割するようにしている。
このため、第二の基体１３に塗布された紫外線硬化性接
着剤１４と、この接着剤１４に貼付けたウェハ１との間
に汚染物質６を介在させないようにすることになり、紫
外線により硬化した接着剤１４とウェハｌとの密着性を
大幅に低下させ、ウェハ１の分割により形成されたチッ
プ１５の剥離を容易にする。
着剤１４と、この接着剤１４に貼付けたウェハ１との間
に汚染物質６を介在させないようにすることになり、紫
外線により硬化した接着剤１４とウェハｌとの密着性を
大幅に低下させ、ウェハ１の分割により形成されたチッ
プ１５の剥離を容易にする。
そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す側断面図であって、
図中符号１は、シリコン等の半導体よりなる厚さ６５０
μｍのウェハで、その上面にはトランジスタ、抵抗等の
素子が形成されている。
図中符号１は、シリコン等の半導体よりなる厚さ６５０
μｍのウェハで、その上面にはトランジスタ、抵抗等の
素子が形成されている。
このようなウェハｌを薄層化するために、まず第１図（
ａ）に見られるように、ウェハ１の上面にレジスト２を
塗布して素子を保護し、この状態でレジスト形成面を下
にしてウェハ１を柔らかい支持台３の上に！！置する。
ａ）に見られるように、ウェハ１の上面にレジスト２を
塗布して素子を保護し、この状態でレジスト形成面を下
にしてウェハ１を柔らかい支持台３の上に！！置する。
そして、素子のないウェハｌの下面を図示しないグライ
ンダによって削り、ウェハ１を例えば５００μｍ程度ま
で薄層化する。
ンダによって削り、ウェハ１を例えば５００μｍ程度ま
で薄層化する。
この後に、ウェハをイソプロピルアルコール、トリクレ
ン等のレジスト除去用溶液４中に浸漬することにより、
ウェハｌに塗布したレジスト２を溶解して除去する（第
１図（ｂ））。ついで、ウェハｌを純水５の中に入れて
洗浄する（第１図（Ｃ）〉。
ン等のレジスト除去用溶液４中に浸漬することにより、
ウェハｌに塗布したレジスト２を溶解して除去する（第
１図（ｂ））。ついで、ウェハｌを純水５の中に入れて
洗浄する（第１図（Ｃ）〉。
ところで、ウェハ１をトリクレンや純水等の溶液４．５
中に入れる際に、それらの溶液中に含まれる不純物６が
ウェハ１下面の一部に付着する。
中に入れる際に、それらの溶液中に含まれる不純物６が
ウェハ１下面の一部に付着する。
そこで、次に、第１図（ｆ）に示すように、薄い光透過
性の基体７を中央の開口８部に張設したウェハマウント
９を用い、基体７に塗布された紫外線硬化性接着剤１０
にウェハｌ下面を接着する。
性の基体７を中央の開口８部に張設したウェハマウント
９を用い、基体７に塗布された紫外線硬化性接着剤１０
にウェハｌ下面を接着する。
この後に、紫外線を下方から照射して接着剤１０を硬化
し、ウェハ１を剥離し易くする。
し、ウェハ１を剥離し易くする。
この状態で、第１図（ｇ）に示すように、ウェハマウン
ト９の開口８の下側から添板１１を強く当て、基体７を
強く押して湾曲させると、ウェハ１がチップよりも大き
いためにウェハ１と基体７とを引き剥がす力を大きくす
ることができ、ウェハ１は接着剤から剥がれることにな
る（第１図（ｈ））。この場合、ウェハｌに付着した不
純物６は、接着剤１０との密着性が良いために基体７側
に残存することになり、ウェハ１下面からは不純物６が
除去されることになる。
ト９の開口８の下側から添板１１を強く当て、基体７を
強く押して湾曲させると、ウェハ１がチップよりも大き
いためにウェハ１と基体７とを引き剥がす力を大きくす
ることができ、ウェハ１は接着剤から剥がれることにな
る（第１図（ｈ））。この場合、ウェハｌに付着した不
純物６は、接着剤１０との密着性が良いために基体７側
に残存することになり、ウェハ１下面からは不純物６が
除去されることになる。
次に、第１図（ｉ）に示すように、別のウェハマウント
１２中夫の基体１３上にウェハｌを載せ、ウェハ１下面
を基体１３上の紫外線硬化性接着剤１４に貼付けた後、
図示しないダイサによりウェハ１を切断して複数のチッ
プ１５に分割する（第１図（ｊ））。
１２中夫の基体１３上にウェハｌを載せ、ウェハ１下面
を基体１３上の紫外線硬化性接着剤１４に貼付けた後、
図示しないダイサによりウェハ１を切断して複数のチッ
プ１５に分割する（第１図（ｊ））。
この後に、紫外線硬化性接着剤１４に紫外線を照射し、
基体１３の下から計１６を刺してチップｌを個々に持ち
上げ、これを真空チャック１７により取り出すが、各チ
ップ１５と接着剤１４との間には不純物が存在していな
いために、これらを容易に剥離することができる。
基体１３の下から計１６を刺してチップｌを個々に持ち
上げ、これを真空チャック１７により取り出すが、各チ
ップ１５と接着剤１４との間には不純物が存在していな
いために、これらを容易に剥離することができる。
なお、上記した実施例は、半導体ウェハ１をウェハマウ
ント１２の接着剤１４に直接貼付けて分割する場合につ
いて説明したが、図示しない金膜を下面に形成した半導
体ウェハをグイシングする場合に、第１図（「）〜（ｈ
）に示すと同様に、前処理として、紫外線硬化性接着剤
に金膜表面を貼付けた後に、接着剤に紫外線を照射して
からこれらを剥離するようにして、金膜の表面に形成さ
れた不純物を除去することも可能である。
ント１２の接着剤１４に直接貼付けて分割する場合につ
いて説明したが、図示しない金膜を下面に形成した半導
体ウェハをグイシングする場合に、第１図（「）〜（ｈ
）に示すと同様に、前処理として、紫外線硬化性接着剤
に金膜表面を貼付けた後に、接着剤に紫外線を照射して
からこれらを剥離するようにして、金膜の表面に形成さ
れた不純物を除去することも可能である。
以上述べたように本発明によれば、第一の基体に塗布し
た紫外線硬化性接着剤にウェハを貼付け、ついで、紫外
線硬化性ｔｉ着剤に紫外線を照射してこれを硬化し、こ
の接着剤からウェハを剥離することにより、ウェハ下面
に付着した汚染物質を紫外線硬化性接着剤に付着させて
除去するようにしこの後に、ウェハを第二の基体に貼付
けてこれを分割するようにしたので、第二の基体に塗布
された紫外線硬化性接着剤と、この接着剤に貼付けたウ
ェハとの間に汚染物質を介在させないようにすることが
でき、紫外線により硬化した接着剤とウェハとの密着性
を大幅に低下させ、ウェハ分割により形成したチップを
容易に剥離することができる。
た紫外線硬化性接着剤にウェハを貼付け、ついで、紫外
線硬化性ｔｉ着剤に紫外線を照射してこれを硬化し、こ
の接着剤からウェハを剥離することにより、ウェハ下面
に付着した汚染物質を紫外線硬化性接着剤に付着させて
除去するようにしこの後に、ウェハを第二の基体に貼付
けてこれを分割するようにしたので、第二の基体に塗布
された紫外線硬化性接着剤と、この接着剤に貼付けたウ
ェハとの間に汚染物質を介在させないようにすることが
でき、紫外線により硬化した接着剤とウェハとの密着性
を大幅に低下させ、ウェハ分割により形成したチップを
容易に剥離することができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す工程図、第２図は、
従来方法の一例を示す工程図である。 （符号の説明） ｌ・・・ウェハ、 ２・・・レジスト、 ４・・・レジスト除去用溶液 ５・・・純水、 ６・・・不純物、 ７・・・基体（第一の基体）、 ９・・・ウェハマウント、 １０・・・接着剤、 １１・・・添板、 １２・・・ウェハマウント、 １３・・・基体（第二の基体） １４・・・接着剤、 １５・・・チンブ。
従来方法の一例を示す工程図である。 （符号の説明） ｌ・・・ウェハ、 ２・・・レジスト、 ４・・・レジスト除去用溶液 ５・・・純水、 ６・・・不純物、 ７・・・基体（第一の基体）、 ９・・・ウェハマウント、 １０・・・接着剤、 １１・・・添板、 １２・・・ウェハマウント、 １３・・・基体（第二の基体） １４・・・接着剤、 １５・・・チンブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 素子が形成されていないウェハの下面側を、第一の基
体表面の紫外線硬化性接着剤に貼付ける工程と、 該接着剤を紫外線により硬化した後、前記接着剤から前
記ウェハを剥離し、前記ウェハの下面側に付着した汚染
物質を前記接着剤に付着させて除去する工程と、 第二の基体に塗布された紫外線硬化性接着剤に前記ウェ
ハの下面倒を貼付ける工程と、 前記第２の基体上の前記ウェハを複数のチップに分割す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32533289A JPH07120644B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32533289A JPH07120644B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185852A true JPH03185852A (ja) | 1991-08-13 |
| JPH07120644B2 JPH07120644B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=18175627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32533289A Expired - Fee Related JPH07120644B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120644B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402530B2 (en) | 2002-10-17 | 2008-07-22 | Nec Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32533289A patent/JPH07120644B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402530B2 (en) | 2002-10-17 | 2008-07-22 | Nec Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US8129287B2 (en) | 2002-10-17 | 2012-03-06 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120644B2 (ja) | 1995-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |