JPH03185864A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、画像読取装置に関する。とくに本発明は、完
全密着型等倍画像読取装置とりわけ、センサ基板の巾が
極めて狭いタイプの完全密着型等倍画像読取装置に関す
る。

〔従来技術〕

等倍センサの低コスト化を目指す方向として、基板の狭
巾化が考えられる。多数本の等倍センサ基板を大面積の
基板により一括して製造することで、−本あたりの製造
装置コストと、材料費を低減することができるからであ
る。基板中は狭ければ狭いほど一本あたりの基板コスＩ
〜は低下する。

しかしながら、特に、センサ面に画像が密着した状態で
１画信号の読み取りを行なう。いわゆる完全密着型等倍
センサの場合、等倍結像素子が不要となり、低コスト化
がはかれるという利点を有するものの、基板中が狭くな
ることによって、必要な入射光量を維持したまま、確実
な基板保持を行なうことが困難となるため、従来技術で
は、Ｓ／Ｎの低下が生じてしまうという問題点を有して
いた。第１図に従来例を示す。

透明基板上に光電変換素子と入射光が通過する窓を有す
る遮光層（図示せず）と、透明保護層を有する等倍セン
サ基板は、通常金属からなる遮光性保持部材によって保
持されており、遮光性保持部材には入射光が通過できる
スリットが開けられている。第１図Ａに示したように基
板巾が充分広い場合には問題にならないが、第１図Ｂに
示すように基板巾が狭くなると、基板を確実に保持する
ためにスリット巾も狭くならざるを得ない。スリット巾
が狭くなった分、入射光量が減少し、信号出力Ｓが低下
するため、Ｓ／Ｎが低下する。第２図に信号出力Ｓとス
リット巾との関係を示す。スリット巾１＋ｍ＋以上では
。

信号出力Ｓはほとんど変化しないが１圓以下では急激に
減少し、０．５ｍｎのとき、Ｓは１／２まで低下してし
まう。

〔目　　的〕

本発明の目的は、前記の問題点を解決しようとするもの
で、基板巾の狭い等倍センサにおいても確実な保持が可
能で、かつＳ／Ｎの劣化のむい実装方式を提案しようと
するものである。

〔構　　成〕

本発明は、透明基板、該透明基板上に形成された採光窓
を有する遮光層、該遮光層上に形成された光電変換素子
列を少くとも有するセンサ基板と該センサ基板を支持す
るための保持部材よりなる画像読取装置において、前記
保持部材の必要個所を透明材料で構成することを特徴と
する画像読取装置に関する。

前記光電変換素子が直接画像、たとえば原稿に接触する
と素子を痛めるので、素子と画像の間には何らかの離間
層があることが好ましい。

離間層は単なる空間でもよいが、５Ｌ−Ｃ，５ｉ−Ｎ、
５Ｌ−０，微結晶化Ｃなどの透明薄膜あるいは石英、プ
ラスチックス等の透明薄板材料を使用してもよい。薄膜
の場合は通常の成膜方法を使用すればよく、薄板材料の
場合は透明接着剤を使用する。

第３図にもとづき、以下に詳細な説明を行なう。

透明基板１は石英、バイレクス等のガラス、プラスチッ
クスなどからなる。透明基板１上にはＣｒ、Ａｎ等から
なる遮光層２が真空蒸着法、スパッタリング法等により
、０．１μ■から０．５μｍの厚さで形成された後、読
み取り素子数とほぼ同数の採光窓４がエツチング法によ
って形成される（第５図）。その後、遮光層２と他電極
材料とのショートを防ぐために、全面に透明絶縁膜が形
成される。透明絶縁膜としては、５ｉ−Ｎ。

５ｉ−０，５ｉ−Ｃ，微結晶化Ｃ等をＣＶＤ法などによ
って形成したものが用いられる。膜厚は。

０．５〜３μｍが好適である。その後、第５図に示した
ように採光窓４と一定距離を有する位置に画像読取素子
として、光電変換素子３を形成する。これは、アモーフ
ァスシリコンを主体とする膜の上下に電極を設けたもの
が好ましく用いられ、通常のＣＶＤ等による製膜、フォ
トリソグラフィー法によるエツチングを通して微細加工
される。なお、光電変換素子３の下部電極として、遮光
層を用いることも可能である。

以上のように画像読取デバイスが形成された後、保護層
５として、５〜５０μｍの厚さの透明耐摩耗性膜、例え
ば５ｉ−Ｃ，５Ｌ−Ｎ、５ｉ−０゜微結晶化Ｃなどの膜
をＣＶＤ法によって全面に形成したり、３０〜７０μｍ
の厚さの薄板ガラスを透明接着剤により全面に接着して
センサ基板工程を終了する。

次にこのようにして得られたセンサ基板を透明保持部材
７上に接着する（第３図、第４図）。

透明保持部材および透明接着剤は、透明基板と同程度の
屈折率（１，４〜１．５）を有するものが好ましく用い
られる。

透明保持部材として特に望ましい材料は１石英、パイレ
クス等のガラスおよびプラスチックスである。

さらに本発明においては、第４図に示すように保持部材
に光が入射する部分および透明基板上の光感応素子が乗
る面以外を遮光することが好ましい。遮光手段としては
、遮光性の保持部材、例えばＡＱやＳＵＳ等の金属材料
で保持したり、遮光性の充てん材に埋めたり、遮光性接
着剤を塗布するなどの方法やそれらの組合せ方式を用い
て遮光性保持部材６とする。

〔効　　果〕

以上に述べた構成によりセンサ基板山分の光の通路が確
保できるのでセンサ基板巾が狭い場合でも確実にセンサ
基板保持ができ、外部へのユニットの取り付けも容易に
なるとともに、透明保持部材の使用により入射光量が充
分確保できるので信号出力Ｓも低下せず、かつ外部から
の迷光も遮断することができることから、Ｓ／Ｎの低下
のない完全密着型等倍センサが提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ＡおよびＢは、いずれも従来タイプの画像読取装
置の断面図を示し、第１図Ａは、センサ基板中が広い場
合であり、第１図Ｂは、センサ基板中が狭い場合を示す
。第２図は、第１図におけるスリット巾の大小が信号出
力（相対値）にどのような影響を与えているかを示すグ
ラフである。第３図は１本発明の画像読取袋装置の１例
を示す断面図、第４図は、本発明の画像読取装置の変形
例を示す断面図である。第５図は、本発明の画像読取装
置の上面図を示す。 １・・・透明基板　　　　２・・・遮光層３・・・光電
変換素子　　４・・・採光窓５・・・透明保護層 ７・・・透明保持部材 ９・・・スリット ６・・・遮光性保持部材 ８・・・透明接着剤層 １１・・・原稿 第 図 スリット＠　（ｍｍｌ 第４ 図 第 ５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、透明基板、該透明基板上に形成された採光窓を有す
   る遮光層、該遮光層上に形成された光電変換素子列を少
   くとも有するセンサ基板と該センサ基板を支持するため
   の保持部材よりなる画像読取装置において、前記保持部
   材の必要個所を透明材料で構成することを特徴とする画
   像読取装置。