JPH0399467A - イメージセンサ - Google Patents
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- JPH0399467A JPH0399467A JP1235952A JP23595289A JPH0399467A JP H0399467 A JPH0399467 A JP H0399467A JP 1235952 A JP1235952 A JP 1235952A JP 23595289 A JP23595289 A JP 23595289A JP H0399467 A JPH0399467 A JP H0399467A
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- substrate
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリ等画像読取装置に使用されるイ
メージセンサに関する。
メージセンサに関する。
従来、光透過性の基板を用いた画像読取装置では、画像
読取用の光電変換素子を形成した前記基板の側面に光吸
収性の物質を塗布したり。
読取用の光電変換素子を形成した前記基板の側面に光吸
収性の物質を塗布したり。
または、光電変換素子上に形成される保護層の表面に金
属膜を蒸着するなどの方法が用いられている。しかしな
がら、基板の側面に光吸収性の物質を塗布する方法では
、側面に入射する迷光を完全におさえることはできず、
また、側面に入射しない光源からの直接光が依然として
迷光として、光電変換素子を照射することとなり。
属膜を蒸着するなどの方法が用いられている。しかしな
がら、基板の側面に光吸収性の物質を塗布する方法では
、側面に入射する迷光を完全におさえることはできず、
また、側面に入射しない光源からの直接光が依然として
迷光として、光電変換素子を照射することとなり。
画像読取時のＳ／Ｎが低下することとなる。
また、光電変換素子上の保護層の表面に遮光膜として金
属膜を設ける方法では、基板の側面で反射した光や、光
源からの直接光が、保護層の表面の金属膜で再び反射さ
れることとなり、迷光は依然として低減されず、Ｓ／Ｎ
は悪化することとなる。
属膜を設ける方法では、基板の側面で反射した光や、光
源からの直接光が、保護層の表面の金属膜で再び反射さ
れることとなり、迷光は依然として低減されず、Ｓ／Ｎ
は悪化することとなる。
このように、光透過性の基板を用いた画像読取装置では
、基板の側面で反射した光や、光源からの直接光が、直
接にまたは、上部遮光層で反射し、さらには、原稿面で
反射し、迷光として光電変換素子を照射することとなる
。その結果、本来の画像情報としての原稿からの反射光
による光電流の他に、前記した迷光による光電流が生じ
、Ｓ／Ｎを低下させてしまうこととなる。
、基板の側面で反射した光や、光源からの直接光が、直
接にまたは、上部遮光層で反射し、さらには、原稿面で
反射し、迷光として光電変換素子を照射することとなる
。その結果、本来の画像情報としての原稿からの反射光
による光電流の他に、前記した迷光による光電流が生じ
、Ｓ／Ｎを低下させてしまうこととなる。
本発明は、前記した迷光を無くし、画像読取時のＳ／Ｎ
を向上させることを目的としている。
を向上させることを目的としている。
本発明は絶縁性透明基板と、その上に形成、配列された
光電変換素子および採光窓をもつイメージセンサにおい
て、前記絶縁性透明基板の表裏いずれかまたは両面の端
部付近の少くとも１部に遮光部を設けたことを特徴とす
るものである。
光電変換素子および採光窓をもつイメージセンサにおい
て、前記絶縁性透明基板の表裏いずれかまたは両面の端
部付近の少くとも１部に遮光部を設けたことを特徴とす
るものである。
前記遮光部は、前記光電変換素子に接続する上部電極ま
たは下電極あるいは上部、下部画電極それ自体が遮光部
を兼ねてもよく、あるいは電極と同一の材料あるいは他
の材料をもって別途形成してもよい、これらの材料は光
を通さないものであればよく、その例としては金属また
は半導体を挙げることができる。
たは下電極あるいは上部、下部画電極それ自体が遮光部
を兼ねてもよく、あるいは電極と同一の材料あるいは他
の材料をもって別途形成してもよい、これらの材料は光
を通さないものであればよく、その例としては金属また
は半導体を挙げることができる。
前記遮光部を前記電極それ自体で兼用したり、あるいは
前記電極と同一材料で同一面内に形成するときは、製造
工程がふえることがなく、好ましい、又、基板裏面側（
光源側）に遮光部を形成するとき、遮光部の材料をＴＰ
Ｔ形成用のＳｉ膜を使用すると、ＴＰＴの形成工程で一
挙に遮光部を形成できるので、これまた有利である。
前記電極と同一材料で同一面内に形成するときは、製造
工程がふえることがなく、好ましい、又、基板裏面側（
光源側）に遮光部を形成するとき、遮光部の材料をＴＰ
Ｔ形成用のＳｉ膜を使用すると、ＴＰＴの形成工程で一
挙に遮光部を形成できるので、これまた有利である。
本発明による端部遮光は、光電変換素子を構成する電極
を兼ねた形状でも良いし、前記電極とは、電気的に絶縁
されていても良いが、基板端部付近の少なくとも一部分
を領域として有する形状でなければならない、もちろん
、端面のフチに当たる基板端からは、前記端部遮光は。
を兼ねた形状でも良いし、前記電極とは、電気的に絶縁
されていても良いが、基板端部付近の少なくとも一部分
を領域として有する形状でなければならない、もちろん
、端面のフチに当たる基板端からは、前記端部遮光は。
離れていてもかまわない。
基本的には、端部遮光の短手方向の長さは、いくつであ
っても、遮光層としての効果を有するが、迷光を遮光す
るため、基板表面側に遮光部を設けた場合の効果的な位
置関係を第６図によって説明する。第６図では、端部遮
光部１０３の基板端面からの長さをＳとする。また、基
板１０１の幅をｄとし、基板端面から、アルミベース１
１０のスリットの前記基板端面側のフチまでの長さをｙ
とする。基板１０１の屈折率をｎ３として、基板１０１
の雰囲気（空気）の屈折率をｎ８とすれば、基板端面に
入射し、そこで全反射する光の基板端面への入射角ｉは
、ｓｉｎ ｉ ＝ ｎ ｘ／ ｎ ｚを満足する。また
、幾何学的関係から、Ｓとｙとｄとｉは（Ｓ＋ｙ）Ｘｔ
ａｎｉ＝ｄの関係がある。したがって、Ｓ ＝＝ ｄ
Ｘｃｏｔａｎｉ −ｙで求められるように、端部遮光１
０３の基板端面からの長さＳを決定すれば、ノイズの原
因となる基板端面からの迷光を遮光できることとなり、
Ｓ／Ｎを向上させることができる１例えば、石英基板（
ｎ、 ＝１．４６、空気ｎ、＝１）を用いて、ｄ＝１．
６ａｎ、ｙ＝１．５＋＋＋ｍの時には、Ｓ＝０．２ｍｍ
となる。
っても、遮光層としての効果を有するが、迷光を遮光す
るため、基板表面側に遮光部を設けた場合の効果的な位
置関係を第６図によって説明する。第６図では、端部遮
光部１０３の基板端面からの長さをＳとする。また、基
板１０１の幅をｄとし、基板端面から、アルミベース１
１０のスリットの前記基板端面側のフチまでの長さをｙ
とする。基板１０１の屈折率をｎ３として、基板１０１
の雰囲気（空気）の屈折率をｎ８とすれば、基板端面に
入射し、そこで全反射する光の基板端面への入射角ｉは
、ｓｉｎ ｉ ＝ ｎ ｘ／ ｎ ｚを満足する。また
、幾何学的関係から、Ｓとｙとｄとｉは（Ｓ＋ｙ）Ｘｔ
ａｎｉ＝ｄの関係がある。したがって、Ｓ ＝＝ ｄ
Ｘｃｏｔａｎｉ −ｙで求められるように、端部遮光１
０３の基板端面からの長さＳを決定すれば、ノイズの原
因となる基板端面からの迷光を遮光できることとなり、
Ｓ／Ｎを向上させることができる１例えば、石英基板（
ｎ、 ＝１．４６、空気ｎ、＝１）を用いて、ｄ＝１．
６ａｎ、ｙ＝１．５＋＋＋ｍの時には、Ｓ＝０．２ｍｍ
となる。
但し、以上の説明では、アルミベース１１０のスリット
１１５から、基板端面に入射する直線光についてのみ考
慮しており、乱反射光や拡散光については考慮していな
い。
１１５から、基板端面に入射する直線光についてのみ考
慮しており、乱反射光や拡散光については考慮していな
い。
それら、直線光以外の光による迷光に対しての遮光効果
を踏まえ、端部遮光１０３の長さは、十分に長くすれば
より効果的となる。光電変換素子等のパターンがあるの
で、実際的には、２ＸＳ〜５ＸＳの長さとすれば、効果
的である。
を踏まえ、端部遮光１０３の長さは、十分に長くすれば
より効果的となる。光電変換素子等のパターンがあるの
で、実際的には、２ＸＳ〜５ＸＳの長さとすれば、効果
的である。
また遮光部を基板裏面（光源側）に設けた場合の効果的
な位置関係を第７図に基づき説明する。第７図で、基板
１０１の厚さをｄとし、基板端面からの端部遮光１０３
の長さをＳとする。また、基板１０１の屈折率をｎ□、
雰囲気（空気）の屈折率をｎ３とし、迷光の原因となる
基板端面で全反射する光源１１１からの基板端面への入
射角をｉとすると、ｓｉｎ ｉ ” ｎ １／ ｎ ｚ
の関係がある。ここで、５Ｘｔａｎｉ≧ｄを満足するよ
うに端部遮光１０３の長さＳとすれば、基板端面で全反
射する光源１１１からの入射光を遮ることができる０例
えば１石英基板（ｎ 、 ＝ １．４６．空気ｎ。
な位置関係を第７図に基づき説明する。第７図で、基板
１０１の厚さをｄとし、基板端面からの端部遮光１０３
の長さをＳとする。また、基板１０１の屈折率をｎ□、
雰囲気（空気）の屈折率をｎ３とし、迷光の原因となる
基板端面で全反射する光源１１１からの基板端面への入
射角をｉとすると、ｓｉｎ ｉ ” ｎ １／ ｎ ｚ
の関係がある。ここで、５Ｘｔａｎｉ≧ｄを満足するよ
うに端部遮光１０３の長さＳとすれば、基板端面で全反
射する光源１１１からの入射光を遮ることができる０例
えば１石英基板（ｎ 、 ＝ １．４６．空気ｎ。
＝１）を用いて、ｄ＝１．６膳■とすれば、ｉ ＝４３
゜２°であり、Ｓ＝１．７部膳以上とすれば、基板端面
からの迷光を無くすことができる。この端部遮光１０３
としては、主に、不透光性金属、たとえばＣｒやＡｆｆ
ｉなどが使用されるが、半導体装置たとえば多結晶Ｓｉ
膜なども使用される。
゜２°であり、Ｓ＝１．７部膳以上とすれば、基板端面
からの迷光を無くすことができる。この端部遮光１０３
としては、主に、不透光性金属、たとえばＣｒやＡｆｆ
ｉなどが使用されるが、半導体装置たとえば多結晶Ｓｉ
膜なども使用される。
以下、図面を参照しながら、実施例について説明する。
〈実施例１〉
（遮光部を基板表面に設けたケース）
第１図は、実施例のイメージセンサ断面図である。この
図において、１０１は石英基板、１０２は光電変換素子
、１０３が光電変換素子１０２の下部電極Ｃｒ１０４と
同時に形成した端部遮光である。１０４は駆動回路を構
成するＴＰＴであり、１０５は保護層、１０６は接着剤
で、１０７は耐摩耗層としての薄板ガラスで、その厚さ
は５０μ層である。
図において、１０１は石英基板、１０２は光電変換素子
、１０３が光電変換素子１０２の下部電極Ｃｒ１０４と
同時に形成した端部遮光である。１０４は駆動回路を構
成するＴＰＴであり、１０５は保護層、１０６は接着剤
で、１０７は耐摩耗層としての薄板ガラスで、その厚さ
は５０μ層である。
また、原稿１０８とプラテンローラー１０９も示されて
いる。１１０は基板を装着するアルミベースである０次
にそのイメージセンサの作成方法を簡単に説明する。
いる。１１０は基板を装着するアルミベースである０次
にそのイメージセンサの作成方法を簡単に説明する。
５０ Ｘ ２５０ｍｍの石英基板１０１上に、まずＴ
Ｐ Ｔ 駆動回路１０４を形成する。ＴＰＴを形成する
各層は、石英管を用いた電気炉により、ＬＰ−ＣＶＤ法
で製膜される。使用ガスは主にＳｉＨ４であり、多結晶
Ｓｉ膜が製膜される６表１に各層の製膜条件を示す、Ｔ
ＰＴ形状の形成は、通常のフォトリソグラフィ技術と、
ドライ・エツチング技術を用いて行なった。また、多結
晶Ｓｉ膜をＬＰ−ＣＶＤ法で製作する場合、多結晶Ｓｉ
膜は１石英基板の表裏両側に製膜されるが。
Ｐ Ｔ 駆動回路１０４を形成する。ＴＰＴを形成する
各層は、石英管を用いた電気炉により、ＬＰ−ＣＶＤ法
で製膜される。使用ガスは主にＳｉＨ４であり、多結晶
Ｓｉ膜が製膜される６表１に各層の製膜条件を示す、Ｔ
ＰＴ形状の形成は、通常のフォトリソグラフィ技術と、
ドライ・エツチング技術を用いて行なった。また、多結
晶Ｓｉ膜をＬＰ−ＣＶＤ法で製作する場合、多結晶Ｓｉ
膜は１石英基板の表裏両側に製膜されるが。
本実施例では、裏側（光源側）の多結晶Ｓｉ膜を、全面
除去している。ＴＰＴのソース領域とドレイン領域への
不純物は、Ｐ−チャンネルとＮ−チャンネルでそれぞれ
＜ｐ”＞と〈Ｂｏ〉であり、イオン・インプランテーシ
ョンを用いて注入している。
除去している。ＴＰＴのソース領域とドレイン領域への
不純物は、Ｐ−チャンネルとＮ−チャンネルでそれぞれ
＜ｐ”＞と〈Ｂｏ〉であり、イオン・インプランテーシ
ョンを用いて注入している。
ＴＦＴＩＩ動回路１０４を形成してから、光電変換素子
１０２部を形成する。各層の作成条件は、表２に示した
。まず、光源１１１からの放射光を原稿１０８面へ導く
ための採光窓１１２を有する下部電極１１３をＣｒで形
成する。膜厚は１０００人であり、光学濃度は０Ｄ＝３
である。この下部電極１１３を形成する時に、同時に、
端部遮光１０３を第１図のように、光電変換素子１０２
側の基板端部付近と、ＴＦＴｌｉ動回路１０４側の基板
端部付近に、下部電極１１３とは電気的には絶縁された
状態で形成した。次にプラズマＣＶＤ法でアモルファス
Ｓｉからなる三層構造の光電変換層を形成し、光電変換
層の上面に、透明導電膜としてＩＴＯをＲＦスパッタ法
で形成し、そのＩＴＯに接触させて、上部電極１１４と
して、Ａｆｆｉ膜を１μｍの膜厚で形成した０次に、光
電変換素子１０２と、ＴＦＴ駆動回路１０４の両方の上
部に、保護／１１１０５として同じ（Ｐ−ＣＶＤ法でア
モルファスＳｉ ：Ｏ：Ｎ膜を形成し、５０μ隠厚の薄
板ガラス１０７を接着剤１０６により接着した。なお、
各層の形状の形成は、ＴＦＴＩｌｉ動回路１０４と同様
に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて行なった。
１０２部を形成する。各層の作成条件は、表２に示した
。まず、光源１１１からの放射光を原稿１０８面へ導く
ための採光窓１１２を有する下部電極１１３をＣｒで形
成する。膜厚は１０００人であり、光学濃度は０Ｄ＝３
である。この下部電極１１３を形成する時に、同時に、
端部遮光１０３を第１図のように、光電変換素子１０２
側の基板端部付近と、ＴＦＴｌｉ動回路１０４側の基板
端部付近に、下部電極１１３とは電気的には絶縁された
状態で形成した。次にプラズマＣＶＤ法でアモルファス
Ｓｉからなる三層構造の光電変換層を形成し、光電変換
層の上面に、透明導電膜としてＩＴＯをＲＦスパッタ法
で形成し、そのＩＴＯに接触させて、上部電極１１４と
して、Ａｆｆｉ膜を１μｍの膜厚で形成した０次に、光
電変換素子１０２と、ＴＦＴ駆動回路１０４の両方の上
部に、保護／１１１０５として同じ（Ｐ−ＣＶＤ法でア
モルファスＳｉ ：Ｏ：Ｎ膜を形成し、５０μ隠厚の薄
板ガラス１０７を接着剤１０６により接着した。なお、
各層の形状の形成は、ＴＦＴＩｌｉ動回路１０４と同様
に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて行なった。
最後に、各パターンの形成された石英基板１０１をダイ
シングソーを用いて、３ Ｘ ２５０ｍｍに、パターン
にそって切断した１画像情報の読取幅は、Ａ４サイズ（
１７２８ｂ ｉ ｔ ）とした。
シングソーを用いて、３ Ｘ ２５０ｍｍに、パターン
にそって切断した１画像情報の読取幅は、Ａ４サイズ（
１７２８ｂ ｉ ｔ ）とした。
このようにして形成したイメージセンサをアルミベース
１１０に装着し、第１図に示したような配置により、白
原稿の出力と原稿無しの時のノイズ出力を調べ、Ｓ／Ｎ
を評価した。積分型の読取回路を使用している。その結
果を第２図に示す、さらに、比較のために、端部遮光１
０３は形成せず、他は、本実施例とまったく同様に形成
した従来形状のイメージセンサによる同様の評価を行な
った。その結果を第３図に示す。
１１０に装着し、第１図に示したような配置により、白
原稿の出力と原稿無しの時のノイズ出力を調べ、Ｓ／Ｎ
を評価した。積分型の読取回路を使用している。その結
果を第２図に示す、さらに、比較のために、端部遮光１
０３は形成せず、他は、本実施例とまったく同様に形成
した従来形状のイメージセンサによる同様の評価を行な
った。その結果を第３図に示す。
本発明に基づいた〈実施例１〉によるイメージセンサの
結果（第２図）では、白原稿出力の平均値はＳ＝１．５
Ｖであり、原稿無しの時のノイズ出力の平均値はＮ ＝
３０ｍＶであった。 Ｓ／Ｎとしては３４ｄＢという
高い値が得られた。それに対して、従来形状のイメージ
センサによる結果（第３図）では、Ｓ＝１．６Ｖ１’あ
りＮ ＝ １４０ａ＋Ｖ ｔ’あった。Ｓ／Ｎは２１ｄ
Ｂであった。
結果（第２図）では、白原稿出力の平均値はＳ＝１．５
Ｖであり、原稿無しの時のノイズ出力の平均値はＮ ＝
３０ｍＶであった。 Ｓ／Ｎとしては３４ｄＢという
高い値が得られた。それに対して、従来形状のイメージ
センサによる結果（第３図）では、Ｓ＝１．６Ｖ１’あ
りＮ ＝ １４０ａ＋Ｖ ｔ’あった。Ｓ／Ｎは２１ｄ
Ｂであった。
以上のように、本発明による基板端部に遮光部を設ける
ことで、迷光が低減し、Ｓ／Ｎを向上させることが可能
となった。
ことで、迷光が低減し、Ｓ／Ｎを向上させることが可能
となった。
〈実施例２〉
（遮光部を基板表面に設けたケース）
第４図は、本発明に基づき、上部電極１１４に端部遮光
としての機能も併せ持たせるために。
としての機能も併せ持たせるために。
基板端部にまで、形状を伸ばして作成したイメージセン
サの断面図である。本実施例でのイメージセンサは、第
１図での端部遮光１０３を形成していないということ以
外は〈実施例１〉と同様に形成されている。そのイメー
ジセンサを用いて、〈実施例１〉と同様に行なった評価
結果を第５図に示す、白原稿出力の平均値は、Ｓ＝１．
５Ｖであり、原稿が無い時のノイズ出力の平均値はＮ＝
４０ｍＶであった。Ｓ／Ｎとしては。
サの断面図である。本実施例でのイメージセンサは、第
１図での端部遮光１０３を形成していないということ以
外は〈実施例１〉と同様に形成されている。そのイメー
ジセンサを用いて、〈実施例１〉と同様に行なった評価
結果を第５図に示す、白原稿出力の平均値は、Ｓ＝１．
５Ｖであり、原稿が無い時のノイズ出力の平均値はＮ＝
４０ｍＶであった。Ｓ／Ｎとしては。
３１ｄＢの値が得られた。
〈実施例３〉
（遮光部を基板裏面に設けたケース）
第７図は、本実施例のイメージセンサの断面図である。
他に、プラテンローラー１０９と原稿１０８および光源
１１１を図示し、アルミベース１１０に実装されたユニ
ット状態を模式的に示している。
１１１を図示し、アルミベース１１０に実装されたユニ
ット状態を模式的に示している。
石英基板１０１は、紙面と平行方向の短手方向には、５
ｍｍの幅であり、紙面に垂直方向の長手方向には、Ａ４
サイズの原稿１０８の読取幅に対応して、２５０ｍｍの
幅となっており、光電変換素子１０２は読取密度８ ｄ
ｐｍで、１７２８ビット形成配列されているが、基本的
には、基板１０１は、光を透過する物質ならなんでも良
く、またその大きさはどのようなサイズであっても良い
。また、光電変換素子１０２を駆動するためのＴ Ｐ
Ｔ 駆動回路１０４も同様に形成配列されている。基板
１０１の裏面に端部遮光部１０３が形成されている。１
０４は駆動回路を構成するＴＰＴであり、１０５は保護
層、１０６は接着剤で１０７は耐摩耗層としての薄板ガ
ラスで、その厚さは５０μ冑である。
ｍｍの幅であり、紙面に垂直方向の長手方向には、Ａ４
サイズの原稿１０８の読取幅に対応して、２５０ｍｍの
幅となっており、光電変換素子１０２は読取密度８ ｄ
ｐｍで、１７２８ビット形成配列されているが、基本的
には、基板１０１は、光を透過する物質ならなんでも良
く、またその大きさはどのようなサイズであっても良い
。また、光電変換素子１０２を駆動するためのＴ Ｐ
Ｔ 駆動回路１０４も同様に形成配列されている。基板
１０１の裏面に端部遮光部１０３が形成されている。１
０４は駆動回路を構成するＴＰＴであり、１０５は保護
層、１０６は接着剤で１０７は耐摩耗層としての薄板ガ
ラスで、その厚さは５０μ冑である。
次にこのイメージセンサの作成方法を簡単に説明する。
５０ Ｘ ２５０＋ｕｅの石英基板１０１上にまず、Ｔ
ＦＴｌｌｕ動回路１０４を形成する。ＴＰＴを形成する
各層は１石英管を用いた電気炉によりＬＰ−ＣＶＤ法で
製膜される。使用ガスは主にＳｉＨ，であリ、多結晶Ｓ
ｉ膜が製膜される。前記表１に。
ＦＴｌｌｕ動回路１０４を形成する。ＴＰＴを形成する
各層は１石英管を用いた電気炉によりＬＰ−ＣＶＤ法で
製膜される。使用ガスは主にＳｉＨ，であリ、多結晶Ｓ
ｉ膜が製膜される。前記表１に。
各層の製膜条件を示す。ＴＰＴ形状の形成は。
通常のフォトリソグラフィー技術とドライエツチング技
術を用いて行なった。また、多結晶Ｓｉ膜をＬＰ−ＣＶ
Ｄ法で製膜する場合、多結晶Ｓｉ膜は、石英基板の表面
側と裏面側の両側に製膜されるが１本実施例では、裏面
側の多結晶Ｓｉ膜を全面除去している。ＴＰＴのソース
領域とドイン領域への不純物は、Ｐ−チャンネルとＮ−
チャンネルでそれぞれ＜Ｐｏ〉と＜Ｂｏ〉であり、イオ
ン・インプランテーションを用いて注入している。
術を用いて行なった。また、多結晶Ｓｉ膜をＬＰ−ＣＶ
Ｄ法で製膜する場合、多結晶Ｓｉ膜は、石英基板の表面
側と裏面側の両側に製膜されるが１本実施例では、裏面
側の多結晶Ｓｉ膜を全面除去している。ＴＰＴのソース
領域とドイン領域への不純物は、Ｐ−チャンネルとＮ−
チャンネルでそれぞれ＜Ｐｏ〉と＜Ｂｏ〉であり、イオ
ン・インプランテーションを用いて注入している。
ＴＰＴ駆動回路１０４を形成してから、光電変換素子１
０２部を形成する。各層の作成条件は、表３に示した。
０２部を形成する。各層の作成条件は、表３に示した。
まず、光源１１１からの放射光を原稿１０８面へ導くた
めの採光窓１１２を有する下部電極１１３をＣｒで形成
する。膜厚は１０００人であり、光学濃度は０Ｄ＝３で
ある。
めの採光窓１１２を有する下部電極１１３をＣｒで形成
する。膜厚は１０００人であり、光学濃度は０Ｄ＝３で
ある。
次にプラズマＣＶＤ法でアモルファスＳｉから成る三層
構造の光電変換層を形成し、光電変換層の上面に、透明
導電膜としてＩＴＯをＲＦスパッタ法で形成し、そのＩ
ＴＯに接触させて。
構造の光電変換層を形成し、光電変換層の上面に、透明
導電膜としてＩＴＯをＲＦスパッタ法で形成し、そのＩ
ＴＯに接触させて。
上部電極１１４として、ＡＱ膜を１μｍの膜厚で形成し
た。次に光電変換素子１０２と、ＴＦＴｌ［！動回路１
０４の両方の上部に、保護層１０５として同じ＜Ｐ−Ｃ
ＶＤ法ｔ”７モ／Ｌｚ７７ スＳ ｉ ： Ｏ： Ｎ膜
を形成した。
た。次に光電変換素子１０２と、ＴＦＴｌ［！動回路１
０４の両方の上部に、保護層１０５として同じ＜Ｐ−Ｃ
ＶＤ法ｔ”７モ／Ｌｚ７７ スＳ ｉ ： Ｏ： Ｎ膜
を形成した。
（以下余白）
各層の形状の形成は、Ｔ Ｆ Ｔ ＩＨ動回路１０４と
同様に、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて行な
った。基板１０１の表面側の各バターニングの後、裏面
側にＣｒを真空蒸着法で、１０００人製膜し端部遮光部
１０３を形成する。表面側のパターンはその基準位置を
５０ Ｘ ２５０ｍｍの基板に対して、定めているので
、端部遮光部１０３形成時のアライメントも基板に対し
て行なう。基板１０１の厚さは１．６ｍ閣であり、端部
遮光の短尺方向の長さは２−膳である。保護層１０５の
上に耐摩耗層としての厚さ５０μ論の薄板ガラス１０７
を接着剤１０６により接着した。その後、ダイシングソ
ーを用いて５Ｘ２５０■１の大きさに、パターンに沿っ
て切断した。画像情報の読取幅はＡ４サイズ対応とし、
読取密度８ｄｐｍで、光電変換素子１０２は長手方向に
１７２８ビット配列した。
同様に、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて行な
った。基板１０１の表面側の各バターニングの後、裏面
側にＣｒを真空蒸着法で、１０００人製膜し端部遮光部
１０３を形成する。表面側のパターンはその基準位置を
５０ Ｘ ２５０ｍｍの基板に対して、定めているので
、端部遮光部１０３形成時のアライメントも基板に対し
て行なう。基板１０１の厚さは１．６ｍ閣であり、端部
遮光の短尺方向の長さは２−膳である。保護層１０５の
上に耐摩耗層としての厚さ５０μ論の薄板ガラス１０７
を接着剤１０６により接着した。その後、ダイシングソ
ーを用いて５Ｘ２５０■１の大きさに、パターンに沿っ
て切断した。画像情報の読取幅はＡ４サイズ対応とし、
読取密度８ｄｐｍで、光電変換素子１０２は長手方向に
１７２８ビット配列した。
〈実施例４〉
（遮光部を基板裏面に設けたケース）
本実施例では、端部遮光部１０３として、多結晶Ｓｉ膜
を使用した。形状的には、〈実施例３〉での第７図と同
じである。形成方法は、基本的には〈実施例３〉と同一
であるが、ＴＰＴｌ［！動回路１０４の各層をＬＰ−Ｃ
ＶＤ法で製膜する時に、基板の両側に製膜される多結晶
Ｓｉ膜の裏面側に製膜された多結晶Ｓｉ膜を除去せずに
、端部遮光として用いる。膜厚は、活性層の１１００人
とゲート電極の３０００人とで合計４１００人である。
を使用した。形状的には、〈実施例３〉での第７図と同
じである。形成方法は、基本的には〈実施例３〉と同一
であるが、ＴＰＴｌ［！動回路１０４の各層をＬＰ−Ｃ
ＶＤ法で製膜する時に、基板の両側に製膜される多結晶
Ｓｉ膜の裏面側に製膜された多結晶Ｓｉ膜を除去せずに
、端部遮光として用いる。膜厚は、活性層の１１００人
とゲート電極の３０００人とで合計４１００人である。
アライメントは〈実施例３〉と同様に行ない、ドライ・
エツチングでパターンを形成した。この多結晶Ｓｉ膜に
よる端部遮光１０３の短尺方向の長さは、２ＩＩＩｍで
ある０本実施例のように、多結晶Ｓｉ膜を基板裏面側の
端部遮光部に使用する場合には、ＴＰＴ駆動回路１０４
を形成する際に、ＬＰ−ＣＶＤ法では基板裏面にも多結
晶Ｓｉ膜が自ずと製膜されるので、何らかの膜を改めて
製膜する必要が無く、工程は短縮化される。
エツチングでパターンを形成した。この多結晶Ｓｉ膜に
よる端部遮光１０３の短尺方向の長さは、２ＩＩＩｍで
ある０本実施例のように、多結晶Ｓｉ膜を基板裏面側の
端部遮光部に使用する場合には、ＴＰＴ駆動回路１０４
を形成する際に、ＬＰ−ＣＶＤ法では基板裏面にも多結
晶Ｓｉ膜が自ずと製膜されるので、何らかの膜を改めて
製膜する必要が無く、工程は短縮化される。
本発明の構成を採ることにより、基板端面からの反射光
や、光源からの余分な直接光をさえぎることができ、画
像読取時のＳ／Ｎを向上させることかでき、高性能、高
信頼性、小型化を実現できた。
や、光源からの余分な直接光をさえぎることができ、画
像読取時のＳ／Ｎを向上させることかでき、高性能、高
信頼性、小型化を実現できた。
さらに、基板端部の遮光部は、下部電極（または上部電
極）を形成する工程で、あるいはＴＰＴの活性層を形成
する工程で、同時に形成することができるので、工程数
を増やすことなく前記した効果を達成することが出来る
。
極）を形成する工程で、あるいはＴＰＴの活性層を形成
する工程で、同時に形成することができるので、工程数
を増やすことなく前記した効果を達成することが出来る
。
第１図は１本発明の実施例１のイメージセンサ断面図で
ある。第２図は、本発明の実施例１により得られた効果
の結果を示した図である。 第３図は、従来型イメージセンサにより得られた結果を
示した図である。第４図は、本発明の実施例２のイメー
ジセンサ断面図である。第５図は、第４図に示した本発
明実施例２により得られた効果の結果を示した図である
。第６図は、遮光部を基板表面端部に設ける場合、その
巾とそれによる効果を説明するための基板端部拡大図で
ある。第７図は、遮光部を基板裏面に設けた実施例３，
４に相当するイメージセンサの断面図である。 １０１・・・石英基板 １０２・・・光電変換素子１
０３・・・端部遮光部 １０４・・・ＴＦＴＩＩ！動回
路１０５・・・保護層 １０６・・・接着剤１０７
・・・薄板ガラス １０８・・・原稿１０９・・・プラ
テンローラー １１０・・・アルミベース１１１・・・光源１１２・・
・採光窓 １１３・・・下部電極１１４・・・上部
電極 １１５・・・アルミベーススリット １２０・・・基板側面 第２ 図 第３ 図 ビット数 第５ 図 Ａ４サイズ出力；度刑 １［ 第６図
ある。第２図は、本発明の実施例１により得られた効果
の結果を示した図である。 第３図は、従来型イメージセンサにより得られた結果を
示した図である。第４図は、本発明の実施例２のイメー
ジセンサ断面図である。第５図は、第４図に示した本発
明実施例２により得られた効果の結果を示した図である
。第６図は、遮光部を基板表面端部に設ける場合、その
巾とそれによる効果を説明するための基板端部拡大図で
ある。第７図は、遮光部を基板裏面に設けた実施例３，
４に相当するイメージセンサの断面図である。 １０１・・・石英基板 １０２・・・光電変換素子１
０３・・・端部遮光部 １０４・・・ＴＦＴＩＩ！動回
路１０５・・・保護層 １０６・・・接着剤１０７
・・・薄板ガラス １０８・・・原稿１０９・・・プラ
テンローラー １１０・・・アルミベース１１１・・・光源１１２・・
・採光窓 １１３・・・下部電極１１４・・・上部
電極 １１５・・・アルミベーススリット １２０・・・基板側面 第２ 図 第３ 図 ビット数 第５ 図 Ａ４サイズ出力；度刑 １［ 第６図
Claims (1)
- １、絶縁性透明基板と、その上に形成、配列された光電
変換素子および採光窓をもつイメージセンサにおいて、
前記絶縁性透明基板の表裏いずれかまたは、両面の端部
付近の少くとも１部に遮光部を設けたことを特徴とする
イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235952A JPH0399467A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235952A JPH0399467A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0399467A true JPH0399467A (ja) | 1991-04-24 |
Family
ID=16993645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1235952A Pending JPH0399467A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0399467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401265B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2004-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터형 광 감지소자 |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP1235952A patent/JPH0399467A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401265B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2004-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터형 광 감지소자 |
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