JPH03187006A - ２端子磁気ヘッド用記録再生増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ヘッド用記録再生増幅器に関し、特に２
端子薄膜磁気ヘツドの記録再生増幅技術に適用して有効
な技術に関する。

〔従来の技術〕

一般に磁性面記録媒体に対する情報の記録再生を行う手
段として磁気ヘッドが知られている。

たとえば、磁性面記録媒体の一種である磁気ディスクを
記録媒体として用いる磁気ディスク装置などにおいては
、高記録密度を達成する一手段として、２端子薄膜磁気
ヘツドおよび２端子薄膜磁気ヘッド用記録再生増幅器が
用いられるようになってきた。

すなわち、２端子薄膜磁気ヘツドは、それ以前のフェラ
イトを用いたセンタータップを有する３端子モノリシツ
ク型磁気ヘツドに比較して高記録密度の遠戚に好適であ
ることが知られているが、特に、インダクタンスが小さ
いという特徴がある。

従って、２端子薄膜磁気ヘツド用の記録再生増幅器にお
いては、再生時、ヘッドのインダクタンスと再生増幅器
の入力容量および入力インピーダンスにより発生するヘ
ッドインピーダンス雑音が、モノリシック型のフェライ
トヘッドに比して再生帯域内では小さくなるため、当該
フェライトヘッドの場合には必須であった、ヘッド端子
間に接続されるヘッドインピーダンス低減用の比較的小
さな値のダンピング抵抗素子は不要であった。

一方、２端子薄膜磁気ヘツドの場合、モノリシック型の
フェライトヘッドに比較して直流抵抗値が大きいという
欠点があり、特に、高密度記録達成の目的で、低下する
Ｓ／Ｎ比を補うためのヘッドのコイルパターンのターン
数を増加させる場合には、ターン数の増加とともに直流
抵抗値も大きくなる。

たとえば、現在−殻内に使用されている２端子薄膜磁気
ヘツドなどにおいては、ターン数が３０の場合で、直流
抵抗値が約２５〜３００程度と言われている。

こうして、ヘッドの直流抵抗値がある程度以上大きくな
ると、ヘッド抵抗と、これに対する再生増幅器の人力イ
ンピーダンスおよびヘッド間に接続されたダンピング抵
抗との合成抵抗値により、再生時にヘッド端子間に発生
する再生出力が分圧され、再生増幅器への入力がその分
だけ小さくなるという影響が無視できなくなる。このた
め、ヘッド間に接続されたダンピング抵抗の値はある程
度以下にすることはできない。

また、一方、２端子薄膜磁気ヘツドを記録増幅器によっ
て駆動する場合、たとえば記録媒体やヘッド自体の特性
試験その他の目的で、ヘッドに印加する記録電流値を変
化させる場合には、記録電流波形のオーバーシュートが
大きく変化してしまい最適電流波形からずれるという問
題がある。

この記録電流の最適化については、たとえば、特公平１
−２５１３０に記載されているように、電流値切替用の
スイッチと、その設定値をアナログ値に変換するディジ
タル／アナログ変換器とをヘッド駆動用トランジスタの
電流供給部に接続し、スイッチの設定値によって駆動ト
ランジスタの電流値を可変にすることにより、記録電流
量の変化にかかわりなく、記録電流の波形のオーバーシ
ュートを回避しようとすることが考えられる。

〔発明が解決しようとする課題〕

とこうが、当該従来技術においては、記録電流波形の最
適化についてはそれなりの効果が得られるものの、２端
子薄膜磁気ヘツドの抵抗増加による前述のような再生出
力の低下に対する対策についてはなんら言及しておらず
、記録電流波形の最適化と、抵抗増による再生出力の低
下防止とを両立させることができないという問題がある
。

さらに前記従来技術では、記録電流波形の最適化のため
にディジタル／アナログ変換器やスイッチなどの複雑で
高価な回路素子が必要となり、回路の複雑化および規模
の増大を招くという問題もある。

そこで、本発明の目的は、記録電流波形の適正化と、再
生時における再生出力の低下防止とを両立させることが
可能な磁気ヘッド用記録再生増幅器を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、製造原価の低減および動作の信頼
性の向上を実現することが可能な２１子磁気ヘッド用記
録再生増幅器を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、磁気記録媒体側の記録密度
の向上に容易に対応することが可能な２端子磁気ヘッド
用記録再生増幅器を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明になる２端子磁気ヘッド用記録再生増
幅器は、磁気ヘッドに記録電流を供給する記録増幅部と
、記録すべき情報に対応した信号を記録増幅部に供給す
る信号レベル変換部と、磁気ヘッドより再生させる信号
を増幅する再生増幅部とからなる磁気ヘッド用記録再生
増幅器であって、磁気ヘッドの端子と記録増幅部に接続
された基準電圧源との間に介設された抵抗素子からなる
第１のダンピング手段と、記録時に作動するスイッチ手
段とこのスイッチ手段に直列に接続される抵抗素子とか
らなり、第１のダンピング手段に対して並列に、磁気ヘ
ッドの端子と記録増幅部に接続された基準電圧源との間
に介設された第２のダンピング手段とを設けたものであ
る。

〔作用〕

本発明の２端子磁気ヘッド用記録再生地幅器では、第１
のダンピング手段を構成する抵抗素子は再生時に作用す
る。すなわち、第１のダンピング手段は、再生増幅器と
並列接続されて合成抵抗となる。ところで、前述のよう
に、高密度記録の実現などの目的で、薄膜磁気ヘッドの
コイルパターンのターン数を多くすることによりヘッド
抵抗値が前記合成抵抗に対して無視できない程度に大き
い場合には、ヘッドの両端に発生する再生出力はヘッド
抵抗と合成抵抗との間で分圧され、そのぶん再生増幅器
に人力される出力が減るので、この観点からは第１のダ
ンピング手段の抵抗値は大きいことが望ましい。

一方、ヘッドのインダクタンスおよび再生増幅器の入力
容量と前記合成抵抗などによって生じるヘッドインピー
ダンスノイズを減少させるという観点からは、当該合成
抵抗は小さい方が望ましい。

従って、分圧後の再生出力値とヘッドインピーダンスノ
イズ値との兼ね合いから最良のＳ／Ｎ比が得られたとこ
ろに第１のダンピング手段の最適な抵抗値が定まり、通
常、これをみたす第１のダンピング手段の抵抗値は数に
Ωとなる。

また、第１のダンピング手段と並列に設けられた第２の
ダンピング手段は、たとえば基準電圧源にアノード側が
接続されるダイオードなどのスイッチ手段と抵抗素子と
を直列に接続した構成となっており、たとえば、後述の
実施例において示されるように、記録増幅部を構成する
トランジスタのコレクタとエミッタとの間に並列に接続
される。

このため、記録時には、記録増幅部を構成するトランジ
スタのＶｌｌ！（ベース・エミッタ間電圧）による電圧
降下分と、スイッチ手段であるダイオードにおける電圧
降下分が等しくなり、当該ダイオードに直列に接続され
ている抵抗素子がヘッドに並列に接続されたことと等価
になる。したがって、第２のダンピング手段は、記録時
にダンピング抵抗として作用し、当該第２のダンピング
手段の抵抗値を所望の値にすることにより、記録電流波
形を最適化することができる。たとえば、記録電流波形
のオーバーシュート量を１０％程度とするためには、第
２のダンピング手段の抵抗値は数百Ω程度となる。

このことは、再生時と記録時とにおけるダンピングの最
適値が異なることを意味しており、従来のような単一の
ダンピングを設けるだけでは実現不可能である。

ところが、本発明の場合には、第２のダンピング手段は
スイッチ手段の作用によって再生時にはダンピングとし
て機能しないので、記録時と再生時とで異なるダンピン
グ値を実現することができる。

すなわち、再生時にヘッドに発生する再生出力は、通常
、数百μｖｐ−（波形のピークからピークまでの値）と
充分に小さく、これに対してダイオードの動作電圧は通
常８００ｍＶとはるかに大きいため再生時にはダイオー
ドがＯＮＬないからである。

また、第２のダンピング手段の構成要素として、さらに
コンデンサなどの容量素子を付加することにより、当該
コンデンサは直流電流は通さず、過渡電流のみ通す性質
があるので、第２のダンピング手段によるダンピング効
果をヘッドに印加される記録電流の反転時のみ有効にす
ることができる。

従って、本発明の２端子磁気ヘッド用記録再生増幅器に
よれば、記録時における記録電流波形の適正化と、再生
時における再生出力の低下防止とを両立させることが可
能となる。

また、本発明の場合には、たとえば少数のダイオードや
抵抗素子を用いるだけなので、従来のように、スイッチ
やディジタル・アナログ変換器などのような複雑で高価
な回路素子などを必要とせず、製造原価の低減および動
作の信頼性の向上を実現することができる。

また、磁気記録媒体側における記録密度の増大に伴って
、単位情報を保持する磁気エネルギは減少し、情報の再
生のためには、薄膜磁気へラドにおける巻き線パターン
のターン数を多くして磁気エネルギの検出感度を大きく
する必要があるが、本発明の場合には、上述のように、
直流抵抗値の増大を懸念することなくターン数の増加を
実現することが可能であり、磁気記録媒体における記録
密度の増大に容易に対応することができる。

〔実施例１〕 以下、本発明の一実施例である２端子磁気ヘッド用記録
再生増幅器の一例について図面を参照し社から説明する
。

第１図は、本発明の一実施例である２端子磁気ヘッド用
記録再生増幅器の構成の一例を模式的に示す回路図であ
る。

２端子薄膜磁気へラド２に接続される記録増幅器１は、
エミッタ側が当該２端子薄膜磁気ヘツド２に接続されコ
レクタ側が任意の基準電圧源Ｖｌに接続されて上段部を
構成するトランジスタ１０１、トランジスタ１０２と、
コレクタ側が当該２端子薄膜磁気ヘツド２に接続されて
下段部を構成するトランジスタ１０３．）ランジスタ１
０４とを備えている。

そして、上段部のトランジスタ１０１と下段部のトラン
ジスタ１０４、および上段部のトランジスタ１０２と下
段部のトランジスタ１０３がそれぞれ組となり、各組ど
うしが交互に０Ｎ１０ＦＦを繰り返すことにより、２端
子薄膜磁気へラド２に流れる記録電流を交互に反転させ
る動作を行っている。

下段部を構成するトランジスタ１０３および１０４のベ
ース側には、抵抗１０５および抵抗１０Ｇが接続されて
おり、ベース電位の変化に応じた当該トランジスタ１０
３および１０４の０Ｎ１０ＦＦ動作を遅延させることに
より２端子薄膜磁気へラド２の反転時間との整合が図ら
れている。

下段部を構成するトランジスタ１０３およびｌＯ４のエ
ミッタ側には、スイッチ１４を介して電流［１１が接続
されており、記録増幅器１に電流■、を供給している。

３は記録増幅器１を構成する上段部のトランジスタ１０
１および１０２を駆動する上段用記録レベル変換器であ
り、複数の抵抗１０９および抵抗１１０と、複数のトラ
ンジスタ１０７およびトランジスタ１０８を備えている
。

上段用記録レベル変換器３を構成するトランジスタ１０
７および１０８のエミッタ側には、スイッチ１３を介し
て電流源ｌＯが接続されており、当該上段用記録レベル
変換器３に対して電流りを供給している。

記録増幅器１の下段側のトランジスタ１０３および１０
４のベース側には、前記抵抗１０５および１０６を介し
て、下段用信号レベル変換器７が接続されている。

下段用信号レベル変換器７および前記上段用記録レベル
変換器３は、外部から到来するディジタルの記録信号２
０１をたとえばフリップ・フロップなどによってカウン
トダウンし、互いに逆位相の記録信号２０２および記録
信号２０３に変換する第１記録レベル変換器６に並列に
接続されている。

下段用信号レベル変換器７は、第１記録レベル変換器６
から入力される記録信号２０２および記録信号２０３に
基づいて、記録増幅器１の上段のトランジスタ１０１お
よび１０２のベース電位よりも低いレベルで互いに逆位
相となる記録信号２０４および記録信号２０５を生成し
て下段側のトランジスタ１０３および１０４に与える動
作を行っている。

このような、記録信号２０１〜２０５と、２端子薄膜磁
気へラド２に印加される記録電流との関係の一例を第２
図に示す。

一方、２端子薄膜磁気ヘツド２には、当該２端子薄膜磁
気ヘツド２の端子間に生ずる再生出力波形の初段増幅を
行う再生増幅器８が接続されている。

この再生増幅器８は、ベース側が２端子薄膜磁気ヘツド
２のぞれぞれの端子に接続された初段増幅用のトランジ
スタ１１７およびトランジスタ１１８と、このトランジ
スタ１１７および１１８のコレクタ側にそれぞれエミッ
タが接続されたカスケード接続用のトランジスタ１２３
およびトランジスタ１２４と、当該トランジスタ１２３
，１２４のコレクタ側に設けられた複数の負荷抵抗１２
５および負荷抵抗１２６とで構成されている。

このように、カスケード接続とすることにより、再生増
幅器８の入力容量が当該再生増幅器８のゲイン倍されて
見えるいわゆるミラー容量の発生を防止してノイズを低
減することができる。

トランジスタ１２３および１２４のベース側、およびコ
レクタ側には、電圧源＋Ｖ２　および電圧源＋Ｖ３が接
続されており、任意のレベルの動作電圧を与えている。

また、初段増幅用のトランジスタ１１７および１１８の
エミッタ側には、再生時にＯＮとなるスイッチ１５を介
して電流源１２が接続されており、電流ｆ３を供給して
いる。

この再生増幅器８には、当該再生増幅器８を構成するト
ランジスタ１２３および１２４のコレクタ側に得られる
再生出力を受けてさらに後段増幅を行う増幅器９が接続
されており、再生出力２０６および再生出力２０７を出
力している。

２端子薄膜磁気ヘツド２の端子と基準電圧源Ｖとの間に
は、複数の抵抗１１１および抵抗１１２で構成される第
１ダンピング４が設けられている。

すなわち、第１ダンピング４を構成する複数の抵抗１１
１および１１２は、再生時において２端子薄膜磁気ヘツ
ド２のダンピング抵抗として作用すると同時に、再生増
幅器８を構成するトランジスタ１１７および１１８のベ
ースバイアスを供給する。

ここで、第３図に示されるように、ヘッドインピーダン
スは、２端子薄膜磁気ヘツド２の端子間に差動に生じる
当該２端子薄膜磁気ヘツド２のインダクタンスＬと、再
生増幅器８の差動入力容量と当該２端子薄膜磁気ヘツド
２の端子間に付く差動浮遊容量の合計容量Ｃと、第１ダ
ンピング４に対し、当該第１ダンピング４を構成する抵
抗１１１および１１２に並列接続される再生増幅器８の
差動抵抗値Ｒになる、Ｌ、Ｃ，Ｒによって生じる。

このとき、Ｌ、Ｃおよび再生増幅器８の入力インピーダ
ンスが一定であるとすると、第１ダンピング４の抵抗１
１１および１１２を小さくすることにより、同図に示さ
れるように、再生帯域内のヘッドインピーダンスを低減
することが可能である。

ところで、第４図に示されるように、前述の差動抵抗値
Ｒと、２端子薄膜磁気へラド２の抵抗値による分圧によ
って、２端子薄膜磁気ヘツド２の端子間に生じる再生出
力が再生増幅器８に入力される段階で減少してしまい、
この再生出力の減少を最小限にとどめるためには、同図
に示されるように、第１ダンピング４の抵抗値を大きく
する必要がある。

すなわち、ヘッドインピーダンスを抑制し、しかも再生
出力の減少を防止して最良のＳ／Ｎ比を得るための第１
ダンピング４の抵抗１１１および抵抗１１２の値には最
適値が存在し、一般には数にΩ程度の値となる。

本実施例の場合、さらに、２端子薄膜磁気ヘツド２の端
子と基準電圧源ｖ１　　との間には、たとえば数百Ω程
度の複数の抵抗１１３および抵抗１１４の各々にダイオ
ード１１５（スイッチ手段〉およびダイオード１１６（
スイッチ手段〉を直列に接続して構成される第２ダンピ
ング５が、前記第１ダンピング４と並列に設けられてい
る。

この第２ダンピング５は、ダイオード１１５および１１
６のアノード側が基準電圧源ｖ１　　に接続されている
とともに、当該ダイオード１１５および１１６に直列な
抵抗１１３および１１４が２端子薄膜磁気へラド２の端
子に接続される構成となっており、後述のようにして記
録時にのみダンピングとして機能するものである。

以下、本実施例の２端子磁気ヘッド用記録再生増幅器の
作用の一例について説明する。

まず、記録時において、記録増幅器１のトランジスタ１
０２とトランジスタ１０３の組がＯＮの時の動作を説明
する。無油、逆のトランジスタ１０１とトランジスタ１
０４の組がＯＮの場合もまったく同様であることは言う
までもない。

いま、トランジスタ１０２がＯＮの時は、上役用記録レ
ベル変換器３においてはトランジスタ１０７がＯＮ、）
ランジスタ１０８がＯＦＦの状態であり、このときトラ
ンジスタ１０２のベースレベルは、ベース電流を無視す
れば基準電圧源Ｖ１の電位（以下ｖＩ　　と記す）と等
しいレベルとなる。

一方、トランジスタ１０１のベースは基準電圧源Ｖ＋　
の電位よりも、抵抗１０９と電流■、による電圧降下分
だけ低いレベルとなる。したがって、トランジスタ１０
２のエミッタ電位は、Ｖｌ　よりもＩ　Ｖｌｌ！だけ下
がったレベルとなる。このため、トランジスタ１０２の
エミッタに接続された第２ダンピング５の抵抗１１３に
は電流が流れない。

これは、当該抵抗１１３に直列に接続されているダイオ
ード１１５のカソード側のレベルがＶｌよりもＩＶ＋＋
ｉ下がったレベルとなるためである。

一方、第２ダンピング５において、トランジスタ１０１
のエミッタ側に接続された抵抗１１４とダイオード１１
６の場合、トランジスタ１０２と２端子薄膜磁気ヘツド
２が、基準電圧源Ｖ１　　とトランジスタ１０１のエミ
ッタ間で並列接続されることとなるため、当該ダイオー
ド１１６がＯＮ状態となり、トランジスタ１０２のエミ
ッタとダイオード１１６のカソード側は同電位となる。

よって記録電流Ｉ２　は２端子薄膜磁気ヘツド２と抵抗
１１４に分流される。

これは、抵抗１１４が２端子薄膜磁気へラド２の両端子
間に接続されるダンピング抵抗となることと等価である
。

従って、抵抗１１４の抵抗値を任意に変えることにより
、第５図に示したように、オーバーシュート量を抑え、
記録電流波形が最適となるように調整することが可能と
なる。

たとえば、巻き線パターンのターン数が３０ターンの薄
膜磁気ヘッドの場合、抵抗１１４の値を数百Ω程度とす
ることにより、最適な記録電流波形を得ることができる
。

また、このとき、第１ダンピング４の抵抗１１１および
１１２にも電流が流れるが、前述のように抵抗値が数に
Ωと大きいため上記ダンピング効果に対する寄与は小さ
い。

一方、再生時においては、２端子薄膜磁気ヘツド２の端
子間に生じる再生波形のレベルは高々数百μＶＰ−，と
、ダイオード１１５および１１６のＯＮに必要な８００
ｍＶ程度の電位差よりもはるかに小さいため、当該ダイ
オード１１５および１１６はＯＮしない。

このため、再生時には抵抗１１３および１１４には電流
が流れず、第２ダンピング５は再生時におけるダンピン
グとして作用せず、ダンピング抵抗側への分圧に起因す
る再生出力の低下を防止できる。

このように、本実施例の２端子磁気ヘッド用記録再生増
幅器によれば、第１ダンピング４および第２ダンピング
５が再生時および記録時においてそれぞれ的確なダンピ
ング作用を行うので、再生時は第１ダンピング４を構成
している抵抗１１１および抵抗１１２の値を適宜設定す
ることにより、最良のＳ／Ｎ比を得ることができ、しか
も記録時には第２ダンピング５を構成する抵抗１１３お
よび抵抗１１４の値を適宜設定することにより、記録電
流波形を最適化することができ、再生時におけるノイズ
低減および再生出力低下の防止と記録時における記録電
流波形の適正化とを両立させることが可能となる。

この結果、２端子薄膜磁気ヘツド２におけるターン数の
増加に伴う直流抵抗値の増大に起因する再生出力の低下
を懸念することなく、磁気記録媒体側における記録密度
増大（単位情報を保持する磁気エネルギの低下）に呼応
して、当該２端子薄膜磁気ヘツド２におけるターン数の
増加を実現することができ、磁気記録媒体における一層
の高記録密度を達成することができる。

また、再生増幅器８においては、複数のトランジスタ１
２３．１２４およびトランジスタ１１７゜１１８をカス
ケード接続する構成としたことにより、再生増幅器８に
おける入力容量の低減が可能となり、ノイズ低減に寄与
できるとともに、複数の２端子薄膜磁気ヘツド２の各々
に対応した複数組のトランジスタ１１７および１１８を
、トランジスタ１２３および１２４のエミッタ側に並列
に接続することにより、チャネル（ヘッド）セレクト構
成を容易に実現できる。

また、′！Ｊ１ダンピング４および第２ダンピング５が
、少数の抵抗素子とダイオードなどの簡単な回路素子で
構成されているので、たとえばディジタル・アナログ変
換器などの複雑な回路部品を用いる必要がなく、製造原
価の低減および動作の信頼性の向上を実現することがで
きる。

〔実施例２〕 第６図は、本発明の他の実施例である２端子磁気ヘッド
用記録再生増幅器の要部を示す回路図である。

本実施例２の場合には、前記実施例１における第２ダン
ピング５に相当する第２ダンピング５Ａを、複数のダイ
オード１１５ａおよびダイオード１１６ａと、複数の抵
抗１１３ａおよび抵抗１１４ａと、複数のコンデンサ１
２１およびコンデンサ１２２をそれぞれ直列に接続した
構成とすることにより、当該第２ダンピング５Ａが、記
録電流の反転時にのみダンピング作用をなすようにした
ものである。

すなわち、コンデンサ１２１および１２２が直流成分は
遮断し交流成分のみ通す性質を利用して、たとえば、当
該コンデンサ１２１および１２２の容量を、記録・再生
信号の周波数を透過させるバスコンデンサと同等の容量
にすることにより、記録電流のオーバーシュートが最大
になる反転時に的確にダンピング作用を行わせることが
できるとともに、たとえば、コンデンサ１２１および１
２２の容量と、抵抗１１３ａおよび１１４ａの組み合わ
せを適宜選ぶことにより、記録電流波形をより最適に調
整することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、第２のダンピング手段を構成するスイッチ手
段としては、上記の各実施例に例示したようなダイオー
ドに限らず、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ、アナログ・スイ
ッチ、チェナー・ダイオードなどを用いてもよい。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。

すなわち、本発明になる２端子磁気ヘッド用記録再生増
幅器によれば、磁気ヘッドに記録電流を供給する記録増
幅部と、記録すべき情報に対、応した信号を前記記録増
幅部に供給する信号レベル変換部と、前記磁気ヘッドよ
り再生させる信号を増幅する再生増幅部とからなる磁気
ヘッド用記録再生増幅器であって、前記磁気ヘッドの端
子と前記記録増幅部に接続された基準電圧源との間に介
設された抵抗素子からなる第１のダンピング手段と、記
録時に作動するスイッチ手段と当該スイッチ手段に直列
に接続される抵抗素子とからなり前記第１のダンピング
手段に対して並列に前記磁気ヘッドの端子と前記記録増
幅部に接続された基準電圧源との間に介設された第２の
ダンピング手段とを備えているので、第１のダンピング
手段および第２のダンピング手段の各々における抵抗素
子の抵抗値を適宜設定することにより、記録時および再
生時の各々に最適なダンピング特性を実現することが可
能となり、記録電流波形の適正化と、再生時における再
生出力の低下防止とを両立させることができる。

また、少数の抵抗素子やダイオードあるいはコンデンサ
のような簡単な回路素子を用いるだけなので、たとえば
ディジタル・アナログ変換器などの複雑や構成要素が不
要であり、製造原価の低減および動作の信頼性の向上を
実現することができる。

さらに、直流抵抗値の増大による弊害を懸念することな
く、２端子磁気ヘツドを構成する巻線パターンのターン
数を増加させて磁気エネルギの検出感度を向上させるこ
とができ、磁気記録媒体側における情報の記録密度の増
大に容易に対応することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例である２端子磁気ヘッド用
記録再生増幅器の構成の一例を模式的に示す回路図、 第２図は、記録信号と、２端子薄膜磁気ヘツドに印加さ
れる記録電流との関係の一例を示す線図、第３図は、２
端子薄膜磁気ヘッド用記録増幅器の特性の一例を説明す
る線図、 第４図は、同じく２端子薄膜磁気ヘッド用記録増幅器の
特性の一例を説明する線図、 第５図は、本発明の一実施例である２端子磁気ヘッド用
記録再生増幅器の作用の一例を従来の場合と対比して示
す線図、 第６図は、本発明の実施例２である２端子磁気ヘッド用
記録再生増幅器の要部の一例を示す回路図である。 １・・・記録増幅器、２・・・２端子薄膜磁気へラド（
２端子磁気ヘツド〉、３・・・上段用記録レベル変換器
、４・・・第１ダンピング（第１のダンピング手段）、
５・・・第２ダンピング（第２のダンピング手段）、５
Ａ・・・第２ダンピング（第２のダンピング手段）、６
・・・第１記録レベル変換器、７・・・下段用信号レベ
ル変換器、８・・・再生増幅器１．９・・・増幅器、１
０．１１．１２・・・電流源、１３．１４．１５・・ス
イッチ、１０１，１０２，１０３．１０４・・・トラン
ジスタ、１０５，１０６・・・抵抗、１０７，１０８・
・・トランジスタ、１０９゜１１０、　１１１．　１１
２．　１１３．　１１４　　・　・　・抵抗、１１５，
１１５ａ、１１６，１１６ａ＝・ダイオード（スイッチ
手段）、１１７．１１８・・・トランジスタ、１２１，
１２２・・・コンデンサ、１２３．１２４・・・トラン
ジスタ、１２５．１２６・・・負荷抵抗、２０１，２０
２゜２０３．２０４．２０５・・・記録信号、２０６゜
２０７・・・再生出力。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気ヘッドに記録電流を供給する記録増幅部と、記
   録すべき情報に対応した信号を前記記録増幅部に供給す
   る信号レベル変換部と、前記磁気ヘッドより再生させる
   信号を増幅する再生増幅部とからなる磁気ヘッド用記録
   再生増幅器であって、前記磁気ヘッドの端子と前記記録
   増幅部に接続された基準電圧源との間に介設された抵抗
   素子からなる第１のダンピング手段と、記録時に作動す
   るスイッチ手段と当該スイッチ手段に直列に接続される
   抵抗素子とからなり前記第１のダンピング手段に対して
   並列に前記磁気ヘッドの端子と前記記録増幅部に接続さ
   れた基準電圧源との間に介設された第２のダンピング手
   段とを備えたことを特徴とする２端子磁気ヘッド用記録
   再生増幅器。 ２、前記第２のダンピング手段を構成する前記スイッチ
   手段が、前記基準電圧源にアノード側が接続されるダイ
   オードからなることを特徴とする請求項１記載の２端子
   磁気ヘッド用記録再生増幅器。 ３、前記第２のダンピング手段に容量素子を直列に付加
   したことを特徴とする請求項１または２記載の２端子磁
   気ヘッド用記録再生増幅器。