JPH0318737B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0318737B2 JPH0318737B2 JP59269084A JP26908484A JPH0318737B2 JP H0318737 B2 JPH0318737 B2 JP H0318737B2 JP 59269084 A JP59269084 A JP 59269084A JP 26908484 A JP26908484 A JP 26908484A JP H0318737 B2 JPH0318737 B2 JP H0318737B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- etching
- temperature
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示電池、太陽電池、フオトマス
クなどに幅広く利用されている透明導電膜のエツ
チング方法に関するものである。
クなどに幅広く利用されている透明導電膜のエツ
チング方法に関するものである。
従来の技術
酸化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物を主
成分とする透明導電膜は、その形成時における基
板温度により性質が異なる。低温、たとえば数十
度で製膜した場合には酸に溶けやすく、シユウ
酸、希塩酸などによりエツチング可能である。一
方、高温、たとえば数百度にて製膜した場合、あ
るいはまた低温での製膜後にその製膜温度よりも
高い温度で熱処理を施した場合（たとえば、50℃
で製膜後に300℃で30分間の熱処理を行なう場
合）、その透明導電膜は容易には溶解せず、前記
のような弱酸ではエツチングされない。高温での
製膜、あるいは熱処理を施した透明導電膜のエツ
チングには工夫がなされており、たとえば次のよ
うな方法等がある。
成分とする透明導電膜は、その形成時における基
板温度により性質が異なる。低温、たとえば数十
度で製膜した場合には酸に溶けやすく、シユウ
酸、希塩酸などによりエツチング可能である。一
方、高温、たとえば数百度にて製膜した場合、あ
るいはまた低温での製膜後にその製膜温度よりも
高い温度で熱処理を施した場合（たとえば、50℃
で製膜後に300℃で30分間の熱処理を行なう場
合）、その透明導電膜は容易には溶解せず、前記
のような弱酸ではエツチングされない。高温での
製膜、あるいは熱処理を施した透明導電膜のエツ
チングには工夫がなされており、たとえば次のよ
うな方法等がある。
亜鉛粉末と塩酸を用いる方法は、基板全面に
透明導電膜を形成した後、レジストをコーテイ
ングし、このレジストをパターン化した後に
Zn粉末とともに基板を市販の濃塩酸（以下、
特にことわらないかぎり単にHClとする）に浸
すことにより前記透明導電膜の不要部分を除去
するが、あるいはZn粉末を前記透明導電膜の
不要部分にコーテイングした後にHCl中に浸す
ことにより、この不要部分を除去している。
透明導電膜を形成した後、レジストをコーテイ
ングし、このレジストをパターン化した後に
Zn粉末とともに基板を市販の濃塩酸（以下、
特にことわらないかぎり単にHClとする）に浸
すことにより前記透明導電膜の不要部分を除去
するが、あるいはZn粉末を前記透明導電膜の
不要部分にコーテイングした後にHCl中に浸す
ことにより、この不要部分を除去している。
金属膜のメツキを利用する方法は、基板上の
透明導電膜上にメツキにより金属層を形成し、
酸に浸すことによりエツチングを行なうもので
ある。
透明導電膜上にメツキにより金属層を形成し、
酸に浸すことによりエツチングを行なうもので
ある。
ドライエツチングは、透明導電膜上にレジス
トを塗膜しパターン化した後、真空槽内に装着
し、前記透明導電膜の不要部分をスパツタリン
グ等により除去するものである。
トを塗膜しパターン化した後、真空槽内に装着
し、前記透明導電膜の不要部分をスパツタリン
グ等により除去するものである。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、基板温度が低温の場合に形成さ
れた透明導電膜は容易にエツチングが可能な反
面、その耐薬品性の低さのために後に続く工程に
て種々の影響を受けやすく、洗浄に使用する薬品
に侵される等の問題が生ずる。透明導電膜を低温
で形成し、エツチングした後に直ちに熱処理をし
て用いる方法も考えられるが、低温形成の場合に
は膜の性質の再現性に難点があるためにエツチン
グ時間を規定できず、毎回終点を確認せねばなら
ないために量産では行なえない方法である。
れた透明導電膜は容易にエツチングが可能な反
面、その耐薬品性の低さのために後に続く工程に
て種々の影響を受けやすく、洗浄に使用する薬品
に侵される等の問題が生ずる。透明導電膜を低温
で形成し、エツチングした後に直ちに熱処理をし
て用いる方法も考えられるが、低温形成の場合に
は膜の性質の再現性に難点があるためにエツチン
グ時間を規定できず、毎回終点を確認せねばなら
ないために量産では行なえない方法である。
熱処理を施すか、または形成時の基板温度を高
くすれば安定した膜が得られるが、エツチングは
非常に困難になるため種々の工夫がなされている
が、それらの方法においては以下のような問題が
ある。
くすれば安定した膜が得られるが、エツチングは
非常に困難になるため種々の工夫がなされている
が、それらの方法においては以下のような問題が
ある。
Zn粉末およびHClを用いる方法では、Zn粉
末が飛散するために作業環境の悪化をまねき、
特に微細なパターニングのためにクリーンルー
ムを使用するような場合にはまつたく不適当で
ある。また、この方法によるエツチングパター
ンは一般的に荒く、シヤープなエツジを得るこ
とが不可能であり、数ミクロンというようなパ
ターンをエツチングすることはできない。
末が飛散するために作業環境の悪化をまねき、
特に微細なパターニングのためにクリーンルー
ムを使用するような場合にはまつたく不適当で
ある。また、この方法によるエツチングパター
ンは一般的に荒く、シヤープなエツジを得るこ
とが不可能であり、数ミクロンというようなパ
ターンをエツチングすることはできない。
透明導電膜上に金属層を形成した後に塩酸等
の酸に浸す方法では、この金属層を形成するた
めの工程が増加してしまうが、透明導電膜を直
接エツチングできるならば不要な工程である。
また、Zn粉末を用い前記の方法と比較すれば
やや良好なエツチングパターンを得られるもの
の改良が望まれる。
の酸に浸す方法では、この金属層を形成するた
めの工程が増加してしまうが、透明導電膜を直
接エツチングできるならば不要な工程である。
また、Zn粉末を用い前記の方法と比較すれば
やや良好なエツチングパターンを得られるもの
の改良が望まれる。
ドライエツチングを行なうには、基板を真空
槽内に装着し、真空にするための時間を要す
る。また、一度に処理できる基板数にも限度が
あるために、生産性はウエツトエツチングに比
して著しく劣る。
槽内に装着し、真空にするための時間を要す
る。また、一度に処理できる基板数にも限度が
あるために、生産性はウエツトエツチングに比
して著しく劣る。
問題点を解決するための手段
本発明においては、透明導電膜を形成する工
程、透明導電膜の形成温度が低い場合にはその形
成温度よりも高い温度で熱処理を行い、ヨウ化水
素酸に還元性弱酸を添加したエツチング液でエツ
チングすることにより、パターンを形成する。
程、透明導電膜の形成温度が低い場合にはその形
成温度よりも高い温度で熱処理を行い、ヨウ化水
素酸に還元性弱酸を添加したエツチング液でエツ
チングすることにより、パターンを形成する。
なおエツチング速度を向上させるためには、エ
ツチング液を昇温し、その際には弱酸は強還元性
を有するものを用いる。
ツチング液を昇温し、その際には弱酸は強還元性
を有するものを用いる。
作 用
本発明の方法では、エツチングのために使用す
る薬品等はすべて液体であり、作業環境に関して
粉末飛散等の問題はなく、また、ウエツトエツチ
ングであるため生産性は高い。また、金属と酸と
の反応による発生期の水素を利用するのではな
く、エツチング液としてのヨウ化水素酸そのもの
の高水素イオン濃度を利用するので、きわめて均
一なエツチング力が得られ微細パターンも容易に
エツチングが可能である。さらに、熱処理をほど
こした透明導電膜であるので、後工程での耐久性
も十分に得られる。
る薬品等はすべて液体であり、作業環境に関して
粉末飛散等の問題はなく、また、ウエツトエツチ
ングであるため生産性は高い。また、金属と酸と
の反応による発生期の水素を利用するのではな
く、エツチング液としてのヨウ化水素酸そのもの
の高水素イオン濃度を利用するので、きわめて均
一なエツチング力が得られ微細パターンも容易に
エツチングが可能である。さらに、熱処理をほど
こした透明導電膜であるので、後工程での耐久性
も十分に得られる。
実施例
図面にもとづいて実施例を説明する。
液晶表示パネル用の透明基板（たとえばコーニ
ング社＃7740）上に透明導電膜としてスパツター
法によりITO膜を形成する。次に安定性、均質性
を増すために大気中で450℃にて熱処理を行なう。
この熱処理は酸化物を扱うので真空中、N2ガス
中よりも大気中が望ましい。こうして形成された
状態を示すのが第１図であり、１はガラス基板、
２はITOである。
ング社＃7740）上に透明導電膜としてスパツター
法によりITO膜を形成する。次に安定性、均質性
を増すために大気中で450℃にて熱処理を行なう。
この熱処理は酸化物を扱うので真空中、N2ガス
中よりも大気中が望ましい。こうして形成された
状態を示すのが第１図であり、１はガラス基板、
２はITOである。
次にフオトレジスト（たとえばコダツク社
KMR−747）を塗布し、パターニングすること
により残す必要のある部分の上にレジスト膜を形
成する。第２図の３がこのレジストパターンを示
す。使用したパターンにおいて最狭部分の幅は
3μｍである。
KMR−747）を塗布し、パターニングすること
により残す必要のある部分の上にレジスト膜を形
成する。第２図の３がこのレジストパターンを示
す。使用したパターンにおいて最狭部分の幅は
3μｍである。
第３図はエツチング工程を示す。エツチングは
次の方法にて行なう。ヨウ化水素液（57％）に次
亜リン酸を体積比で３％添加する。これは次の理
由による。ヨウ化水素酸は光と空気、厳密には紫
外線と酸素の共存により容易に分解しヨウ素を遊
離してしまうため、当初は無色透明な液体がわず
か数時間で着色し、液中に浸すものが見えないよ
うになり、同時にエツチング液として不適当なも
のとなる。そこで、この分解を防ぐために次亜リ
ン酸を添加し、さらに紫外線の影響を避けるため
にイエロールームにて使用する。また、エツチン
グレートを高めるためにこのエツチング液を50な
いし60℃にて加熱する。室温でもITOのエツチン
グは可能であるが、エツチングレートはきわめて
遅く、実用上適さない。このエツチングレートは
40℃付近で急激に大きくなり数百Å／mm以上のレ
ートが得らるようになり、さらに液温の上昇とと
もに大きくなる。一方、高温のエツチヤントを用
いる場合にはレジストの密着力が問題となり、お
よそ80℃以上ではエツチング終了以前にレジスト
が剥離してしまうか、または密着不良を引き起こ
して極端なアンダーカツトを生ずる。
次の方法にて行なう。ヨウ化水素液（57％）に次
亜リン酸を体積比で３％添加する。これは次の理
由による。ヨウ化水素酸は光と空気、厳密には紫
外線と酸素の共存により容易に分解しヨウ素を遊
離してしまうため、当初は無色透明な液体がわず
か数時間で着色し、液中に浸すものが見えないよ
うになり、同時にエツチング液として不適当なも
のとなる。そこで、この分解を防ぐために次亜リ
ン酸を添加し、さらに紫外線の影響を避けるため
にイエロールームにて使用する。また、エツチン
グレートを高めるためにこのエツチング液を50な
いし60℃にて加熱する。室温でもITOのエツチン
グは可能であるが、エツチングレートはきわめて
遅く、実用上適さない。このエツチングレートは
40℃付近で急激に大きくなり数百Å／mm以上のレ
ートが得らるようになり、さらに液温の上昇とと
もに大きくなる。一方、高温のエツチヤントを用
いる場合にはレジストの密着力が問題となり、お
よそ80℃以上ではエツチング終了以前にレジスト
が剥離してしまうか、または密着不良を引き起こ
して極端なアンダーカツトを生ずる。
したがつて、40℃〜80℃の範囲での使用が適当
であり、この実施例では50℃〜60℃にて使用し
た。図中の４がHI：H3PO2（97：３）のエツチン
グ液である。レジストが存在する透明導電膜の必
要部分を残して他の部分はエツチング除去され
る。
であり、この実施例では50℃〜60℃にて使用し
た。図中の４がHI：H3PO2（97：３）のエツチン
グ液である。レジストが存在する透明導電膜の必
要部分を残して他の部分はエツチング除去され
る。
その後に、第４図に示すようにレジスト剥離液
５で前記レジストを除去する。
５で前記レジストを除去する。
以上のようにして、第５図に示すようにガラス
基板上に必要とする透明導電膜による電極パター
ンが得られる。
基板上に必要とする透明導電膜による電極パター
ンが得られる。
発明の効果
本発明の方法によれば、熱処理がなされた安定
性の高い透明導電膜を量産性をもつて２〜3μｍ
という微細なパターンにエツチングすることが可
能であり、従来のような金属粉末の飛散あるいは
金属層形成のための工程増加、パターンエツジの
荒れなどの問題が解消される。
性の高い透明導電膜を量産性をもつて２〜3μｍ
という微細なパターンにエツチングすることが可
能であり、従来のような金属粉末の飛散あるいは
金属層形成のための工程増加、パターンエツジの
荒れなどの問題が解消される。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図はそ
れぞれ本発明の実施例を示すガラス基板上のITO
のエツチング工程図である。 １……ガラス基板、２……ITO、３……レジス
ト、４……エツチング液、５……レジスト剥離
液。
れぞれ本発明の実施例を示すガラス基板上のITO
のエツチング工程図である。 １……ガラス基板、２……ITO、３……レジス
ト、４……エツチング液、５……レジスト剥離
液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に金属酸化物を主成分とする透明
導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜の形成
工程が低温の場合には前記透明導電膜の形成温度
よりも高い温度で熱処理する工程と、前記透明導
電膜をヨウ化水素酸に還元性弱酸を添加したエツ
チング液でエツチングすることによりパターン化
する工程とからなることを特徴とする、透明電極
パターンの形成方法。 ２ ヨウ化水素酸を40℃〜80℃に昇温して用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の透
明電極パターンの形成方法。 ３ 還元性弱酸が、次亜リン酸もしくは次亜塩素
酸の内の少なくとも何れかを含むことを特徴とす
る、特許請求の範囲第１項記載の透明電極パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269084A JPS61145529A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 透明電極パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269084A JPS61145529A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 透明電極パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145529A JPS61145529A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0318737B2 true JPH0318737B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=17467444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269084A Granted JPS61145529A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 透明電極パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145529A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2644743B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2808480B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 |
| JP4897148B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2012-03-14 | 富士技研工業株式会社 | 透明導電膜のエッチング液 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5789480A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Seiko Epson Corp | Etchant for transparent electric conductive film |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP59269084A patent/JPS61145529A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145529A (ja) | 1986-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |