JPS6227154B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6227154B2 JPS6227154B2 JP9047778A JP9047778A JPS6227154B2 JP S6227154 B2 JPS6227154 B2 JP S6227154B2 JP 9047778 A JP9047778 A JP 9047778A JP 9047778 A JP9047778 A JP 9047778A JP S6227154 B2 JPS6227154 B2 JP S6227154B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printing
- weight
- selective etching
- parts
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- FMZUHGYZWYNSOA-VVBFYGJXSA-N (1r)-1-[(4r,4ar,8as)-2,6-diphenyl-4,4a,8,8a-tetrahydro-[1,3]dioxino[5,4-d][1,3]dioxin-4-yl]ethane-1,2-diol Chemical compound C([C@@H]1OC(O[C@@H]([C@@H]1O1)[C@H](O)CO)C=2C=CC=CC=2)OC1C1=CC=CC=C1 FMZUHGYZWYNSOA-VVBFYGJXSA-N 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は選択エツチング用保護材に関する。
TN型液晶表示素子は、第1図に示すように、
一対の電極基板1および2をスペーサ3を介して
対向配置して構成される外囲器の中にTN型液晶
4を封入してなり、各電極基板1および2の外側
面にはそれぞれ偏光板5および6を配置して使用
される。
一対の電極基板1および2をスペーサ3を介して
対向配置して構成される外囲器の中にTN型液晶
4を封入してなり、各電極基板1および2の外側
面にはそれぞれ偏光板5および6を配置して使用
される。
前記電極基板1および2はガラス基板の液晶と
接触する面に所定のパターンの透明電極、絶縁被
膜および配向制御膜が順次被着して構成されてい
る。ここで、電極基板1の構成を第2図を用いて
詳細に説明すると、ガラス基板7の表面に透明導
電材からなる数字表示部8が複数並設されて形成
され、これら各数字表示部8は“日”の字型に配
された7個のセグメント8aからなる。そしてこ
れら各セグメント8aはガラス基板7の長手方向
辺に並設された端子8bに引き出されている。こ
のように透明電極が形成されたガラス基板7面に
は、第2図の―の断面図である第3図に示す
ように、端子8bを露出させて絶縁膜9、および
配向制御膜10が順次被着されている。
接触する面に所定のパターンの透明電極、絶縁被
膜および配向制御膜が順次被着して構成されてい
る。ここで、電極基板1の構成を第2図を用いて
詳細に説明すると、ガラス基板7の表面に透明導
電材からなる数字表示部8が複数並設されて形成
され、これら各数字表示部8は“日”の字型に配
された7個のセグメント8aからなる。そしてこ
れら各セグメント8aはガラス基板7の長手方向
辺に並設された端子8bに引き出されている。こ
のように透明電極が形成されたガラス基板7面に
は、第2図の―の断面図である第3図に示す
ように、端子8bを露出させて絶縁膜9、および
配向制御膜10が順次被着されている。
そして、このような電極基板1は、次のような
工程を経て製造される。すなわち、透明なソーダ
ライムガラスあるいは硬質ガラスからなるガラス
基板1を用意し、このガラス基板1の表面に酸化
インジウム、酸化すず等を膜厚100〜700Åの厚さ
で被着させる。そして耐酸性レジストの印刷、フ
オトプロセスによるフオトレジスト被着等によつ
て所望のパターンにレジストを残し、このレジス
トから露出された酸化インジウムあるいは酸化す
ず等を塩酸、硝酸、塩化第二鉄等のエツチング液
でエツチングし、前記レジストを除去することに
より所望のパターンの透明電極を得る。次に、
SiO2等を溶かした溶液をスピン法あるいはデイ
ツプ法によりガラス基板1面に塗布し、酸化雰囲
気中で150℃程度の仮焼成をした後、500℃程度で
焼成することにより1000〜〜3000Åの緻密な絶縁
膜を形成する。そして端子8bが形成されている
領域を残し、フオトプロセスによるフオトレジス
トの被着を行い、このレジストをマスクとしてこ
のマスクから露出された絶縁膜をフレオンガス等
のプラズマエツチング、アルカリエツチング等で
除去した後、約500℃の熱処理により絶縁膜の焼
成とレジストの焼きとばしを同時に行う。
工程を経て製造される。すなわち、透明なソーダ
ライムガラスあるいは硬質ガラスからなるガラス
基板1を用意し、このガラス基板1の表面に酸化
インジウム、酸化すず等を膜厚100〜700Åの厚さ
で被着させる。そして耐酸性レジストの印刷、フ
オトプロセスによるフオトレジスト被着等によつ
て所望のパターンにレジストを残し、このレジス
トから露出された酸化インジウムあるいは酸化す
ず等を塩酸、硝酸、塩化第二鉄等のエツチング液
でエツチングし、前記レジストを除去することに
より所望のパターンの透明電極を得る。次に、
SiO2等を溶かした溶液をスピン法あるいはデイ
ツプ法によりガラス基板1面に塗布し、酸化雰囲
気中で150℃程度の仮焼成をした後、500℃程度で
焼成することにより1000〜〜3000Åの緻密な絶縁
膜を形成する。そして端子8bが形成されている
領域を残し、フオトプロセスによるフオトレジス
トの被着を行い、このレジストをマスクとしてこ
のマスクから露出された絶縁膜をフレオンガス等
のプラズマエツチング、アルカリエツチング等で
除去した後、約500℃の熱処理により絶縁膜の焼
成とレジストの焼きとばしを同時に行う。
しかし、このような電極基板の製造方法におい
て、フオトレジストは極めて高価であることから
製造コストが高くなる欠点を有し、また、フオト
レジストの性質上暗室内の作業を要し、そのプロ
セスは塗布、プリベーク、露光、現像、リンスお
よびポストベークと一連の工程を要することから
煩雑であるという欠点を有する。さらにフオトレ
ジストの厚さは一般的には0.5〜5μmとし、こ
の結果プラズマエツチングあるいはアルカリエツ
チング時にピンホールが発生しやすいという欠点
がある。
て、フオトレジストは極めて高価であることから
製造コストが高くなる欠点を有し、また、フオト
レジストの性質上暗室内の作業を要し、そのプロ
セスは塗布、プリベーク、露光、現像、リンスお
よびポストベークと一連の工程を要することから
煩雑であるという欠点を有する。さらにフオトレ
ジストの厚さは一般的には0.5〜5μmとし、こ
の結果プラズマエツチングあるいはアルカリエツ
チング時にピンホールが発生しやすいという欠点
がある。
煩雑な工程を除いて選択エツチング方法を行う
には、印刷用レジストを用い、印刷と同時に所望
のパターンを有するマスクを形成する方法が知ら
れているが、この印刷用レジストには無機フイラ
ーが含有されていることから、プラズマエツチン
グあるいはアルカリエツチングを行つた後、焼き
とばしによつて除去させることはできないという
欠点を有する。
には、印刷用レジストを用い、印刷と同時に所望
のパターンを有するマスクを形成する方法が知ら
れているが、この印刷用レジストには無機フイラ
ーが含有されていることから、プラズマエツチン
グあるいはアルカリエツチングを行つた後、焼き
とばしによつて除去させることはできないという
欠点を有する。
それ故、この発明の目的は印刷により所望のパ
ターンを有するマスクを形成することができ、か
つ焼きとばしによつて除去できる選択エツチング
用保護材を提供するものである。
ターンを有するマスクを形成することができ、か
つ焼きとばしによつて除去できる選択エツチング
用保護材を提供するものである。
以下、実施例を用いてこの発明を詳細に説明す
る。
る。
この発明に係る選択エツチング用保護材はたと
えばイソブチルメタアクリレート60重量部、ブチ
ルカルビトールアセテート80重量部、そしてゲル
化剤としてジベンジリデン―D―ソルビトール1
〜5重量部を加熱溶解することにより製造され
る。このようにして製造された混合物は40〜325
メツシユのスクリーンに3〜30μmのエマルジヨ
ンまたは金属マスクを有する印刷製版で約5〜
100μmの厚さで所望パターンを印刷することが
できる。
えばイソブチルメタアクリレート60重量部、ブチ
ルカルビトールアセテート80重量部、そしてゲル
化剤としてジベンジリデン―D―ソルビトール1
〜5重量部を加熱溶解することにより製造され
る。このようにして製造された混合物は40〜325
メツシユのスクリーンに3〜30μmのエマルジヨ
ンまたは金属マスクを有する印刷製版で約5〜
100μmの厚さで所望パターンを印刷することが
できる。
なお、実験によると、前記イソブチルメタアク
リレートのほか、セルロース、ポリエチレン、ポ
リスチレン、ポリビニルアセテート、ポリアクリ
レート、又はポリメタアクリレートを50〜100重
量部、前記ジベンジリデン―D―ソルビトールを
1〜20重量部、さらに溶剤としての前記ブチルカ
ルビトールアセテートのほか、ブチルセロゾル
ブ、ブチルカルビトール、イソブチルカルビトー
ルアセテート、エチルカルビトールアセテート、
その他印刷条件に合わせたものを20〜200重量部
であつても印刷性に優れた混合物が得られた。
リレートのほか、セルロース、ポリエチレン、ポ
リスチレン、ポリビニルアセテート、ポリアクリ
レート、又はポリメタアクリレートを50〜100重
量部、前記ジベンジリデン―D―ソルビトールを
1〜20重量部、さらに溶剤としての前記ブチルカ
ルビトールアセテートのほか、ブチルセロゾル
ブ、ブチルカルビトール、イソブチルカルビトー
ルアセテート、エチルカルビトールアセテート、
その他印刷条件に合わせたものを20〜200重量部
であつても印刷性に優れた混合物が得られた。
なお、前記各混合材のほか印刷時の発泡を防止
するためにシリコン油等の消泡剤を混入させても
また、500℃程度の熱処理で焼きとぶ有機着色剤
を混入させてもよいことはもちろんである。
するためにシリコン油等の消泡剤を混入させても
また、500℃程度の熱処理で焼きとぶ有機着色剤
を混入させてもよいことはもちろんである。
このようにして構成された選択エツチング用保
護材は印刷後室温乾燥または100〜150℃の熱処理
で約2〜15分乾燥させることによつて信頼性ある
選択エツチング用マスクを形成することができ、
フレオンプラズマ等によるエツチングを行なつた
後は、酸化雰囲気中約500℃で約30分の熱処理を
することにより焼きとばしができる。
護材は印刷後室温乾燥または100〜150℃の熱処理
で約2〜15分乾燥させることによつて信頼性ある
選択エツチング用マスクを形成することができ、
フレオンプラズマ等によるエツチングを行なつた
後は、酸化雰囲気中約500℃で約30分の熱処理を
することにより焼きとばしができる。
以上述べたようにこの発明に係る選択エツチン
グ用保護材によれば、従来のフオトレジストに比
べて極めて安価で、また印刷により所定のパター
ンを有するマスクを形成することができるので、
暗室内で一連のフオトプロセス工程を経ることな
く簡単な設備および工程で済むようになる。
グ用保護材によれば、従来のフオトレジストに比
べて極めて安価で、また印刷により所定のパター
ンを有するマスクを形成することができるので、
暗室内で一連のフオトプロセス工程を経ることな
く簡単な設備および工程で済むようになる。
なお、この発明に係る選択エツチング用保護材
は液晶表示素子の製造にのみ使用できるものでは
なく、一般の選択エツチングに際し広く使用でき
るものである。
は液晶表示素子の製造にのみ使用できるものでは
なく、一般の選択エツチングに際し広く使用でき
るものである。
以上述べたように、この発明に係る選択エツチ
ング用保護材によれば、従来のフオトレジストに
比べて極めて安価で、また印刷により所定のパタ
ーンを有するマスクを形成することができるの
で、暗室内で一連のフオトプロセスを経ることな
く簡単な設備および工程で済むようになる。また
前記マスクは焼きとばしによつて除去できるの
で、完全なドライプロセスを採用できる等種々の
効果を奏する。
ング用保護材によれば、従来のフオトレジストに
比べて極めて安価で、また印刷により所定のパタ
ーンを有するマスクを形成することができるの
で、暗室内で一連のフオトプロセスを経ることな
く簡単な設備および工程で済むようになる。また
前記マスクは焼きとばしによつて除去できるの
で、完全なドライプロセスを採用できる等種々の
効果を奏する。
第1図ないし第3図はTN型液晶表示素子の構
成を説明するための図である。 1,2……電極基板、3……スペーサ、4……
液晶、5,6……偏光板、7……ガラス基板、8
……数字表示部、9……絶縁膜、10……配向制
御膜。
成を説明するための図である。 1,2……電極基板、3……スペーサ、4……
液晶、5,6……偏光板、7……ガラス基板、8
……数字表示部、9……絶縁膜、10……配向制
御膜。
Claims (1)
- 1 セルロース、ポリエチレン、ポリスチレン、
ポリビニルアセテート、ポリアクリレート、又は
ポリメタアクリレート50〜100重量部と、ジベン
ジリデン―D―ソルビトール1〜20重量部と、溶
剤20〜200重量部との混合物からなることを特徴
とする選択エツチング用保護材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9047778A JPS5518554A (en) | 1978-07-26 | 1978-07-26 | Protective material for selective etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9047778A JPS5518554A (en) | 1978-07-26 | 1978-07-26 | Protective material for selective etching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5518554A JPS5518554A (en) | 1980-02-08 |
| JPS6227154B2 true JPS6227154B2 (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=13999652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9047778A Granted JPS5518554A (en) | 1978-07-26 | 1978-07-26 | Protective material for selective etching |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5518554A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636468B2 (ja) * | 1988-06-17 | 1994-05-11 | 三菱伸銅株式会社 | 銅張積層配線板の製造方法 |
| CN103357346B (zh) * | 2013-06-27 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 颜料分散剂、颜料分散液、彩色光刻胶及其制备和应用 |
| WO2025079352A1 (ja) * | 2023-10-13 | 2025-04-17 | 株式会社ダイセル | 低分子量セルロース誘導体の製造方法、エッチング処理された無機材料の製造方法 |
-
1978
- 1978-07-26 JP JP9047778A patent/JPS5518554A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5518554A (en) | 1980-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4155735A (en) | Electromigration method for making stained glass photomasks | |
| JP4631011B2 (ja) | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 | |
| JP2961350B2 (ja) | 微細パターンを有するネサ膜の製造方法 | |
| JPH1092327A (ja) | カラープラズマディスプレイパネルの隔壁及びその製造方法 | |
| JPH11111082A (ja) | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 | |
| USRE31220E (en) | Electromigration method for making stained glass photomasks | |
| JP2773111B2 (ja) | 二層配線基板の製造方法 | |
| JPH11142638A (ja) | カラーフィルターの製造方法 | |
| JPS5752024A (en) | Manufacture of transparent electrode substrate | |
| JPH0370330B2 (ja) | ||
| JPS5492170A (en) | Manufacture of electrode substrate | |
| JPH07333656A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JP3574330B2 (ja) | パターン化された導電膜の形成方法 | |
| JPH0318737B2 (ja) | ||
| JPS633301B2 (ja) | ||
| JPH0361931B2 (ja) | ||
| JPS6325356B2 (ja) | ||
| JPH01134812A (ja) | 導電性薄膜の製造法 | |
| JPH01296201A (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| JP2003015316A (ja) | 厚膜形成方法 | |
| JPH01112613A (ja) | 透明導電膜パターンの形成方法 | |
| JPS6048742B2 (ja) | 液晶セル基板とその製造方法 | |
| JP3332409B2 (ja) | 透明導電膜を有するガラス基板 | |
| JPH05270865A (ja) | 透明導電膜を有するガラス基板 | |
| JPS6243012A (ja) | 透明導電膜のエツチング方法 |