JPH0318755B2

JPH0318755B2 -

Info

Publication number: JPH0318755B2
Application number: JP60163753A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Tachibana
Original assignee: Nissha Printing Co Ltd
Current assignee: Nissha Printing Co Ltd
Priority date: 1985-07-23
Filing date: 1985-07-23
Publication date: 1991-03-13
Also published as: JPS6223195A

Description

【発明の詳細な説明】＜産業上の利用分野＞本発明は新規なる導電性回路基板とその製造に
関するものであつて、その目的とするところはプ
リント基板、フイルムコネクタ、配線板あるいは
シートスイツチ用などの精密な導電性回路図柄を
有する品質のすぐれた基板を生産し、産業用、工
業用、日用品等の素材として市場に提供せんとす
るものである。

＜従来の技術と発明が解決しようとする課題＞導電性回路基板は従来、印刷法、フオトレジス
トエツチング法、マスキング蒸着法、レーザーエ
ツチング法あるいは化学的溶解法等により作成さ
れているのであるが、精度、生産性、経済性ある
いは技術面等における種々の困難性がその各々に
ついて常に発現し、特に複雑な図柄とか微細な図
柄とかに至つてはいずれの公知の製造法をとつて
みても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここ
において本発明者はこの欠点を一挙に解決するた
めの新方法について永年にわたり研究を続行して
きたが今般遂に乱目すべき本発明を完成するに至
つたものである。

＜課題を解決するための手段＞すなわち本発明者は、金属板または金属薄膜が
形成された基体の上に所望の回路図柄部分のみを
除去したフオトレジスト層が形成された電極基材
上におけるヘテロ原子を有する芳香族化合物の電
解重合によつて形成された回路図柄が、プラスチ
ツクス薄板中に形成され、その回路図柄上のみに
電解鍍金によつて金属層が形成されてなることを
特徴とする導電性回路基板、および、金属板また
は金属薄膜が形成された基体の上に所望の回路図
柄部分のみを除去したフオトレジスト層が形成さ
れた電極基材を得る工程、電極基材のフオトレジ
スト層が形成された面にプラスチツクス薄板を密
着する工程、プラスチツクス薄板に対向する電極
を設置して、プラスチツクス薄板と電極との間に
ヘテロ原子を有する芳香族化合物、強電解質およ
び活性水素原子不含の極性有機溶剤よりなる液状
または糊状の電解液を充満する工程、電極基材と
電極との間に通電して電解しプラスチツクス薄板
中に回路図柄を形成する工程、プラスチツクス薄
板を電極基材ならびに電解液から分離する工程、
プラスチツクス薄板と鍍金液と接触させて電気鍍
金を行い回路図柄上のみに金属層を形成する工程
からなることを特徴とする導電性回路基板の製造
法を発明したものである。

まず、金属板または金属薄膜上に導電性回路図
柄を形成するフオトレジスト層を設ける。金属板
または金属薄膜の材料としては、金、銀、銅、ア
ルミニウム、ニツケル等の単一金属又は前記金属
の合金、或いは酸化インジウム、酸化スズ等の金
属酸化物を用いる。基体上に金属薄膜を設ける場
合は、真空蒸着法、スパツタリング法、CVD法、
化学メツキ法等を適用する。金属板または金属薄
膜上に形成するフオトレジスト層は、市販の感光
性フオトポリマーを用いるとよい。フオトレジス
ト層の形成方法としては、コーテイング法、スプ
レー法、印刷法等がある。

次に、前記フオトレジスト層にフオトフアブリ
ケーシヨン方法にて、回路図柄を形成する。即
ち、所定の回路図柄を呈するフオトマスクを介し
て前記フオトレジスト層を露光し、フオトレジス
ト層を選択的に焼付、光硬化または光分解せしめ
る。次いで、未露光部または露光部のフオトレジ
スト層を溶解除去または洗浄除去する。このよう
にして、回路図柄部分のみを除去したフオトレジ
スト層が形成され電極基材が得られる。従つて該
回路図柄部分には金属板又は金属薄膜の表面が露
呈する状態になる。

次に、以上のごとき留意にもとずいて作られた
電極基材のフオトレジスト層が形成された面にプ
ラスチツクス薄板を密着する工程を述べる。まず
プラスチツクス薄板というのは、プラスチツクス
薄板がポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩
化ビニル系共重合体、ポリフツ化ビニル、ポリフ
ツ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リビニルエーテル、ポリアルキレンエーテル、ポ
リエーテルエステル、塩素化ポリオレフイン、ポ
リアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリイ
ミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリスルホ
ン、ポリスチレンよりなる群より選ばれた少なく
とも一つの耐溶剤性高分子を基体とする膜、フイ
ルム、シートもしくは板のいずれかである。

このプラスチツクス薄板を最も容易に密着させ
るのはこのプラスチツクスを含む溶液またはイン
キもしくは塗料を印刷法、スプレー法、塗布法等
によつて金属板又は金属薄膜の表面に均一に付着
させた後、溶液を蒸発させ薄板を形成させる方法
であるがこの際、気泡が含まれたり溶剤の蒸発に
よる発泡があつてはならない。一方、金属板又は
金属薄膜の表面への密着は、必要とすれば減圧室
内で、極く少しの溶剤とか接着剤を存在させて室
温下もしくは加熱下で行われるべきである。この
場合も密着面における空気、ガス、溶剤、可塑
剤、塵埃等の混入は製品の損失に関係してくるの
でこれらが著しく残留したり、誤入したりしない
ように注意し、且つ金属又は金属薄膜を形成した
基材に均一な力をかけて密着してやるようにしな
ければならない。この場合にあつても不必要な内
部歪を金属板又は金属薄膜を形成した基材の中に
残したり、厚さに不均一さが生じた場合には導電
性回路図柄の美しい形成が阻害される恐れが多分
にあるので、厚さの不同を必要とする基板は後加
工で肉盛りをすべきである。

以上の工程が終了すると次にプラスチツクス薄
板に対向する電極を設置する必要がある。この薄
板が平面である場合には対向電極は平面とし、こ
の薄板が曲面であれば対向電極はこれに並行する
曲面とし、薄板が半円筒形であれば対向電極は半
円筒形または円筒形もしくは線状とし、薄板が球
面であれば対向電極は球面を利用するようにす
る。薄板と対向電極は通常適当な電解槽中に設置
されるが、薄板の面積が大きくなると乾燥室内で
薄板と対向電極とを一定の間隙を保つようにスペ
ーサー等を用いて設置される。このいずれにせよ
薄板と対向電極の中に充分量の電解液を充満させ
ることが必要で、電解槽を用いる場合には電解液
中に浸漬すればよく、乾燥室内に設置した場合に
はその間隙に液状または糊状電解液を完全に挿入
充満して、その間隙から外へ電解液が漏れないよ
うパツキング等を用いて側面を密封してやる必要
がある。ここに用いる電解液はヘテロ原子を有す
る芳香族化合物、強電解質および活性水素原子不
含の極性有機溶剤よりなる液状または糊状の電解
液であり、この電気液の使用温度は−20℃〜＋70
℃とくに好ましくは−10℃〜＋50℃である。

ヘテロ原子を有する芳香族化合物とは、アニリ
ン、核置換アニリン、ナフチルアミン、核置換ナ
フチルアミン、アミノアンスラセン、核置換アミ
ノアンスラセン、チオフエン、核置換チオフエ
ン、ピロール、置換ピロール、ピラゾール、置換
ピラゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、
トリアゾール、置換トリアゾール、ピリジン、核
置換ピリジン、ジアジン、置換ジアジン、トリア
ジン、置換トリアジン、オキサジン、置換オキサ
ジン、ベンゾチオフエン、置換ベンゾチオフエ
ン、ベンゾピロール、置換ベンゾピロール、ベン
ズピラゾール、置換ベンズピラゾール、ベンズイ
ミダゾール、置換ベンズイミダゾール、オキサジ
アゾール、チアジアゾール、アゾベンゼン、置換
アゾベンゼン、フタロシアニン、核置換フタロシ
アニン、カルバゾール、置換カルバゾール、キノ
リン、核置換キノリン、ベンズオキサゾール、置
換ベンズオキサゾール、テトラ（ナフチロ）テト
ラアザポルフイリンおよびテトラ（フエナンス
ロ）テトラアザポルフイリンよりなる群より選ば
れた少なくとも一つの化合物である。

強電解質とは、過ハロゲン化水素酸、ホウフツ
化水素酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオ
ロヒ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、トリフル
オロ酢酸、パーフルオロ脂肪酸、トリフルオロメ
タンスルホン酸、芳香族スルホン酸およびヘキサ
フルオロケイ酸よりなる群から選ばれた少なくと
も一つの強酸のアニオンとリチウム塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム塩、
ホスホニウム酸、銀塩、第四級ホスホニウム塩お
よびスルホニウム塩よりなる群から選ばれた少な
くとも一つの塩を構成しているカチオンとを結合
させた塩である。

活性水素原子不含の極性有機溶剤とは、二塩化
メタン、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベ
ンゾニトリル、ジメチルホルムアミド、ジエチル
ホルムアミド、ジメチルアセタミド、テトラメチ
ル尿素、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルピ
ペリジン、Ｎ−アセチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジ
ホルミルピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジアセチルピペラ
ジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホ
ン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレ
ンスルホン、テトラヒドロフラン、グリコールカ
ーボネート、グリコールエーテル、環状ラクト
ン、ニトロベンゼンおよびヘキサメチルホスホル
トリアミドよりなる群から選ばれた少なくとも一
つの非プロトン極性溶剤である。

以上のうち経済的に用いられるヘテロ原子を有
する芳香族化合物はアニリン、チオフエン、ビチ
エニル、ピロール、メチルピロール等であり、ま
た強電解質というのは化学式で示すならば
LiBF₄、LiPF₆、LiClO₄、R₄NPF₆、R₄NClO₄、
R₄NBF₄、R₄NSO₃C₆H₄R、R₄NAsF₆、LiAsF₆
（ただしＲはC₁〜C₄のアルキル基）等である。ま
た活性水素原子不含の極性有機溶剤はアセトニト
リル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、テト
ラヒドロフラン、プロピレンカーボネート、γ−
ブチロラクトン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、メチルジオキソラン、Ｎ−メチルピロリ
ドン、ニトロベンゼン、二塩化メタン等が安価で
ある。本発明の電解液の組成は原則として任意に
とりうるものであるが、ヘテロ原子を有する芳香
族化合物／強電解質／活性水素原子不含の極性有
機溶剤の使用比率（モル量／モル量／溶剤はml）
は0.01〜1.50／0.02〜2.00／1000、特に好ましく
は0.05〜1.00／0.03〜1.5／1000の範囲である。な
お、電解液の粘度は小であるほうが通電し易い
が、使用条件によつて糊状である場合があり、こ
のような場合には適当な温度まで冷却するが、電
解反応に関係しないフイラー例えば不活性中性塩
とか不溶性化合物例えばエアロジルシリカ等を電
解液が固化しない程度に若干量添加するのであ
る。

本発明において用いられる対向する電極材料と
しては金属、金属化合物、炭素のいずれでもよい
が、本発明者らによつて試験された結果、白金、
金、パラジウム、ホワイトゴールド、ニツケル、
チタニウム、モリブデン、ステンレススチール、
グラフアイトあるいは炭素繊維等が優れており、
特に便利なものは白金、ニツケル、チタニウムあ
るいはグラフアイトを電極素材として作られた電
極である。本発明にいう基材面と上記の電解の間
に通電して電解する工程は直流電圧0.1〜100V、
特に好ましくは１〜30V、電流密度は0.1〜50ｍ
Ａ／cm²、特に好ましくは１〜20ｍＡ／cm²である。
この電解操業時間は数分〜数時間である。電解操
業時間とはプラスチツクス薄板上に回路図柄が形
成されるまでの時間であり、長時間かけると相当
に厚手の強固なやや太めの回路図柄が形成される
のに対し、細線図柄では比較的短時間の電解操業
を行なうべきである。

プラスチツクス薄板上に回路図柄が形成される
過程は、電解の進行と共に金属板又は金属薄膜に
密着した薄板面から起こり時間の経過と共に薄板
内部に向かつて進行する。

本発明に利用される電解重合反応というのは、
通常モノマーの酸化電位である数Ｖの電圧により
重合が開始されるものであり、ピロールからポリ
ピロールを形成させる場合、LiBF₄をCH₃CNに
溶解した電解液を用いて3V、0.3ｍＡ／cm²程で重
合反応が進行する。しかしチオフエンからポリチ
オフエンを形成させる場合には20V、10〜20ｍ
Ａ／cm²の通電が必要である。陽極と陰極の間隙は
0.5〜５cm程度であり、電解液は適当に機械撹拌
することが望ましい。重合反応は陽極側で起こる
ため、陽極の材料に注意しなければならないが、
上記したごとく陰極の材料は限定されない。重合
に際してサイクリツクボルタモグラムを測定した
い時に参照電極を電解液中に挿入しておくのが便
利である。なお通常のポリピロールやポリチオフ
エンの電解重合においては同じ電圧を印加しても
重合電流はモノマー、電解質、溶剤（およびそれ
らの濃度）によつて異なつてくるが、重合効率は
両者とも大体一定で１クーロン当たり（0.4〜
0.5）×10^-5モルのモノマーが高分子化し、大体40
〜50％になる。一般に電圧は低い方が効率はよい
が高電圧にするとバツクグラウンド電流が増加し
効率は低下する傾向があることも本発明者によつ
て明らかにされた。

さて、本発明の電解工程ではプラスチツクス薄
板側を陽極とし対向する電極を陰極とし、陽極側
に所要の回路図柄を形成させるのであるが、回路
図柄を美しく形成させるには陽極表面積／陰極表
面積との比は１／0.5〜10.0、特に好ましくは
１／１〜３の範囲になるようどちらかといえば陰
極面積を大きくしてやるのがよい。この電解重合
反応において陽極側に析出した回路図柄を構成す
る高分子物質には電解質の解離による陰イオンの
一部がドーパントとして取り込まれているが、そ
の程度は以上示してきた各工程の条件によりかな
り変化してくる。しかしながらここに生成する回
路図柄を構成する高分子物質はいずれも導電性を
有していることが保証されている。次に以上のよ
うな回路図柄が形成されたプラスチツクス薄板面
からまず電解板を除去し要すれば付着している電
解液を有機溶剤で洗浄した後、金属板又は金属薄
膜の表面およびフオトレジスト層表面から薄板を
破らないように剥離する。このような分離操作の
終わつた薄板は有機溶剤に浸漬して洗浄して不要
物を除去した後乾燥される。なお、ここに得られ
た回路図柄の導電性はσ＝10^-3〜10³S／cmの程度
であるが、これをさらに向上させるには別途適当
なドーパント（例えばH₂SO₄、I₂、AlCl₃、
InCl₃、AsF₅、SbF₅等）をもつてドーピングして
やればよいのは当然である。

さらに上述のごとくして調製された導電性回路
基板を鍍金液と接触させ、電気鍍金を行い回路図
柄のみに金属を析出させることにより導電性回路
基板の導電性改善に成功したのである。すなわち
以上の導電性回路基板の回路図柄を長期間の使用
に耐えるよう安定化するとともに優れた導電性を
付与するための方法が本発明者によつて種々の方
法が研究された結果、最も好ましい方法は回路図
柄を電気鍍金する方法であることが見出された。
鍍金される金属は特に限定されないが、用いられ
る金属単体はAl、Cd、Cr、Co、Au、In、Fe、
Pb、Ni、Pt、Ag、Su、Zn等で、特に工業的に
重要なものはCu、Au、Ni、Pt、Ag、Coおよび
各種合金であり、好ましくは光沢鍍金される金属
である。銅鍍金にはシアン化銅浴（例えば
CuCN26ｇ／、NaCN35ｇ／、Na₂CO₃30
ｇ／、KNaC₄H₄O₆・4H₂O45ｇ／、PH12.6）、
硫酸銅浴（例えばCuSO₄・5H₂O188ｇ／、
H₂SO₄74ｇ／）、ホウフツ化銅浴〔例えばCu
（BF₄）₂224ｇ／、HBF₄15／１、H₃BO₃15ｇ／
、PH1.2〜1.7〕、ピロリン酸銅浴（Cu⁺⁺22〜38
ｇ／、P₂O₇ ^----150〜250ｇ／、NO₃ ^-5〜10
ｇ／、NH₃1〜３ｇ／、PH8.2〜8.8）等が用
いられる。金鍍金にはシアン化金浴（例えば
Au4.0ｇ／、KCN30ｇ／、K₂HPO₄30ｇ／
、K₂CO₃30ｇ／、PH11〜11.5）等が用いられ
る。ニツケル鍍金には混合ニツケル塩浴（例えば
NiSO₄・7H₂O240〜340ｇ／、NiCl₂・6H₂O30
〜60ｇ／、H₃BO₃30〜40ｇ／、PH2.4）、ホウ
フツ化ニツケル浴〔例えば、Ni（BF₄）₂220ｇ／
、Ni5.5ｇ／、HBF₄4ｇ／、H₃BO₃30ｇ／
、PH2.0〜3.5〕等が用いられる。銀鍍金にはシ
アン化銀浴（例えばAgCN45ｇ／、KCN4ｇ／
、K₂CO₃15ｇ／、KOH4ｇ／）等が用いら
れる。またスズ鍍金にはホウフツ化スズ浴（例え
ばSn40ｇ／、HBF₄40ｇ／、ゼラチン２ｇ／
、β−ナフトール0.5ｇ／）等が用いられる。
以上示した各鍍金浴はいずれも基本的なものであ
り、実際には光沢鍍金を完成させるための添加剤
が加えられる。さらに、本発明に最も適する鍍金
の一つにはホウフツ化物浴鍍金があり、例えば半
田合金鍍金はSn⁺⁺52ｇ／、Pb⁺⁺30ｇ／、
HBF₄100〜200ｇ／、H₃BO₃25ｇ／、ペプト
ン5.0ｇ／、を含む液を用い、陽極板としては
Sn／Pb＝60／40の合金を使用して行われる。こ
れに関する代表的な半田合金浴（７−93バス）の
割合というのは49.6％Sn（BF₄）₂液11Kg、51％Pb
（BF₄）₂液121Kg、４％HBF₄76Kg、H₃BO₃7Kg、
ペプトン0.2Kg、水247Kgからなつており、操作条
件は陰極電流密度20〜30ｍＡ／cm²、10〜50℃でゆ
るやかな浴撹拌をしながら電鍍できるものであ
る。ま銅鍍金には他の鍍金を施す下地生成作業と
して屡々行われるものであり、その上に再びニツ
ケルとは半田合金を鍍金することにより、回路図
柄は著しく強固になり且つその導電性が非常に向
上するものである。

勿論、このようにして導電性が改善された基板
に対してオーバーコート等の二次加工あるいは三
次加工が施されてもよいことは当然である。

本発明者は以上述べてきた本発明に関して多数
の実験を行い本発明の新規性と優秀性を確認した
のであるが、さらに本発明の技術的内容を明確に
するため多数の実験例中より代表的な二三の例を
抽出して以下に実施例として示す。したがつて本
発明は以下に示された実施例のみに限定して解釈
されるべきではなく本発明の趣旨と精神とを逸脱
せざる限り任意にその実施態様を変更て実施しう
ることは当然である。以下に実施例によつて本発
明の優秀性は益々明らかにされるであろう。

＜実施例＞実施例１厚さ１mmの銅板上にフオトレジスト（市販品、
商品名；FPER、富士薬品社製）を塗布した後、
予め準備したフオトマスクをして紫外線露光し
て、フオトレジスト面に回路図柄を焼付ける。次
ぎに、回路図柄部分のフオトレジストを溶解除去
する。このフオトレジストが部分的に形成された
銅板上に高重合度の精製ポリ塩化ビニルを溶剤
（テトラヒドロフラン90％＋シクロヘキサン10％）
に溶かした５％溶液を清浄室内で塗布し、窒素ガ
スを送つて溶剤を除去し、厚さ0.1〜0.2mmのポリ
塩化ビニルのフイルムを形成させる。銅板を陽極
とし、一方、ニツケル板を陰極として陽極より約
２cmの間隙をあけて対向設置する。これを電解液
を満たしたデジケーター中に沈め減圧脱気して窒
素ガス雰囲気にしたのち通電する。電解液はテト
ラブチルアンモニウムパークロレート0.2モル、
ピロール0.1モルをブチレンカーボネート−アセ
トニリル混液（１：１）１に溶解した組成を有
し温度は−15〜−５℃に保たれている。通電は
2V、0.6ｍＡ／cm²で５〜10時間行なう。この操作
時間中においてポリ塩化ビニルの銅板に接した側
に銅の回路と同形の図柄の回路が形成され、この
回路が次第に強化されてくるのが観察されるの
で、通電を終了したのち電極等を引き上げてアセ
トン中に浸漬して洗浄し乾燥した後、銅板面から
ポリ塩化ビニルのフイルムを剥離する。剥離した
フイルムには、銅板面上にフオトレジストで形成
された回路図柄と同様の回路が形成されており、
ここに得られたポリピロールよりなる回路図柄は
σ＝10〜15S／cmである。

実施例２ポリエステルフイルム上にアルミニウムを膜厚
約500Åに蒸着したフイルムにフオトレジスト
（市販品、商品名；OPR、東京応化社製）を塗布
した後、予め準備したフオトマスクを介して紫外
線露光して、フオトレジスト面に回路図柄を焼付
ける。次ぎに、回路図柄部分のフオトレジストを
溶解除去する。このアルミニウムおよびフイルム
面に極く少量のｍ−クレゾールを塗布し、これに
厚さ30μｍの未延伸ポリエチレンテレフタレート
フイルムを載置し160〜180℃に加熱したのち圧迫
して完全に接着する。この接着物を100℃で真空
乾燥し、実施例１と同様にして対向陰極白金板を
設置し電解液中に沈積してやる。電解液はアセト
ニトリル１中にベンゾイミダゾール0.2モル、
テトラブチルアンモニウムパークロレート0.4モ
ルを溶解したものである。電極間に通電（2V、
３ｍＡ／cm²）し10〜15℃で約40分間保つとポリエ
チレンテレフタレートフイルム中にポリベンゾイ
ミダゾールの回路図柄（σ＝0.01S／cm）がアル
ミニウム膜の電極図柄と同じように形成される。
次にポリエチレンテレフタレートフイルムを分離
してアセトニトリルで充分洗浄した後、乾燥する
と導電性回路基板が得られる。

実施例３実施例１に用いられた回路基板をニツケル酸性
フツ化物浴（100％HF43ml塩基性炭酸ニツケル
４水和物120ｇ／クエン酸30ｇ／ラウリル硫
酸ナトリウム1.0ｇ／）に浸漬し、この回路基
板と対向ニツケル電極間に通電（電気密度50ｍ
Ａ／cm²）して液を静かに撹拌しながら電解を行う
と、回路図柄上にニツケルが薄く均一に鍍金され
た回路基板が得られニツケル鍍金部分はρ＝10^-5
Ωcmであることが認められた。

実施例４実施例２で得られた回路基板をシアン化銅浴
（CuCN44ｇ／NaCN67ｇ／ロツセル塩74
ｇ／KOH11ｇ／）に浸漬し、対向銅電極を
用いて実施例３と同様に操作すれば回路図柄面に
銅鍍金された基板が得られる。なお、これを更に
常法によりニツケル鍍金もしくは合金鍍金すれば
回路図柄の非常に強固な化学的耐性とか耐候性に
富む回路基板になる。導電度は鍍金される金属に
よつて種々に変更することができる。

＜発明の効果＞本発明は導電性回路基板とその製造法に関する
ものであり、産業用部品から一般日用品にわたる
電子材料、電気材料として有用な導電性回路基板
を容易に且つ量産できる方法を明らかにあいたも
のである。本発明によつて得られる導電性回路基
板は、その使用例として、プリント基板、フイル
ムコネクタ、シートスイツチ、シートコイル、セ
ンサー、フエーズおよび高密度回路等があげら
れ、その、産業利用価値は極めて大きいものであ
る。

Claims

【特許請求の範囲】１金属板または金属薄膜が形成された基体の上
に所望の回路図柄部分のみを除去したフオトレジ
スト層が形成された電極基材上におけるヘテロ原
子を有する芳香族化合物の電解重合によつて形成
された回路図柄が、プラスチツク薄板中に形成さ
れ、その回路図柄上のみに電解鍍金によつて金属
層が形成されてなることを特徴とする導電性回路
基板。２金属板または金属薄膜が形成された基体の上
に所望の回路図柄部分のみを除去したフオトレジ
スト層が形成された電極基材を得る工程、電極基
材のフオトレジスト層が形成された面にプラスチ
ツクス薄板を密着する工程、プラスチツクス薄板
に対向する電極を設置して、プラスチツクス薄板
と電極との間にヘテロ原子を有する芳香族化合
物、強電解質および活性水素原子不含の極性有機
溶剤よりなる液状または糊状の電解液を充満する
工程、電極基材と電極との間に通電して電解しプ
ラスチツクス薄板中に回路図柄を形成する工程、
プラスチツクス薄板を電極基材ならびに電解液か
ら分離する工程、プラスチツクス薄板を鍍金液と
接触させて電気鍍金を行い回路図柄上のみに金属
層を形成する工程からなることを特徴とする導電
性回路基板の製造法。３鍍金液がニツケル、コバルト、クロム、銅、
銀、金、白金、スズ、半田合金およびコバルト・
ニツケル合金よりなる群から選ばれた少なくとも
一つの金属を電気化学的に析出できる化合物の溶
液である特許請求の範囲第２項記載の導電性回路
基板の製造法。