JPH03188635A - 半導体装置のバンプレベリング方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置のバンプレベリング方法および製造装置Info
- Publication number
- JPH03188635A JPH03188635A JP1327928A JP32792889A JPH03188635A JP H03188635 A JPH03188635 A JP H03188635A JP 1327928 A JP1327928 A JP 1327928A JP 32792889 A JP32792889 A JP 32792889A JP H03188635 A JPH03188635 A JP H03188635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bump electrodes
- semiconductor slice
- pressure
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の電極部に形成したバンプ電極の
レベリング方法およびその製造装置に関する。
レベリング方法およびその製造装置に関する。
従来の技術
半導体スライス上にポールボンデングまたは、ウェッジ
ボンデングされた半導体装置は分割されて、主にフェイ
スダウンボンデング方法により、バンプ電極と外部リー
ドの接続が行われる。第４図は、フェイスダウンによる
組立方法の一例を示す側面図である。第４図に示すよう
に半導体装置１にバンプ電極２が形成され、所定ヘッダ
ー３に樹脂接着または、加熱接着が行われる。
ボンデングされた半導体装置は分割されて、主にフェイ
スダウンボンデング方法により、バンプ電極と外部リー
ドの接続が行われる。第４図は、フェイスダウンによる
組立方法の一例を示す側面図である。第４図に示すよう
に半導体装置１にバンプ電極２が形成され、所定ヘッダ
ー３に樹脂接着または、加熱接着が行われる。
発明が解決しようとする課題
上記のような従来方法においては、バンプの高さのバラ
ツキにより、電極の一部が接続されないコンタクト不良
が発生する生産性１品質上の欠点を有していた。
ツキにより、電極の一部が接続されないコンタクト不良
が発生する生産性１品質上の欠点を有していた。
本発明の目的は、上記問題点を経済的に解決す、ること
にある。
にある。
課題を解決するための手段
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、ボール
ボンド、ウェッジボンドで形成された半導体スライス上
のバンプの高さを均一化させるために、バンプ頭頂部を
レベリングする方法およびその製造装置である。
ボンド、ウェッジボンドで形成された半導体スライス上
のバンプの高さを均一化させるために、バンプ頭頂部を
レベリングする方法およびその製造装置である。
作用
本発明によるレベリング方法および製造装置によれば、
経済的に、短時間で、安易にバンプ電極の高さを均一化
でき、従来発生していた接続不良を大幅に減少させるこ
とができる。
経済的に、短時間で、安易にバンプ電極の高さを均一化
でき、従来発生していた接続不良を大幅に減少させるこ
とができる。
実施例
本発明によるバンプ電極レベリング法、装置について以
下第１図より第３図を参ヂしながら説明する。
下第１図より第３図を参ヂしながら説明する。
第１図は本発明によるレベリング法の概略側面図である
。２はバンプ電極、４は半導体スライス、５は加圧治具
で、バンプ電極４の高さを均一化するだめのもの、６は
半導体スライス固定台である。
。２はバンプ電極、４は半導体スライス、５は加圧治具
で、バンプ電極４の高さを均一化するだめのもの、６は
半導体スライス固定台である。
第２図は、ボールボンドされたバンプ電極２が均一化さ
れ高さがそろっている状態を示す側面図である。製造方
法を簡略に説明すると、固定台６の上にバンプ電極２つ
きの半導体スライスを置き、加圧治具５により加圧する
。このように、半導体スライス４上の、バンプ電極２を
効率よくレベリングでき、バンプ電極２の高さを均一化
することができる。
れ高さがそろっている状態を示す側面図である。製造方
法を簡略に説明すると、固定台６の上にバンプ電極２つ
きの半導体スライスを置き、加圧治具５により加圧する
。このように、半導体スライス４上の、バンプ電極２を
効率よくレベリングでき、バンプ電極２の高さを均一化
することができる。
次にバンプレベリングの装置について第３図で説明する
。第３図は、本装置の正面図である。８は固定台６を置
くプレスヘッド部、７は加圧治具５を先端に固定し、上
下動させる加圧シリンダーである バンプ電極２をつけた半導体スライス４を固定台６に置
き、決められた条件でシリンダー７を動作させ、バンプ
電極２を加圧成形させた。
。第３図は、本装置の正面図である。８は固定台６を置
くプレスヘッド部、７は加圧治具５を先端に固定し、上
下動させる加圧シリンダーである バンプ電極２をつけた半導体スライス４を固定台６に置
き、決められた条件でシリンダー７を動作させ、バンプ
電極２を加圧成形させた。
また、加圧治具５をあらかじめバンプ電極２上にセット
することも可能である。加圧シリンダー７は、油圧駆動
で上下動する機構になっている。
することも可能である。加圧シリンダー７は、油圧駆動
で上下動する機構になっている。
圧力、スピードパワー等の条件を安定して設定するには
適している。
適している。
半導体スライス上のバンプ電極が少ない、バンプ電極２
の高さのバラツキ量が若干許される場合等には、空気駆
動による空圧プレス装置が小型。
の高さのバラツキ量が若干許される場合等には、空気駆
動による空圧プレス装置が小型。
軽量で経済的で有用である。ストッパー９は加圧治具５
の下降位置を決め、バンプ電極２の寸法を決定するため
のものである。高さをストッパー９によらないで決めて
も良い。
の下降位置を決め、バンプ電極２の寸法を決定するため
のものである。高さをストッパー９によらないで決めて
も良い。
発明の効果
本発明のレベリング方法および製造装置によれば、次の
効果が得られる。
効果が得られる。
（１） ボールボンダ、およびウェッジボンダで形成
するバンプ高さを均一化するため、所定ヘッダー位置に
ボンデングする品質の向上がはかれる。
するバンプ高さを均一化するため、所定ヘッダー位置に
ボンデングする品質の向上がはかれる。
特に、コンタクト品質向上に有効である。
（２） 半導体スライス上でバンプ高さを均一化する
ため、品質にバラツキがなく、経済性にも優れている。
ため、品質にバラツキがなく、経済性にも優れている。
（３） 油圧装置による場合には条件設定が細か（安
定して行われるため、高品質なバンプ電極が得られる。
定して行われるため、高品質なバンプ電極が得られる。
、４）空圧装置による場合は、小型、軽量化がはかれ、
バンプ電極数の少ない場合に特に適している。
バンプ電極数の少ない場合に特に適している。
以上本発明によってなされた発明を実施例に基づいて具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、他のバンプ成形にも適用できる。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、他のバンプ成形にも適用できる。
第１図は本発明によるレベリング法の実施例状態を示す
側面図、第２図はレベリング後の半導体ペレットの一部
拡大側面図、第３図は本発明による半導体スライスのレ
ベリング装置の正面図、第４図は半導体装置のフェイス
ダウン組立方法の一例を示す側面図である。
側面図、第２図はレベリング後の半導体ペレットの一部
拡大側面図、第３図は本発明による半導体スライスのレ
ベリング装置の正面図、第４図は半導体装置のフェイス
ダウン組立方法の一例を示す側面図である。
Claims (3)
- （１）ワイヤボンダを用いて半導体装置のバンプ電極を
形成した半導体スライス上の複数のバンプ電極頭頂部を
同一高さに成形する半導体装置のバンプレベリング方法
。 - （２）油圧プレスを用いて半導体スライス上の複数のバ
ンプ電極の頭頂部を同一高さに加圧成形することを特徴
とする半導体装置の製造装置。 - （３）空圧プレスを用いて半導体スライス上の複数のバ
ンプ電極の頭頂部を同一高さに加圧成形することを特徴
とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327928A JPH03188635A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 半導体装置のバンプレベリング方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327928A JPH03188635A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 半導体装置のバンプレベリング方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188635A true JPH03188635A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18204571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1327928A Pending JPH03188635A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 半導体装置のバンプレベリング方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091594A (en) * | 1989-12-15 | 1992-02-25 | Huels Aktiengesellschaft | Process for the production of 2,6-di-tert-butylphenol |
| US6177730B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-01-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor bare chip, method of manufacturing semiconductor bare chip and mounting structure of semiconductor bare chip |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330200A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-08 | Kobe Steel Ltd | 油圧プレスの実加圧力制御方法 |
| JPS6412555A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Formation of bump and device therefor |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1327928A patent/JPH03188635A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330200A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-08 | Kobe Steel Ltd | 油圧プレスの実加圧力制御方法 |
| JPS6412555A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Formation of bump and device therefor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091594A (en) * | 1989-12-15 | 1992-02-25 | Huels Aktiengesellschaft | Process for the production of 2,6-di-tert-butylphenol |
| US6177730B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-01-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor bare chip, method of manufacturing semiconductor bare chip and mounting structure of semiconductor bare chip |
| US6291269B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-09-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor bare chip, method of manufacturing semiconductor bare chip and mounting structure of semiconductor bare chip |
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