JPH03190180A - レンズ付半導体レーザ - Google Patents
レンズ付半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH03190180A JPH03190180A JP32990589A JP32990589A JPH03190180A JP H03190180 A JPH03190180 A JP H03190180A JP 32990589 A JP32990589 A JP 32990589A JP 32990589 A JP32990589 A JP 32990589A JP H03190180 A JPH03190180 A JP H03190180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- semiconductor laser
- groove
- active layer
- substrate crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレンズ付半導体レーザの高性能化に関するも
のである。
のである。
第３図は、従来のレンズ付半導体レーザの上面図、第４
図は第３図に示すＵ、−Ｈにおける断面図である。図に
おいて（１）は基板結晶、（２）は半導体レーザ、（８
）は半導体よ構成るレンズ、（４）は発振領域たるスト
ライプ、（６）は第１クラッド層、Ｌ６）は活性層、（
ア）は第２クラッド層、（８）はストライプ（４）の領
域より発するレーザ光である。
図は第３図に示すＵ、−Ｈにおける断面図である。図に
おいて（１）は基板結晶、（２）は半導体レーザ、（８
）は半導体よ構成るレンズ、（４）は発振領域たるスト
ライプ、（６）は第１クラッド層、Ｌ６）は活性層、（
ア）は第２クラッド層、（８）はストライプ（４）の領
域より発するレーザ光である。
次に、動作について説明する。半導体レーザ（２）のス
トライプ（４）において、第１クラッド層（６）および
第２クラッド層（７）を介して活性層（６）に電流を注
入すると、ストライプ（４）よりレーザ光（８）が出射
される。レーザ光（８）は半導体レーザ（２）と同一の
基板結晶（１）上に形成されたレンズ（８）を通して所
定のビーム形状に整形式れた後、外部へと伝搬する。
トライプ（４）において、第１クラッド層（６）および
第２クラッド層（７）を介して活性層（６）に電流を注
入すると、ストライプ（４）よりレーザ光（８）が出射
される。レーザ光（８）は半導体レーザ（２）と同一の
基板結晶（１）上に形成されたレンズ（８）を通して所
定のビーム形状に整形式れた後、外部へと伝搬する。
従来のレンズ付半導体レーザは以上のように構成されて
いるので、レーザ光は、レンズ内で、活性層を必ず通過
し、同領域で光吸収を受は光量が減少するという問題点
があった。これを解決するには、レンズ内の活性層に一
定電流を加えて光吸収をなくする方法が有効であるが、
同方法では上記一定電流を確保するための回路を必要と
し実用的でないｎｔた、半導体レーザとレンズの半導体
層をまったく別々に形成し、レンズに活性層を含まない
ようにすることもできるが、製造工程が複雑になる。
いるので、レーザ光は、レンズ内で、活性層を必ず通過
し、同領域で光吸収を受は光量が減少するという問題点
があった。これを解決するには、レンズ内の活性層に一
定電流を加えて光吸収をなくする方法が有効であるが、
同方法では上記一定電流を確保するための回路を必要と
し実用的でないｎｔた、半導体レーザとレンズの半導体
層をまったく別々に形成し、レンズに活性層を含まない
ようにすることもできるが、製造工程が複雑になる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、一定の電流を原爆ずとも光吸収のおこらない
半導体レンズを備え九半導体レーザを容易に得ることを
目的とする。
たもので、一定の電流を原爆ずとも光吸収のおこらない
半導体レンズを備え九半導体レーザを容易に得ることを
目的とする。
この発明に係るレンズ付半導体レーザは、基板結晶表口
において、溝あるいは、テラスを形成した後、当該溝あ
るいはテラス上に半導体によるレンズを形成し、当該溝
あるいはテラス以外の領域に半導体レーザを形成したも
のである。
において、溝あるいは、テラスを形成した後、当該溝あ
るいはテラス上に半導体によるレンズを形成し、当該溝
あるいはテラス以外の領域に半導体レーザを形成したも
のである。
この発明におけるレンズ付半導体レーザにおいて基板結
晶上に設けた溝またはテラスは、半導体レーザとレンズ
の高さを調整する働きを持つ。
晶上に設けた溝またはテラスは、半導体レーザとレンズ
の高さを調整する働きを持つ。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はレンズ付半導体レーザの上面図、第２図は第１図に
示すＡ−Ａにおける断面図である。
図はレンズ付半導体レーザの上面図、第２図は第１図に
示すＡ−Ａにおける断面図である。
図において、（１）〜（８）は第３図及び第４図の従来
例に示したものと同等であるので説明を省略する。
例に示したものと同等であるので説明を省略する。
（９）は基板結晶（１）上にあらかじめ設けられた溝で
ある。
ある。
次いで動作について説明する。基板結晶（１）にはあら
かじめ溝（９）が形成されているので、基板結晶（１）
上に順次第１クラッド層（６：、活性層（６）、第２ク
ラッド層（γ）を形成して、溝（９）上にレンズ（８１
１溝（９）以外の部分上に半導体レーザＣ２）を作れば
、レンズ（８１の活性層（６１を半導体レーザ（２」の
活性層（６）より低い位置に形成でき、半導体レーザ（
２）より出射されたレーザ光（８）は、レンズ傳１内で
、活性層（６）を通過することなく第２クラッド層（γ
）を通過して外部へ取り出嘔れ、光吸収を受けずにビー
ム整形できる。
かじめ溝（９）が形成されているので、基板結晶（１）
上に順次第１クラッド層（６：、活性層（６）、第２ク
ラッド層（γ）を形成して、溝（９）上にレンズ（８１
１溝（９）以外の部分上に半導体レーザＣ２）を作れば
、レンズ（８１の活性層（６１を半導体レーザ（２」の
活性層（６）より低い位置に形成でき、半導体レーザ（
２）より出射されたレーザ光（８）は、レンズ傳１内で
、活性層（６）を通過することなく第２クラッド層（γ
）を通過して外部へ取り出嘔れ、光吸収を受けずにビー
ム整形できる。
なお上記実施例では基板結晶（１）に溝（９）を設けた
ものについて説明したが、溝（９）の代りにテラスを設
けてレンズ（８１と半導体レーザ（２）の活性層＋６１
の高さをずらしてもよい、ｔた、上記のように溝（９）
を用いて半導体レーザ（２）の出射光がレンズ（８）の
第２クラッド層（７）全通過するようにし次場合には、
垂直方向にもビーム整形できるように第２クラッド層（
γ）を所定の屈折率と膜厚を有する多層の半導体層によ
り形成しても良い。テラスを用い次場合も、第１クラッ
ド層（６）を所定の屈折率と膜厚を有する多層の半導体
層により形成することで、同様の効果が得られる。
ものについて説明したが、溝（９）の代りにテラスを設
けてレンズ（８１と半導体レーザ（２）の活性層＋６１
の高さをずらしてもよい、ｔた、上記のように溝（９）
を用いて半導体レーザ（２）の出射光がレンズ（８）の
第２クラッド層（７）全通過するようにし次場合には、
垂直方向にもビーム整形できるように第２クラッド層（
γ）を所定の屈折率と膜厚を有する多層の半導体層によ
り形成しても良い。テラスを用い次場合も、第１クラッ
ド層（６）を所定の屈折率と膜厚を有する多層の半導体
層により形成することで、同様の効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、基板結晶上に溝また
はテラスを形成し、その上に半導体のレンズを形成する
ように構成したので、高性能な半導体レーザが容易に得
られる効果がある。
はテラスを形成し、その上に半導体のレンズを形成する
ように構成したので、高性能な半導体レーザが容易に得
られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるレンズ付半導体レー
ザの上面図、第２図は第１図に示すＡ・Ａにおける断面
図である。第３図は従来のレンズ付半導体レーザの上面
図、第４図は第３図に示すＢ−Ｂにおける断面図である
。図において、（１）は基板結晶、（２）は半導体レー
ザ、（８）はレンズ、（４）はストライプ、（６）は第
１クラッド層、（６）は活性層、（γ）は第２クラッド
層、（８）はレーザ光、（９）は溝である。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
ザの上面図、第２図は第１図に示すＡ・Ａにおける断面
図である。第３図は従来のレンズ付半導体レーザの上面
図、第４図は第３図に示すＢ−Ｂにおける断面図である
。図において、（１）は基板結晶、（２）は半導体レー
ザ、（８）はレンズ、（４）はストライプ、（６）は第
１クラッド層、（６）は活性層、（γ）は第２クラッド
層、（８）はレーザ光、（９）は溝である。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板結晶表面に溝あるいはテラスを形成し、当該溝ある
いはテラスの上に半導体レンズを形成し、当該溝あるい
はテラス以外の領域に半導体レーザを形成したことを特
徴とするレンズ付半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1329905A JP2737329B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | レンズ付半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1329905A JP2737329B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | レンズ付半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190180A true JPH03190180A (ja) | 1991-08-20 |
| JP2737329B2 JP2737329B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=18226573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1329905A Expired - Lifetime JP2737329B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | レンズ付半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737329B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200591A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1329905A patent/JP2737329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200591A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737329B2 (ja) | 1998-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0348941A3 (en) | Semiconductor laser device | |
| DK1028505T3 (da) | Overfladeemitterende laser med lodret kavitet og omfattende enkeltlaserelementer anbragt på et fælles substrat | |
| JPS5511310A (en) | Semiconductor laser element | |
| JPH03190180A (ja) | レンズ付半導体レーザ | |
| JPS55107289A (en) | Semiconductor laser device | |
| EP0390077A3 (en) | Laser diode and method for fabricating of the same | |
| JPH02105593A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS5911690A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS622676A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS57162483A (en) | Semiconductor luminous device | |
| JPH0511131A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH052142B2 (ja) | ||
| JPS57157587A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH01270033A (ja) | レーザビームスキャナ | |
| JPS61168286A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6325659B2 (ja) | ||
| KR920011003A (ko) | 화합물 반도체 레이저 | |
| JPS57162381A (en) | Buried type semiconductor laser element | |
| KR960043385A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 | |
| JPH04159790A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS631370U (ja) | ||
| JPH0430198B2 (ja) | ||
| JPS6364385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6329439B2 (ja) | ||
| JPS54150991A (en) | Semiconductor laser device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |