JPH01270033A - レーザビームスキャナ - Google Patents
レーザビームスキャナInfo
- Publication number
- JPH01270033A JPH01270033A JP9968888A JP9968888A JPH01270033A JP H01270033 A JPH01270033 A JP H01270033A JP 9968888 A JP9968888 A JP 9968888A JP 9968888 A JP9968888 A JP 9968888A JP H01270033 A JPH01270033 A JP H01270033A
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- JP
- Japan
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- thin film
- quantum well
- laser beam
- semiconductor thin
- refractive index
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/295—Analog deflection from or in an optical waveguide structure]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野Ｊ
本発明はレーザビームの集光位置を電気的に変化させる
ことのできるレーザビームスキャナに関する。
ことのできるレーザビームスキャナに関する。
ｒ従来の技術」
一般に、周期がわずかずつ変化する凹凸形状のグレーテ
ィング（チャープトゲレーティング）をもつ導波型光デ
バイスの場合、これに集光機能のあることが知られてい
る。
ィング（チャープトゲレーティング）をもつ導波型光デ
バイスの場合、これに集光機能のあることが知られてい
る。
その技術文献としては、米国電気通信学会：量子エレク
トロニクスＱＥ−１３，２９８頁（１９７７年４月）が
公知である。
トロニクスＱＥ−１３，２９８頁（１９７７年４月）が
公知である。
上述した導波型光デバイスは、第２図に例示するごとく
、半導体または誘電体からなる基板１上に、空気を媒質
３とする薄膜先導波路２が形成されており、その薄膜光
導波路２上には、周期がＺ軸方向に徐々に変化するグレ
ーティング４が形成されている。
、半導体または誘電体からなる基板１上に、空気を媒質
３とする薄膜先導波路２が形成されており、その薄膜光
導波路２上には、周期がＺ軸方向に徐々に変化するグレ
ーティング４が形成されている。
第２図の導波型光デバイスにおいて、左方向から薄膜光
導波路２に入射されたレーザビーム（入射光Ｌ＋）は、
その薄膜光導波路２を伝搬して右方向へ出射されるが（
出射光Ｌ２）、この際、グレーティング４の周期を適当
に選ぶと、上記出射光Ｌ２がグレーティング４から適当
な距離をおいて集光される。
導波路２に入射されたレーザビーム（入射光Ｌ＋）は、
その薄膜光導波路２を伝搬して右方向へ出射されるが（
出射光Ｌ２）、この際、グレーティング４の周期を適当
に選ぶと、上記出射光Ｌ２がグレーティング４から適当
な距離をおいて集光される。
かかるグレーティング（チャープトグレーテイング）４
は、通常の一定周期をもつグレーティングと同じく、二
光束干渉法により作製され、この際、一方の光束は１周
期を変化させるため、ロッドレンズを通して干渉パター
ンをつくることが必要とされている。
は、通常の一定周期をもつグレーティングと同じく、二
光束干渉法により作製され、この際、一方の光束は１周
期を変化させるため、ロッドレンズを通して干渉パター
ンをつくることが必要とされている。
「発明が解決しようとする課題」
上述した公知技術の場合、レーザビームの集光位置は、
グレーティングの周期の変化により決定されるが、周期
がわずかずつ変化するグレーティングの製作が困難であ
るため、当該製作時の再現生が得られず、機能的にも、
レーザビームの集光位置を連続的に変化させることがで
きない。
グレーティングの周期の変化により決定されるが、周期
がわずかずつ変化するグレーティングの製作が困難であ
るため、当該製作時の再現生が得られず、機能的にも、
レーザビームの集光位置を連続的に変化させることがで
きない。
本発明は上述した課題に鑑み、レーザビームの集光位置
を電気的に変化させることができ、しかも、容易に製作
することのできるレーザビームスキャナを提供しようと
するものである。
を電気的に変化させることができ、しかも、容易に製作
することのできるレーザビームスキャナを提供しようと
するものである。
「課題を解決するための手段Ｊ
本発明に係るレーザビームスキャナは、所期の目的を達
成するため、半導体基板の表面に、多重量子井戸構造と
半導体薄膜積層構造とが相互に隣接して設けられており
、上記半導体薄膜積層構造は、交互に積層された高屈折
率半導体薄膜と低屈折率半導体薄膜とで構成されている
とともに、その周期がこれらＰｊ膜の積層方向に徐々に
変化しており、上記多重量子井戸構造の屈折率を変化さ
せるための電極が、当該多重量子井戸構造の表面および
上記半導体基板の裏面にそれぞれ設けられて ゛いるこ
とを特徴とする。
成するため、半導体基板の表面に、多重量子井戸構造と
半導体薄膜積層構造とが相互に隣接して設けられており
、上記半導体薄膜積層構造は、交互に積層された高屈折
率半導体薄膜と低屈折率半導体薄膜とで構成されている
とともに、その周期がこれらＰｊ膜の積層方向に徐々に
変化しており、上記多重量子井戸構造の屈折率を変化さ
せるための電極が、当該多重量子井戸構造の表面および
上記半導体基板の裏面にそれぞれ設けられて ゛いるこ
とを特徴とする。
ｒ実 施 例ｊ
以下、本発明レーザビームスキャナの実施例につき、図
面を参便して説明する。
面を参便して説明する。
第１図において、半導体基板１１の表面には、多重量子
井戸構造（ＭＱＷ） １２と半導体薄膜積層構造１３と
が相互に隣接して設けられており、かつ、多重量子井戸
構造１２の表面には電極１４が設けられているとともに
、半導体基板１１の裏面には電極１５が設けられている
。
井戸構造（ＭＱＷ） １２と半導体薄膜積層構造１３と
が相互に隣接して設けられており、かつ、多重量子井戸
構造１２の表面には電極１４が設けられているとともに
、半導体基板１１の裏面には電極１５が設けられている
。
多重量子井戸構造１２は、公知ないし周知のエピタキシ
ャル法を介して形成される。
ャル法を介して形成される。
半導体薄膜積層構造１３は、交互に積層された高屈折率
半導体薄膜と低屈折率半導体薄膜とで構成されていると
ともに、その周期がこれら薄膜の積層方向に徐々に変化
している。
半導体薄膜と低屈折率半導体薄膜とで構成されていると
ともに、その周期がこれら薄膜の積層方向に徐々に変化
している。
かかる半導体薄膜積層構造１３も、上述したエピタキシ
ャル法を介して形成される。
ャル法を介して形成される。
電極１４．１５は、多重量子井戸構造１２の表面および
半導体基板１１の裏面において１例えば、金を真空蒸着
することにより形成される。
半導体基板１１の裏面において１例えば、金を真空蒸着
することにより形成される。
本発明における半導体薄膜積層構造１３は、その積層構
造によりレーザビームのチャープトゲレーティングとし
て機能し、その半導体薄膜積層構造１３の周期の変化が
、上記エピタキシャル成長時の半導体膜厚に依存して定
まる。
造によりレーザビームのチャープトゲレーティングとし
て機能し、その半導体薄膜積層構造１３の周期の変化が
、上記エピタキシャル成長時の半導体膜厚に依存して定
まる。
本発明における多重量子井戸構造１２も、既知の通り、
これに電界を印加することにより、大きな屈折率変化が
得られる。
これに電界を印加することにより、大きな屈折率変化が
得られる。
したがって、第１図において半導体薄膜積層構造１３の
表面と直交する方向からその半導体薄膜積層構造１３に
レーザビームの入射光Ｌｌを入射させ、この際、円電極
１４．１５間に電圧を印加すると、上記光入射方向と直
交して半導体薄Ｉｌ！積層構造】３の側面より出射され
るレーザビームの出射光Ｌ２が、上記印加電圧による多
重量子井戸構造１２の屈折率変化に対応した位２１ｐで
集光される。
表面と直交する方向からその半導体薄膜積層構造１３に
レーザビームの入射光Ｌｌを入射させ、この際、円電極
１４．１５間に電圧を印加すると、上記光入射方向と直
交して半導体薄Ｉｌ！積層構造】３の側面より出射され
るレーザビームの出射光Ｌ２が、上記印加電圧による多
重量子井戸構造１２の屈折率変化に対応した位２１ｐで
集光される。
ゆえに、円電極１４．１５間への印加電圧の変化、すな
わち、電界の変化により、出射光Ｌ２の集光位置Ｐが変
化し、かくて、レーザビームスキャンニングが電気的に
行なえるようになる。
わち、電界の変化により、出射光Ｌ２の集光位置Ｐが変
化し、かくて、レーザビームスキャンニングが電気的に
行なえるようになる。
γ発明の効果ｊ
以上説明した通り、本発明に係るレーザビームスキャナ
は、レーザビームの集光位置を電界変化により変化させ
ることができるので、所望のレーザビームスキャンニン
グが、電気的かつ簡易に行なえ、しかも、多重量子井戸
構造、チャープトゲレーティング機能をもつ半導体ＦＩ
ｊ膜積層構造など、これら主要な構成部が、エピタキシ
ャル法により再現生よく容易に形成できる。
は、レーザビームの集光位置を電界変化により変化させ
ることができるので、所望のレーザビームスキャンニン
グが、電気的かつ簡易に行なえ、しかも、多重量子井戸
構造、チャープトゲレーティング機能をもつ半導体ＦＩ
ｊ膜積層構造など、これら主要な構成部が、エピタキシ
ャル法により再現生よく容易に形成できる。
第１図は本発明に係るレーザビームスキャナの一実施例
を略示した層構造の説明図、第２図は従来のレーザビー
ム集光装置を略示した層構造の説明図である。 １１・・・・・・半導体基板 １２・・・・・・多重量子井戸構造 １３・・・・・・半導体薄ＩＡ積層構造１４・・・・・
・電極 １５・・・・・・電極 Ｌｌ・・・・・・レーザビームの入射光Ｌ２・・・・・
・レーザビームの出射光Ｐ・・・・・・レーザビームの
集光位置代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第１図 第２図
を略示した層構造の説明図、第２図は従来のレーザビー
ム集光装置を略示した層構造の説明図である。 １１・・・・・・半導体基板 １２・・・・・・多重量子井戸構造 １３・・・・・・半導体薄ＩＡ積層構造１４・・・・・
・電極 １５・・・・・・電極 Ｌｌ・・・・・・レーザビームの入射光Ｌ２・・・・・
・レーザビームの出射光Ｐ・・・・・・レーザビームの
集光位置代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の表面に、多重量子井戸構造と半導体薄膜積
層構造とが相互に隣接して設けられており、上記半導体
薄膜積層構造は、交互に積層された高屈折率半導体薄膜
と低屈折率半導体薄膜とで構成されているとともに、そ
の周期がこれら薄膜の積層方向に徐々に変化しており、
上記多重量子井戸構造の屈折率を変化させるための電極
が、当該多重量子井戸構造の表面および上記半導体基板
の裏面にそれぞれ設けられていることを特徴とするレー
ザビームスキャナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9968888A JPH01270033A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | レーザビームスキャナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9968888A JPH01270033A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | レーザビームスキャナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270033A true JPH01270033A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14253979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9968888A Pending JPH01270033A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | レーザビームスキャナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270033A (ja) |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP9968888A patent/JPH01270033A/ja active Pending
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