JPH03190283A - 光起電力装置の形成方法 - Google Patents
光起電力装置の形成方法Info
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- JPH03190283A JPH03190283A JP1331711A JP33171189A JPH03190283A JP H03190283 A JPH03190283 A JP H03190283A JP 1331711 A JP1331711 A JP 1331711A JP 33171189 A JP33171189 A JP 33171189A JP H03190283 A JPH03190283 A JP H03190283A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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-
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Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、太陽電池等の光起電力装置の形成方法に関す
る。
る。
従来、多結晶シリコンや微結晶シリコン等の結晶相全持
つシリコン層を用いた光起電力装置においては、このシ
リコン層を形成する方法として、シリコンを溶融させた
後、冷却して結晶化させる方法ノ他に、低コスト化のた
めに、高周波グロー放電法等の薄膜形成法によりガラス
、金属、セラミックス等の基板とに形成する方法が用い
られている。
つシリコン層を用いた光起電力装置においては、このシ
リコン層を形成する方法として、シリコンを溶融させた
後、冷却して結晶化させる方法ノ他に、低コスト化のた
めに、高周波グロー放電法等の薄膜形成法によりガラス
、金属、セラミックス等の基板とに形成する方法が用い
られている。
一方、従来では、シリコン層の表面に凹凸を与えること
により光電変換効率の向上を図ったものが知られている
（例えば、ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔ ｏｆＩｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰＶＳＥＣ−１（１９８４）ｐ
、５８３参照）。
により光電変換効率の向上を図ったものが知られている
（例えば、ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔ ｏｆＩｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰＶＳＥＣ−１（１９８４）ｐ
、５８３参照）。
これは、ガラス基板上のＴＣＯ表面に凹凸を形成し、こ
の上面に光電変換層（ｐｉｎ構造のａ−５ｉ）ｆ形成す
ることにより、ＴＣＯと光電変換層との界面や他の各層
のそれぞれの界面での光の表面反射を抑えると共に、入
射光に対する光吸収性を高め、いわゆる光閉じ込め効果
を発揮するものである。
の上面に光電変換層（ｐｉｎ構造のａ−５ｉ）ｆ形成す
ることにより、ＴＣＯと光電変換層との界面や他の各層
のそれぞれの界面での光の表面反射を抑えると共に、入
射光に対する光吸収性を高め、いわゆる光閉じ込め効果
を発揮するものである。
しかし、以上の２つの従来技術を両立させ、高周波グロ
ー放電法による低コスト形成法を用いて、光入射側表面
に凹凸を有する結晶相を持つシリコン層を得るためには
、基板自体に凹凸をつけなければならず、製法が複雑化
する上、これによりコストが上昇してしまう等の問題を
生じる。
ー放電法による低コスト形成法を用いて、光入射側表面
に凹凸を有する結晶相を持つシリコン層を得るためには
、基板自体に凹凸をつけなければならず、製法が複雑化
する上、これによりコストが上昇してしまう等の問題を
生じる。
本発明は、従来の技術の有するこのような問題点に留意
してなされたものであり、その目的とするところは、基
板自体に凹凸を形成することなく、高周波グロー放電法
によって表面に凹凸を有するシリコン層を得ることがで
きる光起電力装置の形成方法を提供することにある。
してなされたものであり、その目的とするところは、基
板自体に凹凸を形成することなく、高周波グロー放電法
によって表面に凹凸を有するシリコン層を得ることがで
きる光起電力装置の形成方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の光起電力装置の形
成方法にあっては、ジクロロシラン（ｓｌ−ＨｚＣ／ｚ
）ｉ用いたグロー放電法により凹凸を持つシリコン薄膜
を形成できることを利用し、基板上に形成されるシリコ
ン層の一部を、ジクロロシランを用いた基板温度６００
°Ｃ以下の高周波グロー放電法により形成したことを特
徴とするものである。
成方法にあっては、ジクロロシラン（ｓｌ−ＨｚＣ／ｚ
）ｉ用いたグロー放電法により凹凸を持つシリコン薄膜
を形成できることを利用し、基板上に形成されるシリコ
ン層の一部を、ジクロロシランを用いた基板温度６００
°Ｃ以下の高周波グロー放電法により形成したことを特
徴とするものである。
前述した手段により、シリコン層の一部を凹凸シリコン
層とすることができ、シリコン層の光入射側表面の凹凸
化が実現し、いわゆる光閉じ込め効果が発揮される。
層とすることができ、シリコン層の光入射側表面の凹凸
化が実現し、いわゆる光閉じ込め効果が発揮される。
しかも、この凹凸シリコン層は通常の高周波グロー放電
法によって形成されるため、コストの大幅な上昇はない
。
法によって形成されるため、コストの大幅な上昇はない
。
ｌ実施例を第１図に従って説明する。
第１図において、（１）はステンレス等の金属性の基板
、（２）は基板ｉｌｌ上にジクロロシラン（Ｓ １Ｈｚ
ｃｌｚ ）を用いた高周波グロー放電法によって形成さ
れた凹凸シリコン層であり、基板温度６００°Ｃ以とで
は凹凸が小さくなるため、基板温度は例えば５５０°Ｃ
に設定されている。
、（２）は基板ｉｌｌ上にジクロロシラン（Ｓ １Ｈｚ
ｃｌｚ ）を用いた高周波グロー放電法によって形成さ
れた凹凸シリコン層であり、基板温度６００°Ｃ以とで
は凹凸が小さくなるため、基板温度は例えば５５０°Ｃ
に設定されている。
ここで、凹凸シリコン層（２）はその凹凸ゆえに良好な
導電性が得られない場合が生じるため、必要に応じて、
フォトリソグラフィあるいはレーザ光照射等によって基
板＋１１に通じる穴（２ａ） ’に形成し、後述する光
電変換層と基板＋１１との間を電気的に導通させる。
導電性が得られない場合が生じるため、必要に応じて、
フォトリソグラフィあるいはレーザ光照射等によって基
板＋１１に通じる穴（２ａ） ’に形成し、後述する光
電変換層と基板＋１１との間を電気的に導通させる。
（３）はｐ型多結晶又は微結晶シリコン層（３ｐ）とｎ
型多結晶又は微結晶シリコン層（３ｎ）との接合構造か
らなる光電変換層であり、凹凸シリコン層＋２１上にシ
ラン（Ｓ １Ｈ４）とジボラン（Ｂ２Ｈ６）との混合ガ
スを用いた高周波グロー放電法により基板温度７００℃
でｐ型シリコン層（３ｐ）が形成されると共に、この上
面にシラン（ＳｉＨ４）とホスフィン（ＰＨ３）との混
合ガスを用いた高周波グロー放電法により基板温度７０
０°Ｃでｎ型シリコン層（３ｎ）が形成される。
型多結晶又は微結晶シリコン層（３ｎ）との接合構造か
らなる光電変換層であり、凹凸シリコン層＋２１上にシ
ラン（Ｓ １Ｈ４）とジボラン（Ｂ２Ｈ６）との混合ガ
スを用いた高周波グロー放電法により基板温度７００℃
でｐ型シリコン層（３ｐ）が形成されると共に、この上
面にシラン（ＳｉＨ４）とホスフィン（ＰＨ３）との混
合ガスを用いた高周波グロー放電法により基板温度７０
０°Ｃでｎ型シリコン層（３ｎ）が形成される。
（４）は光電変換層（３）上にスパッタ法により形成さ
れたＩＴＵ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）より
なる透明電極である。
れたＩＴＵ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）より
なる透明電極である。
尚、前記実施例における基板［１１は必らずしも導電性
物質である必要はなく、絶縁性基板上に導電性物質を部
分的に付着させて電極としての機能を持たせるようにし
てもよい。
物質である必要はなく、絶縁性基板上に導電性物質を部
分的に付着させて電極としての機能を持たせるようにし
てもよい。
同様に、透明電極（４）の代りに、くし型の電極を用い
てもよい。
てもよい。
又、前記凹凸シリコン層（２）と光電変換層（３）との
積層の順序は逆であってもよく、この場合、透明電極と
の電気的導通を保つために凹凸シリコン層（２）に必要
に応じて穴を形成する。
積層の順序は逆であってもよく、この場合、透明電極と
の電気的導通を保つために凹凸シリコン層（２）に必要
に応じて穴を形成する。
以上説明したように、本発明の光起電力装置の形成方法
によると、シリコン層の一部を高周波グロー放電法によ
って形成された凹凸層により構成でき、シリコン層の光
入射側表面を凹凸状態に形成できるため、いわゆる光閉
じ込め効果が発揮でき、高い光電変換率を得ることがで
き、しかも、シリコン層における光電変換層の形成方法
と同じ高周波グロー放電法によって凹凸層を得ることが
できるため、製法が非常に簡単になり、大幅なコスト上
昇を招くことがない。
によると、シリコン層の一部を高周波グロー放電法によ
って形成された凹凸層により構成でき、シリコン層の光
入射側表面を凹凸状態に形成できるため、いわゆる光閉
じ込め効果が発揮でき、高い光電変換率を得ることがで
き、しかも、シリコン層における光電変換層の形成方法
と同じ高周波グロー放電法によって凹凸層を得ることが
できるため、製法が非常に簡単になり、大幅なコスト上
昇を招くことがない。
第１図は本発明による光起電力装置の形成方法の１実施
例を示す光起電力装置の断面図である。 （１）・・基板、（２）・・・凹凸シリコン層、（３）
・・・光電変換層。
例を示す光起電力装置の断面図である。 （１）・・基板、（２）・・・凹凸シリコン層、（３）
・・・光電変換層。
Claims (1)
- （１）結晶相を持つシリコン層を用いた光起電力装置の
形成方法において、 基板上に形成される前記シリコン層の一部を、ジクロロ
シラン（ＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２）を用いた基板温度６００
℃以下の高周波グロー放電法により形成したことを特徴
とする光起電力装置の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331711A JPH03190283A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 光起電力装置の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331711A JPH03190283A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 光起電力装置の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190283A true JPH03190283A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18246736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1331711A Pending JPH03190283A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 光起電力装置の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190283A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4196438A (en) * | 1976-09-29 | 1980-04-01 | Rca Corporation | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication |
| JPS6010788A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用基板 |
| JPS6245079A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用基板およびその製法 |
| JPS6395617A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-26 | ダウ・コーニング・コーポレーシヨン | 非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1331711A patent/JPH03190283A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4196438A (en) * | 1976-09-29 | 1980-04-01 | Rca Corporation | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication |
| JPS6010788A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用基板 |
| JPS6245079A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用基板およびその製法 |
| JPS6395617A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-26 | ダウ・コーニング・コーポレーシヨン | 非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法 |
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