JPH0424878B2 - - Google Patents
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- JPH0424878B2 JPH0424878B2 JP58151405A JP15140583A JPH0424878B2 JP H0424878 B2 JPH0424878 B2 JP H0424878B2 JP 58151405 A JP58151405 A JP 58151405A JP 15140583 A JP15140583 A JP 15140583A JP H0424878 B2 JPH0424878 B2 JP H0424878B2
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- Japan
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- semiconductor
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- silicon
- type semiconductor
- semiconductor layer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
- H10D30/6732—Bottom-gate only TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
- H10D30/6713—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
- H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
- H10D30/6743—Silicon
- H10D30/6745—Polycrystalline or microcrystalline silicon
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はPI、NIまたはPIN接合を少なくと
も１つ有する光電変換装置（以下PVCという）
における透光性導電膜とＰまたはＮ型の非単結晶
半導体との界面即ち電極近傍の構造に関するもの
である。
も１つ有する光電変換装置（以下PVCという）
における透光性導電膜とＰまたはＮ型の非単結晶
半導体との界面即ち電極近傍の構造に関するもの
である。
従来、これら光電変換半導体装置においてはＰ
またはＮ型のアモルフアス珪素上にアルミニユー
ムを真空蒸着方法で形成することが知られてい
た。しかしかかるアモルフアス珪素とアルミニユ
ームとの電極を100〜150℃で加熱処理を50時間位
行うと、アルミニユームが半導体中にマイグレイ
ト（異常拡散）して、電気的劣化をおこしてしま
う。このため、PIまたはNI接合において、この
アルミニユームがきわめて深くPIまたNI接合に
至り、接合特性を変質させてしまつていた。
またはＮ型のアモルフアス珪素上にアルミニユー
ムを真空蒸着方法で形成することが知られてい
た。しかしかかるアモルフアス珪素とアルミニユ
ームとの電極を100〜150℃で加熱処理を50時間位
行うと、アルミニユームが半導体中にマイグレイ
ト（異常拡散）して、電気的劣化をおこしてしま
う。このため、PIまたはNI接合において、この
アルミニユームがきわめて深くPIまたNI接合に
至り、接合特性を変質させてしまつていた。
このため、ＰまたはＮ型半導体上にはこのよう
な金属を真空蒸着させるのではなく、酸化物導電
膜を形成することが試みられている。即ちＰ型ア
モルフアス珪素に対しては透光性導電酸化膜（以
下CTOという）の酸化スズを、またＮ型アモル
フアス珪素に対しては酸化インジユームを主成分
とするCTO即ちITO（酸化スズを10重量％以下添
加した酸化インジユーム）を密接させるというこ
とが試みられている。さらに必要に応じてこの
CTO上に反射性金属であるアルミニユームまた
は銀を形成させる方法が知られている。
な金属を真空蒸着させるのではなく、酸化物導電
膜を形成することが試みられている。即ちＰ型ア
モルフアス珪素に対しては透光性導電酸化膜（以
下CTOという）の酸化スズを、またＮ型アモル
フアス珪素に対しては酸化インジユームを主成分
とするCTO即ちITO（酸化スズを10重量％以下添
加した酸化インジユーム）を密接させるというこ
とが試みられている。さらに必要に応じてこの
CTO上に反射性金属であるアルミニユームまた
は銀を形成させる方法が知られている。
かくのごとき構造とすると、150℃で作製して
も500時間までは電気特性の劣化を10％以内に防
ぐことができた。しかし500時間〜2000時間たつ
と、例えばPIN接合を有するPVCにおいて、初
期の効率が8.3％（1.05cm2）であつたのが、その
変化量において５％（500時間）〜25％（2000時
間）もの特性劣化（低下）がおこつてしまつた。
も500時間までは電気特性の劣化を10％以内に防
ぐことができた。しかし500時間〜2000時間たつ
と、例えばPIN接合を有するPVCにおいて、初
期の効率が8.3％（1.05cm2）であつたのが、その
変化量において５％（500時間）〜25％（2000時
間）もの特性劣化（低下）がおこつてしまつた。
その原因を詳細に検討していくと、ＰまたはＮ
領域のアモルフアス半導体とCTOとの界面に酸
化珪素が薄く形成されてしまつていることが判明
した。特にＮ型アモルフアス珪素においては、
PSG（リンガラス）、Ｐ型アモルフアス珪素にお
いてはBSG（ホウ素ガラス）が形成される。これ
らガラスは最終的に絶縁性を有するものであり、
これらが特性劣化の原因であることが判明した。
領域のアモルフアス半導体とCTOとの界面に酸
化珪素が薄く形成されてしまつていることが判明
した。特にＮ型アモルフアス珪素においては、
PSG（リンガラス）、Ｐ型アモルフアス珪素にお
いてはBSG（ホウ素ガラス）が形成される。これ
らガラスは最終的に絶縁性を有するものであり、
これらが特性劣化の原因であることが判明した。
アモルフアス珪素は化学的に結晶半導体に比べ
て不安定でありかつ反応しやすいため、これらの
劣化はアモルフアス半導体に特有の劣化特性であ
ることが判明した。
て不安定でありかつ反応しやすいため、これらの
劣化はアモルフアス半導体に特有の劣化特性であ
ることが判明した。
また半導体としてアモルフアス珪素の代わりに
微結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を用
いた場合、その成分中のアモルフアス分は約50％
となつているため、ITOとCTOとの反応をアモ
ルフアス珪素のみの場合に比べて約1/2とするこ
とができる。しかしこれでも本質的には劣化特性
を有することには変わりなく、さらに抜本的な解
決法が求められていた。
微結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を用
いた場合、その成分中のアモルフアス分は約50％
となつているため、ITOとCTOとの反応をアモ
ルフアス珪素のみの場合に比べて約1/2とするこ
とができる。しかしこれでも本質的には劣化特性
を有することには変わりなく、さらに抜本的な解
決法が求められていた。
本発明はかかる劣化の発生を防止して高信頼性
を有せしめることを目的とするものである。
を有せしめることを目的とするものである。
本発明はかかる目的のため、Ｐ型半導体及びＮ
型半導体を有する半導体装置であり、前記Ｐ型半
導体及びＮ型半導体の各々が透光性導電膜と密接
した構造のものにおいて、前記Ｐ型半導体又はＮ
型半導体は珪素非単結晶半導体層とSixC1-x（０＜
Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層との二層か
ら成るものであり、前記Ｐ型半導体を構成する炭
化珪素半導体層は酸化物透光性導電膜と密接され
ており、前記Ｎ型半導体を構成する炭化珪素半導
体層は酸化インジユームを主成分とする透光性導
電膜と密接されている構造としたものであり、つ
まりこの発明はＰまたはＮ型の導電型を有し、か
つ透光性をアモルフアス珪素に比べて大きく有す
る半導体と、この半導体に密接して導電性を有す
る透光性導電膜の電極とを密接させてオーム接触
を有せしめるに際し、この電極−半導体界面での
反応による絶縁物の発生を防ぐため、その間にア
モルフアス珪素よりも透光性を有し、前記半導体
の導電型と同一のＰまたＮ型の導電型を有する
SixC1-x（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素を介在
せしめて電極と半導体界面での熱化学反応の発生
を防ぎ、その結果この炭化珪素が酸素に対しブロ
ツク（阻止）効果を有し、CTOを構成している
酸素が珪素中に拡散してPSG、BSGを作ること
を防ぐことができ、高信頼性の半導体装置が得ら
れるものである SixC1-x（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導
体は、特に、ｘ＝0.95〜0.8においてその酸素を
ブロツクする作用が十分機能し、かつその厚さも
トンネル電流を引き出す程度の100Å以下（代表
的には平均膜厚15〜40Åと推定される）の厚さで
十分のブロツク作用がある。その結果、例えば
PIN結合を有さない光電変換装置を150℃で保持
し、1000〜2000時間をへても、その劣化は０〜２
％（1000時間）ないし０〜３％（2000時間）と熱
劣化をまつたくなくすことができた。
型半導体を有する半導体装置であり、前記Ｐ型半
導体及びＮ型半導体の各々が透光性導電膜と密接
した構造のものにおいて、前記Ｐ型半導体又はＮ
型半導体は珪素非単結晶半導体層とSixC1-x（０＜
Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層との二層か
ら成るものであり、前記Ｐ型半導体を構成する炭
化珪素半導体層は酸化物透光性導電膜と密接され
ており、前記Ｎ型半導体を構成する炭化珪素半導
体層は酸化インジユームを主成分とする透光性導
電膜と密接されている構造としたものであり、つ
まりこの発明はＰまたはＮ型の導電型を有し、か
つ透光性をアモルフアス珪素に比べて大きく有す
る半導体と、この半導体に密接して導電性を有す
る透光性導電膜の電極とを密接させてオーム接触
を有せしめるに際し、この電極−半導体界面での
反応による絶縁物の発生を防ぐため、その間にア
モルフアス珪素よりも透光性を有し、前記半導体
の導電型と同一のＰまたＮ型の導電型を有する
SixC1-x（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素を介在
せしめて電極と半導体界面での熱化学反応の発生
を防ぎ、その結果この炭化珪素が酸素に対しブロ
ツク（阻止）効果を有し、CTOを構成している
酸素が珪素中に拡散してPSG、BSGを作ること
を防ぐことができ、高信頼性の半導体装置が得ら
れるものである SixC1-x（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導
体は、特に、ｘ＝0.95〜0.8においてその酸素を
ブロツクする作用が十分機能し、かつその厚さも
トンネル電流を引き出す程度の100Å以下（代表
的には平均膜厚15〜40Åと推定される）の厚さで
十分のブロツク作用がある。その結果、例えば
PIN結合を有さない光電変換装置を150℃で保持
し、1000〜2000時間をへても、その劣化は０〜２
％（1000時間）ないし０〜３％（2000時間）と熱
劣化をまつたくなくすことができた。
本発明においては、層に接する半導体は非単
結晶半導体であつて、特に微結晶または多結晶の
ＰまたはＮ型の珪素半導体を用いても良い。
結晶半導体であつて、特に微結晶または多結晶の
ＰまたはＮ型の珪素半導体を用いても良い。
それはPIまたはNI接合においては、またはＮ
型半導体層がアモルフアス珪素においては、その
電気伝導度は10-7〜10-5（Ωcm）-1であり、かつそ
の活性化エネルギも0.3〜0.4eVと大きい。
型半導体層がアモルフアス珪素においては、その
電気伝導度は10-7〜10-5（Ωcm）-1であり、かつそ
の活性化エネルギも0.3〜0.4eVと大きい。
このため活性状態の真性または実質的に真性
（Ｐ型用ホウ素またはＮ型用リンが1017cm-3以下
である、または意図的にまたは価の不純物を
添加しない）の型半導体との接合の内部電界を
有せしめんとするには、かかるアモルフアス珪素
では不十分であり、さらにこのＰまたはＮ型半導
体を透光して光を型半導体に注入せんとする
時、この半導体層での光吸収損をより少なくする
ことが求められる。
（Ｐ型用ホウ素またはＮ型用リンが1017cm-3以下
である、または意図的にまたは価の不純物を
添加しない）の型半導体との接合の内部電界を
有せしめんとするには、かかるアモルフアス珪素
では不十分であり、さらにこのＰまたはＮ型半導
体を透光して光を型半導体に注入せんとする
時、この半導体層での光吸収損をより少なくする
ことが求められる。
そこで微結晶または多結晶のＰまたはＮ型の珪
素半導体を用いたのである。この微結晶または多
結晶のＰまたはＮ型の珪素半導体は電気伝導度が
10-1〜102（Ωcm）-1を有し、さらに光吸収係数も
例えば500nｍにて１×105（Ωcm）-1とアモルフア
ス珪素が３×105（Ωcm）-1であるのに対して1/3減
少させることができるのである。
素半導体を用いたのである。この微結晶または多
結晶のＰまたはＮ型の珪素半導体は電気伝導度が
10-1〜102（Ωcm）-1を有し、さらに光吸収係数も
例えば500nｍにて１×105（Ωcm）-1とアモルフア
ス珪素が３×105（Ωcm）-1であるのに対して1/3減
少させることができるのである。
かかる微結晶または多結晶の珪素の粒径はそれ
ぞれ５〜200Å及び200〜2000Åである。
ぞれ５〜200Å及び200〜2000Åである。
以下に図面に従つて本発明を示す。
実施例 １
第１図Ａは基板１、透光性絶縁基板１５を通つ
て光１０が照射されたPVCを示す。
て光１０が照射されたPVCを示す。
図面において、ガラス基板１上に第１のCTO
２を形成した。図面ではこれをフツ素のごときハ
ロゲン元素が添加された酸化スズ（300〜2000Å）
またはITO（300〜1500Å）＋酸化スズ（200〜400
Å）の２層構造とした。さらに、このCTO２上
にＰ型のSixC1-x（０＜ｘ＜１例えばｘ＝0.8）を
プラズマ気相法（PCVD法）によりSiH4とCH4
で実施した。その際、B2H6を0.5濃度％添加して
200℃の温度、出力20Wにて形成させた。その平
均厚さは約100Åであつた。
２を形成した。図面ではこれをフツ素のごときハ
ロゲン元素が添加された酸化スズ（300〜2000Å）
またはITO（300〜1500Å）＋酸化スズ（200〜400
Å）の２層構造とした。さらに、このCTO２上
にＰ型のSixC1-x（０＜ｘ＜１例えばｘ＝0.8）を
プラズマ気相法（PCVD法）によりSiH4とCH4
で実施した。その際、B2H6を0.5濃度％添加して
200℃の温度、出力20Wにて形成させた。その平
均厚さは約100Åであつた。
さらにこの上面に型非晶質または半非晶質珪
素をPCVD法、光CVD法、光プラズマ気相法ま
たはLT CVD法（低温気相法）（HOMO CVD法
ともいう）またはこれらを組み合わせた気相法に
より0.2〜0.8μ例えば0.5μの厚さに形成させた。こ
の時同時にホウ素を平均濃度が1017cm-3以下添加
し、かつ濃度勾配をＰ型側に大きくして設け、効
率の向上を図ることは有効であつた。またこの水
素およびハロゲン元素が添加された珪素半導体中
の酸素は少なくとも５×1019cm-3以下好ましくは
５×1018cm-3以下にし、酸素による光照射劣化を
防ぎ、かつ酸化珪素絶縁物の存在による電気的導
電性の低下を防いだ。
素をPCVD法、光CVD法、光プラズマ気相法ま
たはLT CVD法（低温気相法）（HOMO CVD法
ともいう）またはこれらを組み合わせた気相法に
より0.2〜0.8μ例えば0.5μの厚さに形成させた。こ
の時同時にホウ素を平均濃度が1017cm-3以下添加
し、かつ濃度勾配をＰ型側に大きくして設け、効
率の向上を図ることは有効であつた。またこの水
素およびハロゲン元素が添加された珪素半導体中
の酸素は少なくとも５×1019cm-3以下好ましくは
５×1018cm-3以下にし、酸素による光照射劣化を
防ぎ、かつ酸化珪素絶縁物の存在による電気的導
電性の低下を防いだ。
次にＮ型の非単結晶半導体層５をPH3／SiH4
＝１％、SiH4／H2＝30％として、PCVD法によ
り10Wの出力で100〜300Å例えば200Åの厚さに
形成せしめた。するとこの場合は微結晶性を含む
Ｎ型珪素（水素が５〜15原子％添加されている）
が形成された。さらにこの上面にPH3／SiH4＝
１％、CH4／（SiH4＋CH4）＝５〜50％とし、
SixC1-x（例えばｘ＝0.95〜0.8）２１として作製
した。この膜厚は100Å以下例えば30Åとした。
さらにこの後、ITOを裏面電極１９として公知の
電子ビーム蒸着法により形成せしめた。
＝１％、SiH4／H2＝30％として、PCVD法によ
り10Wの出力で100〜300Å例えば200Åの厚さに
形成せしめた。するとこの場合は微結晶性を含む
Ｎ型珪素（水素が５〜15原子％添加されている）
が形成された。さらにこの上面にPH3／SiH4＝
１％、CH4／（SiH4＋CH4）＝５〜50％とし、
SixC1-x（例えばｘ＝0.95〜0.8）２１として作製
した。この膜厚は100Å以下例えば30Åとした。
さらにこの後、ITOを裏面電極１９として公知の
電子ビーム蒸着法により形成せしめた。
これに対応したエネルギバンド図を第１図Ｂに
示す。
示す。
かかる構造において、AM1（100ｍＷ／cm2）に
て1.05cm2（3.5cm×３mm）において、8.91％（開放
電圧0.89V、短絡電流18ｍＡ／cm2、曲線因子0.55）
を得た。これを150℃で大気中に放置すると、
1000〜2000時間を経てその劣化は初期に比べて０
〜３％（1000時間）、また０〜５％（2000時間）
を試料数30にて得ることができ、その劣化は３％
以内で従来が20％を越えていたことに比べて実用
上きわめて著しい信頼性の向上であつた。
て1.05cm2（3.5cm×３mm）において、8.91％（開放
電圧0.89V、短絡電流18ｍＡ／cm2、曲線因子0.55）
を得た。これを150℃で大気中に放置すると、
1000〜2000時間を経てその劣化は初期に比べて０
〜３％（1000時間）、また０〜５％（2000時間）
を試料数30にて得ることができ、その劣化は３％
以内で従来が20％を越えていたことに比べて実用
上きわめて著しい信頼性の向上であつた。
実施例 ２
この実施例は第１図Ａに対し、Ｎ型半導体上の
ITO７上にさらに反射性電極として銀（500〜
1000Å）およびこの上にアルミニユーム3000Åを
電子ビーム蒸着法により作製した。するとこの反
射性電極により600〜800nｍの長波長光を照射し
て型半導体層中に閉じ込めることができるた
め、初期変換効率は9.82％（開放電圧0.89V、短
絡電流19.3ｍＡ、曲線因子0.57）を得ることがで
きた。その信頼性特性に関しても、150℃、1000
時間放置の条件でも初期値に比べて３％以下の劣
化しかなかつた。
ITO７上にさらに反射性電極として銀（500〜
1000Å）およびこの上にアルミニユーム3000Åを
電子ビーム蒸着法により作製した。するとこの反
射性電極により600〜800nｍの長波長光を照射し
て型半導体層中に閉じ込めることができるた
め、初期変換効率は9.82％（開放電圧0.89V、短
絡電流19.3ｍＡ、曲線因子0.57）を得ることがで
きた。その信頼性特性に関しても、150℃、1000
時間放置の条件でも初期値に比べて３％以下の劣
化しかなかつた。
本発明において、以上の実施例はＮ型非単結晶
半導体にITO等の酸化インジユームを主成分とす
る電極を作製した。しかしＰ型珪素半導体−Ｐ型
炭化珪素（SixC1-x ０＜ｘ＜１）半導体−酸化
スズのCTOによる電極構造を同時に作ることは
有効である。
半導体にITO等の酸化インジユームを主成分とす
る電極を作製した。しかしＰ型珪素半導体−Ｐ型
炭化珪素（SixC1-x ０＜ｘ＜１）半導体−酸化
スズのCTOによる電極構造を同時に作ることは
有効である。
以上の説明のごとく、本発明は光電変換装置の
非単結晶半導体を用いる半導体装置における電極
構造において、型半導体に密接した電気伝導度
のよい結晶性の非単結晶半導体を形成し、さらに
その上面に化学的にきわめて安定なSixC1-x（０＜
ｘ＜１）の炭化珪素を設け、この結果非単結晶珪
素半導体とCTOとの反応による絶縁膜の形成を
防ぐことができ、高信頼性の半導体層を作ること
が可能となつた。
非単結晶半導体を用いる半導体装置における電極
構造において、型半導体に密接した電気伝導度
のよい結晶性の非単結晶半導体を形成し、さらに
その上面に化学的にきわめて安定なSixC1-x（０＜
ｘ＜１）の炭化珪素を設け、この結果非単結晶珪
素半導体とCTOとの反応による絶縁膜の形成を
防ぐことができ、高信頼性の半導体層を作ること
が可能となつた。
第１図は光電変換装置に本発明を応用した場合
の縦断面図を示す。
の縦断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｐ型半導体およびＮ型半導体を有する半導体
装置であり、前記Ｐ型半導体およびＮ型半導体の
各々が透光性導電膜と密接した構造のものにおい
て、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体は珪素非単
結晶半導体層とSixC1-x（０＜Ｘ＜１）で示される
炭化珪素半導体層との二層から成るものであり、
前記Ｐ型半導体を構成する炭化珪素半導体層は酸
化錫透光性導電膜と密接されており、前記Ｎ型半
導体を構成する炭化珪素半導体層は酸化インジユ
ームを主成分とする透光性導電膜と密接されてい
ることを特徴とする半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において珪素非単結晶
半導体層が微結晶性を有する珪素半導体であるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151405A JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
| JP1274697A JPH0669096B2 (ja) | 1983-08-19 | 1989-10-20 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151405A JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274697A Division JPH0669096B2 (ja) | 1983-08-19 | 1989-10-20 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
| JP1274696A Division JPH0340470A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ |
| JP3352883A Division JPH05267700A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043869A JPS6043869A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0424878B2 true JPH0424878B2 (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=15517867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151405A Granted JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043869A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH03278466A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3032158A1 (de) * | 1979-08-30 | 1981-04-02 | Plessey Overseas Ltd., Ilford, Essex | Solarzelle |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58151405A patent/JPS6043869A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6043869A (ja) | 1985-03-08 |
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