JPH0319110A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JPH0319110A
JPH0319110A JP15417189A JP15417189A JPH0319110A JP H0319110 A JPH0319110 A JP H0319110A JP 15417189 A JP15417189 A JP 15417189A JP 15417189 A JP15417189 A JP 15417189A JP H0319110 A JPH0319110 A JP H0319110A
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JP
Japan
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magnetic
film
magnetic gap
head
films
Prior art date
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JP15417189A
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English (en)
Inventor
Michio Yanagi
道男 柳
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Canon Electronics Inc
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Canon Electronics Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野] 本発明は磁気ヘッドに関し、特に一対の磁気コア半休を
磁気ギャップ材を介して突合せ、接合してなる磁気ヘッ
ドに関するものである.【従来の技術】 近年、磁気記録技術の向上に伴い、ビデオテーブレコー
ダ(VTR)、回転ヘッド型デジタルオーディオテーブ
レコーダ(R−DAT).フロッピーディスクドライブ
装置(FDD).スチルビデオ(SV)等の装置におい
ては、高抗磁力の磁気記録媒体を利用する機会が増えて
きている。 これに伴って、これらの装置用の磁気ヘッドとして、こ
のような高抗磁力媒体への記録を可能とするために高飽
和磁束密度の磁性材を用いる必要があり、且つ、記録媒
体の面内の記録密度を向上させるためにその狭トラック
化や、磁気ギャップ長の狭小化が要求されている. これに対応して,近年では、従来のフエライトヘッドに
代わり、主にフエライトからなるコア半休の磁気ギャッ
プ近傍のみにセンダスト、アモルファス等の金属を、ス
パッタリング、真空蒸着、イオンブレーテイング等の真
空薄膜形成技術にて堆積した複合ヘッド、所謂メタル・
イン・ギャップ(MIG)型と呼ばれる磁気ヘッドが主
流となっている.これらの磁気ヘッドにおいて、その磁
気ギャップ材としては、Stow,TiOz,ZrO*
 , Cr, A12oz , Tic, Tag’s
等が提案されている。 [発明が解決しようとしている問題点]上述の如き磁気
ヘッドにおいては、一般に以下の3つの課題が存在する
. まず第1に、磁気ギャップを保持固定する溶着ガラス材
とフエライト.センダストやアモルファス等との金属と
の濡れ性が各材料によって異なるため、コア間の隙間に
この溶看ガラスが入りにくい。従って、ヘッドチップの
強度を保つために、磁気ギャップ材としては溶着ガラス
との濡れ性が良いものを選択する必要がある. また第2に、超狭ギャップを形成する場合には、フエラ
イト,センダストやアモルファス等の金属の間で耐摩耗
性が異なるため、中間に位置するギャップ材の耐摩耗性
が異なるため、ギャップ材の耐摩耗性が重要なポイント
となる.つまり、各材料が均一に摩耗するような耐摩耗
性を有する磁気ギャップ材を選択する必要がある。 更に第3に、センダストやアモルファス等の金属と溶着
ガラスとが反応して反応層を生じ、外観上で好ましくな
い上に、ガラスと金属との接合強度も弱くなり、脆くな
ってしまう。そのため、上記反応層の発生を抑え得る磁
気ギャップ材を選択する必要がある. 以下、これらの課題について更に詳しく説明する. まず、従来の各ギャップ材の溶着ガラスに対する濡れ性
を第1表に示す。 この第1表には各磁気ギャップ材と溶着ガラス(PbO
−SiOx −Bi*Os −Bw On系)との濡れ
性を接触角θで示してある。接触角θが小さい程濡れ性
は良いことになる.尚、接触角θの測定は以下の如く行
なった。即ち、フエライト基板上に高飽和磁束密度の金
属磁性膜であるセンダスト薄膜を5μmの膜厚で成膜し
た上に、上記の各磁気ギャップ材の薄膜を膜厚1 00
0人で成膜し、その上に一定体積の溶着ガラスを載せ、
570℃で40分加熱して溶融させる。この時の溶着ガ
ラス滴の各磁気ギャップ材の薄膜との接触角を接触角計
にて測定したものがか上記θである。ちなみに、フエラ
イトに対する溶着ガラスの接触角θは32゜であり、セ
ンダストに対する溶着ガラスの接触角θは62″″であ
る。 次に、磁気ギャップ材の耐摩耗性について考察する。 まず、Cr,Ahos ,Tic,ZrOtは硬?が大
で、耐摩耗性が高すぎるため、これらの材料を用いると
磁気コアの磁気ギャップ部に出張りを生じてしまう。こ
の出張りは、スペーシングロスを発生させ、出力の劣化
となってしまう。 一方、TiO■は逆に硬度が小さすぎて、これを用いる
と磁気ギャップ部に窪みを生じてしまう。この窪みに磁
気コアの金属磁性薄膜材料が変形して入り込み、所謂ギ
ャップかぶりを生じ、光学ギャップ長が小さくなり、同
様に出力が劣化するという不都合がある。 なお、S i O a , TazO sは硬度が上記
の両者の中間であり、耐摩耗性に関していえば磁気ギャ
ップ材に適しているといえる。 更に、他の問題としては磁気コア半休の突合わせ面に成
膜される金属磁性膜と溶着ガラスが反応して反応層が生
じる結果、溶着ガラスと金属磁性膜との結合強度が弱く
なり磁気コアの機械的強度が弱くなってしまう.これに
対して、上記の各磁気ギャップ材ではCrを除きこのよ
うな反応層の発生を防止する効果は低い. ただし、Crは反応層の発生を防止出来るものの、金属
磁性薄膜材料と光学顕微鏡の下でほぼ同色に見えるため
、ヘッドの製造工程において光学顕微鏡によるギャップ
長の検査が困難であり、その分コストがかかってしまう
. このように、従来用いられている各磁気ギャップ材では
上述の課題を解決するものはない.本発明は、斯かる背
景下においてヘッドチップの強度と電磁変換特性の両方
を満足したものとできる磁気ヘッドを提供することを目
的とする。 [問題点を解決するための手段] 斯かる目的下において、本発明によれば、一対の磁気コ
ア半休を磁気ギャップ材を介して突合せ、溶着ガラスに
より接合してなる磁気ヘッドにおいて、一対の磁気コア
の少なくとも一方の突合せ面にS i O *膜とCr
*Os膜の積層膜を堆積する構成とした. [作用] 上述の如く構成することにより、StOt膜のみを磁気
ギャップ材とする場合に比べ、磁気ギャップ材の溶着ガ
ラスに対する濡れ性が良く、ヘッドチップの強度を保つ
ことができる.又、C r O s膜のみを磁気ギャッ
プ材とする場合に比べ、磁気ギャップ材の硬度も磁性材
に近い硬度とすることができ、スペーシングロスの発生
が少ないため電磁変換特性も良好なものとすることがで
きる. [実施例] 以下、図面に示す実施例について詳細に説明する。 第4図は本発明の一実施例としてのMIG型磁気ヘッド
の磁気コアの外観を示す斜視図である.図中2.2゜は
フエライトブロック、6,6゜は後述する積層膜であり
、これらで夫々コア半休を形成している.図中、上面が
不図示の磁気記録媒体の摺動接触する媒体摺動面となっ
ている.ブロック2と@6よりなるコア半休とブロック
2゜と膜6゜よりなるコア半休とは、膜6,6゜に含ま
れる磁気ギャップ材を介して突合され、溶着ガラス5に
より接合して磁気コアが構成されている。 媒体摺動面において磁気ギャップの両側部分には、磁気
ギャップのトラック幅を規制するトラック溝9,9゜が
形成されている.また、コア半休の突合せ面の中間部に
は不図示のコイルを巻装するための巻線溝7が形成され
ている。更に、コア半休のき合せ面の両側に沿ってガラ
ス溝8が形成されている.この時、溶着ガラス5は図示
の如くトラック溝9.9゜及びガラス溝8内に充填され
る. このような本実施例の磁気ヘッドの磁気コアは、上述の
如<MIG型であり、磁気ギャップ周辺の構造は、第1
図に示す通りである。 第1図において矢印χは磁気記録媒体の摺動方向を示し
ており、2,2゜はフエライト部分であり、第4図に示
す磁気コアのコア半休の本体はこのフエライト2,2゛
からなっている。そして、フエライト2.2゜の磁気ギ
ャップgに対向する面の夫々には高飽和磁束密度の金属
磁性薄膜(例えばセンダスト膜)l,1゜が成膜されて
いる。 また、金属磁性薄膜1,1゜の磁気ギャップgに対向す
る表面にはCr*Os膜4,4゜が成膜されており、更
に、このCroon膜4.4“の表面にはS i O 
x膜3,3゜が成膜されている。これらの膜1,4.3
及び膜1′,4′,3゛は夫々第4図の積層膜6,6゜
を構成している。 そしてこのようにフエライト2,2゜の表面に積層膜6
,6゜を成膜してなる磁気コア半休同志を突合せて、溶
着ガラス5により溶着接合することにより磁気コアが構
成されている。そしてこの時、CrzOx膜4,4゜及
びSiO*膜3.3゜は磁気ギャップgを構成する磁気
ギャップ材として作用することになる. なお、この実施例におけるCr.O.膜4,4゜の厚さ
はSins膜3,3゜と合わせた総合膜厚に対し、10
%〜50%の範囲とする。この理由については後に詳述
する。 次に、第5図及び第6図を参照して、本実施例の磁気ヘ
ッドの製造工程について説明しておく.第5図において
2はコア半休をの母材となるフエライトブロック2であ
り、フエライトを細長い直方体状に切出したものである
。まず、このフエライトブロック2に対し突合せ面とな
る図中上面に回転砥石によりトラック溝9を所定間隔で
形成する。そして、このフエライトブロック2の図中上
面に第1図に示した金属磁性薄膜l成膜し、その後その
上にCrabs膜4を成膜し、更にその上にSiOa膜
3を成膜する.これらの膜1,3.4の成膜は例えばス
パッタリング法等による.これらの、薄膜堆積工程によ
り、第5図に示す積層膜6.6゜が形成される.この後
、巻き線溝7及びガラス溝8が形成され、第5図に示す
如きコア半休ブロックを得る. 次に、以上の加工と薄膜形成を行なったコア半休ブロッ
クを一対用意し、これらを第6図に示すように突合せ、
溶着ガラスのガラス棒なセットして、例えば570℃で
40分溶着し、接合する.更に、コア半休ブロックの接
合体の第6図中上面を磁気記録媒体摺動面として円筒加
工し、このコア半休ブロックの接合体を第6図の一点鎖
線aに沿って切断することによって第4図に示す様な磁
気コアが得られる。 ここで、Cr20m膜4は溶着ガラス5との濡れ性が良
く、ガラス5と膜6との接合強度を強くする性質があり
、一方、S i O *膜3は前述の如く磁気ギャップ
材に適した硬度を持っている.即ち、本実施例の磁気ヘ
ッドではこれらの膜の長所を組み合わせることによって
、磁気ギャップ材として所望の作用を行なえる様な磁気
ギャップ材を構成しており、磁気ヘッドとして好ましい
特性を呈することになる. 一般に、CrzOs膜4とS i O x膜3との積層
膜を磁気ギャップ材として用いることにより上述の効果
が得られるが、本実施例の如きCr.O.膜4とSin
s膜3の成膜順序、及び、Cr20s膜4とSins膜
3と合わせた総合膜厚に対するC rx O s膜4の
比率は実験による検討結果に従い、最も理想的な特性が
得られる様に設定したものである. 以下、この実験とその結果について説明する。 まず、フエライト基板上に高飽和磁束密度の金属磁性膜
であるセンダスト薄膜を5μmの膜厚で成膜した上に、
第2表に■〜0に示した組合わせでCrabs膜4とS
ift膜3とを成膜し、■〜Oの試料を得た. なお、第1表において第1層とは、センダスト薄@ll
に接触する側、即ち磁気ギャップから遠い側の薄膜であ
り、第2層とは、第1層の薄膜上に形成される側、即ち
磁気ギャップ側の薄膜である。 先ず、上記の各試料■〜■の溶着ガラスとの濡れ性の試
験を行なった。即ち、前述した様に、各試料上に一定体
積の溶着ガラスを載せ、570℃で40分加熱して溶融
させ、この時の溶着ガラス摘の各磁気ギャップ材の薄膜
との接触角θを接触角計にて測定した。この結果を第3
表に示す.第3表から明らかな様にSiOi膜のみを堆
積した試料■の場合は73゜と非常に濡れ性が悪い。ま
た、Cries膜のみを堆積した試料■の場合は43°
と濡れ性が良い.SiO.膜とCrabs膜とを積層し
た場合には、第1層膜をS i O *膜とした場合が
、第1層膜をCr*Os膜とした場合より若干濡れ性が
良い。しかし、いず結果を第4表に示す。第2図はこの
第4表をグラフ化したものである. れの積層膜についても、S i O x膜のみを堆積し
た試料■に対して大きく濡れ性が改善されており、磁気
ヘッドの磁気ギャップ材として充分な特性である。 次に、試料■〜@を用いてヘッド試作を行い,前述した
製造工程に従ってヘッドチップを得たゆそして、このよ
うにして得た各ヘッドチップの強度を、片側のコア半休
を固定し、他方のチップに力を加えた時のワレ強度によ
って評価した。このSiO=l]iのみを堆積した試料
■を用いたヘッドチップの強度はほとんどOであるのに
対し、Sin.膜とCr.O.膜との総合膜厚に対する
Cr20.膜の割合が上がるにつれて強度は上昇する。 また、この割合が同じであればガラスと接触する第2層
の膜がSiO−膜であるほうが強度は高い。 次に、試料■〜0を用いたヘッドチップの自己記録再生
特性を各周波数毎に第5表に示す。 第ヨL産 尚、第5表において各数値はビークービーク値による電
圧低下をdBで示したものである,第5表から明らかな
ように最も特性が良好なヘッドは試料■を用いたヘッド
、即ち、磁気ギャップ材としてSin.膜のみを堆積し
たヘッドである。しかしながら、このヘッドは前述の第
4表がら明らかなように強度が極端に弱いため使用する
ことができない。そこで特性上、満足のいくヘッドは試
料■■[相]00を用いたヘッドである。即ち、S i
 O a膜とCr−0−膜との総合膜厚に対するCr2
0s膜の割合が12.5%〜50%のヘッドである。 次に、SiO.膜とCriOs膜との総合膜厚に対する
Cr−0.膜の割合に応じたヘッドの磁気ギャップの出
っ張り量の変化を第3図に示す。第3図から明らかなよ
うにC rz O s tlJiの割合が増加すると出
っ張り量も増加する。上述の特性の差はこの出っ張りに
従うスベーシングロスによるものと考察される。 最後に、試料■〜0を用いたヘッドチップの溶着ガラス
中の気泡の発生状態を調べ、その不良率を第6表に示す
。尚、一般に気泡は10LLm以上のものが1つでもあ
ればヘッド不良となる.第6表から明らかなように、試
料■を用いたヘッド、即ち、磁気ギャップ材としてCr
xO*膜のみを堆積したヘッドでは、気泡の発生が多い
。そして、Crabs膜の量が減るに従って気泡の発生
は少なくなるが、CrzOi膜の割合が同じであればガ
ラスと接触する第2層の膜がSi O *膜である方が
気泡の発生は少ない. 以上の実験結果から、Crabs膜4.4゜の厚さはS
iO−膜3.3゜と合わせた総合膜厚に対し、10%〜
50%の範囲とし、Cr*Os膜4,4゛を第1層膜、
S f O *膜3,3゜を第2層膜とした本実施例の
磁気ヘッドはヘッドチップの強度、電磁変換特性、不良
発生率のいずれについても満足の得られる特性を示して
いることが分かる。 尚、上述の実施例の磁気ヘッドでは金属磁性薄膜とS 
i 01 1’l, CrlOs I’llの色の違い
により光学顕微鏡下にてギャップ長の測定が簡単に行な
えるものである。 [発明の効果] 以上説明したように、本発明の磁気ヘッドにおいては、
一対の磁気コアの少なくとも一方の突合せ面にSiOi
lllとCr@Os膜の積層膜を堆積したので、磁気ギ
ャップ材と溶着ガラスとの濡れ性が良くヘッドの強度を
保つことができる。また、磁気ギャップ材の硬度も磁性
材に近い硬度とすることができ、スペーシングロスの発
生が少ないため電磁変換特性も良好なものとすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例としての磁気ヘッドの磁気ギ
ャップ近傍の構造を示す図、 第2図はSiO=膜とCrabs膜の比率とヘッドチッ
プ強度との関係を示す図、 第3図はSin.膜とCrabs膜の比率と磁気ギャッ
プの出っ張り量との関係を示す図、第4図は本発明の一
実施例としての磁気ヘッドの磁気コアの外観斜視図、 第5図及び第6図は第4図の磁気ヘッドの製造工程を説
明するための図である。 1.1゛は金属磁性薄膜、 2,2゛はフエライト、 3,3゛はStow膜、 4,4゛はCr*Os膜、 5は溶着ガラス、 6,6゜は積層膜、 7は巻き線溝、 8はガラス溝、 9はトラック溝である。 呟唖辱臣灯搗Crz Oヲ、じ率(%,竃?!−口 V 3 (2)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一対の磁気コア半休を磁気ギャップ材を介して突
    合せ、溶着ガラスにより接合してなる磁気ヘッドであつ
    て、前記一対の磁気コアの少なくとも一方の突合せ面に
    SiO_2膜とCr_2O_3膜の積層膜を堆積したこ
    とを特徴とする磁気ヘッド。
  2. (2)前記積層膜は前記磁気コア側からCr_2O_3
    膜、SiO_2膜の順に積層されてなることを特徴とす
    る特許請求の範囲(1)記載の磁気ヘッド。
JP15417189A 1988-10-13 1989-06-16 磁気ヘッド Pending JPH0319110A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15417189A JPH0319110A (ja) 1989-06-16 1989-06-16 磁気ヘッド
DE3934284A DE3934284C2 (de) 1988-10-13 1989-10-13 Magnetkopf
US07/719,686 US5164870A (en) 1988-10-13 1991-06-25 Magnetic head employing a magnetic gap material composed of Cr2 O3

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15417189A JPH0319110A (ja) 1989-06-16 1989-06-16 磁気ヘッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0319110A true JPH0319110A (ja) 1991-01-28

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ID=15578387

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15417189A Pending JPH0319110A (ja) 1988-10-13 1989-06-16 磁気ヘッド

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JP (1) JPH0319110A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6749688B2 (en) 1996-08-30 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Coating method and apparatus for semiconductor process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6749688B2 (en) 1996-08-30 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Coating method and apparatus for semiconductor process

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