JPH0319221A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0319221A JPH0319221A JP15344289A JP15344289A JPH0319221A JP H0319221 A JPH0319221 A JP H0319221A JP 15344289 A JP15344289 A JP 15344289A JP 15344289 A JP15344289 A JP 15344289A JP H0319221 A JPH0319221 A JP H0319221A
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- film
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- polycrystalline silicon
- silicon oxide
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にその製造工
程における高融点金属ポリサイドの配線、または多結晶
シリコン膜の配線の製造方法に関する。
程における高融点金属ポリサイドの配線、または多結晶
シリコン膜の配線の製造方法に関する。
従来の技術
近年、半導体装置の高密度集積化により微細化が進んで
きている。
きている。
以下に従来の高融点金属ポリサイド配線の製造方法につ
いて説明する。第２図（ａ）に示すように、シリコン基
板１に、酸化技術゛などを用い第１シリコン膜であるゲ
ート絶縁膜２を形成する。次に、第２図（ｂ）に示すよ
うに、ゲート絶縁膜２上に、第１多結晶シリコン膜３、
高融点金属シリサイド膜４を堆積する。次に第２図（Ｃ
）に示すように、フォトレジストなどにより高融点金属
ポリサイド配線形成用マスクパターン７を形成し、続い
て、第２図（ｄ）のように、高融点金属シリサイド膜、
多結晶シリコン膜のエッチングを行う。前記マスクパタ
ンを除去すると第２図（ｅ）に示すように、高融点金属
ポリサイド配線が形成される。
いて説明する。第２図（ａ）に示すように、シリコン基
板１に、酸化技術゛などを用い第１シリコン膜であるゲ
ート絶縁膜２を形成する。次に、第２図（ｂ）に示すよ
うに、ゲート絶縁膜２上に、第１多結晶シリコン膜３、
高融点金属シリサイド膜４を堆積する。次に第２図（Ｃ
）に示すように、フォトレジストなどにより高融点金属
ポリサイド配線形成用マスクパターン７を形成し、続い
て、第２図（ｄ）のように、高融点金属シリサイド膜、
多結晶シリコン膜のエッチングを行う。前記マスクパタ
ンを除去すると第２図（ｅ）に示すように、高融点金属
ポリサイド配線が形成される。
発明が解決しようとする課題
従来の技術では、露光装置のもつ解像限界寸法以上のセ
パレーションを出すことができず、チップサイズ縮小化
の妨げとなるという問題点を有していた。
パレーションを出すことができず、チップサイズ縮小化
の妨げとなるという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、露光装置
のもつ解像限界寸法以上のセパレーションを出すことの
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
のもつ解像限界寸法以上のセパレーションを出すことの
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
この目的を達威するために本発明の半導体装置の製造方
法は、高融点金属ポリサイド膜の一主面上に、シリコン
酸化膜を形成する工程と、前記一主面上に多結晶シリコ
ン膜を形成する工程から構威されている。
法は、高融点金属ポリサイド膜の一主面上に、シリコン
酸化膜を形成する工程と、前記一主面上に多結晶シリコ
ン膜を形成する工程から構威されている。
作用
この構成によって露光装置のもつ解像限界寸法以上のセ
パレーションを実現することができる。
パレーションを実現することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、第１図に従って説明す
る。
る。
第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の一主面上に
、熱酸化技術などを用い第１シリコン酸化膜であるゲー
ト絶縁膜２を３０ｎｍ程度形成する。
、熱酸化技術などを用い第１シリコン酸化膜であるゲー
ト絶縁膜２を３０ｎｍ程度形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、前記一主面上にＣＶＤ
技術などを用い第１多結晶シリコン膜３を１５０ｎｍ程
度、高融点金属シリサイド膜４を１５０ｎｍ程度堆積す
る。次に、第１図（ｅ）に示すように、前記一主面上に
熱酸化技術などを用い第２シリコン酸化膜５を５ｎｍ程
度形成する。次に、第１図（ｄ）に示すように、前記一
主面上に、ＣＶＤ技術などにより第２多結晶シリコン膜
６を２０ｎｍ程度堆積する。次に、第１図（ｅ）に示す
ように、前記一主面上にフォトレジストなどにより高融
点金属ポリサイド配線形戒用マスクパタン７を形戒する
。次に、第１図（ｆ）に示すように、ＥＣＲによるドラ
イエッチ技術でＳＦｅ，Ｃ２Ｃｅ ２Ｆ４，Ｈｅガスを
用い第２多結晶シリコン膜６をオーバーエッチすること
により、ボリマー８が形成される。次に、第１図（ｇ）
に示すように、ＥＣＨによるドライエッチ技術を用い、
ボリマーをマスクとして第２シリコン酸化膜５をＣ ４
Ｃ ｅ ａ Ｆ ８ｙ Ｈ ｅガスでエッチングし、
高融点金属シリサイド膜４、第１多結晶シリコン膜３を
ＳＦ６，Ｃ２Ｃｅ ２Ｆ４．Ｈｅガスでエッチングする
。次に、第１図（Ｗに示すように、プラズマエッチング
技術を用い高融点金属ポリサイド配線形成用マスクバタ
ン及びボリマーを除去する。
技術などを用い第１多結晶シリコン膜３を１５０ｎｍ程
度、高融点金属シリサイド膜４を１５０ｎｍ程度堆積す
る。次に、第１図（ｅ）に示すように、前記一主面上に
熱酸化技術などを用い第２シリコン酸化膜５を５ｎｍ程
度形成する。次に、第１図（ｄ）に示すように、前記一
主面上に、ＣＶＤ技術などにより第２多結晶シリコン膜
６を２０ｎｍ程度堆積する。次に、第１図（ｅ）に示す
ように、前記一主面上にフォトレジストなどにより高融
点金属ポリサイド配線形戒用マスクパタン７を形戒する
。次に、第１図（ｆ）に示すように、ＥＣＲによるドラ
イエッチ技術でＳＦｅ，Ｃ２Ｃｅ ２Ｆ４，Ｈｅガスを
用い第２多結晶シリコン膜６をオーバーエッチすること
により、ボリマー８が形成される。次に、第１図（ｇ）
に示すように、ＥＣＨによるドライエッチ技術を用い、
ボリマーをマスクとして第２シリコン酸化膜５をＣ ４
Ｃ ｅ ａ Ｆ ８ｙ Ｈ ｅガスでエッチングし、
高融点金属シリサイド膜４、第１多結晶シリコン膜３を
ＳＦ６，Ｃ２Ｃｅ ２Ｆ４．Ｈｅガスでエッチングする
。次に、第１図（Ｗに示すように、プラズマエッチング
技術を用い高融点金属ポリサイド配線形成用マスクバタ
ン及びボリマーを除去する。
なお、本実施例では、第２多結晶シリコン膜のエッチン
グ工程におけるエッチング技術及びガスの種類は上記実
施例に限るものではなく、これらを適当条件に設定する
ことにより実現できる。
グ工程におけるエッチング技術及びガスの種類は上記実
施例に限るものではなく、これらを適当条件に設定する
ことにより実現できる。
発明の効果
本発明は、露光装置のもつ解像限界寸法以上のセパレー
ションを実現することができ、ゲート寸法または、配線
寸法が同じルールであれば、ピッチを狭くすることがで
き、よりチップサイズの縮小化をはかれ、チップ単価の
低減ができる。
ションを実現することができ、ゲート寸法または、配線
寸法が同じルールであれば、ピッチを狭くすることがで
き、よりチップサイズの縮小化をはかれ、チップ単価の
低減ができる。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の工程断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法
の工程断面図である。
法の工程断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法
の工程断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に、第１シリコン酸化膜を形成す
る工程と、前記一主面上に第１多結晶シリコン膜、ある
いは高融点金属ポリサイド膜を形成する工程と、前記一
主面上に第２シリコン酸化膜を形成する工程と、前記一
主面上に第２多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記
一主面上にフォトレジストによりマスクパタンを形成す
る工程と、前記第２多結晶シリコン膜を前記マスクパタ
ンによりドライエッチングする工程と、第２シリコン酸
化膜および高融点金属ポリサイド膜あるいは、第１多結
晶シリコン膜をエッチングする工程を含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15344289A JPH0319221A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15344289A JPH0319221A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319221A true JPH0319221A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15562631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15344289A Pending JPH0319221A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319221A (ja) |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15344289A patent/JPH0319221A/ja active Pending
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