JPH0319242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0319242A JPH0319242A JP15341989A JP15341989A JPH0319242A JP H0319242 A JPH0319242 A JP H0319242A JP 15341989 A JP15341989 A JP 15341989A JP 15341989 A JP15341989 A JP 15341989A JP H0319242 A JPH0319242 A JP H0319242A
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Landscapes
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- Weting (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特に化合物半導体装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
近年、化合物半導体装置は化合物半導体が有する高い移
動度のためにコンピュータなどの高速演算素子や衛星放
送や衛星通信などに使用される高周波低雑音の送受信増
幅素子として期待されている。
動度のためにコンピュータなどの高速演算素子や衛星放
送や衛星通信などに使用される高周波低雑音の送受信増
幅素子として期待されている。
以下、図面を参照しながら従来の化合物半導体装置の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
第２図は従来の化合物半導体装置のショットキーゲート
形成工程を示したものである。第２図（ａ）において、
１は半絶縁性のガリウムヒ素基板である。２はガリウム
ヒ素基板１の上に形成されたガリウムヒ素ｎ型活性層で
ある。３はｎ型活性層２の上に形成されたゲートパター
ンを有するレジスト薄膜である。第２図（Ｃ）において
、４はｎ型活性層２とショットキー接合を形成するゲー
トメタルである。
形成工程を示したものである。第２図（ａ）において、
１は半絶縁性のガリウムヒ素基板である。２はガリウム
ヒ素基板１の上に形成されたガリウムヒ素ｎ型活性層で
ある。３はｎ型活性層２の上に形成されたゲートパター
ンを有するレジスト薄膜である。第２図（Ｃ）において
、４はｎ型活性層２とショットキー接合を形成するゲー
トメタルである。
以上のように構成された化合物半導体装置のショットキ
ーゲート形成工程について説明する。
ーゲート形成工程について説明する。
第２図（ａ）において、半絶縁性ガリウムヒ素基板１の
上に分子線エビタキシャル成長によってガリウムヒ素ｎ
型活性層２を形成する。次に、ｎ型活性層２の上に感光
性のレジスト薄膜３を塗布して露光と現像によってゲー
トパターンを形成する。
上に分子線エビタキシャル成長によってガリウムヒ素ｎ
型活性層２を形成する。次に、ｎ型活性層２の上に感光
性のレジスト薄膜３を塗布して露光と現像によってゲー
トパターンを形成する。
第２図（ｂ）において、ゲートパターンを有するレジス
ト薄膜３をマスクとしてｎ型活性層２を燐酸と過酸化水
素水の混合液を用いて等方性エッチングしておわん型の
開口部を形成する。第２図（Ｃ）においてｎ型活性層２
の開口部上およびレジスト薄膜３の上にゲートメタル４
を全面蒸着させる。第２図（ｄ）において、レジスト薄
膜３の上の不要なゲートメタル４をレジスト薄膜３を有
機溶剤に溶解させるときに同時にはく離してｎ型活性層
２の開口部のみにゲートメタル４を選択的に残してショ
ットキーゲートを形成する。
ト薄膜３をマスクとしてｎ型活性層２を燐酸と過酸化水
素水の混合液を用いて等方性エッチングしておわん型の
開口部を形成する。第２図（Ｃ）においてｎ型活性層２
の開口部上およびレジスト薄膜３の上にゲートメタル４
を全面蒸着させる。第２図（ｄ）において、レジスト薄
膜３の上の不要なゲートメタル４をレジスト薄膜３を有
機溶剤に溶解させるときに同時にはく離してｎ型活性層
２の開口部のみにゲートメタル４を選択的に残してショ
ットキーゲートを形成する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構威では第２図（ｂ）のよ
うにレジスト薄膜３の開口部の長さが等方性エッチング
によってｎ型活性層２の開口部の底辺にそのまま転写さ
れてしまうためにレジスト薄膜３の開口部とｎ型活性層
２の開口部の底辺の長さが同じになってしまう。そのた
め、第２図（ｄ）のようにｎ型活性層２の開口部に形成
されたゲートメタルの低部の長さと開口部の低辺の長さ
が同じになるために、ショットキーゲートの逆耐圧が著
しく低下するといった問題を有していた。
うにレジスト薄膜３の開口部の長さが等方性エッチング
によってｎ型活性層２の開口部の底辺にそのまま転写さ
れてしまうためにレジスト薄膜３の開口部とｎ型活性層
２の開口部の底辺の長さが同じになってしまう。そのた
め、第２図（ｄ）のようにｎ型活性層２の開口部に形成
されたゲートメタルの低部の長さと開口部の低辺の長さ
が同じになるために、ショットキーゲートの逆耐圧が著
しく低下するといった問題を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、ｎ型活性層２の開口部の底辺
の長さを任意に制御してショットキーゲートの逆耐圧の
向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
の長さを任意に制御してショットキーゲートの逆耐圧の
向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体装置の製
造方法は、ｎ型活性層の上に開口部を有する有機系薄膜
を形成する工程と、有機系薄膜をマスクとしてｎ型活性
層を異方性エッチングしてアンダーカット形状の第１の
開口部を形成する工程と、第１の開口部を引き続いて等
方性エッチングして第２の開口部を形成する工程と、第
２の開口部および有機系薄膜の上に金属膜を全面蒸着さ
せる工程と、有機系薄膜上の不要な金属を除去して第２
の開口部のみに金属を形成する工程とから構威されてい
る。
造方法は、ｎ型活性層の上に開口部を有する有機系薄膜
を形成する工程と、有機系薄膜をマスクとしてｎ型活性
層を異方性エッチングしてアンダーカット形状の第１の
開口部を形成する工程と、第１の開口部を引き続いて等
方性エッチングして第２の開口部を形成する工程と、第
２の開口部および有機系薄膜の上に金属膜を全面蒸着さ
せる工程と、有機系薄膜上の不要な金属を除去して第２
の開口部のみに金属を形成する工程とから構威されてい
る。
作用
この構成によって、ｎ型活性層の開口部の底辺をゲート
メタルよりも任意に長く制御できるためにショットキー
ゲートの逆耐圧を増大させることができる。
メタルよりも任意に長く制御できるためにショットキー
ゲートの逆耐圧を増大させることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体装置の
ショットキーゲート形成工程を示したものである。第１
図（ａ）において、１は半絶縁性のガリウムヒ素基板で
ある。２はガリウムヒ素基板１の上に形成されたガリウ
ムヒ素ｎ型活性層である。
ショットキーゲート形成工程を示したものである。第１
図（ａ）において、１は半絶縁性のガリウムヒ素基板で
ある。２はガリウムヒ素基板１の上に形成されたガリウ
ムヒ素ｎ型活性層である。
３はｎ型活性層２の上に形成されたゲートパターンを有
するレジスト薄膜である。第１図（ｄ）において、４は
ｎ型活性層２とショットキー接合を形成するゲートメタ
ルである。
するレジスト薄膜である。第１図（ｄ）において、４は
ｎ型活性層２とショットキー接合を形成するゲートメタ
ルである。
以上のように構成された化合物半導体装置のショットキ
ーゲート形成工程について以下その動作を説明する。
ーゲート形成工程について以下その動作を説明する。
第１図（ａ）において、半絶縁性ガリウムヒ素基板１の
上に分子線エビタキシャル成長によってガリウムヒ素ｎ
型活性層２を形成する。次に、ｎ型活性層２の上に感光
性のレジスト薄膜３を塗布して露光と現像によってゲー
トパターンを形或する。
上に分子線エビタキシャル成長によってガリウムヒ素ｎ
型活性層２を形成する。次に、ｎ型活性層２の上に感光
性のレジスト薄膜３を塗布して露光と現像によってゲー
トパターンを形或する。
第１図（ｂ）において、ゲートパターンを有するレジス
ト薄膜３をマスクとしてｎ型活性層２を酒石酸と過酸化
水素水の混合液を用いて異方性エッチングしてアンダー
カット形状の開口部を形成する。
ト薄膜３をマスクとしてｎ型活性層２を酒石酸と過酸化
水素水の混合液を用いて異方性エッチングしてアンダー
カット形状の開口部を形成する。
第１図（Ｃ）において、ｎ型活性層２のアンダーカット
形状の開口部を引き続いてｆｌＪ酸と過酸化水素水の混
合液を用いて、等方性エッチングすることによって凹部
を形戒する。第１図（ｄ）において、ｎ型活性層２の凹
部の上およびレジスト薄膜３の上にゲートメタル４を全
面蒸着させる。第１図（ｅ）において、レジスト薄膜３
を有機溶剤に溶解してレジスト薄膜３上のゲートメタル
４を同時にはく離することによってｎ型活性層２の凹部
にのみショットキーゲートを形成する。
形状の開口部を引き続いてｆｌＪ酸と過酸化水素水の混
合液を用いて、等方性エッチングすることによって凹部
を形戒する。第１図（ｄ）において、ｎ型活性層２の凹
部の上およびレジスト薄膜３の上にゲートメタル４を全
面蒸着させる。第１図（ｅ）において、レジスト薄膜３
を有機溶剤に溶解してレジスト薄膜３上のゲートメタル
４を同時にはく離することによってｎ型活性層２の凹部
にのみショットキーゲートを形成する。
以上のように本実施例によれば、第１図（ｂ）のように
、ｎ型活性層２を異方性エッチングすーることによって
レジスト薄膜３の開口部よりも長いアンダーカットの開
口部を任意に形戒でき、さらに第１図（Ｃ）のように、
アンダーカットの開口部を続いて等方性エッチングする
ことによってアンダーカットの底辺と同じ長さの底辺を
もつ凹部をエッチング深さに関係なく形成でき、第１図
（ｅ）のようにゲートメタル５の底辺よりも凹部の底辺
を任意に長く制郊できるためにショットキーゲートの逆
耐圧の向上を図ることができる。
、ｎ型活性層２を異方性エッチングすーることによって
レジスト薄膜３の開口部よりも長いアンダーカットの開
口部を任意に形戒でき、さらに第１図（Ｃ）のように、
アンダーカットの開口部を続いて等方性エッチングする
ことによってアンダーカットの底辺と同じ長さの底辺を
もつ凹部をエッチング深さに関係なく形成でき、第１図
（ｅ）のようにゲートメタル５の底辺よりも凹部の底辺
を任意に長く制郊できるためにショットキーゲートの逆
耐圧の向上を図ることができる。
なお、実施例ではガリウムヒ素ｎ型活性層を用いたが活
性層はガリウムヒ素に限定されるものではなく化合物半
導体であれば何でもよい。例えばアルミガリウムヒ素な
どが考えられる。また異方性エッチングおよび等方性エ
ッチングはウエットエッチを用いたが、異方性エッチン
グおよび等方性エッチングできるものなら何でもよい。
性層はガリウムヒ素に限定されるものではなく化合物半
導体であれば何でもよい。例えばアルミガリウムヒ素な
どが考えられる。また異方性エッチングおよび等方性エ
ッチングはウエットエッチを用いたが、異方性エッチン
グおよび等方性エッチングできるものなら何でもよい。
例えばドライエッチングなどが考えられる。
発明の効果
以上のように本発明は、ｎ型活性層の開口部を異方性エ
ッチングと等方性エッチングの２段階エッチングとする
ことによって、初期の開口部よりも長い底辺を有する凹
部を任意に形成することができ、これによってゲートの
逆耐圧を向上させることができ、これによってゲートの
逆耐圧を向上させることができ、その実用的効果は大な
るものがある。
ッチングと等方性エッチングの２段階エッチングとする
ことによって、初期の開口部よりも長い底辺を有する凹
部を任意に形成することができ、これによってゲートの
逆耐圧を向上させることができ、これによってゲートの
逆耐圧を向上させることができ、その実用的効果は大な
るものがある。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体装置の
ショットキーゲート形戒工程図、第２図は従来の化合物
半導体装置のショットキーゲート形成工程図である。 １・・・・・・ガリウムヒ素基板、２・・・・・・ガリ
ウムヒ素ｎ型活性層、３・・・・・・レジスト薄膜、４
・・・・・・ゲートメタル。
ショットキーゲート形戒工程図、第２図は従来の化合物
半導体装置のショットキーゲート形成工程図である。 １・・・・・・ガリウムヒ素基板、２・・・・・・ガリ
ウムヒ素ｎ型活性層、３・・・・・・レジスト薄膜、４
・・・・・・ゲートメタル。
Claims (1)
- ｎ型活性層の上に開口部を有する有機系薄膜が形成され
た半導体基板に対し、前記有機系薄膜の開口部をマスク
として前記ｎ型活性層にアンダーカット形状の凹部を異
方性エッチングにより形成する工程と、前記凹部を引き
続いて等方性エッチングする工程とからなる半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153419A JP2641567B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153419A JP2641567B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319242A true JPH0319242A (ja) | 1991-01-28 |
| JP2641567B2 JP2641567B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=15562091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153419A Expired - Lifetime JP2641567B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2641567B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0862222A4 (en) * | 1996-09-19 | 1999-12-01 | Ngk Insulators Ltd | Semiconductor device and process for manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154674A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 電子装置の製造方法 |
| JPS6284564A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1153419A patent/JP2641567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154674A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 電子装置の製造方法 |
| JPS6284564A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0862222A4 (en) * | 1996-09-19 | 1999-12-01 | Ngk Insulators Ltd | Semiconductor device and process for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2641567B2 (ja) | 1997-08-13 |
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