JPH0319313A - 露光マスクの製造方法 - Google Patents
露光マスクの製造方法Info
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- JPH0319313A JPH0319313A JP2132781A JP13278190A JPH0319313A JP H0319313 A JPH0319313 A JP H0319313A JP 2132781 A JP2132781 A JP 2132781A JP 13278190 A JP13278190 A JP 13278190A JP H0319313 A JPH0319313 A JP H0319313A
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- polycrystalline silicon
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Y10S430/167—X-ray
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
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- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業−Ｌの利用分野］
本発明はＩＣ製造に関する。史に許細には、本発明は厳
密なデザインルールを使用するＩＣ＋ｉｌ！ｉに関する
。
密なデザインルールを使用するＩＣ＋ｉｌ！ｉに関する
。
［従来の技術］
現在、０．５μｍにおける使用可能性も除外されていな
いが、０．２５μｍ以上のデザインルールをず了する集
積デバイスの製造にＸ線リソグラフィの使用が企図され
ている。（デザインルールはデバイスパターンにおける
最小のクリティ力ルフィーチャーの横方向の寸法を規定
する。）このよろな方法では、基板はＸｗａに対して感
光外の材料で塗布される。この材料は入射Ｘ＠用のマス
クで画成されるパターンで露光される。その後、露光感
光性材料を露光部分または非露光部分を選択的に除去す
ることにより現像する。得られたパターン形成された基
板は、デバイスの完成に向けて、エッチングまたは被着
（堆積）のような加工処理で更に使用される。
いが、０．２５μｍ以上のデザインルールをず了する集
積デバイスの製造にＸ線リソグラフィの使用が企図され
ている。（デザインルールはデバイスパターンにおける
最小のクリティ力ルフィーチャーの横方向の寸法を規定
する。）このよろな方法では、基板はＸｗａに対して感
光外の材料で塗布される。この材料は入射Ｘ＠用のマス
クで画成されるパターンで露光される。その後、露光感
光性材料を露光部分または非露光部分を選択的に除去す
ることにより現像する。得られたパターン形成された基
板は、デバイスの完成に向けて、エッチングまたは被着
（堆積）のような加工処理で更に使用される。
［発明が解決しようとする課題コ
リソグラフィ用Ｘｔｓマスクは ・般的に、所望のパタ
ーンを有し、Ｘ！Ｉをかなり減衰する（感光性材料中で
反応を誘発するのに打適な波長の入射放射線の８０％超
を減哀する）材料と、このｌＭ良材料を機械的に支持す
る物体をｆ『する。しかし、パターン形成された領域下
の相当な厚さの物体は、透過すべき領域におけるＸ線透
過甲を不当に減衰する。一般的に、この難点を避けるた
めに、減衰材料は薄い（１′７さ０．５〜５μｍ）タッ
プラン（膜）の上に形成される。このタップランは、一
膚厚い一般的に環状の領域により、その周縁部が支持さ
れている。理想的には、このタップランは比較的頑丈（
例えば、厚さ２μｍで直径３ｃｍのタップランの場合に
、２００Ｔｏｒｒの圧力に耐えることができる）で、し
かも、安価に製造できるものでなければならたい。しか
し、 ・般的にタップランはまた、特にＸ１ｊマスクは
これらの茨件を満たさない。
ーンを有し、Ｘ！Ｉをかなり減衰する（感光性材料中で
反応を誘発するのに打適な波長の入射放射線の８０％超
を減哀する）材料と、このｌＭ良材料を機械的に支持す
る物体をｆ『する。しかし、パターン形成された領域下
の相当な厚さの物体は、透過すべき領域におけるＸ線透
過甲を不当に減衰する。一般的に、この難点を避けるた
めに、減衰材料は薄い（１′７さ０．５〜５μｍ）タッ
プラン（膜）の上に形成される。このタップランは、一
膚厚い一般的に環状の領域により、その周縁部が支持さ
れている。理想的には、このタップランは比較的頑丈（
例えば、厚さ２μｍで直径３ｃｍのタップランの場合に
、２００Ｔｏｒｒの圧力に耐えることができる）で、し
かも、安価に製造できるものでなければならたい。しか
し、 ・般的にタップランはまた、特にＸ１ｊマスクは
これらの茨件を満たさない。
最も広く研究されたＸ線マスクはホウ素が多ｆｉｌにド
ーブされたシリコンメンブランの形成を含む。
ーブされたシリコンメンブランの形成を含む。
このマスクはシリコンウエハ１−のホウ素が多潰にドー
プされたシリコンの薄い領域を形成することにより製造
される。ドープされたシリコンと反対側の１：．要而１
−のシリコン基板の周縁部は耐エノチング材料で被覆さ
れる。次いで、この基板を、ホウ素がドープされた材料
に対してドープされていないシリコンを選択的に除去す
るエッチング溶液中にＤｉＲする。（このような状態に
おける選択的エッチングでは、タップランよりも基板の
エッチング速度が少なくとも５０倍、好ましくは５・Ｏ
Ｏ倍、一層好ましくは１０００倍速い。）適己な選択性
の場合、エッチング溶液に忌露されたドープされていな
いシリコンは除去され、 ・方、ホウ素がドープされた
シリコンの薄膜は残留する。しかし、ホウ素ドーパント
濃度が少なくとも５×ｌＯ／ ？ Ｃ，− ．３以上で
あり、かつ、ホウ素がドープされたシリコン材料がシリ
コン基板上に単結晶としてエビタキシャル成長されたも
のでなければ、ホウ素がドープされたシリコンが少しで
も薄くなることを避けるための１・分な選択性は得られ
ない。
プされたシリコンの薄い領域を形成することにより製造
される。ドープされたシリコンと反対側の１：．要而１
−のシリコン基板の周縁部は耐エノチング材料で被覆さ
れる。次いで、この基板を、ホウ素がドープされた材料
に対してドープされていないシリコンを選択的に除去す
るエッチング溶液中にＤｉＲする。（このような状態に
おける選択的エッチングでは、タップランよりも基板の
エッチング速度が少なくとも５０倍、好ましくは５・Ｏ
Ｏ倍、一層好ましくは１０００倍速い。）適己な選択性
の場合、エッチング溶液に忌露されたドープされていな
いシリコンは除去され、 ・方、ホウ素がドープされた
シリコンの薄膜は残留する。しかし、ホウ素ドーパント
濃度が少なくとも５×ｌＯ／ ？ Ｃ，− ．３以上で
あり、かつ、ホウ素がドープされたシリコン材料がシリ
コン基板上に単結晶としてエビタキシャル成長されたも
のでなければ、ホウ素がドープされたシリコンが少しで
も薄くなることを避けるための１・分な選択性は得られ
ない。
比較的多負にドープされたエビタキシャルシリコン領域
の形成は非常にコストのかかる製造作業である。ホウ素
が多臣にドープされたシリコンメンブランは比較的Ｘ線
透過性であり、タップラン変形を全く起こさない３Ｘ１
０”〜５Ｘ１０？ダイン／ｃｍ２の範聞内の引一長応力
を有する。しかし、中桔品シリコンメンブランは粘品学
的甲面に沿って割れやｒい。従って、これらのタップラ
ンはｍｌ丈でもなく、また、安価に製逍することもでき
ない。その桔果、現７［企図されているＸ線リソグラフ
ィマスクは完全に満足のいくものではない。
の形成は非常にコストのかかる製造作業である。ホウ素
が多臣にドープされたシリコンメンブランは比較的Ｘ線
透過性であり、タップラン変形を全く起こさない３Ｘ１
０”〜５Ｘ１０？ダイン／ｃｍ２の範聞内の引一長応力
を有する。しかし、中桔品シリコンメンブランは粘品学
的甲面に沿って割れやｒい。従って、これらのタップラ
ンはｍｌ丈でもなく、また、安価に製逍することもでき
ない。その桔果、現７［企図されているＸ線リソグラフ
ィマスクは完全に満足のいくものではない。
［課題を解決するための−ト段］
ポリシリコンタップランを何するＸ線マスクを使用する
ことにより、簡中に製造でき、しかも、丈夫さを仔しな
がら、変形を避けるのに１“分な引張応力が得られる。
ことにより、簡中に製造でき、しかも、丈夫さを仔しな
がら、変形を避けるのに１“分な引張応力が得られる。
このようなタップランは、例えば、シリカ、シリケート
（例えば、ポロシリヶート）および石英のような紐成物
を有するシリコン酸化物からなる八板１・．に汚いポリ
シリコン領域を形成し、そして、例えば、ＨＦ水ｌｆｆ
液中で基板の周縁部以外のシリコン酸化物含汀組戚物を
全てエッチング除表することにより製造される。シリコ
ン酸化物即成物に対して、ポリシリコンはＨＦ水溶液の
ような常用のエッチング剤に対して例えば、ｔｏｏｏ倍
以Ｌの極端に，：１゜い選択姓をＨする。
（例えば、ポロシリヶート）および石英のような紐成物
を有するシリコン酸化物からなる八板１・．に汚いポリ
シリコン領域を形成し、そして、例えば、ＨＦ水ｌｆｆ
液中で基板の周縁部以外のシリコン酸化物含汀組戚物を
全てエッチング除表することにより製造される。シリコ
ン酸化物即成物に対して、ポリシリコンはＨＦ水溶液の
ような常用のエッチング剤に対して例えば、ｔｏｏｏ倍
以Ｌの極端に，：１゜い選択姓をＨする。
このため、多結晶シリコンメンブランは容易に製造され
る。このタップランの引張強さは２×１０？であり、そ
の多結晶ｒｌのために、割れを起こしにくい。エビタキ
シャル成長は不安なので、製造作業中に細心の注意を払
う必要もない。また，ポリシリコンメンブランは−股的
な取り扱い条件下では頑丈である。ｘ，Ｉａ減哀パター
ンはタップランを製造するための選択的エッチ／グの前
に形成するか、または、タップランが製造された後に常
用のリソグラフィ技術により形成する。このようなタッ
プランはその後、工−●ヒューベルガー（Ａ．Ｈｅｕｂ
ｅｒｇｅｒ ）がジャーナル オブ バキューム サイ
エンス アンド テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｖ’ａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）＋ ８ ６＋ １ ０ ７ （１９８
８）に開示したようなＸ１ａリソグラフィ技術で使用さ
れる。
る。このタップランの引張強さは２×１０？であり、そ
の多結晶ｒｌのために、割れを起こしにくい。エビタキ
シャル成長は不安なので、製造作業中に細心の注意を払
う必要もない。また，ポリシリコンメンブランは−股的
な取り扱い条件下では頑丈である。ｘ，Ｉａ減哀パター
ンはタップランを製造するための選択的エッチ／グの前
に形成するか、または、タップランが製造された後に常
用のリソグラフィ技術により形成する。このようなタッ
プランはその後、工−●ヒューベルガー（Ａ．Ｈｅｕｂ
ｅｒｇｅｒ ）がジャーナル オブ バキューム サイ
エンス アンド テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｖ’ａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）＋ ８ ６＋ １ ０ ７ （１９８
８）に開示したようなＸ１ａリソグラフィ技術で使用さ
れる。
［実施例］
以ド、図面を参照しながら本発明を史に詳細に説明する
。
。
前．１己のように、本発明のＸ線マスクは、光および／
また゛１導体デバイスのようなデバイスを製造するため
のＸ線リソグラフィ露光で使用される。
また゛１導体デバイスのようなデバイスを製造するため
のＸ線リソグラフィ露光で使用される。
これらのマスクはタップラン−ヒに所定のパターンに形
敗されたｘ ４！ｉＪｂｓ 哀材料を何する。マスクに
よるＸ線露光およびその後のデバイスニ次加４二に関す
る説明は、ヒューベルガーの前ｔ［１ ｒ’Ｆおヨヒジ
ェー●ビー●シルバーマンらの“ジャーナル オブバキ
ューム サイエンス アンド テクノロジーＢ６．２１
４７ （１９８８）に開示されている。
敗されたｘ ４！ｉＪｂｓ 哀材料を何する。マスクに
よるＸ線露光およびその後のデバイスニ次加４二に関す
る説明は、ヒューベルガーの前ｔ［１ ｒ’Ｆおヨヒジ
ェー●ビー●シルバーマンらの“ジャーナル オブバキ
ューム サイエンス アンド テクノロジーＢ６．２１
４７ （１９８８）に開示されている。
タップラン製造はポリンリコン領域について酸化シリコ
ンの選択的エッチングにより行われる。この選択的エッ
チングは、酸化シリコン基板と、この基板−上に多桔品
シリコンのＬ層を＜Ｔする物体について行われる。
ンの選択的エッチングにより行われる。この選択的エッ
チングは、酸化シリコン基板と、この基板−上に多桔品
シリコンのＬ層を＜Ｔする物体について行われる。
シリコンガラス）工板の部分は結ＬＬＸ線マスクに機械
的安定度を′ｊえる。このような安定度を′ｊえるため
に、 ・般的に、０．２〜５開の範囲内のＨさを４’ｆ
する）．（板が使用される。厚さが０．２−ｇ＋米満の
，！ｘ板は・般的に、Ｉ・分な女定度を′ｊえない。
的安定度を′ｊえる。このような安定度を′ｊえるため
に、 ・般的に、０．２〜５開の範囲内のＨさを４’ｆ
する）．（板が使用される。厚さが０．２−ｇ＋米満の
，！ｘ板は・般的に、Ｉ・分な女定度を′ｊえない。
−力、Ｉｆ，（さが５關超の）Ｘ板は工・ノチング時間
が過人になるので望ましくない。基板材料は、例えば，
シリカ、シリケートガラス（例えば、ポロシリケート）
および石英などの耕成を汀ｒる酸化／リコンでなければ
ならない。
が過人になるので望ましくない。基板材料は、例えば，
シリカ、シリケートガラス（例えば、ポロシリケート）
および石英などの耕成を汀ｒる酸化／リコンでなければ
ならない。
多紀品シリコンのＰｊｌは酸化シリコン含自基板の１三
要而１二に形成される。この場合、多結品シリコンは少
なくとも１０６グレイン／ｃｍ２以Ｌでなければならな
い。１０６グレイン／Ｃ一未満の材料は粗くなり、露光
すべきデバイスμ板とマスクとの−二次加工および心合
わせを面倒にする。この多紀品シリコン層の厚さは私局
、タップランの厚さを決定する。 ・般的に、０．５〜
５μｍの範囲内の多結品シリコン層が使用される。５μ
ｍ超の厚さは−・般的に、Ｘ線を過度に減哀しやすく、
方、０．５Ｉｌｍ未満の厚さでは−・般的に、剛性が不
１・分である。多鮎品シリコンの打込みも可能である。
要而１二に形成される。この場合、多結品シリコンは少
なくとも１０６グレイン／ｃｍ２以Ｌでなければならな
い。１０６グレイン／Ｃ一未満の材料は粗くなり、露光
すべきデバイスμ板とマスクとの−二次加工および心合
わせを面倒にする。この多紀品シリコン層の厚さは私局
、タップランの厚さを決定する。 ・般的に、０．５〜
５μｍの範囲内の多結品シリコン層が使用される。５μ
ｍ超の厚さは−・般的に、Ｘ線を過度に減哀しやすく、
方、０．５Ｉｌｍ未満の厚さでは−・般的に、剛性が不
１・分である。多鮎品シリコンの打込みも可能である。
ホウ素わよびヒ素のようなドーパントを１０２θ／ｃｍ
３以ドの濃度で使用することもできる。
３以ドの濃度で使用することもできる。
酸化シリコンに対するエッチングの選択ｖトが１００よ
りも人に維持されるならば、ンリコン組成物の組成変更
もＩＩＪ能である。
りも人に維持されるならば、ンリコン組成物の組成変更
もＩＩＪ能である。
ポリ／リコン／酸化シリコン９ｆＯ＆板が形成されたら
、ポリシリコン領域と反対側のＬ霞而上の酸化シリコン
含（ｆ）＾板の周縁ｆ，Ｑ域をエッチング加ｔ中に殆ど
除表されない材料で被覆する。酸化シリコン含ｉｆ大（
板１．の周縁部の被ｍ領域は、タップラン形成後に残る
この基板部分を保護する。１ｌη，；己のように、この
領域はタップランに機械的安定度をｔｊえる。一般的に
、この残留周縁領域の表面積はタップランの表面積の少
なくとも３０％以上でなければならない。酸化シリコン
含｛４’組成物の周縁部をイｆするタップランを−層硬
質なリング．Ｅに配設する場合、もっと小さな周縁領域
も可能である。
、ポリシリコン領域と反対側のＬ霞而上の酸化シリコン
含（ｆ）＾板の周縁ｆ，Ｑ域をエッチング加ｔ中に殆ど
除表されない材料で被覆する。酸化シリコン含ｉｆ大（
板１．の周縁部の被ｍ領域は、タップラン形成後に残る
この基板部分を保護する。１ｌη，；己のように、この
領域はタップランに機械的安定度をｔｊえる。一般的に
、この残留周縁領域の表面積はタップランの表面積の少
なくとも３０％以上でなければならない。酸化シリコン
含｛４’組成物の周縁部をイｆするタップランを−層硬
質なリング．Ｅに配設する場合、もっと小さな周縁領域
も可能である。
１人板の周縁部を適当な材料で被葭したら、この物体を
選択工，チングにかける。Ｈ Ｆ水溶液（例えば、４９
％ＨＦ水溶液）のようなエッチング剤か都合良く使用さ
れる。Ｊ，ｔ板の，ＩＩ被ｒｒＩ領域が殆ど完全に除夫
され、図示されているように、周縁領域２とメンブラン
ｌを含む構造が得られるまでエッチング処理を続ける。
選択工，チングにかける。Ｈ Ｆ水溶液（例えば、４９
％ＨＦ水溶液）のようなエッチング剤か都合良く使用さ
れる。Ｊ，ｔ板の，ＩＩ被ｒｒＩ領域が殆ど完全に除夫
され、図示されているように、周縁領域２とメンブラン
ｌを含む構造が得られるまでエッチング処理を続ける。
シリカに対するＨＦ水溶液の一般的なエッチング速度は
室温で０．０７．．／時間、６０℃で０．２５−＊／時
間である。一般的に、代表的な基板Ｐｉｔさでは、２〜
７時間の範囲西のエッチングｆｌ与間が使用される。基
板の非被ｍ領域を除去するのに必要ならば、前記の時間
以上のエッチングも実施できる。 ・般的に、室温で１
日間以下のエッチング時間では、ポリシリコンタップラ
ンの大部分または酸化シリコン含有周縁領域は除去され
ない。
室温で０．０７．．／時間、６０℃で０．２５−＊／時
間である。一般的に、代表的な基板Ｐｉｔさでは、２〜
７時間の範囲西のエッチングｆｌ与間が使用される。基
板の非被ｍ領域を除去するのに必要ならば、前記の時間
以上のエッチングも実施できる。 ・般的に、室温で１
日間以下のエッチング時間では、ポリシリコンタップラ
ンの大部分または酸化シリコン含有周縁領域は除去され
ない。
一般的に、得られたタップランの引張応力は１×１０？
〜２Ｘ １ ０？ダイン／ｃｍ２である。一般的に．３
Ｘ１０８〜５Ｘ１ ０９ダイン／ｃｙａ２の範囲内の引
張応力を維持することが望ましい。５×１０？ダイン／
Ｃ園２超の応力は破壊を引き起こす傾向があり、３ＸＩ
Ｏ”ダイン／Ｃ層２未満の応力はタップランを変形させ
る傾向がある。二次加工後のタップランの引張応力が５
×１０７ダイン／ＣｆＬａ２よりも大きい場合、了二−
リングのような技術によりこの応力を緩和することがで
きる。例えば、タップランを１１５０℃の温度に４５分
間暴露すると、ドーブされていない多結品シリコンメン
ブラン中の応力はほぼゼロにまで低下する。従って、対
照サンプルを使用して適当なアニーリング時間を選択し
、所望の引張応力を１９る。１・分に確立された二次加
玉技術を使用することにより、適当な引張強度を有する
ばかりか、頑丈なタップランを安価に製造することがで
きる。
〜２Ｘ １ ０？ダイン／ｃｍ２である。一般的に．３
Ｘ１０８〜５Ｘ１ ０９ダイン／ｃｙａ２の範囲内の引
張応力を維持することが望ましい。５×１０？ダイン／
Ｃ園２超の応力は破壊を引き起こす傾向があり、３ＸＩ
Ｏ”ダイン／Ｃ層２未満の応力はタップランを変形させ
る傾向がある。二次加工後のタップランの引張応力が５
×１０７ダイン／ＣｆＬａ２よりも大きい場合、了二−
リングのような技術によりこの応力を緩和することがで
きる。例えば、タップランを１１５０℃の温度に４５分
間暴露すると、ドーブされていない多結品シリコンメン
ブラン中の応力はほぼゼロにまで低下する。従って、対
照サンプルを使用して適当なアニーリング時間を選択し
、所望の引張応力を１９る。１・分に確立された二次加
玉技術を使用することにより、適当な引張強度を有する
ばかりか、頑丈なタップランを安価に製造することがで
きる。
所望のＸＩｌマスクを製造するために、Ｘ線減衰パター
ンをタップラン表面上に形成する。このような減衰に好
適な材料は原子番号が７２よりも大きい重金属類である
。Ｘ線減衰材料の所望のパターンはタップランが製造さ
れる前または製造された後に形成される。何れの場合も
、常川のリソグラフィ技術を使用し、所望のパターンを
形成できる。形成乃期に関係なく、 ・般的に、Ｘ線減
衰材料の層は、タップラン製造後にメンブラン１・．に
被着するか、または，タップラン製造前に、タップラン
に形成される材料上に被着される。Ｘ！ｌ減衰材料をパ
ターン形成するのに、常用のドライまたはウエットエッ
チングと共に、および／または、常用の被着技術と共に
、常用のホトレジストのようは常用のレジストが使用さ
れる。
ンをタップラン表面上に形成する。このような減衰に好
適な材料は原子番号が７２よりも大きい重金属類である
。Ｘ線減衰材料の所望のパターンはタップランが製造さ
れる前または製造された後に形成される。何れの場合も
、常川のリソグラフィ技術を使用し、所望のパターンを
形成できる。形成乃期に関係なく、 ・般的に、Ｘ線減
衰材料の層は、タップラン製造後にメンブラン１・．に
被着するか、または，タップラン製造前に、タップラン
に形成される材料上に被着される。Ｘ！ｌ減衰材料をパ
ターン形成するのに、常用のドライまたはウエットエッ
チングと共に、および／または、常用の被着技術と共に
、常用のホトレジストのようは常用のレジストが使用さ
れる。
以下、具体例を挙げて、本発明によるＸ線マスクを製造
するのに好適な条件を例証する。
するのに好適な条件を例証する。
藍直肚上
基板として、直径４インチ、厚さ０．５．．およびナト
リウム含量が０．０５ｖｔ％未滴の溶融シリ力基板を使
用した。濃硫酸２４ｋｇと３０％過酸化水素１２００ｍ
Ｊを混合し、洗浄液をｇ製した。
リウム含量が０．０５ｖｔ％未滴の溶融シリ力基板を使
用した。濃硫酸２４ｋｇと３０％過酸化水素１２００ｍ
Ｊを混合し、洗浄液をｇ製した。
この溶液を１０５℃にまで加熱し、ウエハをこの溶液中
に約１０分間浸漬した。ウエ／Ｘを蒸留水ですすぎ、そ
してスピン乾燥させた。これらウエノ）のうち１２枚を
、その−１：．要面をπ直方向に向けて減圧ＣＶＤ蒸着
装置の石英ボートサンプルホルダーに挿入した。縞板間
の間隔は約３−であった。
に約１０分間浸漬した。ウエ／Ｘを蒸留水ですすぎ、そ
してスピン乾燥させた。これらウエノ）のうち１２枚を
、その−１：．要面をπ直方向に向けて減圧ＣＶＤ蒸着
装置の石英ボートサンプルホルダーに挿入した。縞板間
の間隔は約３−であった。
エス●エム●スゼ（Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ）が“ＶＬＳＩｆ９
ノロジー ，第２版（マグローヒル出版社）（１９８８
年）の２３８〜２４８頁に記載した方法を川いて、蒸着
温度６３０℃およびシラン分圧３００ａＴｏｒｒで各基
板の両面に厚さ１μｍになるまで多桔品シリコンを蒸青
した。Ｊ，（板を蒸着装置から取山し、ノボラブク系レ
ジストの層を基板の両面に１７．サ１μｍにまでスビン
コートにより塗布した。
ノロジー ，第２版（マグローヒル出版社）（１９８８
年）の２３８〜２４８頁に記載した方法を川いて、蒸着
温度６３０℃およびシラン分圧３００ａＴｏｒｒで各基
板の両面に厚さ１μｍになるまで多桔品シリコンを蒸青
した。Ｊ，（板を蒸着装置から取山し、ノボラブク系レ
ジストの層を基板の両面に１７．サ１μｍにまでスビン
コートにより塗布した。
ウエハの一方の而のホトレジストを、中心から直径１．
５インチまで艙射光を透過させることのできるマスクを
通して露光した。その後、この露光ホトレジストを、レ
ジスト製造者から供給された専売現像液を用いて現像し
た。鷹硝酸、４９％ＨＦ水溶液および氷酢酸を５対ｌ対
ｌの比率で混合することによりエッチング溶液を調製し
た。その後、ウエハをこのエッチング溶液に約１分間浸
漬し、リソグラフィ後に露光された厚さ１μｍの多結晶
領域を除去した。その後、ウエハをすすぎ、スピン乾燥
させ、そして、１００℃のホトレジスト除去剤中に約１
時間浸漬した。
５インチまで艙射光を透過させることのできるマスクを
通して露光した。その後、この露光ホトレジストを、レ
ジスト製造者から供給された専売現像液を用いて現像し
た。鷹硝酸、４９％ＨＦ水溶液および氷酢酸を５対ｌ対
ｌの比率で混合することによりエッチング溶液を調製し
た。その後、ウエハをこのエッチング溶液に約１分間浸
漬し、リソグラフィ後に露光された厚さ１μｍの多結晶
領域を除去した。その後、ウエハをすすぎ、スピン乾燥
させ、そして、１００℃のホトレジスト除去剤中に約１
時間浸漬した。
次いで、多結品シリコンのリングによりその裏面がマス
クされたウエハを室温で？Ｉ３８Ｆ水溶液に浸漬した。
クされたウエハを室温で？Ｉ３８Ｆ水溶液に浸漬した。
約７時間後、ウエハを取出し、蒸留水ですすぎ、そして
、乾燥させた。ＰＪられた横造物は、溶融シリカのリン
グ全体に伸ばされた厚さ約１μｍのタップランを４−ｆ
Ｌていた。イー●アイ●ブロムリ−（Ｅ．Ｉ．Ｂｒｏ
ｍｌｅｙ）らが“ジャーナル オブ バキューム サイ
エンス テクノロジー″．Ｂｌ．１３６４ （１９８３
）に開示したテスト方法により測定したこのタップラン
の引張応力は１．７×１０７ダイ／／ｃ■２であった。
、乾燥させた。ＰＪられた横造物は、溶融シリカのリン
グ全体に伸ばされた厚さ約１μｍのタップランを４−ｆ
Ｌていた。イー●アイ●ブロムリ−（Ｅ．Ｉ．Ｂｒｏ
ｍｌｅｙ）らが“ジャーナル オブ バキューム サイ
エンス テクノロジー″．Ｂｌ．１３６４ （１９８３
）に開示したテスト方法により測定したこのタップラン
の引張応力は１．７×１０７ダイ／／ｃ■２であった。
同じ力法で測定した弾外〉トは３．３Ｘ１０’２ダイン
／ｃｔａ２であり、破壊強さは４．２Ｘ１０？ダイン／
ｃｔａ２であった。ヒューレット●バッカード製の分光
光度計を用いて可変波長光をタップランに入射させた。
／ｃｔａ２であり、破壊強さは４．２Ｘ１０？ダイン／
ｃｔａ２であった。ヒューレット●バッカード製の分光
光度計を用いて可変波長光をタップランに入射させた。
同じ分光光度計を用いて透過光を検出した。６００〜７
００ｎｍの範囲内の波長における平均透過率は１７％で
あった。透過電了顕＠鏡写真は直径が約５００＝の杆状
粒Ｙを示した。社の長袖は成長方向に向かっていた。ｗ
ｙｃｏの光Ｔ渉計で測定した表面粗さはｍ部から谷まで
ｌＯＯ入未満であった。
００ｎｍの範囲内の波長における平均透過率は１７％で
あった。透過電了顕＠鏡写真は直径が約５００＝の杆状
粒Ｙを示した。社の長袖は成長方向に向かっていた。ｗ
ｙｃｏの光Ｔ渉計で測定した表面粗さはｍ部から谷まで
ｌＯＯ入未満であった。
丈胤且４
濃ＨＦ水溶液中におけるエッチングを６０℃で２時間に
わたって行ったこと以外は、実施例１の方法に従って行
った。得られた粘果は人体同じであった。
わたって行ったこと以外は、実施例１の方法に従って行
った。得られた粘果は人体同じであった。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、適当な引張強度
を打するばかりか、頑丈なタップランを安価に製造する
ことができる。
を打するばかりか、頑丈なタップランを安価に製造する
ことができる。
図面は本発明による代表的なマスク形状の分解組立図で
ある。
ある。
Claims (5)
- （１）（ａ）酸化シリコン含有組成物からなる基板の第
１の面に多結晶シリコン領域を有する物体を形成し； （ｂ）前記第１の面と反対側の第２の面の前記基板の周
縁部を被覆し； （ｃ）前記シリコンに対して前記酸化シリコン含有組成
物を選択的にエッチングするエッチング剤に前記物体を
暴露することにより前記基板の非被覆領域をエッチング
して多結晶シリコンメンブランを形成し；そして、 （ｄ）前記工程中の幾つかの時点で、多結晶シリコンメ
ンブラン上にＸ線減衰領域を形成する；工程からなる、
多結晶シリコンメンブラン上にＸ線減衰材料の領域を有
し、Ｘ線リソグラフィ用に適した露光マスクの製造方法
。 - （２）前記酸化シリコン含有組成物はシリカ、シリケー
トおよび石英からなる群から選択される材料を含有する
請求項１の製造方法。 - （３）前記エッチング剤はＨＦ水溶液からなる請求項１
の製造方法。 - （４）多結晶シリコンメンブラン上に被着され、パター
ン形成されたＸ線減衰材料を有するマスクであり、前記
タップランは酸化シリコン含有組成物からなる領域によ
り支持されており、前記タップランは前記Ｘ線を殆ど減
衰させないように十分に薄いことを特徴とするＸ線リソ
グラフィ用に適したマスク。 - （５）前記酸化シリコン含有組成物はシリカ、シリケー
トおよび石英からなる群から選択される材料を含有する
請求項４のマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US358312 | 1989-05-26 | ||
| US07/358,312 US5051326A (en) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | X-Ray lithography mask and devices made therewith |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319313A true JPH0319313A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=23409169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2132781A Pending JPH0319313A (ja) | 1989-05-26 | 1990-05-24 | 露光マスクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051326A (ja) |
| EP (1) | EP0399735B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0319313A (ja) |
| CA (1) | CA2013245C (ja) |
| DE (1) | DE69021773T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5369847A (en) * | 1992-03-25 | 1994-12-06 | Yoshida Kogyo K.K. | Flexible fastener |
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| JPH06105681B2 (ja) * | 1992-04-07 | 1994-12-21 | 東京工業大学長 | Ｘ線露光マスクの作製法 |
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| WO2004015764A2 (en) | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Leedy Glenn J | Vertical system integration |
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-
1989
- 1989-05-26 US US07/358,312 patent/US5051326A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-28 CA CA002013245A patent/CA2013245C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-18 EP EP90305420A patent/EP0399735B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-18 DE DE69021773T patent/DE69021773T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-24 JP JP2132781A patent/JPH0319313A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69021773T2 (de) | 1996-05-02 |
| DE69021773D1 (de) | 1995-09-28 |
| CA2013245C (en) | 1994-04-19 |
| EP0399735B1 (en) | 1995-08-23 |
| EP0399735A3 (en) | 1991-07-03 |
| EP0399735A2 (en) | 1990-11-28 |
| US5051326A (en) | 1991-09-24 |
| CA2013245A1 (en) | 1990-11-26 |
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