JPH0334412A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0334412A JPH0334412A JP1168535A JP16853589A JPH0334412A JP H0334412 A JPH0334412 A JP H0334412A JP 1168535 A JP1168535 A JP 1168535A JP 16853589 A JP16853589 A JP 16853589A JP H0334412 A JPH0334412 A JP H0334412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- layer
- silicon
- absorber
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は超ＬＳＩの製造に使用されるＸ線リソグラフィ
ー用マスクとその製造方法に関するものである。 （従来の技術） 近年超ＬＳＩは益々高密度化し、そのパターンはサブミ
クロンオーダーが要求され、レジスト膜の解像力を高め
るために極超短波のＸ線が使用されるようになってきた
。従来のＸ線マスクではＸ線透過体としては、ＢＮ、
Ｓ ｉ Ｎ、 Ｓ ｉ Ｃ，Ｓ Ｌ等のＸ線透過率の高
い材料を用い、Ｘ線吸収体としては、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ等
のＸ線吸収係数の大きい重金属材料を用いていた。 （発明が解決しようとする課題） しかし、これら従来のＸ線透過体−吸収体の組み合わせ
で形成されたＸ線マスクでは、吸収体パターニング後に
局所応力等が残留する為の歪や位置ずれの発生が不可避
であった。また、これらの異種材料の組み合わせでは、
界面に大きな歪が発生し、接着不良等の問題もあった。 従って、本発明の技術的課題はかかる諸問題を解決し、
歪、位置ずれ、接着不良などの欠陥のないＸ線リソグラ
フィー用マスクを提供することにある。 （課題を解決するための手段） 本発明者らはかかる課題を解決するためにＸ ｉ！ｉ！
リソグラフィー用マスクの材質、構造および製造方法を
詳細に検討した結果、本発明に到達した。 本発明の要旨とするところは、 Ｘ線吸収体と透過体の材質を同一のけい素とし、さらに
透過体には、はう素を不純物としてドープしたちの使用
する、吸収体と透過体の厚さの比を３〜２０対１とする
等を特徴としたＸ線マスクおよびけい素基板上にほう素
をドープしたけい素よりなるＸＩ！透過層を形成し、そ
の上にエピタキシャル法によりけい素層を形成し、これ
を゛エツチングしパターンを形成してＸ線吸収体とし、
該けい素基板層をエツチングにより除去する工程から成
るＸ線マスクの製造方法、また別途、けい素基板上にイ
オン打ち込み装置でＯ−イオンを打−ち込み、ＳＩＭＯ
Ｘと呼ばれるＳ ｉ Ｏｘ層を形成し、さらに、９００
〜１２００℃の温度範囲でアニールし、５ｔＯ２層を一
定の深さに形成し、この上のＳｉ基板層をエツチングし
、パターン形成して、Ｘ線吸収体パターンおよびｘｉ透
過体層を形成し、次いで、裏面よりこの下のＳｉ基板層
をエツチングにより除去し、さらに、この５ｉｎｓ層を
エツチングにより除去する工程から成るＸｌｌマスクの
製造方法にある。 以下、本発明の詳細な説明する。 先ず、Ｘ線吸収体と透過体の材質を、これらを形成する
基板をも含めて検討した結果、全てを同一のけい素とす
ることで従来の異種材料量界面に生ずる各種の歪や、位
置ずれ、接着不良を低減化することができた。また、け
い素は、Ｘ線吸収係数が小さいため、Ｘ線吸収体の膜厚
をＸ線透過体に用いるけい素メンブレン膜厚よりも大き
くする必要があり、膜厚比を３以上とすることでＸ線透
過率に差異をつけた。しかし膜厚比を２０以上とすると
パターンエツチング時にパターン形状の異状、変形、応
力歪み等の問題が生じるため、好ましい膜厚比の範囲を
３以上２０以下とした。例えば、６人波長のＸ線透過率
をＳｔ膜厚比で考えた場合、図１において、ａ ／ ｂ
＝ １０倍とすると、露光されるレジスト［ポリメチ
ルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと略記する）製とした
場合］の露光量の比率は、Ｘ線透過体の部分でＸ線吸収
体部の約２０倍に達することが図２より明らかである、
従って、同−Ｓｉで、膜厚比に差をつけて、厚い方をＸ
線吸収体、薄い方をＸ Ｉ！透過体として、使用するこ
とは充分可能である。また、Ｘ！ｌ透過体としてのけい
素メンブレンは不純物をドープしたものでも、しないも
のでも良い、ただし、下のけい素基板との選択エツチン
グが可能となるようにするため、不純物をドープしない
場合には、Ｏ−イオン打ち込み工程とそれに続く温度範
囲９００〜１２００℃下でのアニール工程により、一定
の深さに５ｉＯｚ層を形成した。また、不純物をドープ
したものでは、各種エツチング薬品に対する耐薬品性に
優れている点からＢドープＳｉを選択した。 具体的には、５ Ｘ １０” 〜２ Ｘ １０”ａｔｍ
／ｃｃのほう素をドープしたけい素のエピタキシャル
層を形成し、このメンブレン化の際に、下のけい素基板
との選択エツチングが可能となるようにした。この際、
Ｂドープ量が５ Ｘ １０”ａｔｍ ／ｃｃ以下では、
パターンエツチングやバックエツチング時の耐薬品性が
なくなり、２ Ｘ １０”ａｔｍ ／ｃｃ以上では偏析
が生じ、均一にドープ出来ない。また、このけい素メン
ブレン層の厚さは、Ｘ線透過率の確保と、自立膜として
の強度を確保するための厚さとして０．５〜４μｍの範
囲が好ましい、また、吸収体用けい素層としては、不純
物の混入を気にする必要はなく、重金属等が含まれてい
ても良いため、安価なプロセスで形成できる。材質とし
て同一けい素を用いた吸収体と透過体の差異は膜厚比を
３以上２０以下とすることで解決しているが、特に、積
極的に吸収体層に不純物をドーピングしていくことで、
ＳＮ比も改良できることが判った。この不純物としては
、原子番号がけい素の１４より大きい元素がよく、ドー
プ量はパターニング時のエツチングレートを低下させな
い程度が好ましい。 また、Ｘ線吸収体けい素基板上にＷ、Ｔａ、Ａｕ等の重
金属の薄膜層を形成し、Ｘ線吸収能力を高める方法を併
用しても良い、ただし、このとき、本発明の目的である
吸収体層の低減化のためにはこれら重金属吸収体層はＸ
線吸収体およびＸ線透過体としてのけい素層全体の１／
ｌＯ以下の膜厚のものでなければならない。その理由を
（Ｉ）式で説明する。 δ・・・Ｘ線吸収体の応力 ｔａ ・・Ｘ線吸収体の膜厚 ｔｓ ・・Ｘ線透過体の膜厚 σ・・・Ｘ線透過体の応力 Ｅｓ ・・ヤング率 ｋ・・・係数 （１）式に示されるＸ線吸収体の応力δを小さくするた
め、（１）式中のｔ ａ ／ ｔ ｓを１／１ｏ以下と
して、応力δを１桁以上低く設定することを可能にする
ためである。この原理は、図５および図６の比較で明ら
かなように、一般に普及しているＸ線マスク（図３）の
ものに比べ、本発明によるＸ線マスク（図４）では、（
■）式中のｔｓに相当する部分の膜厚が非常に大きいた
め、全体として、吸収体の応力δを大幅に低減すること
ができる。 図４の場合、ｔａに相当するのはＣの厚さ
（Ｗ、Ｔａ、Ａｕ等の重金属Ｍから成るＸ線吸収体層（
７））、ｔｓに相当するのはａ＋ｂの厚さ（ａ ： Ｓ
ｉから成るＸ線吸収体層（５）、ｂ：Ｓｔから成るＸ
線透過体層（６））である。従って、Ｃの厚さをａ＋ｂ
の厚さの１／１０以下と設定することにより、吸収体応
力δをｌ／ｌ Ｏ以下に低減できる。 次に、本発明のＸ線マスクの製造方法の１実施態様を図
５の工程に従って説明する。 １）先ず、けい素（Ｓｔ）基板（１）［工程Ａ］上面に
ＣＶＤ法によりほう素（Ｂ）ドープＳｔエピタキシャル
膜（２）を形成する。［工程Ｂ］２）この上に、ノンド
ープＳｉエピタキシャル膜（３）を同上方法により形成
する。［工程Ｃ１３）この上にタングステン（Ｗ）膜を
スパッタリング法で形成する。 ４）これにフォトレジストをスピンコードし、パターン
を形成する。 ５）このレジストパターンを用い、Ｗ膜をハロンガスド
ライエツチングでパターニングした後、レジスト層を除
去する。 ６）さらに、このＷ膜パターンを用いて、下層のエピタ
キシャルｂ ングでパターニングする。 ・・・ ［工程Ｄ］７
）該けい素基板をバックエツチングで除去し、メンブレ
ン化する。 ・・・ ［工程Ｅ］また、別の
製造方法の１実施態様を図６の工程に従って説明する。 １）先ず、けい素（Ｓｔ）基板（１）にＯ−イオンを打
ち込み、９００〜１２００℃ の温度でアニールしてＳ
ｉｎ、層（Ｓ ＩＭＯＸ）（４）を一定の深さに形成す
る。・・・・・・・・・・ ［工程Ｇ〕２）ＳｉＯ□層
の上のＳｉ基板層をエツチングし、パターン形成して、
Ｘ線吸収体ＳＬパターン（５）およびＸ線透過体シリコ
ン層（６）を同時形成する。 ・・
・・ 〔工程Ｎ１３）Ｘ線透過体層の下のＳｉ基板層を
バックエツチングにより除去する。・・・・・・ ［工
程Ｉ］４〕さらにＳｉ基板層の上のＳ ｉ Ｏｚ層をエ
ツチングにより除去する。 ・・・ ［工程Ｊ
］５）オールシリコンＸ線マスクの完成品・・・ 【工
程Ｋ】 さらに、他の製造方法の１実施態様を図７の工程順に説
明する。 １）Ｏ−イオンの打ち込み、アニール、Ｓ ｉ Ｏｓ層
形成。 ・・・ 【工程Ｍ］２）
Ｗ膜（７）スパッタリング、・・ ［工程Ｎ１５）Ｗ膜
およびＳｌ基板のパターニング・・・ ［工程Ｏ］ ４）Ｓｉ基板のバックエツチング。・ ［工程Ｐ１５）
ＳｉＯｘ層の除去。 ・・・ ［工程Ｑ１０）Ｘ
＃Ｊｌマスクの完成。 ・・・ ［工程８１次に
、本発明の具体例を実施例を挙げて説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。 （実施例） ３’＄、６０口μｍｔ、面方位＜１００＞のＳｉ基板上
にＣＶＤ法で７ Ｘ １０”ａｔｍ／ｃｃのＢドープＳ
ｉエピタキシャル膜を２μｍ厚さで形成した。さらに、
その上に同様の方法でノンドープＳｉエピタキシャル膜
を１０μｍ厚さで形成した。この上に、（１，ｌＬＬｍ
厚さのＷＩｌｌをスパッタリングで形成した。これにフ
ォトレジストをスピンコードし、パターン形成をした。 このレジストパターンを用い、０．１ｕｍ厚さＷ膜をハ
ロンガスドライエツチングでパターニングした後、レジ
スト層を除去した、更に、このＷ膜パターンを用いて、
下層のエピタキシャルシリコン層のみをＣＦ４ドライエ
ツチングでパターニングした。この段階では、０．１μ
ｍ厚Ｗ層は完全に除去され、吸収体パターンの厚さが８
．５μｍとなっていた。第１図Ａ部拡大図でエピタキシ
ャル５ｉ（Ｘｉｌ吸収体）の膜厚ａとＢドープ５ｉ（Ｘ
線透過体）の膜厚すとの膜厚比はａ ／ ｂ ＝ ８．
５７２ ｇ ｍ ＝ ４．２５倍であった。次に、裏面
より６００ｕｍｔのＳｉ基板を３０ｍｍ＄の範囲でＫＯ
Ｈ水溶液でバックエツチングで除去し、Ｘ線リソグラフ
ィー用マスクを得た。このマスクにＩＧＪのＳＯＲを照
射し、その前後でのパターン位置歪を測定したところ、
平均でｌＯｐｐｍ以下であった。 （発明の効果） 本発明により作製されたＸ線マスクは、従来品に比較し
て ｌ）全層をけい素で形成するため、界面でのミスマツチ
がなく、接着不良がない。 ２）局所応力が小さく抑えられる。 ３）パターンの位置ずれ、歪が小さい。 等の優れた性能を有し、超ＬＳＩ製造用Ｘ１１リソグラ
フイー用マスクとして好適に使用される。
ー用マスクとその製造方法に関するものである。 （従来の技術） 近年超ＬＳＩは益々高密度化し、そのパターンはサブミ
クロンオーダーが要求され、レジスト膜の解像力を高め
るために極超短波のＸ線が使用されるようになってきた
。従来のＸ線マスクではＸ線透過体としては、ＢＮ、
Ｓ ｉ Ｎ、 Ｓ ｉ Ｃ，Ｓ Ｌ等のＸ線透過率の高
い材料を用い、Ｘ線吸収体としては、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ等
のＸ線吸収係数の大きい重金属材料を用いていた。 （発明が解決しようとする課題） しかし、これら従来のＸ線透過体−吸収体の組み合わせ
で形成されたＸ線マスクでは、吸収体パターニング後に
局所応力等が残留する為の歪や位置ずれの発生が不可避
であった。また、これらの異種材料の組み合わせでは、
界面に大きな歪が発生し、接着不良等の問題もあった。 従って、本発明の技術的課題はかかる諸問題を解決し、
歪、位置ずれ、接着不良などの欠陥のないＸ線リソグラ
フィー用マスクを提供することにある。 （課題を解決するための手段） 本発明者らはかかる課題を解決するためにＸ ｉ！ｉ！
リソグラフィー用マスクの材質、構造および製造方法を
詳細に検討した結果、本発明に到達した。 本発明の要旨とするところは、 Ｘ線吸収体と透過体の材質を同一のけい素とし、さらに
透過体には、はう素を不純物としてドープしたちの使用
する、吸収体と透過体の厚さの比を３〜２０対１とする
等を特徴としたＸ線マスクおよびけい素基板上にほう素
をドープしたけい素よりなるＸＩ！透過層を形成し、そ
の上にエピタキシャル法によりけい素層を形成し、これ
を゛エツチングしパターンを形成してＸ線吸収体とし、
該けい素基板層をエツチングにより除去する工程から成
るＸ線マスクの製造方法、また別途、けい素基板上にイ
オン打ち込み装置でＯ−イオンを打−ち込み、ＳＩＭＯ
Ｘと呼ばれるＳ ｉ Ｏｘ層を形成し、さらに、９００
〜１２００℃の温度範囲でアニールし、５ｔＯ２層を一
定の深さに形成し、この上のＳｉ基板層をエツチングし
、パターン形成して、Ｘ線吸収体パターンおよびｘｉ透
過体層を形成し、次いで、裏面よりこの下のＳｉ基板層
をエツチングにより除去し、さらに、この５ｉｎｓ層を
エツチングにより除去する工程から成るＸｌｌマスクの
製造方法にある。 以下、本発明の詳細な説明する。 先ず、Ｘ線吸収体と透過体の材質を、これらを形成する
基板をも含めて検討した結果、全てを同一のけい素とす
ることで従来の異種材料量界面に生ずる各種の歪や、位
置ずれ、接着不良を低減化することができた。また、け
い素は、Ｘ線吸収係数が小さいため、Ｘ線吸収体の膜厚
をＸ線透過体に用いるけい素メンブレン膜厚よりも大き
くする必要があり、膜厚比を３以上とすることでＸ線透
過率に差異をつけた。しかし膜厚比を２０以上とすると
パターンエツチング時にパターン形状の異状、変形、応
力歪み等の問題が生じるため、好ましい膜厚比の範囲を
３以上２０以下とした。例えば、６人波長のＸ線透過率
をＳｔ膜厚比で考えた場合、図１において、ａ ／ ｂ
＝ １０倍とすると、露光されるレジスト［ポリメチ
ルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと略記する）製とした
場合］の露光量の比率は、Ｘ線透過体の部分でＸ線吸収
体部の約２０倍に達することが図２より明らかである、
従って、同−Ｓｉで、膜厚比に差をつけて、厚い方をＸ
線吸収体、薄い方をＸ Ｉ！透過体として、使用するこ
とは充分可能である。また、Ｘ！ｌ透過体としてのけい
素メンブレンは不純物をドープしたものでも、しないも
のでも良い、ただし、下のけい素基板との選択エツチン
グが可能となるようにするため、不純物をドープしない
場合には、Ｏ−イオン打ち込み工程とそれに続く温度範
囲９００〜１２００℃下でのアニール工程により、一定
の深さに５ｉＯｚ層を形成した。また、不純物をドープ
したものでは、各種エツチング薬品に対する耐薬品性に
優れている点からＢドープＳｉを選択した。 具体的には、５ Ｘ １０” 〜２ Ｘ １０”ａｔｍ
／ｃｃのほう素をドープしたけい素のエピタキシャル
層を形成し、このメンブレン化の際に、下のけい素基板
との選択エツチングが可能となるようにした。この際、
Ｂドープ量が５ Ｘ １０”ａｔｍ ／ｃｃ以下では、
パターンエツチングやバックエツチング時の耐薬品性が
なくなり、２ Ｘ １０”ａｔｍ ／ｃｃ以上では偏析
が生じ、均一にドープ出来ない。また、このけい素メン
ブレン層の厚さは、Ｘ線透過率の確保と、自立膜として
の強度を確保するための厚さとして０．５〜４μｍの範
囲が好ましい、また、吸収体用けい素層としては、不純
物の混入を気にする必要はなく、重金属等が含まれてい
ても良いため、安価なプロセスで形成できる。材質とし
て同一けい素を用いた吸収体と透過体の差異は膜厚比を
３以上２０以下とすることで解決しているが、特に、積
極的に吸収体層に不純物をドーピングしていくことで、
ＳＮ比も改良できることが判った。この不純物としては
、原子番号がけい素の１４より大きい元素がよく、ドー
プ量はパターニング時のエツチングレートを低下させな
い程度が好ましい。 また、Ｘ線吸収体けい素基板上にＷ、Ｔａ、Ａｕ等の重
金属の薄膜層を形成し、Ｘ線吸収能力を高める方法を併
用しても良い、ただし、このとき、本発明の目的である
吸収体層の低減化のためにはこれら重金属吸収体層はＸ
線吸収体およびＸ線透過体としてのけい素層全体の１／
ｌＯ以下の膜厚のものでなければならない。その理由を
（Ｉ）式で説明する。 δ・・・Ｘ線吸収体の応力 ｔａ ・・Ｘ線吸収体の膜厚 ｔｓ ・・Ｘ線透過体の膜厚 σ・・・Ｘ線透過体の応力 Ｅｓ ・・ヤング率 ｋ・・・係数 （１）式に示されるＸ線吸収体の応力δを小さくするた
め、（１）式中のｔ ａ ／ ｔ ｓを１／１ｏ以下と
して、応力δを１桁以上低く設定することを可能にする
ためである。この原理は、図５および図６の比較で明ら
かなように、一般に普及しているＸ線マスク（図３）の
ものに比べ、本発明によるＸ線マスク（図４）では、（
■）式中のｔｓに相当する部分の膜厚が非常に大きいた
め、全体として、吸収体の応力δを大幅に低減すること
ができる。 図４の場合、ｔａに相当するのはＣの厚さ
（Ｗ、Ｔａ、Ａｕ等の重金属Ｍから成るＸ線吸収体層（
７））、ｔｓに相当するのはａ＋ｂの厚さ（ａ ： Ｓ
ｉから成るＸ線吸収体層（５）、ｂ：Ｓｔから成るＸ
線透過体層（６））である。従って、Ｃの厚さをａ＋ｂ
の厚さの１／１０以下と設定することにより、吸収体応
力δをｌ／ｌ Ｏ以下に低減できる。 次に、本発明のＸ線マスクの製造方法の１実施態様を図
５の工程に従って説明する。 １）先ず、けい素（Ｓｔ）基板（１）［工程Ａ］上面に
ＣＶＤ法によりほう素（Ｂ）ドープＳｔエピタキシャル
膜（２）を形成する。［工程Ｂ］２）この上に、ノンド
ープＳｉエピタキシャル膜（３）を同上方法により形成
する。［工程Ｃ１３）この上にタングステン（Ｗ）膜を
スパッタリング法で形成する。 ４）これにフォトレジストをスピンコードし、パターン
を形成する。 ５）このレジストパターンを用い、Ｗ膜をハロンガスド
ライエツチングでパターニングした後、レジスト層を除
去する。 ６）さらに、このＷ膜パターンを用いて、下層のエピタ
キシャルｂ ングでパターニングする。 ・・・ ［工程Ｄ］７
）該けい素基板をバックエツチングで除去し、メンブレ
ン化する。 ・・・ ［工程Ｅ］また、別の
製造方法の１実施態様を図６の工程に従って説明する。 １）先ず、けい素（Ｓｔ）基板（１）にＯ−イオンを打
ち込み、９００〜１２００℃ の温度でアニールしてＳ
ｉｎ、層（Ｓ ＩＭＯＸ）（４）を一定の深さに形成す
る。・・・・・・・・・・ ［工程Ｇ〕２）ＳｉＯ□層
の上のＳｉ基板層をエツチングし、パターン形成して、
Ｘ線吸収体ＳＬパターン（５）およびＸ線透過体シリコ
ン層（６）を同時形成する。 ・・
・・ 〔工程Ｎ１３）Ｘ線透過体層の下のＳｉ基板層を
バックエツチングにより除去する。・・・・・・ ［工
程Ｉ］４〕さらにＳｉ基板層の上のＳ ｉ Ｏｚ層をエ
ツチングにより除去する。 ・・・ ［工程Ｊ
］５）オールシリコンＸ線マスクの完成品・・・ 【工
程Ｋ】 さらに、他の製造方法の１実施態様を図７の工程順に説
明する。 １）Ｏ−イオンの打ち込み、アニール、Ｓ ｉ Ｏｓ層
形成。 ・・・ 【工程Ｍ］２）
Ｗ膜（７）スパッタリング、・・ ［工程Ｎ１５）Ｗ膜
およびＳｌ基板のパターニング・・・ ［工程Ｏ］ ４）Ｓｉ基板のバックエツチング。・ ［工程Ｐ１５）
ＳｉＯｘ層の除去。 ・・・ ［工程Ｑ１０）Ｘ
＃Ｊｌマスクの完成。 ・・・ ［工程８１次に
、本発明の具体例を実施例を挙げて説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。 （実施例） ３’＄、６０口μｍｔ、面方位＜１００＞のＳｉ基板上
にＣＶＤ法で７ Ｘ １０”ａｔｍ／ｃｃのＢドープＳ
ｉエピタキシャル膜を２μｍ厚さで形成した。さらに、
その上に同様の方法でノンドープＳｉエピタキシャル膜
を１０μｍ厚さで形成した。この上に、（１，ｌＬＬｍ
厚さのＷＩｌｌをスパッタリングで形成した。これにフ
ォトレジストをスピンコードし、パターン形成をした。 このレジストパターンを用い、０．１ｕｍ厚さＷ膜をハ
ロンガスドライエツチングでパターニングした後、レジ
スト層を除去した、更に、このＷ膜パターンを用いて、
下層のエピタキシャルシリコン層のみをＣＦ４ドライエ
ツチングでパターニングした。この段階では、０．１μ
ｍ厚Ｗ層は完全に除去され、吸収体パターンの厚さが８
．５μｍとなっていた。第１図Ａ部拡大図でエピタキシ
ャル５ｉ（Ｘｉｌ吸収体）の膜厚ａとＢドープ５ｉ（Ｘ
線透過体）の膜厚すとの膜厚比はａ ／ ｂ ＝ ８．
５７２ ｇ ｍ ＝ ４．２５倍であった。次に、裏面
より６００ｕｍｔのＳｉ基板を３０ｍｍ＄の範囲でＫＯ
Ｈ水溶液でバックエツチングで除去し、Ｘ線リソグラフ
ィー用マスクを得た。このマスクにＩＧＪのＳＯＲを照
射し、その前後でのパターン位置歪を測定したところ、
平均でｌＯｐｐｍ以下であった。 （発明の効果） 本発明により作製されたＸ線マスクは、従来品に比較し
て ｌ）全層をけい素で形成するため、界面でのミスマツチ
がなく、接着不良がない。 ２）局所応力が小さく抑えられる。 ３）パターンの位置ずれ、歪が小さい。 等の優れた性能を有し、超ＬＳＩ製造用Ｘ１１リソグラ
フイー用マスクとして好適に使用される。
図１はＸ線吸収体層とＸ線透過体層の厚さの比を示す説
明図。 図２はＸ線露光されたレジスト（ＰＭＭＡ）の露光量の
比率を示す説明図。 図３は従来公知のＸ線マスク。 図４は本発明のＸ線マスクの１実施態様。 図５は本発明製造方法の１実施態様でＡ−Ｈの工程順に
縦断面図で示しさらにＦ部拡大図を示す。 図６は本発明製造方法の１実施態様をＧ−にの工程順に
縦断面図で示しさらにＬ部拡大図を示す。 図７は本発明製造方法の１実施態様でＭ−Ｈの工程順に
縦断面図で示しさらにＳ部拡大図を示す。 図中記号はつぎの通り。 ｌ・・・Ｓｉ基板 ２・・・ＢドープＳｉ膜（Ｘ線透過体）３・・・エピタ
キシャルＳｉ膜（Ｘ １１吸収体）４・・・ＳｉＯ２層
（ＳＩＭＯＸ） ５・・・５Ｌ（Ｘ線吸収体） ・５ｉ（Ｘ線透過体） ・Ｍ （Ｘ線吸収体） Ｘ線吸収体Ｓｉ膜厚さ（μｍ） Ｘ線透過体ＳＬ膜厚さ（μｍ） Ｘ線吸収体Ｍ膜厚さ（μｍ）
明図。 図２はＸ線露光されたレジスト（ＰＭＭＡ）の露光量の
比率を示す説明図。 図３は従来公知のＸ線マスク。 図４は本発明のＸ線マスクの１実施態様。 図５は本発明製造方法の１実施態様でＡ−Ｈの工程順に
縦断面図で示しさらにＦ部拡大図を示す。 図６は本発明製造方法の１実施態様をＧ−にの工程順に
縦断面図で示しさらにＬ部拡大図を示す。 図７は本発明製造方法の１実施態様でＭ−Ｈの工程順に
縦断面図で示しさらにＳ部拡大図を示す。 図中記号はつぎの通り。 ｌ・・・Ｓｉ基板 ２・・・ＢドープＳｉ膜（Ｘ線透過体）３・・・エピタ
キシャルＳｉ膜（Ｘ １１吸収体）４・・・ＳｉＯ２層
（ＳＩＭＯＸ） ５・・・５Ｌ（Ｘ線吸収体） ・５ｉ（Ｘ線透過体） ・Ｍ （Ｘ線吸収体） Ｘ線吸収体Ｓｉ膜厚さ（μｍ） Ｘ線透過体ＳＬ膜厚さ（μｍ） Ｘ線吸収体Ｍ膜厚さ（μｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、共にけい素から成るＸ線吸収体およびＸ線透過体よ
り成るＸ線マスク。 ２、Ｘ線吸収体の厚さがＸ線透過体の厚さより大である
請求項１記載のＸ線マスク。 ３、Ｘ線吸収体のＸ線透過体に対する厚さの比が３〜２
０対１である請求項１または２記載のＸ線マスク。 ４、Ｘ線透過体の厚さが０．５〜４μｍである請求項１
、２または３記載のＸ線マスク。 ５、Ｘ線透過体が不純物をドープしたけい素より成る請
求項１または４記載のＸ線マスク。 ６、不純物がほう素である請求項５記載のＸ線マスク。 ７、Ｘ線吸収体が不純物をドープしたけい素よりなる請
求項１記載のＸ線マスク。 ８、不純物のドープ量がＸ線吸収体のパターニング時の
エッチングレートを低下させない程度である請求項７記
載のＸ線マスク。 ９、Ｘ線吸収体として、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ等の重金属から
成る膜を、けい素から成るＸ線吸収体上にけい素層の１
／１０以下の膜厚で形成したことを特徴とする請求項１
〜８のいづれかに記載のＸ線マスク。 １０、けい素基板上にほう素を０．５〜２×１０＾２＾
０ａｔｍ／ｃｃの範囲でドープしたけい素よりなるＸ線
透過層を形成し、その上にエピタキシャル法によりけい
素層を形成し、これをエッチングしパターンを形成して
Ｘ線吸収体とし、該けい素基板層をエッチングにより除
去する工程から成る請求項１〜９のいづれかに記載のＸ
線マスクの製造方法。 １１、けい素基板上に０＾−イオンを打ち込み、９００
〜１２００℃の温度範囲でアニールし、ＳｉＯ＿２層を
一定の深さに形成し、この上のＳｉ基板層をエッチング
し、パターン形成して、Ｘ線吸収体パターンおよびＸ線
透過体層を形成し、この下のＳｉ基板層をエッチングに
より除去し、さらに、このＳｉＯ＿２層を除去する工程
から成る請求項１〜９のいづれかに記載のＸ線マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168535A JPH063791B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168535A JPH063791B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334412A true JPH0334412A (ja) | 1991-02-14 |
| JPH063791B2 JPH063791B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15869822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1168535A Expired - Lifetime JPH063791B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063791B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950639A (en) * | 1997-10-03 | 1999-09-14 | Yoshino Kogyosho Co., Ltd | Airtight compact for cosmetics |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568634A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS5898923A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | Ｘ線露光ホトマスク |
| JPS6161252A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Sony Corp | リ−ルサ−ボ装置 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1168535A patent/JPH063791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568634A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS5898923A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | Ｘ線露光ホトマスク |
| JPS6161252A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Sony Corp | リ−ルサ−ボ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950639A (en) * | 1997-10-03 | 1999-09-14 | Yoshino Kogyosho Co., Ltd | Airtight compact for cosmetics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063791B2 (ja) | 1994-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001100395A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
| EP0054736A2 (en) | Photomask and photomask blank | |
| JPH0334412A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 | |
| EP0103844B1 (en) | X-ray mask | |
| KR100211012B1 (ko) | 리소그래픽마스크구조체와 그 생산방법 및 디바이스제조방법 | |
| JPH01128522A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3223581B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPH02252229A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0430737B2 (ja) | ||
| JP2538902B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS59163825A (ja) | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 | |
| JP3451431B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS641926B2 (ja) | ||
| JPH05265189A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH05136027A (ja) | 転写マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| CN120686528A (zh) | 掩模坯料、转印用掩模以及显示装置的制造方法 | |
| JPH0465816A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPS60140347A (ja) | フオトマスク | |
| JPH04174509A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS63115332A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH05204130A (ja) | レチクル及びマスクとその製造方法 | |
| GB2145539A (en) | Optical preparation of molybdenum surfaces | |
| JP2001324795A (ja) | ホトマスクおよび半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH04111411A (ja) | Ｘ線マスク構造体作製方法 | |
| JPS63313821A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |