JPH0319327A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0319327A JPH0319327A JP1154172A JP15417289A JPH0319327A JP H0319327 A JPH0319327 A JP H0319327A JP 1154172 A JP1154172 A JP 1154172A JP 15417289 A JP15417289 A JP 15417289A JP H0319327 A JPH0319327 A JP H0319327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- wafer
- cassette
- substrate holder
- wafer cassette
- Prior art date
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、縦型熱処理装置に関する。
（従来の技術）
一般に、熱処理装置は、半導体製造工程等において、基
板例えば半導体ウエハあるいはＬＣＤ基板等に対するＣ
ＶＤ膜の形成、酸化膜の形成、熱拡散等に利用される。
板例えば半導体ウエハあるいはＬＣＤ基板等に対するＣ
ＶＤ膜の形成、酸化膜の形成、熱拡散等に利用される。
このような熱処理装置において、従来は熱処理炉をほぼ
水平に配設した横型熱処理装置が多く用いられていたが
、近年は熱処理炉をほぼ垂直に配設した縦型熱処理装置
が多く用いられるようになってきた。
水平に配設した横型熱処理装置が多く用いられていたが
、近年は熱処理炉をほぼ垂直に配設した縦型熱処理装置
が多く用いられるようになってきた。
すなわち、縦型熱処理装置では、例えば固筒状の石英管
、この石英管を囲繞する如く設けられた均熱管、ヒータ
、断熱材等から構威された熱処理炉がほぼ垂直に設けら
れている。また、この熱処理炉の下部には搬送装置いわ
ゆるボートエレベータが設けられており、このボートエ
レベータにより、多数の半導体ウェハを保持した処理用
基板保持具例えば石英等からなるウェハボートをほぼ垂
直状態に支持して熱処理炉内にロード・アンロードする
よう構成されている。
、この石英管を囲繞する如く設けられた均熱管、ヒータ
、断熱材等から構威された熱処理炉がほぼ垂直に設けら
れている。また、この熱処理炉の下部には搬送装置いわ
ゆるボートエレベータが設けられており、このボートエ
レベータにより、多数の半導体ウェハを保持した処理用
基板保持具例えば石英等からなるウェハボートをほぼ垂
直状態に支持して熱処理炉内にロード・アンロードする
よう構成されている。
また、半導体ウエハ等の基板の搬送に用いられる搬送用
基板保持具、例えば樹脂等からなるウェハカセットを収
容するカセット収容部およびこのカセット収容部に設け
られたウエノ＼カセットとウエハボートとの間で半導体
ウエノ＼の移載を行う移載装置を備えた縦型熱処理装置
もある。
基板保持具、例えば樹脂等からなるウェハカセットを収
容するカセット収容部およびこのカセット収容部に設け
られたウエノ＼カセットとウエハボートとの間で半導体
ウエノ＼の移載を行う移載装置を備えた縦型熱処理装置
もある。
このような縦型熱処理装置は、横型熱処理装置に較べて
設置面積が少ない、反応管内壁に非接触で容易にウエハ
ボートをロード◆アンロード可能である等の利点を脊す
る。
設置面積が少ない、反応管内壁に非接触で容易にウエハ
ボートをロード◆アンロード可能である等の利点を脊す
る。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように縦型熱処理装置では、被処理基板例えば
半導体ウエノ＼を、ウエＩ＼カセットからウエハボート
に多数移載し、このウエノ＼ボートをほぼ垂直に設けら
れた熱処理炉に下方からロード・アンロードするよう構
成されている。したがって、従来の縦型熱処理装置では
、ウエノ＼カセットを収容するウエハカセット収容部が
床而に非常に近接して設けられており、ウエノ＼カセッ
トが低い位置に配置されることになる。
半導体ウエノ＼を、ウエＩ＼カセットからウエハボート
に多数移載し、このウエノ＼ボートをほぼ垂直に設けら
れた熱処理炉に下方からロード・アンロードするよう構
成されている。したがって、従来の縦型熱処理装置では
、ウエノ＼カセットを収容するウエハカセット収容部が
床而に非常に近接して設けられており、ウエノ＼カセッ
トが低い位置に配置されることになる。
しかしながら、縦型熱処理装置が配置されるクリーンル
ーム内には、一般に天井部から床部へ向けて清浄気体（
空気）流が形成されされている。
ーム内には、一般に天井部から床部へ向けて清浄気体（
空気）流が形成されされている。
このため、本発明者等が詳査したところ、このダウンフ
ローによりクリーンルームの床而近傍には乱流が発生し
ており、この乱流による巻上げにより、床面近傍に設け
られたウエノ＼カセット内の半導体ウエハに特に多量の
塵埃が付着することが判明した。
ローによりクリーンルームの床而近傍には乱流が発生し
ており、この乱流による巻上げにより、床面近傍に設け
られたウエノ＼カセット内の半導体ウエハに特に多量の
塵埃が付着することが判明した。
一方、近年半導体装置は高巣積化される傾向にあり、そ
の回路パターンは微細化される傾向にある。このため、
従来にも増してクリーン度を向上させることが必要とな
り、上述したような塵埃の付着は大きな問題となりつつ
ある。
の回路パターンは微細化される傾向にある。このため、
従来にも増してクリーン度を向上させることが必要とな
り、上述したような塵埃の付着は大きな問題となりつつ
ある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、半導体ウエハ等の基板に対する塵埃の付Ｂ量を従来に
較べて減少させることができ、不良発生率を低減させて
生産性の向上を図ることのできる縦型熱処理装置を提供
しようとするものである。
、半導体ウエハ等の基板に対する塵埃の付Ｂ量を従来に
較べて減少させることができ、不良発生率を低減させて
生産性の向上を図ることのできる縦型熱処理装置を提供
しようとするものである。
［発明の構或］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、ほぼ垂直に設けられた熱処理炉と、
複数の搬送用基板保持具を収容する搬送用基板保持具収
容部と゛、処理用基板保持具を搬送して前記熱処理炉内
にロード・アンロードする搬送機構と、前記搬送用基板
保持具収容部に収容された前記搬送用基板保持具と前記
処理用基板保持具との間で基板を移載する移載機構とを
備え、前記搬送用基板保持具収容部の前記搬送用基板保
持具の′ａ置位置を少なくとも床面から４０ｃ一以上の
高さに保持するよう構或したことを特徴とする。
複数の搬送用基板保持具を収容する搬送用基板保持具収
容部と゛、処理用基板保持具を搬送して前記熱処理炉内
にロード・アンロードする搬送機構と、前記搬送用基板
保持具収容部に収容された前記搬送用基板保持具と前記
処理用基板保持具との間で基板を移載する移載機構とを
備え、前記搬送用基板保持具収容部の前記搬送用基板保
持具の′ａ置位置を少なくとも床面から４０ｃ一以上の
高さに保持するよう構或したことを特徴とする。
（作 用）
第４図のグラフは、天井部から床部へ向けて清浄気体（
空気）流を形成されたクリーンルーム内においてＭ１定
した６インチ半導体ウエハ表面への粒径０．３μｍ以上
の塵埃の付着数と、クリーンルーム床面からの高さとの
関係を示すものである。
空気）流を形成されたクリーンルーム内においてＭ１定
した６インチ半導体ウエハ表面への粒径０．３μｍ以上
の塵埃の付着数と、クリーンルーム床面からの高さとの
関係を示すものである。
このグラフに示されるように、床面からの高さが４０ｃ
ｍより低くなると、急激に塵埃の付着数が増大する。な
お、クリーンルーム床面からの高さが４０〜ＧＯｃｍの
間では、塵埃の付着数がわずかに減少し、Ｇｏｅｓ以上
でほぼ一定となる。
ｍより低くなると、急激に塵埃の付着数が増大する。な
お、クリーンルーム床面からの高さが４０〜ＧＯｃｍの
間では、塵埃の付着数がわずかに減少し、Ｇｏｅｓ以上
でほぼ一定となる。
そこで、本発明の縦型熱処理装置では、搬送用是板保持
具例えばウエハカセットを収容するウエハカセット収容
部（搬送用基板保持具収容部）を、ウエハカセットを少
なくとも床而から４０ｃＩＩ１以上、例えば６０ＣＩ１
の高さに保持するよう構成することにより、ダウンフロ
ーによってクリーンルームの床面近傍に形威される乱流
の影響により、半１９体ウエハ等の基板に多量の塵埃が
付着することを防止する。
具例えばウエハカセットを収容するウエハカセット収容
部（搬送用基板保持具収容部）を、ウエハカセットを少
なくとも床而から４０ｃＩＩ１以上、例えば６０ＣＩ１
の高さに保持するよう構成することにより、ダウンフロ
ーによってクリーンルームの床面近傍に形威される乱流
の影響により、半１９体ウエハ等の基板に多量の塵埃が
付着することを防止する。
（大施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参１．ｌ Ｌで説明す
る。
る。
天井部から床部へ向けて清浄気体（空気）流を形成され
たクリーンルーム内に配置された縦型熱処理装置の筐体
１の上部前面には、コントロールパネル２が設けられて
おり、その後方には、例えば石英等からなる反応管およ
びこの反応管の周囲を囲繞する如く設けられた均熱管、
ヒータ、断熱材等からなる熱処理炉３がほぼ垂直に設け
られている。
たクリーンルーム内に配置された縦型熱処理装置の筐体
１の上部前面には、コントロールパネル２が設けられて
おり、その後方には、例えば石英等からなる反応管およ
びこの反応管の周囲を囲繞する如く設けられた均熱管、
ヒータ、断熱材等からなる熱処理炉３がほぼ垂直に設け
られている。
また、上記熱処理炉３の下方には、上下動可能に構成さ
れた搬送機構としてボートエレベータ４が設けられてお
り、このボー゜トエレベータ４により、例えば石英等か
らなり、複数例えば百数十枚の・半導体ウエハ５を保持
可能に構或された処理用基板保持具（ウエハボート）６
を保暦筒７上にほぼ垂直に載置した状態で、熱処理炉３
に下方からロード・アンロードする如く構成されている
。
れた搬送機構としてボートエレベータ４が設けられてお
り、このボー゜トエレベータ４により、例えば石英等か
らなり、複数例えば百数十枚の・半導体ウエハ５を保持
可能に構或された処理用基板保持具（ウエハボート）６
を保暦筒７上にほぼ垂直に載置した状態で、熱処理炉３
に下方からロード・アンロードする如く構成されている
。
さらに、筺体１の前方下部には、例えば複数２５枚の半
導体ウエハ５を保持可能に構成された複数例えば５つの
搬送用基板保持具（ウエハカセット）８ａ〜８ｅを収容
可能とする如くウエハカセット収容部９が設けられてい
る。このウエハカセット収容部９のカセット裁置位置は
、最下部に設けられたウエハカセット８ｅとクリンルー
ムの床而との距ｆｉＤが４０ｃＩ１以上例えば６０ｃｓ
＋となるように構成されており、第３図にも示すように
、回転軸９ａを中心として回動自在とされている。そし
て、このウエハカセット収容部９の側方には、ウエハカ
セット８ａ〜８ｅとウエハボート６との間で半導体ウエ
ハ５の移載を行う移載装置１０が設けられている。
導体ウエハ５を保持可能に構成された複数例えば５つの
搬送用基板保持具（ウエハカセット）８ａ〜８ｅを収容
可能とする如くウエハカセット収容部９が設けられてい
る。このウエハカセット収容部９のカセット裁置位置は
、最下部に設けられたウエハカセット８ｅとクリンルー
ムの床而との距ｆｉＤが４０ｃＩ１以上例えば６０ｃｓ
＋となるように構成されており、第３図にも示すように
、回転軸９ａを中心として回動自在とされている。そし
て、このウエハカセット収容部９の側方には、ウエハカ
セット８ａ〜８ｅとウエハボート６との間で半導体ウエ
ハ５の移載を行う移載装置１０が設けられている。
上記構成の縦型熱処理装置では、第３図に示すように、
ウエハカセット収容部９を回転させ、ウエハカセット８
ａ〜８ｅを移載装置１０の方向に向けるとともに、ボー
トエレベータ４によりウエハボート６を移載装置１０の
方向に移動させ、この状態で移栽装置１０によりーまた
は複数枚ずつウエハカセット８ａ〜８ｅ内に収容された
未処理の半導体ウエハ５をウエハボート６に移載する。
ウエハカセット収容部９を回転させ、ウエハカセット８
ａ〜８ｅを移載装置１０の方向に向けるとともに、ボー
トエレベータ４によりウエハボート６を移載装置１０の
方向に移動させ、この状態で移栽装置１０によりーまた
は複数枚ずつウエハカセット８ａ〜８ｅ内に収容された
未処理の半導体ウエハ５をウエハボート６に移載する。
そして、上記移栽が終了すると、ウエＩ＼ボート６を熱
処理炉３の下方へ搬送し、熱処理炉３内にロードして所
定の処理例えばＣＶＤ膜の形成を行う。
処理炉３の下方へ搬送し、熱処理炉３内にロードして所
定の処理例えばＣＶＤ膜の形成を行う。
上記処理が終了すると、ウエハボート６を熱処理炉３内
からアンロードし、ウエハボート６からウエハカセット
８８〜８ｅへの半導体ウエハ５の移載を行う。
からアンロードし、ウエハボート６からウエハカセット
８８〜８ｅへの半導体ウエハ５の移載を行う。
すなわち、この実施例の縦型熱処理装置では、ウエハカ
セット収容部９が、このウエハカセット収容部９の最下
部に設けられたウエハカセット８ｅとクリンルームの床
而との距ｔＩＩＤが４０ｃｍ以上例えば８０ｃｍとなる
ように構成されている。したがって、前述の第４図のグ
ラフに示したようにウエハカセット８ｅ内の半導体ウエ
ノ＼５に対する塵埃の付着量を従来に較べて減少させる
ことができ、不良発生率を低減させて生産性の向上を図
ることができる。
セット収容部９が、このウエハカセット収容部９の最下
部に設けられたウエハカセット８ｅとクリンルームの床
而との距ｔＩＩＤが４０ｃｍ以上例えば８０ｃｍとなる
ように構成されている。したがって、前述の第４図のグ
ラフに示したようにウエハカセット８ｅ内の半導体ウエ
ノ＼５に対する塵埃の付着量を従来に較べて減少させる
ことができ、不良発生率を低減させて生産性の向上を図
ることができる。
［発明の効果コ
上述のように、本発明の縦型熱処理装置によれば、導体
ウエハ等の基板に対する塵埃の付着量を？，ｔｆｆｉに
較べて減少させることができ、不良発生率を低減させて
生産性の向上を図ることができる。
ウエハ等の基板に対する塵埃の付着量を？，ｔｆｆｉに
較べて減少させることができ、不良発生率を低減させて
生産性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を示
す正面図、第２図は第１図の縦型熱処理装置の側面図、
第３図は第１図の縦型熱処理装置の上面図、第４図は６
インチ半導体ウエノ＼表面への粒径０，３μｍ以上の塵
埃の付着数とクリーンルーム床面からの高さとの関係を
示すグラフである。 １・・・・・・筐体、２・・・・・・コントロールパネ
ル、３・・・・・・熱処理炉、４・・・・・・ボートエ
レベータ、５・・・・・・半”ｌウエハ、６・・・・・
・ウエハボート、７・・・・・・保温筒、８ａ〜８ｅ・
・・・・・ウエハカセット、９・・・・・・カセット収
容部、１０・・・・・・移載装置。
す正面図、第２図は第１図の縦型熱処理装置の側面図、
第３図は第１図の縦型熱処理装置の上面図、第４図は６
インチ半導体ウエノ＼表面への粒径０，３μｍ以上の塵
埃の付着数とクリーンルーム床面からの高さとの関係を
示すグラフである。 １・・・・・・筐体、２・・・・・・コントロールパネ
ル、３・・・・・・熱処理炉、４・・・・・・ボートエ
レベータ、５・・・・・・半”ｌウエハ、６・・・・・
・ウエハボート、７・・・・・・保温筒、８ａ〜８ｅ・
・・・・・ウエハカセット、９・・・・・・カセット収
容部、１０・・・・・・移載装置。
Claims (1)
- （１）ほぼ垂直に設けられた熱処理炉と、複数の搬送用
基板保持具を収容する搬送用基板保持具収容部と、処理
用基板保持具を搬送して前記熱処理炉内にロード・アン
ロードする搬送機構と、前記搬送用基板保持具収容部に
収容された前記搬送用基板保持具と前記処理用基板保持
具との間で基板を移載する移載機構とを備え、前記搬送
用基板保持具収容部の前記搬送用基板保持具の載置位置
を少なくとも床面から４０ｃｍ以上の高さに保持するよ
う構成したことを特徴とする縦型熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154172A JP2979230B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154172A JP2979230B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319327A true JPH0319327A (ja) | 1991-01-28 |
| JP2979230B2 JP2979230B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=15578410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1154172A Expired - Lifetime JP2979230B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979230B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464313A (en) * | 1993-02-08 | 1995-11-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
| CN114975209A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-08-30 | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 | 一种半导体晶圆单片清洗机上料设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324615A (ja) * | 1986-05-16 | 1988-02-02 | シリコン・バレイ・グル−プ・インコ−ポレイテッド | ウェーハ移送方法及び装置 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1154172A patent/JP2979230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324615A (ja) * | 1986-05-16 | 1988-02-02 | シリコン・バレイ・グル−プ・インコ−ポレイテッド | ウェーハ移送方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464313A (en) * | 1993-02-08 | 1995-11-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
| CN114975209A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-08-30 | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 | 一种半导体晶圆单片清洗机上料设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2979230B2 (ja) | 1999-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 10 |