JPH0319337A - Removing device for wafer contamination - Google Patents
Removing device for wafer contaminationInfo
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- JPH0319337A JPH0319337A JP15488789A JP15488789A JPH0319337A JP H0319337 A JPH0319337 A JP H0319337A JP 15488789 A JP15488789 A JP 15488789A JP 15488789 A JP15488789 A JP 15488789A JP H0319337 A JPH0319337 A JP H0319337A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はウェハ只物除去装置に関し、特に、液体をウ
ェハ表面に接触摩擦させることによってウェハ表面から
異物を除去するようにしたウェハ異物除去装置に関する
。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a wafer foreign matter removal device, and more particularly to a wafer foreign matter removal device that removes foreign matter from the wafer surface by bringing liquid into contact with the wafer surface and causing friction. Regarding.
[従来の技術]
第3A図および第3B図は従来のウェハ異物除去装置を
示しており、特に、第3A図は正面図であり、第3B図
は平面図である。第4図は第3A図に示す領域■の拡大
図である。次に、第3A図,第3B図および第4図を参
照して、従来のウェハ異物除去装置について説明する。[Prior Art] FIGS. 3A and 3B show a conventional wafer foreign matter removing apparatus, in particular, FIG. 3A is a front view and FIG. 3B is a plan view. FIG. 4 is an enlarged view of area (2) shown in FIG. 3A. Next, a conventional wafer foreign matter removing apparatus will be described with reference to FIGS. 3A, 3B, and 4.
従来のウエ八先物除去装置は、シリコンウェハ1を賊置
するためのウェハ支持台2と、外周面に多数のブラシが
形成されたブラシロール4と、シリコンウェハ1の表面
に純水を注水するための純水バイブ7とを備える。ウェ
ハ支持台2は、その上に載置されたシリコンウェハ1を
固定するための吸着機構(図示せず)を有し、回転軸3
を中心として回転可能となっている。回転軸3は図示し
ない電動機等により回転力を与えられる。ブラシロール
4も回転軸6を中心として回転可能であり、回転軸6は
図示しない電動機等により回転力が与えられるようにな
っている。次に、動作について説明する。A conventional wafer future removal device includes a wafer support 2 for illegally placing a silicon wafer 1, a brush roll 4 having a large number of brushes formed on its outer circumferential surface, and a system for pouring pure water onto the surface of the silicon wafer 1. A pure water vibrator 7 is provided. The wafer support table 2 has a suction mechanism (not shown) for fixing the silicon wafer 1 placed thereon, and has a rotation shaft 3.
It is possible to rotate around the center. Rotating force is applied to the rotating shaft 3 by an electric motor or the like (not shown). The brush roll 4 is also rotatable around a rotating shaft 6, and the rotating shaft 6 is provided with a rotational force by an electric motor or the like (not shown). Next, the operation will be explained.
シリコンウェハ1を、その洗浄すべき表面11を上方に
向けた状態でウェハ支持台2上に載置し、ウェハ支持台
2に設けられた吸着機構によってウェハ支持台2上に固
定する。次に、ウェハ支持台2を数千回/分で回転させ
るとともに、ブラシロール4を回転させ、かつ純水パイ
プ7からウェハ表面11に純水を注水する。A silicon wafer 1 is placed on a wafer support 2 with its surface 11 to be cleaned facing upward, and is fixed onto the wafer support 2 by a suction mechanism provided on the wafer support 2. Next, the wafer support table 2 is rotated at several thousand times per minute, the brush roll 4 is rotated, and pure water is poured from the pure water pipe 7 onto the wafer surface 11.
これにより、ブラシ3によりウェハ表面11が擦られ、
擦り取られた入物が純水によって洗い流されることによ
って、ウェハ上の叉物は除去される。As a result, the wafer surface 11 is rubbed by the brush 3,
The scraped material on the wafer is removed by washing away the scraped material with pure water.
[発明が解決しようとする課題]
従来のウェハ異物除去装置は、以上のように構成されて
いるので、ブラシロール4の回転によりウェハ1上の異
物を除去するときに、ブラシ5の先端の一部が削り取ら
れ、それが異物となったり、第4図に示すように、既に
ウェハ1上に存在する異物がたとえばウェハ上の段差8
の角部91や段差と段差との間の溝92に集まってしま
い、異物除去が完全に行なわれないという問題点があっ
た。[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional wafer foreign matter removal device is configured as described above, when removing foreign matter from the wafer 1 by rotating the brush roll 4, one of the tips of the brushes 5 is removed. For example, as shown in FIG.
There is a problem in that the foreign matter is not completely removed because it collects in the corners 91 and the grooves 92 between the steps.
それゆえに、この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウェハ上の段差の角部あるいは
段差と段差との間の溝に異物が残らないようにして、異
物除去が完全に行なえるようなウェハ異物除去装置を提
供することを目的とする。Therefore, this invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to remove foreign matter by preventing foreign matter from remaining in the corners of the steps on the wafer or in the grooves between the steps. It is an object of the present invention to provide a wafer foreign matter removal device that can completely remove foreign matter from a wafer.
[課題を解決するための手段]
この発明はウェハ表面から異物を除去するためのウェハ
異物除去装置である。この発明に係るウェハ異物除去装
置は、ウェハ表面を洗浄するための液体を収納するため
の液体収納部と、該液体収納部に収納された液体に超音
波振動を与えるための超音波発生手段と、ウェハ表面を
上記液体によって超音波洗浄することができるように、
ウェハを、その洗浄すべき表面が下方に向くようにして
保持することのできる回転可能なウェハ保持部材と、該
ウェハ保持部材を回転駆動するための回転駆動手段を備
えて構成される。[Means for Solving the Problems] The present invention is a wafer foreign matter removal device for removing foreign matter from the wafer surface. A wafer foreign matter removal apparatus according to the present invention includes a liquid storage section for storing a liquid for cleaning a wafer surface, and an ultrasonic generation means for applying ultrasonic vibration to the liquid stored in the liquid storage section. , so that the wafer surface can be ultrasonically cleaned by the liquid,
The wafer holding member is configured to include a rotatable wafer holding member capable of holding a wafer with the surface to be cleaned facing downward, and a rotation driving means for rotationally driving the wafer holding member.
[作用コ
この発明では、ウェハは洗浄すべき表面を下方に向けて
洗浄するための液体に浸され、回転される。この液体に
は、超音波振動が加えられる。これにより、ウェハ表面
に付着している異物は、液体とウェハ表面との摩擦力お
よび超音波振動によリウェハ表面から除去され、液体に
より洗い流される。[Operation] In this invention, the wafer is immersed in a cleaning liquid and rotated with the surface to be cleaned facing downwardly. Ultrasonic vibrations are applied to this liquid. As a result, foreign matter adhering to the wafer surface is removed from the rewafer surface by the frictional force between the liquid and the wafer surface and ultrasonic vibration, and is washed away by the liquid.
[発明の実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。[Embodiments of the invention] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例のウェハ異物除表装置を示
す図であり、第2図は第1図に示す領域■の拡大図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a wafer foreign matter removal device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of area (2) shown in FIG. 1.
第1図に示すように、ウェハ異物除去装置は、シリコン
ウェハ1を洗浄するための液体たとえば純水12を収納
する容器10と、容器10の底部あるいは側部に設けれ
た超音波振動子13と、シリコンウェハ1をその洗浄す
べき表面を下方に向けて保持することのできる回転可能
な保持部材21とを備える。保持部材21はシリコンウ
ェハ1をたとえば吸着することにより保持固定できるよ
うになっている。また、保持部材21は、昇降自在な回
転軸23に取付けられ、この回転軸23には図示しない
電動機等により回転力が与えられるようになっている。As shown in FIG. 1, the wafer foreign matter removal apparatus includes a container 10 containing a liquid such as pure water 12 for cleaning a silicon wafer 1, and an ultrasonic vibrator 13 provided at the bottom or side of the container 10. and a rotatable holding member 21 capable of holding the silicon wafer 1 with the surface to be cleaned facing downward. The holding member 21 is capable of holding and fixing the silicon wafer 1 by, for example, adsorbing it. Further, the holding member 21 is attached to a rotating shaft 23 that can be raised and lowered, and a rotational force is applied to the rotating shaft 23 by an electric motor or the like (not shown).
したがって、保持部材21は凹転しながら昇降すること
ができる。保持部材21の回転は1000〜6000回
/分の範囲で、また、超音波振動子13の周波数は10
0kHz〜10MHzの範囲でコントローラ(図示せず
)により変えることができるようになっている。Therefore, the holding member 21 can move up and down while rotating concavely. The rotation of the holding member 21 is in the range of 1000 to 6000 times/min, and the frequency of the ultrasonic vibrator 13 is 10
It can be changed in the range of 0 kHz to 10 MHz using a controller (not shown).
このように構成されたウェハ穴物除去装置においては洗
浄すべきシリコンウェハ1を洗浄すべき表面を下方に向
けて保持部材21に保持させる。In the wafer hole removal apparatus configured in this way, the silicon wafer 1 to be cleaned is held by the holding member 21 with the surface to be cleaned facing downward.
次に、保持部材21を所定の回転数で回転させながら降
下させ、純水12にシリコンウェハ1の表面11を浸す
。また、純水12を超音波振動子13によって超音波振
動させる。これにより、シリコンウェハ1の異物は、純
水l2とウェハ1表面との摩擦力および超音波振動によ
りウェハ表面から除去され、純水12によって洗い流さ
れる。このようにしてシリコンウェハ上の異物除去の際
に、ウェハ表面の段差8の角部や段差8間の溝に異物が
集まるのを防ぐことができる。洗浄処理後、シリコンウ
ェハ1を保持部材21とともに上昇させる。これにより
、シリコンウェハ1は純水12の水面を離れ、シリコン
ウェハ1表面に付着した水滴は高速回転によって飛散さ
れる。その後、シリコンウェハ1は回収される。Next, the holding member 21 is lowered while being rotated at a predetermined number of rotations, and the surface 11 of the silicon wafer 1 is immersed in the pure water 12. Further, the pure water 12 is ultrasonically vibrated by the ultrasonic vibrator 13 . As a result, foreign matter on the silicon wafer 1 is removed from the wafer surface by the frictional force between the pure water l2 and the surface of the wafer 1 and ultrasonic vibration, and is washed away by the pure water 12. In this manner, when removing foreign matter from the silicon wafer, it is possible to prevent foreign matter from gathering in the corners of the steps 8 on the wafer surface and in the grooves between the steps 8. After the cleaning process, the silicon wafer 1 is raised together with the holding member 21. As a result, the silicon wafer 1 leaves the surface of the pure water 12, and the water droplets attached to the surface of the silicon wafer 1 are scattered by the high speed rotation. Thereafter, the silicon wafer 1 is recovered.
なお、上記実施例では、洗浄するための液体として水を
用いた場合を示したが、この液体としては、粘性の高い
液体でもよく、同様の効果を奏する。In the above embodiment, water is used as the cleaning liquid, but a highly viscous liquid may be used as the cleaning liquid and the same effect can be obtained.
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、ウェハ表面と液体と
の摩擦力およびウエ八表面への超音波振動が存在するこ
とによって、ウェハ異物除去時に、ウェハ表面上の段差
の角部や段差と段差との間の溝に異物が集まるのを防ぎ
、異物除去を完全に行なうことができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, due to the presence of the frictional force between the wafer surface and the liquid and the ultrasonic vibration to the wafer surface, steps on the wafer surface can be removed when removing foreign objects from the wafer. It is possible to prevent foreign matter from collecting in corners and grooves between steps, and to completely remove foreign matter.
第1図はこの発明の一実施例のウェハ異物除去装置を示
す図である。第2図は第1図に示す領域Hの拡大図であ
る。第3A図および第3B図は従来のウェハ異物除去装
置を示す図である。第4図は第3A図に示す領域■の拡
大図である。
図において、1はシリコンウェハ、10は容器、11は
ウェハ表面、12は純水、13は超音波振動子、21は
保持部材、23は回転軸を示す。
なお、図中、同一符号は同一または相当する部分を示す
。FIG. 1 is a diagram showing a wafer foreign matter removing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of region H shown in FIG. FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a conventional wafer foreign matter removal apparatus. FIG. 4 is an enlarged view of area (2) shown in FIG. 3A. In the figure, 1 is a silicon wafer, 10 is a container, 11 is a wafer surface, 12 is pure water, 13 is an ultrasonic vibrator, 21 is a holding member, and 23 is a rotating shaft. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
置であって、 前記ウェハ表面を洗浄するための液体を収納するための
液体収納部、 前記液体収納部に収納された前記液体に超音波振動を与
えるための超音波発生手段、 前記ウェハ表面を前記液体によって超音波洗浄すること
ができるように、前記ウェハを、その洗浄すべき表面が
下方に向くようにして保持することのできる回転可能な
ウェハ保持部材、および前記ウェハ保持部材を回転駆動
するための回転駆動手段を備えた、ウェハ異物除去装置
。[Scope of Claims] A wafer foreign matter removal device for removing foreign matter from a wafer surface, comprising: a liquid storage section for storing a liquid for cleaning the wafer surface; an ultrasonic generator for applying ultrasonic vibrations to a liquid; holding the wafer with the surface to be cleaned facing downward so that the wafer surface can be ultrasonically cleaned by the liquid; A wafer foreign matter removing apparatus, comprising: a rotatable wafer holding member capable of rotating; and a rotational drive means for rotationally driving the wafer holding member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15488789A JPH0319337A (en) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Removing device for wafer contamination |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15488789A JPH0319337A (en) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Removing device for wafer contamination |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319337A true JPH0319337A (en) | 1991-01-28 |
Family
ID=15594131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15488789A Pending JPH0319337A (en) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Removing device for wafer contamination |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319337A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021789A (en) * | 1998-11-10 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Wafer cleaning system with progressive megasonic wave |
| JP2005303131A (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15488789A patent/JPH0319337A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021789A (en) * | 1998-11-10 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Wafer cleaning system with progressive megasonic wave |
| JP2005303131A (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
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