JPH03194744A - オーバライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、単一ビームでオーバライトを行うことのでき
る光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来の交換結合光磁気２層膜媒体の断面構造は例えば第
３図に示したような構造であった。トラッキングのため
の案内溝を設けたガラス等の透明基板１上に、窒化珪素
等の誘電体層２を約９０ｎｍ、ＴｂＦａＣｏ等の第１磁
性層３を約１１００ｎ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の第２磁性
層４を約１５０ｎｍ、窒化珪素等の保護層５を約２００
ｎｍ順に積層しである。誘電体層２は基板１側から入射
したレーザ光をその内部で多重反射させ、第１磁性層３
で生じる偏光面の回転（カー回転）を増大させる働きが
ある。第１磁性層３は光が透過しないように約１１００
ｎの膜厚としである。

このため光は第２磁性層４には到達せず、第１磁性層３
の磁化状態のみを反映して偏光面の回転を受ける。保護
層５は第１磁性層３及び第２磁性層４を酸化等の腐食か
ら保護する働きがある。第２磁性層４は第１磁性Ｎ４３
と磁気的に交換結合しており、次のようにして単一ビー
ムオーバライトを行うために用いられている。

第１磁性層３のキュリー温度（ＴＣｘ）は第２磁性層４
のキュリー温度（Ｔｃｚ）よりも低く、また室温では、
第２磁性層４の保磁力は第１磁性層３の保磁力よりも小
さくしである。このため、永久磁石などにより初期化磁
界を印加するだけで、第２磁性膜４のみの磁化を１方向
に揃えることができる（図８　（ａ）、（ｂ））、この
ような記録媒体に比較的小さな強度のレーザ光を照射す
ると第１磁性層３の温度がキュリー点を越えるため（図
８　（ｃ）　）　、その後冷却時に第１磁性層３の磁化
は第２磁性層４の磁化の向きと揃う（図８　（ｅ））。

また、比較的強度の大きなレーザ光を照射すると第２磁
性層４の温度がキュリー温度を越えるため（図８（ｄ）
）、その後の冷却時に、第２磁性層４の磁化の向きは永
久磁石などの手段により外部から印加した記録磁界の向
きと揃い（図８（ｆ））、さらに冷却が進むと第１磁性
層３の磁化が第２磁性Ｍ４の磁化の向きと揃う（図８　
（ｇ）　）　、従って、レーザ光の強度を変調すれば、
第２磁性層４の磁化の向きを自由に反転させることがで
き、単一ビームオーバライトが可能となる。この方法に
ついては、例えば、特開昭６２−１７５９４８等に記述
がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記従来例においては、第１磁性層３のキュリ
ー温度を第２磁性層４のキュリー温度よりも低くする必
要があったため、第１磁性層に光を照射した時に生じる
カー回転角を大きくできず、十分なＣ／Ｎ比が小さくな
るという問題があった。

これは、Ｃ／Ｎ比とキュリー温度の間に第７図のような
関係があることによる。このことについては、例えば、
「第１２回日本応用磁気学会学術講演概要集１４４頁」
で述べられている。

一方、第１磁性層３のキュリー温度を高くするためには
同時に第２磁性層４のキュリー温度を上げる必要がある
が、第２磁性層４のキュリー温度を高くしすぎると記録
感度が低下してしまう問題があった。

本発明の目的は、記録感度を低下させることなく、大き
なカー回転角を得ることのできる高Ｃ／Ｎ光磁気記録媒
体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために１本発明では次の手段を用い
た。

１、室温で相対的に大きな保磁力を持つ第１磁性層３と
該第１磁性層３よりも室温で相対的に小さな保磁力を持
つ第２磁性層４とを基板１上に少なくとも備えたオーバ
ライト可能な光磁気記録媒体において、前記第１ａ性Ｍ
３のキュリー温度（Ｔａｘ）が前記第２磁性層４のキュ
リー温度（Ｔｃｚ）よりも高くなるようにした。すなわ
ち、Ｔａｘ＞Ｔｅａとなるようにした。

これにより、前記第１磁性屑３のカー回転角が大きくな
るため記録した情報を再生する際の信号出力が向上し、
良好な記録再生性能を持ったオーバライト可能な光磁気
記録媒体を得ることができる。

２、情報のオーバライトに先立ち前記第２磁性層４の磁
化の方向を上向きあるいは下向きの一方向に揃えておく
こととした。

これにより、以前に記録された磁化の方向に関係なく新
たな磁化情報を第２磁性層４に持たせることが可能とな
るため、オーバライトが可能となる。

３、前記光磁気記録媒体に対し小さな強度のレーザ光を
照射したときには前記第１磁性層３の磁化と前記第２磁
性Ｗ４の磁化が強く交換結合することによって前記第１
磁性層３の磁化の向きが、情報のオーバライトに先立ち
予め一方向に磁化された前記第２磁性層４の磁化と同じ
向きかあるいは逆向きの一方向に揃えられるようにした
。即ち、前記光磁気記録媒体に対し小さな強度のレーザ
光を照射したときには前記第１磁性ｙ！９３の磁化の方
向を以前に記録されていた情報とは関係なく一方向に揃
えることが可能になり、情報の消去が行われる。

４、前記光磁気記録媒体に対し大きな強度のレーザ光を
照射したときには前記第１磁性層３の磁化が外から印加
した記録磁界の方向と同じ向きかあるい逆向きでかつ前
記の小さな強度のレーザ光を照射したときに前記第１磁
性層３の磁化が揃えられる向きとは逆の向きに揃えられ
るようにした。

このためには、記録磁界の方向を上向きあるいは下向き
のいずれか適当な向きに設定すれば良い。

５、前記第１磁性層３にレーザ光を照射し、該レーザ光
の反射光の偏光状態が磁気光学効果によって変化するこ
とを利用して再生を行うこととした。この、磁気光学効
果とはカー効果、あるいはファラデー効果である。この
磁気光学効果の大きさは、前記第１磁性層３のキュリー
温度（Ｔｃ１）が高いほど大きくなるため、前記第１項
の手段を講じることにより磁気光学効果が大きくなり、
結果として、信号出力が増大する。

即ち、信号品質が向上する。

６、前記の、小さな強度のレーザ光を照射したときに前
記第１磁性層３及び前記第２磁性層４が到達する温度を
前記第１磁性層３のキュリー温度（Ｔｃｚ）及び前記第
２磁性層４のキュリー温度（Ｔｃｚ）よりも低くした。

これにより、前記の、小さな強度のレーザ光を照射した
ときに前記第２磁性層４は該第２磁性層４のキュリー温
度（Ｔａｘ）を越えないため、該第２磁性層４の磁化の
向きは前記の情報のオーバライトに先立ち前記第２磁性
層４の磁化の方向を揃えておいた向きのまま保たれる。

従って、前記第１磁性層３の磁化が前記第２磁性層４の
磁化と強く交換結合することによって揃えられる前記第
１磁性層３の磁化の向きは、情報のオーバライトに先立
ち上向きあるいは下向きの一方向に揃えておいた前記第
２１１１性層４の磁化の向きと同じか逆向きかのいずれ
か１方向に揃えられる。従って、前記の小さな強度のレ
ーザ光の照射により、第１磁性層３の磁化の向きは、以
前に第１磁性層３に記録されていた情報と関係なく、上
向きあるいは下向きのいずれか１方向に揃えられる。

７、前記の、大きな強度のレーザ光を照射したときに、
前記第１磁性層３及び前記第２磁性層４の到達する温度
を前記第２磁性層４のキュリー温度（Ｔ（！４）よりも
高くした。

これにより、大きな強度のレーザ光を照射したときには
、第２磁性層４の到達する温度は該第２磁性層４のキュ
リー温度（Ｔａｘ）よりも高くなるため、前記第２磁性
層４は磁化を失い、前記第１磁性層３のみが記録磁界の
影響を受けることになる。従って、大きな強度のレーザ
光の照射により前記第１磁性層３の磁化を以前の磁化の
向きには関係なく上向きあるいは下向きのいずれかに設
定することができる。

そこで、大きな強度のレーザ光を照射したときに第１磁
性層３が揃えられる磁化の向きと、小さな強度のレーザ
光を照射したときに第１磁性層３が揃えられる磁化の向
きが逆向きになるように記録磁界の向きを予め設定して
おくことにより前項の構成の光磁気記録媒体において、
オーバライトが可能になる。

８、前記の、大きな強度のレーザ光を照射した後、前記
第１磁性Ｊｗ３及び前記第２磁性層４の温度が下降する
際に前記第２磁性層４の磁化は前記第１磁性層３との交
換結合によって、前記第１磁性層３の磁化の向きと同じ
向きかあるい逆向きでかつ前記の情報のオーバライトに
先立ち前記第２磁性層４の磁化の方向を揃えておく向き
とは逆の向きに揃えられることとした。

これにより、大きな強度のレーザ光を照射したときに記
録磁界の影響を受けて揃えられた前記第１磁性層３の磁
化の向きは、前記第１磁性層３及び前記第２磁性層４の
温度が下降して小さな強度のレーザ光を照射したときに
前記第１磁性層３及び前記第２磁性層４が到達する温度
になっても、前記第１磁性層３の磁化の向きは、小さな
強度のレーザ光を照射したときに揃えられる前記第１磁
性層３の磁化の向きとは逆向きのまま保たれる。

従って、大きな強度のレーザ光の照射により前記第１磁
性層３の磁化を以前の磁化の向きには関係なく上向きあ
るいは下向きのいずれかに設定することができ、オーバ
ライトが可能になる。

〔作用〕

室温で高い保磁力（Ｈａｔ）を有する第１磁性屑３と、
該第１磁性層３と磁気的に交換結合し室温で相対的に低
い保磁力（Ｈｃｚ）を有する第２磁性層４を基板上に積
層してなる光磁気記録媒体を用い、情報の記録に先立ち
前記第２磁性層４の磁化の向きを上向きあるいは下向き
の一方向に予め揃えておき、前記光磁気記録媒体に対し
上向きあるいは下向きの記録磁界（Ｈｗ　）を印加しつ
つ強度の高いレーザ光（ＰＨ）を照射した時に第１磁性
層３に上向きあるいは下向きの磁化を有するマークを形
成し、強度の低いレーザ光（ＰＬ）を照射したときには
他方の向きの磁化を有するマークを形成させることによ
ってオーバライト記録を行い、オーバライト記録された
情報を再生する際には前記第１磁性層３の側からレーザ
光を照射し、前記第１磁性層３の磁化のよって前記レー
ザ光が磁気光学効果を受は前記レーザ光の反射光の偏光
状態が変わることを利用する方法において、前記第１磁
性層３のキュリー温度（Ｔｅｌ＞を前記第２磁性層４の
キュリー温度（Ｔ　Ｃ１）よりも高くした。これにより
、前記第１磁性層３のキュリー温度を高くすることがで
きる。一方、キュリー温度が高いほどカー回転角は大き
くなる傾向にあるため、その結果として、信号出力（反
射光の偏光面の回転角）が増大し、第７図の実線で示し
たように高いＣＺＮ比のオーバライト可能な光磁気記録
方式及び光磁気記録媒体を得ることができる。

さらに、室温（Ｔ　Ｒ）では、前記の磁気的な交換結合
は、前記第１ａ性層３と前記第２磁性層４が独立に磁化
される程度に比較的弱いものとし、かつ、前記の強度の
低いレーザ光（ＰＬ）を照射したときに前記第１磁性層
３と前記第２磁性層４が熱せられる温度（Ｔ　ｔ、）に
おいては、前記の磁気的な交換結合は、前記第１磁性層
３の磁化の向きが前記第２磁性層４の磁化の向きと揃え
られる程度に大きく、かつ、前記の強度の低いレーザ光
（Ｐ））を照射したときに前記第１磁性層３と前記第２
磁性層４が熱せられる湿度（Ｔｏ）は、前記第２磁性層
４のキュリー温度よりも高くなるようにすることにより
、前記光磁気記録媒体に対し室温で適当な大きさの初期
化磁界（ＨＩＮＩ）を印加して第２磁性層４の磁化の向
きのみを一方向に揃えることができる、また、前記の強
度の低いレーザ光（ＰＬ）を照射したときに、前記第１
磁性屑３の磁化の向きを前記第２磁性層４の磁化の向き
と同じかあるいは逆向きに揃えることができる。さらに
、前記の強度の高いレーザ光（Ｐｏ）を照射したときに
は、前記第一２磁性層４の温度（ＴＨ）がキュリー温度
（Ｔａｘ）よりも高いため磁化が消失しており、このた
め、前記第１磁性層３の磁化の方向が記録磁界（Ｈｗ　
）の方向と揃えられる。従って、該記録磁界の向きを、
前記の強度の低いレーザ光（ＰＬ）を照射した際に前記
第１磁性層３の磁化が揃えられる向きと反対方向に設定
しておくことにより、強度の高いレーザ光（ＰＨ）を照
射した時に第１磁性層３に上向きあるいは下向きの磁化
を有するマークを形成し、強度の低いレーザ光（ＰＬ）
を照射したときには他方の向きの磁化を有するマークを
形成させることができる。即ちオーバライトが実現され
る。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例を示しさらに詳細に説明する。

（実施例１） 第１図は、本発明の一実施例の記録媒体の積層構造を示
したものである。まず、トラッキング用の案内溝を設け
た５、２５　インチ透明ガラス基板１を高周波マグネト
ロンスパッタ装置内に装填し、０　、１　ｍ　Ｐ　ａ以
下に真空排気した後、ＡｒとＮｚの混合ガスを導入し１
．３　Ｐ　ａ　のガス圧で、Ｓｉをターゲットとして反
応性スパッタを行い、誘電体層２として、ＳｉＮｘを７
０ｎｍ積層する。その後Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ合金ター
ゲットを用い、０．７Ｐ　ａのＡｒガス圧でスパッタを
行い、第１磁性層３として遷移金属リッチのＴｂｚｚＦ
ｅｓｘｃｏｓｓ非晶質合金薄膜を５０ｎｍ積層する０次
にＴ　ｂ　Ｄ　ｙ　Ｆ　ｅ　Ｃ。

合金ターゲットを同じ（Ｑ、７　Ｐ　ａ　　のＡｒガス
圧でスパッタし、第２磁性層４として希土類リッチのＴ
ｂｚａＤｙｚａＦｅｓｏＣｏａ非晶質合金薄膜を１１０
０ｎ積層する。このようにして積層された第１磁性層３
と第２磁性層４は、互いに磁気的に交換結合している０
次に再び０　、１　ｍ　Ｐ　ａ　以下に真空排気した後
、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガスを導入し、１．３Ｐａ
　　のガス圧で、Ｓｉをターゲットとして反応性スパッ
タを行い、保護層５としてＳｉＮｘを１１００ｎ積層し
た。

本実施例においては、第１磁性層３のキュリー温度（Ｔ
ｃｘ）は３００℃であり、第２磁性層４のキュリー温度
（Ｔｃｚ）は２５０℃である。また室温では、第２磁性
層４の保磁力（３ｋＯｅ）は、第１磁性層３の保磁力（
１０ｋＯｅ）よりも小さくしてあり（第４図（、）　）
　、また、交換結合力も差はど大きくない、また、本発
明の実施例で用いている第１磁性層３及び第２磁性層４
は希土類遷移金属非晶質合金膜であるため、各層の磁化
の向きは互いに逆向きに結合した希土類のモーメントと
遷移金属のモーメントのどちらが多いかによって、その
向きが変わる。そのため、希土類のモーメントが多いも
のを希土類リッチ、遷移金属が多いものを遷移金属リッ
チと呼んで区別している。

一般に希土類リッチのものは高温では遷移金属リッチに
変わるものが多い、以下、オーバライトの機構について
第６図を用いて詳細に説明する。

第６図（ａ）、（ｂ）に示したように室温で永久磁石な
どにより初期化磁界（ＨＩＬｆ）を印加するだけで、第
２磁性層４のみの磁化を一方向に揃えることができる。

ここで第２磁性層４は希土類リッチ組成であるため、室
温では磁化の方向と遷移金属モーメントの向きは逆にな
っている。このような記録媒体に対し比較的小さな強度
のレーザ光（ＰＬ）を照射したときの温度（Ｔ　ｔ、）
では交換結合により第１磁性層３の遷移金属のモーメン
トが第２磁性層４の遷移金属モーメントの向きと同じ向
きに揃う（第６図（ｄ））、また、比較的強度の大きな
レーザ光（ＰＨ）を照射すると第２磁性層４の温度（Ｔ
Ｈ）がキュリー温度（Ｔｃｚ）を越エルため、第１磁性
層４の磁化の向き（遷移金属モーメントの向き）は永久
磁石などにより外部から印加した磁界の向きと揃う（第
６図（ｆ））。その後、冷却過程で、第２磁性Ｍ４の磁
化（遷移金属モーメント）の向きは第１磁性層の磁化（
遷移金属モーメント）の向きと揃い（第６図（ｅ））、
さらに温度が下がって比較的小さな強度のレーザ光（Ｐ
ｔ、）を照射したときと同じ温度になっても磁化の向き
はそのままである（第６図（Ｃ））、従って、レーザ光
の強度を変調することにより、単一のビームでオーバラ
イトを行うことが可能となっている。

本実施例の光磁気記録媒体を用いて記録再生特性を調べ
たところ、第７図に示したように記録マーク長５ｐｍで
Ｃ／Ｎ比６２ｄＢを得た。

また、５インチ３６００　ｒｐｍ最外周での記録に必要
なレーザパワーは約１４ｍＷであった。

（実施例２） 第１図に示したように、まず、トラッキング用の案内溝
を設けた５、２５　インチ透明ガラス基板１を高周波マ
グネトロンスパッタ装置内に装填し、０．１ｍＰａ　以
下の高真空まで真空排気した後、ＡｒガスとＮ２ガスの
混合ガスを導入し、１．３Ｐａのガス圧でＳｉターゲッ
トを用いて反応性スパッタを行い、誘電体層２として、
ＳｉＮｘを８０ｎｍ積層する。その後Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　
Ｃｏ合金ターゲットを用い、０．７Ｐａ　　のＡｒガス
圧でスパッタを行い、第１磁性層３としてＴ　ｂｘａ　
Ｆ　ｅ８ｘ、　Ｇ　ｏ　ｔ。

非晶質合金薄膜を２２ｎｍ積層する０次に、Ｔ　ｂ　Ｄ
　ｙ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ合金ターゲットを、同じ＜ｏ、７Ｐ
ａのＡｒガス圧でスパッタし、第２磁性層４としてＴｂ
ｚ７ＤｙｚｓＦｅｅｏｃｏａ非晶質合金薄膜を５５ｎｍ
積層する。このようにして積層された第１磁性層３と第
２ａ性層４は、互いに磁気的に交換結合している１次に
、再び０．１ｍＰａ　以下に真空排気した後、Ａｒガス
とＮｘガスの混合ガスを導入し１．３Ｐａ　　のガス圧
で、Ｓｉをターゲットとして反応性スパッタを行い、保
護層５としてＳｉＮｘを１１００ｎ積層した。

本実施例においても、実施例１と同様に記録媒体７を単
一ビームオーバライト媒体として用いている。

本実施例においては、第Ｘｉ性層３のキュリー温度（Ｔ
ｃ１）は３００℃であり、第２磁性層４のキュリー温度
（Ｔａｘ）は２５０’Ｃである。また室温では、第２磁
性層４の保磁力（３ｋＯｅ）は、第１磁性Ｍ４３の保磁
力（８ｋＯｅ）よりも小さくしである。その磁気特性は
第４図（ｂ）に示したように両者共希土類リッチ組成と
した。２層間の交換結合力は差はど大きくない。

この膜についても実施例１と同様にオーバライトを行う
ことができた。

Ｃ／Ｎ比は約６０ｄＢと実施例１のものよりも劣るが、
従来のオーバライト可能な光磁気記録媒体ＣＣ／Ｎ５７
ｄＢ）と比べると第１磁性層のキュリー温度が高くなっ
た分だけ大きい。

また、全体の記録膜厚を薄くしたため、記録感度は５イ
ンチ３６００ｒｐｍ最外周で８ｍＷと大きく向辷してい
る。

（実施例３） 第９図は、本発明の一実施例の積層構造を示したもので
ある。まず、トラッキング用の案内溝を設けた５、２５
　インチ透明ガラス基板１を高周波マグネトロンスパッ
タ装置内に装填し、０．１ｍＰａ以下に真空排気した後
、ＡｒガスとＮｘガスの混合ガスを導入し、１．３Ｐａ
　　のガス圧で、Ｓｉをターゲットとして反応性スパッ
タを行い、誘電体層２として、Ｓ　ｉ　Ｎ　ｘを７０ｎ
ｍ積層する。

その後Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ合金ターゲットを用い、０
．７ＰａのＡｒガス圧でスパッタを行い、第１磁性層３
として、ＴｂｚｚＦｅＩＩｓＣｏｚｚ非晶質合金薄膜を
２０ｎｍ積層する０次に、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲ
ットを同じ＜　０．７　Ｐ　ａ　　のＡｒガス圧でスパ
ッタして、第２磁性層４として Ｔ　ｂｘｏＤ　ｙｘｘＦ　ｅｓａｃ　０１０非晶質合金
薄膜を３５ｎｍ積層する。このようにして積層された第
１磁性層３と第２磁性層４は、互いに磁気的に交換結合
している１次に再び０．１ｍＰａ　以下に真空排気した
後、ＡｒガスとＮｚガスの混合ガスを導入し、１．３　
Ｐ　ａ　　のガス圧で、Ｓｉをターゲットとして反応性
スパッタを行い、保護Ｍ５としてＳｉＮｘを４０ｎｍ積
層する。さらに、ＡｆｉＴｉ合金ターゲットを用いて０
．７Ｐａ　　のＡｒガス圧でスパッタを行い、金属層６
としてＡ　Ｑ　Ｔ　ｉ　ｘを６０ｎｍＭＭした。

この金属層７は１反射層としてカー回転角を光学的な干
渉効果により増大させる働きと、熱拡散層として記録膜
が極端な高温にさらされるのを防ぎ、書き換え回数を向
上させる働きをあわせ持つ。

本実施例においては、第１磁性層３のキュリー温度（Ｔ
ＣＩ）は３２０℃であり、第２磁性層４のキュリー温度
（ＴＯりは２７０℃である。また室温では、第２磁性層
４の保磁力（４ｋＯｅ）は。

第１磁性層３の保磁力（１２ｋｏｅ）よりも小さくしで
ある。第４図（ａ）のように第１磁性層３は遷移金属リ
ッチ組成、第２磁性Ｍ４は希土類リッチ組成である。

本実施例においても、オーバライトが可能であることは
前記２つの実施例と同様である０本実施例では、記録マ
ーク長５μｍでＣ／Ｎ比６４ｄＢと実施例１よりもさら
に良好なＣ／Ｎ比が得られている。

本発明の媒体の構成は以上の例に限られるものではない
６例えば。

（１）誘電体層２や保護層５として１例えば。

ＳｉＯｘ、ＡＪＮｘ、５ｉＡＱＯＮ、Ｚｎ５ｘ。

ＺｒＯｘ等を用いる。

（２）第１磁性層３や第２磁性層４として、Ｇｄ。

Ｔｂ、Ｎｄ、、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｓｍ等の希土類とＦｅ、Ｇ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等の遷移金属との合金を用いる。耐食性
を向上させるために、Ｎｂ。

Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｉ等を添加しても良い。

〔発明の効果〕

本発明を用いることにより、記録感度を低下させること
なく大きなカー回転角を得ることのできるオーバライト
可能な高Ｃ／Ｎ光磁気記録媒体を得ることができる。

記録層並びに再生層である第１磁性層３のキュリー温度
を高くすることができるからである。

般にキュリー温度が高いほどカー回転角は大きくなるこ
とによる。

【図面の簡単な説明】

第１ｖ４、第２図及び第９図は本発明の光磁気記録媒体
の断面構造図、第３図は従来の光磁気記録媒体の断面構
造図、第４図は本発明の光磁気記録媒体の第１磁性層及
び第２磁性層の磁気特性を表す図、第５図は従来の光磁
気記録媒体の第１磁性層及び第２磁性層の磁気特性を表
す図、第６図及び第７図は本発明の原理説明図、第８図
は従来のオーバライト方式の原理説明図である。 １・・・基板、２・・・誘電体層、３・・・第１磁性層
、４・・・第２磁性層、５・・・保護層、６・・・遷移
金属モーメントの向き、７・・・金属層、８ａ、８ｂ・
・・磁化の向き。 ９・・・初期化磁界の向き、１０・・・記録磁界の向き
。 寓 図 図 菓 ３ 図 第 図 冨 図 温浸 第 凹 キュソーＡ五度 鷺 図 篤 ざ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、室温で相対的に大きな保磁力を持つ第１磁性層と該
   第１磁性層よりも室温で相対的に小さな保磁力を持つ第
   ２磁性層とを基板上に少なくとも備えたオーバライト可
   能な光磁気記録媒体において、前記第１磁性層のキュリ
   ー温度が前記第２磁性層のキュリー温度よりも高いこと
   を特徴とするオーバライト可能な光磁気記録媒体。 ２、情報のオーバライトに先立ち、前記第２磁性層の磁
   化の方向を上向きあるいは下向きの一方向に揃えておく
   ことを特徴とする請求項１記載のオーバライト可能な光
   磁気記録媒体。 ３、前記光磁気記録媒体に対し小さな強度のレーザ光を
   照射したときには前記第１磁性層の磁化と前記第２磁性
   層の磁化が強く交換結合することによって前記第１磁性
   層の磁化の向きが前記第２磁性層の磁化と同じ向きかあ
   るいは逆向きの一方向に揃えられることを特徴とする請
   求項２記載のオーバライト可能な光磁気記録媒体。 ４、前記光磁気記録媒体に対し大きな強度のレーザ光を
   照射したときには前記第１磁性層の磁化が外から印加し
   た記録磁界の方向と同じ向きかあるいは逆向きでかつ前
   記の小さな強度のレーザ光を照射したときには前記第１
   磁性層の磁化が揃えられる向きとは逆の向きに揃えられ
   ることを特徴とする請求項３記載のオーバライト可能な
   光磁気記録媒体。 ５、前記第１磁性層にレーザ光を照射し、該レーザ光の
   反射光の偏光状態が磁気光学効果によって変化すること
   を利用して再生を行うことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項乃至４項に記載のオーバライト可能な光磁気記録
   媒体。 ６、前記小さな強度のレーザ光を照射したときに前記第
   １磁性層及び前記第２磁性層が到達する温度は前記第１
   磁性層のキュリー温度及び前記第２磁性層のキュリー温
   度よりも低いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
   に記載のオーバライト可能な光磁気記録媒体。 ７、前記大きな強度のレーザ光を照射したときに、前記
   第１磁性層及び前記第２磁性層の到達する温度は前記第
   ２磁性層のキュリー温度よりも高いことを特徴とする請
   求項１〜６のいずれかに記載のオーバライト可能な光磁
   気記録媒体。 ８、前記大きな強度のレーザ光を照射した後、前記第１
   磁性層及び前記第２磁性層の温度が下降する際に前記第
   ２磁性層の磁化は前記第１磁性層との交換結合によって
   、前記第１磁性層の磁化の向きと同じ向きかあるいは逆
   向きで、かつ前記の情報のオーバライトに先立ち前記第
   ２磁性層の磁化の方向を揃えておく向きとは逆の向きに
   揃えられることを特徴とする請求項２〜８のいずれかに
   記載のオーバライト可能な光磁気記録媒体。