JPH04222942A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04222942A JPH04222942A JP41292390A JP41292390A JPH04222942A JP H04222942 A JPH04222942 A JP H04222942A JP 41292390 A JP41292390 A JP 41292390A JP 41292390 A JP41292390 A JP 41292390A JP H04222942 A JPH04222942 A JP H04222942A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性多層膜と初期補助
磁界を用いるオ−バライト可能な光磁気記録媒体に関す
る。
磁界を用いるオ−バライト可能な光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用い
ることにより、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録
方式が注目されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、（ｂ）前記
記録媒体を移動させること、（ｃ）初期補助磁界を印加
することによって、記録前に前記記録補助層の磁化のみ
を上向きまたは下向きのいずれか一方に揃えておくこと
、 （ｄ）レ−ザビ−ムを前記記録媒体に照射すること、（
ｅ）前記レ−ザビ−ムの強度を記録すべき２値化情報に
従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レ−ザビ−ムを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること 、（ｇ）前記パルス状に変調したレ−ザビ−ムの強度が
高レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レ
−ザビ−ムの強度が低レベルの時に他方のビットを形成
させること、からなることを特徴とする重ね書き（オ−
バライト）可能な記録方法である（例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報参照）。 以上は２層膜を用いる方法の説明であるが、記録層と記
録補助層の間にＧｄＦｅＣｏ層を交換結合制御層（中間
層，制御層）として挿入し、磁性３層膜を用いる方法も
知られている（ Ｋ． Ａｒａｔａｎｉ ｅｔ． ａｌ
．，ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１０７８， ｐ．２５８， Ｏ
ｐｔｉｃａｌＤａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍｅｅｔｉｎ
ｇ， １９８９ ）。
ることにより、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録
方式が注目されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、（ｂ）前記
記録媒体を移動させること、（ｃ）初期補助磁界を印加
することによって、記録前に前記記録補助層の磁化のみ
を上向きまたは下向きのいずれか一方に揃えておくこと
、 （ｄ）レ−ザビ−ムを前記記録媒体に照射すること、（
ｅ）前記レ−ザビ−ムの強度を記録すべき２値化情報に
従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レ−ザビ−ムを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること 、（ｇ）前記パルス状に変調したレ−ザビ−ムの強度が
高レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レ
−ザビ−ムの強度が低レベルの時に他方のビットを形成
させること、からなることを特徴とする重ね書き（オ−
バライト）可能な記録方法である（例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報参照）。 以上は２層膜を用いる方法の説明であるが、記録層と記
録補助層の間にＧｄＦｅＣｏ層を交換結合制御層（中間
層，制御層）として挿入し、磁性３層膜を用いる方法も
知られている（ Ｋ． Ａｒａｔａｎｉ ｅｔ． ａｌ
．，ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１０７８， ｐ．２５８， Ｏ
ｐｔｉｃａｌＤａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍｅｅｔｉｎ
ｇ， １９８９ ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
媒体は作製されたままの状態でオ−バライトをした場合
、消去率があまり良くなく、そのためビットエラ−レ−
トが高くなってしまうという問題があった。本発明の目
的は、オ−バライト時の消去率が十分確保され、そのた
めに十分にビットエラ−レ−トの低い光磁気記録媒体を
提供することにある。
媒体は作製されたままの状態でオ−バライトをした場合
、消去率があまり良くなく、そのためビットエラ−レ−
トが高くなってしまうという問題があった。本発明の目
的は、オ−バライト時の消去率が十分確保され、そのた
めに十分にビットエラ−レ−トの低い光磁気記録媒体を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にスペ
−サ層が形成され、該スペ−サ層上に、記録層と記録補
助層とを少なくとも含む磁性多層膜が形成され、該磁性
多層膜上に保護層が形成されてなるオ−バライト可能な
光磁気記録媒体において、記録層の磁化の向きを予め初
期状態として一方向に揃えておくことを特徴とする光磁
気記録媒体である。
−サ層が形成され、該スペ−サ層上に、記録層と記録補
助層とを少なくとも含む磁性多層膜が形成され、該磁性
多層膜上に保護層が形成されてなるオ−バライト可能な
光磁気記録媒体において、記録層の磁化の向きを予め初
期状態として一方向に揃えておくことを特徴とする光磁
気記録媒体である。
【０００５】
【作用】作製されたままの媒体では、その記録層は磁区
構造を持つ。各磁区からの反磁界の影響で記録ビットが
横に広がるため、オ−バライトした時に前情報の消し残
りが生じる。それに対し、記録層の磁化の向きを一方向
に予め揃えておくと、作製されたままの状態で存在して
いた磁区構造が消滅するため記録ビットがあまり横に広
がらない。そのため消去率が良くなり、ビットエラ−レ
−トが改善される。この上にさらにオ−バライトした場
合も、作製されたままの媒体にあった磁区構造は消えて
いるので安定した消去動作が実現し、低ビットエラ−レ
−トが実現する。
構造を持つ。各磁区からの反磁界の影響で記録ビットが
横に広がるため、オ−バライトした時に前情報の消し残
りが生じる。それに対し、記録層の磁化の向きを一方向
に予め揃えておくと、作製されたままの状態で存在して
いた磁区構造が消滅するため記録ビットがあまり横に広
がらない。そのため消去率が良くなり、ビットエラ−レ
−トが改善される。この上にさらにオ−バライトした場
合も、作製されたままの媒体にあった磁区構造は消えて
いるので安定した消去動作が実現し、低ビットエラ−レ
−トが実現する。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。
実施例１（ＴｂＦｅ／ＮｄＦｅＣｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ
３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）基板上に
、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／ＴｂＦｅ（記録
層，２５５オングストロ―ム）／ＮｄＦｅＣｏ（制御層
，３５オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補
助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ（８００オン
グストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層の単層での特
性を表１に示す。
３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）基板上に
、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／ＴｂＦｅ（記録
層，２５５オングストロ―ム）／ＮｄＦｅＣｏ（制御層
，３５オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補
助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ（８００オン
グストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層の単層での特
性を表１に示す。
【０００７】
【表１】
─────────────────────────
───
記録層 制御層 記録補助層────
────────────────────────
合金系 ＴｂＦｅ
ＮｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂＦｅＣｏ
膜厚（オンク゛ストローム） ２５５
３５ ６００ キュリ−
温度（℃） １５０ ２００
３００ 補償温度（℃）
なし なし １８０
保磁力（ｋＯｅ ） ２０
０．０５ １．６ 飽和
磁化（ｅｍｕ／ｃｃ） ７０
８５０ ７０ ────────
────────────────────
───
記録層 制御層 記録補助層────
────────────────────────
合金系 ＴｂＦｅ
ＮｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂＦｅＣｏ
膜厚（オンク゛ストローム） ２５５
３５ ６００ キュリ−
温度（℃） １５０ ２００
３００ 補償温度（℃）
なし なし １８０
保磁力（ｋＯｅ ） ２０
０．０５ １．６ 飽和
磁化（ｅｍｕ／ｃｃ） ７０
８５０ ７０ ────────
────────────────────
【０００８
】まず比較例として、作製したままの媒体に対し、７．
４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４
７ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。 この場合の消去率は３０ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、６×１０−５であった。次に実
施例の１つとして、記録磁界を印加しないでフォ−カス
サ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ
光をディスク全面に照射した。先行補助磁界は印加して
いる。これにより記録層の磁化は一方向に揃えられた。 この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録
したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に、３．７Ｍ
Ｈｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ
５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢであ
った。ビットエラ−レ−トを測定したところ、３×１０
−６であった。次に他の実施例として、作製したままの
媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した
。これにより記録層の磁化は一方向に揃えられた。この
媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録した
ところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで
同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄ
Ｂが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢであった。 ビットエラ−レ−トを測定したところ、３×１０−６で
あった。
】まず比較例として、作製したままの媒体に対し、７．
４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４
７ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。 この場合の消去率は３０ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、６×１０−５であった。次に実
施例の１つとして、記録磁界を印加しないでフォ−カス
サ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ
光をディスク全面に照射した。先行補助磁界は印加して
いる。これにより記録層の磁化は一方向に揃えられた。 この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録
したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に、３．７Ｍ
Ｈｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ
５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢであ
った。ビットエラ−レ−トを測定したところ、３×１０
−６であった。次に他の実施例として、作製したままの
媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した
。これにより記録層の磁化は一方向に揃えられた。この
媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録した
ところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで
同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄ
Ｂが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢであった。 ビットエラ−レ−トを測定したところ、３×１０−６で
あった。
【０００９】実施例２（ＴｂＦｅＣｏ／ＧｄＮｄＦｅＣ
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ
−ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＴｂＦｅＣｏ（記録層，３００オングストロ―ム
）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム
）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングスト
ロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成
膜した。各磁性層の単層での特性を表２に示す。
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ
−ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＴｂＦｅＣｏ（記録層，３００オングストロ―ム
）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム
）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングスト
ロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成
膜した。各磁性層の単層での特性を表２に示す。
【００１０】
【表２】
─────────────────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 ＴｂＦ
ｅＣｏ ＧｄＮｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
３００ ３５ ８０
０ キュリ−温度（℃） １６０
１８０ ３００ 補償温
度（℃） なし なし
１８０ 保磁力（ｋＯｅ）
１５ ０．１０
１．６ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ８０ ５００
７０ ───────────────
──────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 ＴｂＦ
ｅＣｏ ＧｄＮｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
３００ ３５ ８０
０ キュリ−温度（℃） １６０
１８０ ３００ 補償温
度（℃） なし なし
１８０ 保磁力（ｋＯｅ）
１５ ０．１０
１．６ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ８０ ５００
７０ ───────────────
──────────────
【００１１】まず比較例
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４８ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得られた。この場合の消
去率は２８ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、５×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ、
Ｃ／Ｎ４９ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同じト
ラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得
られた。この場合の消去率は４９ｄＢであった。ビット
エラ−レ−トを測定したところ、１×１０−６であった
。次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な
電磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより
記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、
７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／
Ｎ４９ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラック
にオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得られた
。この場合の消去率は４９ｄＢであった。ビットエラ−
レ−トを測定したところ、１×１０−６であった。
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４８ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得られた。この場合の消
去率は２８ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、５×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ、
Ｃ／Ｎ４９ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同じト
ラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得
られた。この場合の消去率は４９ｄＢであった。ビット
エラ−レ−トを測定したところ、１×１０−６であった
。次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な
電磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより
記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、
７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／
Ｎ４９ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラック
にオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得られた
。この場合の消去率は４９ｄＢであった。ビットエラ−
レ−トを測定したところ、１×１０−６であった。
【００１２】実施例３（ＤｙＦｅＣｏ／ＧｄＮｄＦｅＣ
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ
−ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＤｙＦｅＣｏ（記録層，４００オングストロ―ム
）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム
）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，５００オングスト
ロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成
膜した。各磁性層の単層での特性を表３に示す。
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ
−ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＤｙＦｅＣｏ（記録層，４００オングストロ―ム
）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム
）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，５００オングスト
ロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成
膜した。各磁性層の単層での特性を表３に示す。
【００１３】
【表３】
─────────────────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 ＤｙＦ
ｅＣｏ ＧｄＮｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
４００ ３５ ５０
０ キュリ−温度（℃） １３０
１８０ ３２０ 補償温
度（℃） なし なし
２００ 保磁力（ｋＯｅ）
１８ ０．０８
１．８ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ６５ ４５０
９０ ───────────────
──────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 ＤｙＦ
ｅＣｏ ＧｄＮｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
４００ ３５ ５０
０ キュリ−温度（℃） １３０
１８０ ３２０ 補償温
度（℃） なし なし
２００ 保磁力（ｋＯｅ）
１８ ０．０８
１．８ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ６５ ４５０
９０ ───────────────
──────────────
【００１４】まず比較例
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消
去率は３５ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、８×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ，
Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラ
ックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得ら
れた。この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエ
ラ−レ−トを測定したところ、７×１０−６であった。 次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な電
磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより記
録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、７
．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ
４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得られた。 この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、７×１０−６であった。
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消
去率は３５ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、８×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ，
Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラ
ックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得ら
れた。この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエ
ラ−レ−トを測定したところ、７×１０−６であった。 次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な電
磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより記
録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、７
．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ
４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得られた。 この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、７×１０−６であった。
【００１５】実施例４（ＴｂＦｅ／ＧｄＦｅＣｏ／Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／Ｔ
ｂＦｅ（記録層，２５５オングストロ―ム）／ＧｄＦｅ
Ｃｏ（制御層，５０オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ（記録補助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ
（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層
の単層での特性を表４に示す。
ＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／Ｔ
ｂＦｅ（記録層，２５５オングストロ―ム）／ＧｄＦｅ
Ｃｏ（制御層，５０オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ（記録補助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ
（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層
の単層での特性を表４に示す。
【００１６】
【表４】
─────────────────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 Ｔ
ｂＦｅ ＧｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
１８０ ５０ ６０
０ キュリ−温度（℃） １５０
２００ ３００ 補償温
度（℃） なし なし
１８０ 保磁力（ｋＯｅ）
２０ ０．０３
１．６ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ７０ ４００
７０ ───────────────
──────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 Ｔ
ｂＦｅ ＧｄＦｅＣｏ ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
１８０ ５０ ６０
０ キュリ−温度（℃） １５０
２００ ３００ 補償温
度（℃） なし なし
１８０ 保磁力（ｋＯｅ）
２０ ０．０３
１．６ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ７０ ４００
７０ ───────────────
──────────────
【００１７】まず比較例
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消
去率は３０ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、７×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ，
Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラ
ックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得ら
れた。この場合の消去率は４７ｄＢであった。ビットエ
ラ−レ−トを測定したところ、４×１０−６であった。 次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な電
磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより記
録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、７
．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ
４７ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。 この場合の消去率は４７ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、４×１０−６であった。
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消
去率は３０ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、７×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ，
Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラ
ックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得ら
れた。この場合の消去率は４７ｄＢであった。ビットエ
ラ−レ−トを測定したところ、４×１０−６であった。 次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な電
磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより記
録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、７
．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ
４７ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。 この場合の消去率は４７ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、４×１０−６であった。
【００１８】実施例５（ＴｂＦｅ／ＧｄＮｄＦｅＣｏ／
ＧｄＤｙＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト
（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）
／ＴｂＦｅ（記録層，２２０オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングストロ―ム）
／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。 各磁性層の単層での特性を表５に示す。
ＧｄＤｙＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト
（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）
／ＴｂＦｅ（記録層，２２０オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングストロ―ム）
／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。 各磁性層の単層での特性を表５に示す。
【００１９】
【表５】
─────────────────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 Ｔ
ｂＦｅ ＧｄＮｄＦｅＣｏ ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
２２０ ３５ ８０
０ キュリ−温度（℃） １５０
１８０ ２８０ 補償温
度（℃） なし なし
１９０ 保磁力（ｋＯｅ）
２０ ０．１０
１．３ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ７０ ５５０
６０ ───────────────
──────────────
────
記録層 制御層 記録補助層─
─────────────────────────
─── 合金系 Ｔ
ｂＦｅ ＧｄＮｄＦｅＣｏ ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ 膜厚（オンク゛ストローム）
２２０ ３５ ８０
０ キュリ−温度（℃） １５０
１８０ ２８０ 補償温
度（℃） なし なし
１９０ 保磁力（ｋＯｅ）
２０ ０．１０
１．３ 飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ
） ７０ ５５０
６０ ───────────────
──────────────
【００２０】まず比較例
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消
去率は４０ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、２×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ，
Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラ
ックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得ら
れた。この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエ
ラ−レ−トを測定したところ、５×１０−６であった。 次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な電
磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより記
録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、７
．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ
４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。 この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、５×１０−６であった。
として、作製したままの媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１
１．３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであっ
た。次に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライト
したところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消
去率は４０ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定し
たところ、２×１０−５であった。次に実施例の１つと
して、記録磁界を印加しないでフォ−カスサ−ボ，トラ
ックサ−ボをかけた状態で１１ｍＷのＤＣ光をディスク
全面に照射した。先行補助磁界は印加している。これに
より記録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対
し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したところ，
Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラ
ックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得ら
れた。この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエ
ラ−レ−トを測定したところ、５×１０−６であった。 次に他の実施例として、作製したままの媒体に強力な電
磁石により３０ｋＯｅの磁界を印加した。これにより記
録層の磁化は一方向に揃えられた。この媒体に対し、７
．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ
４６ｄＢであった。次に３．７ＭＨｚで同じトラックに
オ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。 この場合の消去率は４６ｄＢであった。ビットエラ−レ
−トを測定したところ、５×１０−６であった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オ−バライト時の消去率が良好で、ビットエラ−レ−ト
の改良された光磁気記録媒体が得られる。
オ−バライト時の消去率が良好で、ビットエラ−レ−ト
の改良された光磁気記録媒体が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にスペ−サ層が形成され、該ス
ペ−サ層上に、記録層と記録補助層とを少なくとも含む
磁性多層膜が形成され、該磁性多層膜上に保護層が形成
されてなるオ−バライト可能な光磁気記録媒体において
、記録層の磁化の向きを予め初期状態として一方向に揃
えておくことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412923A JP2782957B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412923A JP2782957B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04222942A true JPH04222942A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2782957B2 JP2782957B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=18521663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2412923A Expired - Lifetime JP2782957B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782957B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63311645A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録方式 |
| JPS6450257A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nikon Corp | Multi-layered magneto-optical recording medium controlled in exchange bonding strength |
| JPH01273248A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nikon Corp | 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JPH03194744A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | オーバライト可能な光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2412923A patent/JP2782957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63311645A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録方式 |
| JPS6450257A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nikon Corp | Multi-layered magneto-optical recording medium controlled in exchange bonding strength |
| JPH01273248A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nikon Corp | 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JPH03194744A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | オーバライト可能な光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2782957B2 (ja) | 1998-08-06 |
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