JPH03194745A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03194745A JPH03194745A JP33352389A JP33352389A JPH03194745A JP H03194745 A JPH03194745 A JP H03194745A JP 33352389 A JP33352389 A JP 33352389A JP 33352389 A JP33352389 A JP 33352389A JP H03194745 A JPH03194745 A JP H03194745A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術）
光磁気記録は第２図に示すものが知られている。
これは、基板１上に垂直磁化膜６が形成され、その上を
保護膜５で覆う構成である。この垂直磁化膜６としては
、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類−
遷移金属系の非晶質垂直磁化膜が使用されている。記録
再生時におけるＣ／Ｎ比は、反射率をＲ、カー回転角を
θにとすると、Ｖπ×θＫに比例する。
保護膜５で覆う構成である。この垂直磁化膜６としては
、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類−
遷移金属系の非晶質垂直磁化膜が使用されている。記録
再生時におけるＣ／Ｎ比は、反射率をＲ、カー回転角を
θにとすると、Ｖπ×θＫに比例する。
しかしながら、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類−遷移金属
系の非晶質垂直磁化膜はカー回転角が小さく、そのため
Ｃ／Ｎ比が十分とは言えない。従って、Ｃ／Ｎ比を大き
くするためカー回転角の大きな材料が求められている。
系の非晶質垂直磁化膜はカー回転角が小さく、そのため
Ｃ／Ｎ比が十分とは言えない。従って、Ｃ／Ｎ比を大き
くするためカー回転角の大きな材料が求められている。
そこで、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜にＢｉ
なとの金属を添加し、カー回転角を増加させることが試
みられた。
なとの金属を添加し、カー回転角を増加させることが試
みられた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、Ｂｉなとの添加効果は、希土類−遷移金
属系の非晶質垂直磁化膜の種類により差異がある。Ｇｄ
−Ｆｅ Ｃｏ−Ｂ１におにいてはＢｉを添加することに
より約１２％のカー回転角の増加があるがまだ不十分で
あり、Ｔｂ−Ｆｅ Ｃｏ−Ｂ１においては殆ど増加しな
い。
属系の非晶質垂直磁化膜の種類により差異がある。Ｇｄ
−Ｆｅ Ｃｏ−Ｂ１におにいてはＢｉを添加することに
より約１２％のカー回転角の増加があるがまだ不十分で
あり、Ｔｂ−Ｆｅ Ｃｏ−Ｂ１においては殆ど増加しな
い。
そこで本発明の目的は、カー回転角が大きい光磁気記録
媒体を提供することにある。
媒体を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記目的を達成するため少なくとも一種類以
上の希土類金属からなる層と、少なくとも一種類以上の
３ｄ遷移金属からなる層とを交互に積層してなる光磁気
記録媒体において、少なくとも一種類以上の３ｄ遷移金
属からなる層に、Ｐｂ、 Ｐ、Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉの
うち少なくとも一種類以上の元素を含有して成る光磁気
記録媒体を構成する。
上の希土類金属からなる層と、少なくとも一種類以上の
３ｄ遷移金属からなる層とを交互に積層してなる光磁気
記録媒体において、少なくとも一種類以上の３ｄ遷移金
属からなる層に、Ｐｂ、 Ｐ、Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉの
うち少なくとも一種類以上の元素を含有して成る光磁気
記録媒体を構成する。
Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉのうち少なくとも一種類以上の元
素からなる層に含有せしめる元素は、含有する層のうち
好ましくは、２０原子％以下、またより好ましくは５原
子％以上１５原子％以下が望ましい。
素からなる層に含有せしめる元素は、含有する層のうち
好ましくは、２０原子％以下、またより好ましくは５原
子％以上１５原子％以下が望ましい。
前記希土類金属としては、Ｔｂ、 Ｙ、 Ｌａ、 Ｃｅ
、Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｇｄ、 Ｄｙなどがある。
、Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｇｄ、 Ｄｙなどがある。
また、前記３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎ
ｉなどがある。
ｉなどがある。
（作用）
Ｇｄ−Ｆｅ Ｃｏ−Ｂ１では、Ｂｉを添加することによ
り約１２％のカー回転角の増加があり、Ｔｂ−Ｆｅ Ｃ
ｏ−Ｂ１では殆ど増加しない。これは希土類元素の種類
によりＢｉ元素添加効果に差異があることを示している
。
り約１２％のカー回転角の増加があり、Ｔｂ−Ｆｅ Ｃ
ｏ−Ｂ１では殆ど増加しない。これは希土類元素の種類
によりＢｉ元素添加効果に差異があることを示している
。
一方、波長６００ｎｍより長波長側において、カー回転
角は遷移金属（例えば、Ｆｅ、 Ｃｏ）による寄与が大
部分を占める。したがって、添加元素を希土類元素から
はなして遷移金属元素とのみ結合させることにより、カ
ー回転角を増大させることができる。
角は遷移金属（例えば、Ｆｅ、 Ｃｏ）による寄与が大
部分を占める。したがって、添加元素を希土類元素から
はなして遷移金属元素とのみ結合させることにより、カ
ー回転角を増大させることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を１〜４により説明する。
実施例１
実施例１は、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、Ｔｂター
ゲットおよびＦｅＢ４Ｃｏ１６合金ターゲットの２つの
ターゲットを用い基板を回転させ、第１図に示すように
垂直磁化膜４をガラス基板１上に作製した。さらにＦｅ
Ｂ４Ｃｏ１６合金ターゲットの上には、Ｂｉチップが置
かれており、このチップの数を変えることによりＢｉ含
有組成を変化させることができる。このときのＴｂ層２
−層当たりの膜厚は６人であり、Ｂｉを含むＦｅＢ４Ｃ
０１６層針層当たりの膜厚は８人である。さらに、Ｔｂ
の代わりにＹ、 Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓ
ｍ、Ｇｄ、 Ｄｙなどの希土類金属のうち少なくとも一
種類以上の元素であってもよい。垂直磁化膜４の全膜厚
を１０００人とし、酸化防止のため表面には保護膜５を
４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期構造を確認
した。
ゲットおよびＦｅＢ４Ｃｏ１６合金ターゲットの２つの
ターゲットを用い基板を回転させ、第１図に示すように
垂直磁化膜４をガラス基板１上に作製した。さらにＦｅ
Ｂ４Ｃｏ１６合金ターゲットの上には、Ｂｉチップが置
かれており、このチップの数を変えることによりＢｉ含
有組成を変化させることができる。このときのＴｂ層２
−層当たりの膜厚は６人であり、Ｂｉを含むＦｅＢ４Ｃ
０１６層針層当たりの膜厚は８人である。さらに、Ｔｂ
の代わりにＹ、 Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｓ
ｍ、Ｇｄ、 Ｄｙなどの希土類金属のうち少なくとも一
種類以上の元素であってもよい。垂直磁化膜４の全膜厚
を１０００人とし、酸化防止のため表面には保護膜５を
４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期構造を確認
した。
比較例１における光磁気記録媒体は、ＤＣマグネトロン
スパッタ法で、ＦｅＢ４Ｃｏ１６合金ターゲット上にＴ
ｂおよびＢｉチップを置いた複合ターゲットを用いて、
周期構造が無い垂直磁化膜６をガラス基板上に作製した
。また、垂直磁化膜６の全膜厚を１００ＯＡとし、酸化
防止のため表面には保護膜５を４００人つけた。さらに
小角Ｘ線回折で周期構造がないことを確認した。
スパッタ法で、ＦｅＢ４Ｃｏ１６合金ターゲット上にＴ
ｂおよびＢｉチップを置いた複合ターゲットを用いて、
周期構造が無い垂直磁化膜６をガラス基板上に作製した
。また、垂直磁化膜６の全膜厚を１００ＯＡとし、酸化
防止のため表面には保護膜５を４００人つけた。さらに
小角Ｘ線回折で周期構造がないことを確認した。
次に、第１図及び第２図に示した光磁気記録媒体のカー
回転角のＢｉ組成依存性を、それぞれ第３図及び第４図
に示す。Ｂｉ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈル
ープの角型比が悪くなる。そのため、添加するＢｉ組成
はより好ましくは１５原子％以下がよい。
回転角のＢｉ組成依存性を、それぞれ第３図及び第４図
に示す。Ｂｉ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈル
ープの角型比が悪くなる。そのため、添加するＢｉ組成
はより好ましくは１５原子％以下がよい。
第３図及び第４図より、本実施例に於てはカー回転角の
大きさを最大２倍にし、周期構造がない媒体に比べ大幅
にカー回転角を大きくすることが可能になる。すなわち
、従来の光磁気記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎ比を最大６ｄ
Ｂ大きくすることができる。
大きさを最大２倍にし、周期構造がない媒体に比べ大幅
にカー回転角を大きくすることが可能になる。すなわち
、従来の光磁気記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎ比を最大６ｄ
Ｂ大きくすることができる。
実施例２
実施例２は、Ｂｉチップのかわりにｐｂチップを用い実
施例１と同様に作製した。このときのＴｂ層２−層当た
りの膜厚は８人であり、ｐｂを含むＦｅＢ４Ｃｏ１６層
３−層当たりの膜厚は１２人である。垂直磁化膜４の全
膜厚を１０００人とし、酸化防止のため表面には保護膜
５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期構造を
確認した。
施例１と同様に作製した。このときのＴｂ層２−層当た
りの膜厚は８人であり、ｐｂを含むＦｅＢ４Ｃｏ１６層
３−層当たりの膜厚は１２人である。垂直磁化膜４の全
膜厚を１０００人とし、酸化防止のため表面には保護膜
５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期構造を
確認した。
比較例２は、Ｂｉチップにかえてｐｂチップを用いた以
外は比較例１と同様に作製した。
外は比較例１と同様に作製した。
次に、第１図及び第２図に示した光磁気記録媒体のカー
回転角のｐｂ組成依存性を、それぞれ第５図及び第６図
に示す。Ｐｂ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈル
ープの角型比が悪くなる。そのため、添加するＰｂ組成
はより好ましくは１５原子％以下がよい。第５図及び第
６図より、本実施例に於てはカー回転角の大きさを最大
１．８倍にし、周期構造がない媒体に比べ大幅にカー回
転角を大きくすることが可能になる。すなわち、従来の
光磁気記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎを最大約５ｄＢ大きく
することができる。
回転角のｐｂ組成依存性を、それぞれ第５図及び第６図
に示す。Ｐｂ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈル
ープの角型比が悪くなる。そのため、添加するＰｂ組成
はより好ましくは１５原子％以下がよい。第５図及び第
６図より、本実施例に於てはカー回転角の大きさを最大
１．８倍にし、周期構造がない媒体に比べ大幅にカー回
転角を大きくすることが可能になる。すなわち、従来の
光磁気記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎを最大約５ｄＢ大きく
することができる。
実施例３
実施例３は、Ｂｉチップのかわりにｓｂチップを用い、
実施例１と同様に作製した。このときのＴｂ層２−層当
たりの膜厚は６人であり、ｓｂを含むＦｅＢ４Ｃｏ１６
層３−層当たりの膜厚は８人である。垂直磁化膜４の全
膜厚を１０００人とし、酸化防止のため表面には保護膜
５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期構造を
確認した。
実施例１と同様に作製した。このときのＴｂ層２−層当
たりの膜厚は６人であり、ｓｂを含むＦｅＢ４Ｃｏ１６
層３−層当たりの膜厚は８人である。垂直磁化膜４の全
膜厚を１０００人とし、酸化防止のため表面には保護膜
５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期構造を
確認した。
比較例３は、Ｂｉチップにかえてｓｂチップを用いた以
外は比較例１と同様に作製した。
外は比較例１と同様に作製した。
次に、第１図及び第２図に示した光磁気録媒体のカー回
転角のｓｂ組成依存性を、それぞれ第７図及び第８図に
示す。ｓｂ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈルー
プの角型比が悪くなる。そのため、添加するｓｂ組成は
より好ましくは１５原子％以下がよい。第７図及び第８
図より、本実施例に於てはカー回転角の大きさを最大１
．９倍にし、周期構造がない媒体に比べ大幅にカー回転
角を大きくすることが可能になる。すなわち、従来の光
磁気記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎ比を最大約６ｄＢ大きく
することができる。
転角のｓｂ組成依存性を、それぞれ第７図及び第８図に
示す。ｓｂ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈルー
プの角型比が悪くなる。そのため、添加するｓｂ組成は
より好ましくは１５原子％以下がよい。第７図及び第８
図より、本実施例に於てはカー回転角の大きさを最大１
．９倍にし、周期構造がない媒体に比べ大幅にカー回転
角を大きくすることが可能になる。すなわち、従来の光
磁気記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎ比を最大約６ｄＢ大きく
することができる。
実施例４
実施例４に於ける光磁気記録媒体は、ＤＣマグネトロン
スパッタ法で、Ｎｄ１３Ｄｙ８７合金ターゲットおよび
ＦｅＢ４Ｃｏ１６合金ターゲットの２つのターゲットを
用い基板を回転させ、第１図に示すように垂直磁化膜４
をガラス基板１上に作製した。さらにＦｅＢ４Ｃｏ１６
合金ターゲットの上には、Ａｓチップが置かれており、
このチップの数を変えることによりＡｓ含有組成を変化
させることができる。このときのＮｄ１３Ｄｙ８７層２
−層当たりの膜厚は８人であり、Ａｓを含むＦｅＢ４Ｃ
ｏ１６層３−層当たりの膜厚は９人である。垂直磁化膜
４の全膜厚を１０００人とし、酸化防止のため表面には
保護膜５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期
構造を確認した。
スパッタ法で、Ｎｄ１３Ｄｙ８７合金ターゲットおよび
ＦｅＢ４Ｃｏ１６合金ターゲットの２つのターゲットを
用い基板を回転させ、第１図に示すように垂直磁化膜４
をガラス基板１上に作製した。さらにＦｅＢ４Ｃｏ１６
合金ターゲットの上には、Ａｓチップが置かれており、
このチップの数を変えることによりＡｓ含有組成を変化
させることができる。このときのＮｄ１３Ｄｙ８７層２
−層当たりの膜厚は８人であり、Ａｓを含むＦｅＢ４Ｃ
ｏ１６層３−層当たりの膜厚は９人である。垂直磁化膜
４の全膜厚を１０００人とし、酸化防止のため表面には
保護膜５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周期
構造を確認した。
比較例４は、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、ＦｅＢ４
Ｃｏ１６合金ターゲット上にＮｄ、ＤｙおよびＡｓチッ
プを置いた複合ターゲットを用いて、周期構造が無い垂
直磁化膜６をガラス基板上に作製した。また、垂直磁化
膜６の全膜厚な１０００人とし、酸化防止のめた表面に
は保護膜５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周
期構造がないことを確認した。
Ｃｏ１６合金ターゲット上にＮｄ、ＤｙおよびＡｓチッ
プを置いた複合ターゲットを用いて、周期構造が無い垂
直磁化膜６をガラス基板上に作製した。また、垂直磁化
膜６の全膜厚な１０００人とし、酸化防止のめた表面に
は保護膜５を４００人つけた。さらに小角Ｘ線回折で周
期構造がないことを確認した。
次に、第１図及び第２図に示した光磁気記録媒体のカー
回転角のＡｓ組成依存性を、それぞれ第９図及び第１０
図に示す。Ａｓ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈ
ループの角型比が悪くなる。そのため、添加するｐｂ組
成はより好ましくは１５原子％以下がよい。第９図及び
第１０図より、周期構造がない媒体においては、カー回
転角はほとんど変化しないが、本実施例に於てはカー回
転角の大きさを最大１．６倍にし、大幅にカー回転角を
大きくすることが可能になる。すなわち、従来の光磁気
記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎ比を最大約４ｄＢ大きくする
ことができる。
回転角のＡｓ組成依存性を、それぞれ第９図及び第１０
図に示す。Ａｓ組成が１５原子％より多くなるとＭ−Ｈ
ループの角型比が悪くなる。そのため、添加するｐｂ組
成はより好ましくは１５原子％以下がよい。第９図及び
第１０図より、周期構造がない媒体においては、カー回
転角はほとんど変化しないが、本実施例に於てはカー回
転角の大きさを最大１．６倍にし、大幅にカー回転角を
大きくすることが可能になる。すなわち、従来の光磁気
記録媒体と比べて、Ｃ／Ｎ比を最大約４ｄＢ大きくする
ことができる。
（発明の効果）
本発明によれば、少なくとも一種類以上の希土類金属か
らなる層と、Ｆｅ、 Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも一種
類以上の元素からなる層とを交互に積層し、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉのうち少なくとも一種類以上の元素からなる層に
、Ｐｂ、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉのうち少なくと
も一種類以上の元素を含有せしめることにより、カー回
転角を大幅に増大させることができ、記録再生時に於け
るＣ／Ｎ比を大きくすることができる。
らなる層と、Ｆｅ、 Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも一種
類以上の元素からなる層とを交互に積層し、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉのうち少なくとも一種類以上の元素からなる層に
、Ｐｂ、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉのうち少なくと
も一種類以上の元素を含有せしめることにより、カー回
転角を大幅に増大させることができ、記録再生時に於け
るＣ／Ｎ比を大きくすることができる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の実施例を示す断
面図、 第２図は光磁気記録媒体の比較例を示す断面図、第３図
は本発明におけるカー回転角とＢｉ組成との関係図、 第４図は比較例におけるカー回転角とＢｉ組成との関係
図、 第５図は本発明におけるカー回転角とｐｂ組成との関係
図、 第６図は比較例におけるカー回転角とｐｂ組成との関係
図、 第７図は本発明におけるカー回転角とｓｂ組成との関係
図、 第８図は比較例におけるカー回転角とｓｂ組成との関係
図、 第９図は本発明におけるカー回転角とＡｓ組成との関係
図、 第１０図は比較例におけるカー回転角とＡｓ組成との関
係図、 である。
面図、 第２図は光磁気記録媒体の比較例を示す断面図、第３図
は本発明におけるカー回転角とＢｉ組成との関係図、 第４図は比較例におけるカー回転角とＢｉ組成との関係
図、 第５図は本発明におけるカー回転角とｐｂ組成との関係
図、 第６図は比較例におけるカー回転角とｐｂ組成との関係
図、 第７図は本発明におけるカー回転角とｓｂ組成との関係
図、 第８図は比較例におけるカー回転角とｓｂ組成との関係
図、 第９図は本発明におけるカー回転角とＡｓ組成との関係
図、 第１０図は比較例におけるカー回転角とＡｓ組成との関
係図、 である。
Claims (1)
- 少なくとも一種類以上の希土類金属からなる層と、少
なくとも一種類以上の３ｄ遷移金属からなる層とを交互
に積層してなる光磁気記録媒体において、少なくとも一
種類以上の３ｄ遷移金属からなる層に、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ
、Ｓｂ、Ｂｉのうち少なくとも一種類以上の元素を含有
して成る光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333523A JP2555896B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333523A JP2555896B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194745A true JPH03194745A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2555896B2 JP2555896B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=18266997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333523A Expired - Lifetime JP2555896B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555896B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103314A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6118107A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Ricoh Co Ltd | 非晶質磁気光学層 |
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1333523A patent/JP2555896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555896B2 (ja) | 1996-11-20 |
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