JPH03194924A - 縦型処理装置 - Google Patents
縦型処理装置Info
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- JPH03194924A JPH03194924A JP33358989A JP33358989A JPH03194924A JP H03194924 A JPH03194924 A JP H03194924A JP 33358989 A JP33358989 A JP 33358989A JP 33358989 A JP33358989 A JP 33358989A JP H03194924 A JPH03194924 A JP H03194924A
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- Japan
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- furnace
- process gas
- processing furnace
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- vertical
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、縦型処理装置に関する。
（従来の技術）
縦型処理装置は、縦型の処理炉内において被処理体の処
理を行う装置であり、このような装置としては、例えば
半導体ウェハの縦型気相成長装置や縦型熱拡散炉等があ
る。
理を行う装置であり、このような装置としては、例えば
半導体ウェハの縦型気相成長装置や縦型熱拡散炉等があ
る。
この種の縦型処理装置では、第４図に示すように、縦型
処理炉１０内に、被処理体搬送治具であるウェハボート
１２がローディングされており、このウェハボート１２
に、被処理基板であるウェハ１４が水平状態で複数枚縦
方向に所定間隔おいて配列支持されている。また、上記
縦型処理炉１０の周囲には、図示はしていないが縦型処
理炉１０内の温度を所望の温度に加熱するためのヒータ
が設けられており、ウェハ１４の処理を行う際に縦型処
理炉１０内の温度を例えば１０００”Ｃ程度に加熱する
ものである。
処理炉１０内に、被処理体搬送治具であるウェハボート
１２がローディングされており、このウェハボート１２
に、被処理基板であるウェハ１４が水平状態で複数枚縦
方向に所定間隔おいて配列支持されている。また、上記
縦型処理炉１０の周囲には、図示はしていないが縦型処
理炉１０内の温度を所望の温度に加熱するためのヒータ
が設けられており、ウェハ１４の処理を行う際に縦型処
理炉１０内の温度を例えば１０００”Ｃ程度に加熱する
ものである。
一方、ウェハ１４の処理を行う際に使用するプロセスガ
スを供給するプロセスガス導入管１６のガス導入口１８
は、ジヨイント２ｏを介して前記縦型処理炉ｌＯの中心
軸上で末端側である上部突起部２２の側面部に接続され
、このガス導入口１８よりプロセスガスを縦型処理炉１
０内に略均−に供給しつつ、ガス排出口２４から排気し
ている。
スを供給するプロセスガス導入管１６のガス導入口１８
は、ジヨイント２ｏを介して前記縦型処理炉ｌＯの中心
軸上で末端側である上部突起部２２の側面部に接続され
、このガス導入口１８よりプロセスガスを縦型処理炉１
０内に略均−に供給しつつ、ガス排出口２４から排気し
ている。
上記のような構成において、ガス導入口１８から導入さ
れたプロセスガスは、図のように縦型処理炉１０の上部
突起部２０の側面から所定の温度に加熱された縦型処理
炉１０内部に略均−に供給され、拡散してウェハボート
１２に載置されたウェハ１４付近に達する。そして、プ
ロセスガスの反応により、ウェハ１４の表面上に酸化膜
や拡散層等が形成される。
れたプロセスガスは、図のように縦型処理炉１０の上部
突起部２０の側面から所定の温度に加熱された縦型処理
炉１０内部に略均−に供給され、拡散してウェハボート
１２に載置されたウェハ１４付近に達する。そして、プ
ロセスガスの反応により、ウェハ１４の表面上に酸化膜
や拡散層等が形成される。
上述したようなガスを均一に導入する技術は、例えば特
開昭６１−９７８２１．１特開昭６１−１１４５２２．
実開昭５２−１．３１９５８．実開昭６１−１７９７３
５号公報に開示されている。
開昭６１−９７８２１．１特開昭６１−１１４５２２．
実開昭５２−１．３１９５８．実開昭６１−１７９７３
５号公報に開示されている。
（発明が解決しようとする課題）
上記のような従来の縦型処理装置においては、上述のよ
うにプロセスガスのガス導入口１８が縦型処理炉１０の
上部突起部２２の側面部に臨んで接続されているので、
プロセスガスは上部突起部２２の側面から導入され、炉
内を拡散してウェハボート１２に載置されたウェハ１４
の方向に違するが、この場合、プロセスガスは特定の方
向性、すなわちガス導入口１８の取付は場所に依存した
方向性を持ちながら拡散するので、プロセスガスが均一
に炉内を拡散せず、この結果、ウェハの処理も均一に行
うことが困難であった。
うにプロセスガスのガス導入口１８が縦型処理炉１０の
上部突起部２２の側面部に臨んで接続されているので、
プロセスガスは上部突起部２２の側面から導入され、炉
内を拡散してウェハボート１２に載置されたウェハ１４
の方向に違するが、この場合、プロセスガスは特定の方
向性、すなわちガス導入口１８の取付は場所に依存した
方向性を持ちながら拡散するので、プロセスガスが均一
に炉内を拡散せず、この結果、ウェハの処理も均一に行
うことが困難であった。
そこで、本発明の目的とするところは、プロセスガスを
処理炉内に均一に拡散させることができる縦型処理装置
を提供することにある。
処理炉内に均一に拡散させることができる縦型処理装置
を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、縦型の処理炉と、この処理炉内にプロセスガ
スを供給するプロセスガス導入管とを有し、前記処理炉
内において被処理体の処理を行う縦型処理装置において
、前記プロセスガス導入管を、前記処理炉の末端側の炉
壁より内部に突入させ、この突入部の末端を密閉してそ
の側壁にガス導入口を開口させたことを特徴とする。
スを供給するプロセスガス導入管とを有し、前記処理炉
内において被処理体の処理を行う縦型処理装置において
、前記プロセスガス導入管を、前記処理炉の末端側の炉
壁より内部に突入させ、この突入部の末端を密閉してそ
の側壁にガス導入口を開口させたことを特徴とする。
（作用）
上記構成によれば、プロセスガスのガス導入管が、処理
炉内部まで突入され、その末端が密閉されているので、
ガス供給圧が作用する管の軸方向に直接ガスが噴出せず
、突入された管の側壁にて開口しているガス導入口より
噴出されることになる。したがって、プロセスガスは特
定の方向性を持つことなく、処理炉内部にて均一に拡散
して被処理体付近に達する。
炉内部まで突入され、その末端が密閉されているので、
ガス供給圧が作用する管の軸方向に直接ガスが噴出せず
、突入された管の側壁にて開口しているガス導入口より
噴出されることになる。したがって、プロセスガスは特
定の方向性を持つことなく、処理炉内部にて均一に拡散
して被処理体付近に達する。
なお、ガス導入口が開口する方向を、請求項（２）に示
すように、処理炉の末端の炉壁に向けて設けることによ
り、ガス導入口から導入されたプロセスガスは一旦処理
炉末端の炉壁に向は噴出し、炉壁で反射して拡散するの
で、より均一な処理を行うことができる。
すように、処理炉の末端の炉壁に向けて設けることによ
り、ガス導入口から導入されたプロセスガスは一旦処理
炉末端の炉壁に向は噴出し、炉壁で反射して拡散するの
で、より均一な処理を行うことができる。
（実施例）
以下、本発明を半導体ウェハに対する拡散装置に適用し
た一実施例について図面を参照して具体的に説明する。
た一実施例について図面を参照して具体的に説明する。
第１図は、実施例に係る縦型拡散装置の概略断面図であ
り、同図に示す部材のうち、第４図に示した部材と同一
機能を有する部材については同一符合を付してその詳細
な説明を省略する。
り、同図に示す部材のうち、第４図に示した部材と同一
機能を有する部材については同一符合を付してその詳細
な説明を省略する。
本実施例装置が、従来の第４図に示す装置と相違する点
は下記のとおりである。
は下記のとおりである。
不実施゛例に係る縦型処理装置のプロセスガス導入管１
６は、縦型処理炉１０の末端側である上部突起部２２内
に突入して設けられ、このガス導入管１６の末端は密閉
され、かつ、ガス導入口２６は縦型処理炉１０の軸心上
にて上記ガス導入管２０の側壁に開口している。このガ
ス導入口２６は、本実施例においては図のように上部方
向に設けられている。
６は、縦型処理炉１０の末端側である上部突起部２２内
に突入して設けられ、このガス導入管１６の末端は密閉
され、かつ、ガス導入口２６は縦型処理炉１０の軸心上
にて上記ガス導入管２０の側壁に開口している。このガ
ス導入口２６は、本実施例においては図のように上部方
向に設けられている。
さらに、本実施例の装置においては、縦型処理炉１０内
のガス導入口２６とウェハボート１２との間にはバッフ
ァ板２８が設けられているが、これについては後に詳述
する。
のガス導入口２６とウェハボート１２との間にはバッフ
ァ板２８が設けられているが、これについては後に詳述
する。
上記のように構成された縦型処理装置においては、ガス
導入管２０で供給されるプロセスガスは、その供給圧力
が直接作用する管の軸方向より噴出せず、その側壁に開
口しているガス導入口より噴出する。したがって、ガス
供給圧力による特定の噴出方向を持たずに縦型熱処理炉
１０内部に導入されることになる。しかも、ガス導入口
２６から導入されたプロセスガスは、−呈上部突起部２
２の上部壁に当たり、十分に拡散した後に炉内下部方向
へ拡散して行く。すなわち、ガス導入口２６が縦型処理
炉１０内の上部しかも軸心上に設けられていることによ
り、プロセスガスは水平方向における特定の方向性を持
つことなく導入されるので、プロセスガスは炉内の上部
中央付近から順次拡散してゆき、均一な状態でウェハ１
４の載置されたウェハボート１２に達する。
導入管２０で供給されるプロセスガスは、その供給圧力
が直接作用する管の軸方向より噴出せず、その側壁に開
口しているガス導入口より噴出する。したがって、ガス
供給圧力による特定の噴出方向を持たずに縦型熱処理炉
１０内部に導入されることになる。しかも、ガス導入口
２６から導入されたプロセスガスは、−呈上部突起部２
２の上部壁に当たり、十分に拡散した後に炉内下部方向
へ拡散して行く。すなわち、ガス導入口２６が縦型処理
炉１０内の上部しかも軸心上に設けられていることによ
り、プロセスガスは水平方向における特定の方向性を持
つことなく導入されるので、プロセスガスは炉内の上部
中央付近から順次拡散してゆき、均一な状態でウェハ１
４の載置されたウェハボート１２に達する。
特に、本実施例のようにガス導入口２６が上部方向に開
口している場合には、導入されたプロセスガスは縦型処
理炉１０の上部突起部２２の上部壁に当たり、十分に拡
散された後に下部方向へ拡散するので、プロセスガスの
拡散の均一性が増す。
口している場合には、導入されたプロセスガスは縦型処
理炉１０の上部突起部２２の上部壁に当たり、十分に拡
散された後に下部方向へ拡散するので、プロセスガスの
拡散の均一性が増す。
第２図は、縦型処理炉１０のバッファ板２８を含む面の
断面図である。図に示すように、このバッファ板２８の
面内には細かい開口部が無数に設けられており、プロセ
スガスはこの開口部３０を通ってウェハ１４方向へ拡散
する。
断面図である。図に示すように、このバッファ板２８の
面内には細かい開口部が無数に設けられており、プロセ
スガスはこの開口部３０を通ってウェハ１４方向へ拡散
する。
このバッファ板２８は、例えば縦型処理炉１゜と同様に
石英等で構成することができ、開口部３０は例えばレー
ザ光等により穴径０．５〜２龍の穴で構成される。また
、このバッファ板２８は、縦型処理炉１０と一体に形成
してもよいし、縦型処理炉１０とは別個に形成して取付
けてもよい。
石英等で構成することができ、開口部３０は例えばレー
ザ光等により穴径０．５〜２龍の穴で構成される。また
、このバッファ板２８は、縦型処理炉１０と一体に形成
してもよいし、縦型処理炉１０とは別個に形成して取付
けてもよい。
このバッファ板２８により、ガス導入口２６から導入さ
れたプロセスガスは、まず縦型処理炉１０の上部突起部
２２の炉壁に当たり、拡散されてウェハ１４方向へ向か
う。そして、途中でバッファ板２８の存在によりさらに
拡散され、バッファ板２８に設けられた開口部３０を通
ってウェハ１４付近に達する。この状態ではプロセスガ
スは十分均一に拡散しているので、ウェハの処理を極め
て均一に行うことが可能となる。
れたプロセスガスは、まず縦型処理炉１０の上部突起部
２２の炉壁に当たり、拡散されてウェハ１４方向へ向か
う。そして、途中でバッファ板２８の存在によりさらに
拡散され、バッファ板２８に設けられた開口部３０を通
ってウェハ１４付近に達する。この状態ではプロセスガ
スは十分均一に拡散しているので、ウェハの処理を極め
て均一に行うことが可能となる。
次に、第二実施例について第３図を参照して説明する。
第３図は、縦型処理装置を上部方向から見た概略図であ
り、この実施例においては、プロセスガス導入管３２は
二股に分かれており、ガス導入口３４は二箇所設けられ
ている。従って、プロセスガスは三箇所から供給される
ので、第一実施例の場合よりもさらに均一にプロセスガ
スを拡散させることができる。この場合、ガス導入口３
４は三箇所に限定する必要はなく、三箇所以上設けても
良い。
り、この実施例においては、プロセスガス導入管３２は
二股に分かれており、ガス導入口３４は二箇所設けられ
ている。従って、プロセスガスは三箇所から供給される
ので、第一実施例の場合よりもさらに均一にプロセスガ
スを拡散させることができる。この場合、ガス導入口３
４は三箇所に限定する必要はなく、三箇所以上設けても
良い。
なお、上記各実施例においては、ガス導入口を上部方向
に開口させた例を示したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、ガス導入口を下部方向に開口させてもよ
いことは言うまでもない。
に開口させた例を示したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、ガス導入口を下部方向に開口させてもよ
いことは言うまでもない。
さらに本発明は、ガス導入口の形状や個数を上記実施例
に限定するものではなく、本発明の技術思想としての範
囲内で種々の変形実施が可能である。
に限定するものではなく、本発明の技術思想としての範
囲内で種々の変形実施が可能である。
さらに本発明は、縦型拡散装置のみならず、縦型熱気相
成長炉等の縦型炉を有する種々の装置に適用できる。ま
た、上端側より被処理体を搬入出するタイプの縦型炉で
は、その末端である下端側にガス導入管を突入して接続
すればよい。
成長炉等の縦型炉を有する種々の装置に適用できる。ま
た、上端側より被処理体を搬入出するタイプの縦型炉で
は、その末端である下端側にガス導入管を突入して接続
すればよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、プロセスガス導
入管のガス導入口を、処理炉内部まヤ突入させ、この突
入部の末端を密閉してその側壁にガス導入口を開口させ
ることにより、プロセスガスを縦型処理炉内に均一に拡
散させることができるので、処理炉内の被処理体の処理
を極めて均一に行うことができる。
入管のガス導入口を、処理炉内部まヤ突入させ、この突
入部の末端を密閉してその側壁にガス導入口を開口させ
ることにより、プロセスガスを縦型処理炉内に均一に拡
散させることができるので、処理炉内の被処理体の処理
を極めて均一に行うことができる。
第１図は、本発明に係る縦型処理装置の一実施例を示す
概略断面図、 第２図は、バッファ板を設けた状態の縦型処理装置の断
面図、 第３図は、本発明に係る縦型処理装置の第二実施例を示
す上部平面図、 第４図は、従来の縦型処理装置の概略断面図である。 １０・・・縦型処理炉、１２・・・ウェハボート、１４
・・・ウェハ、 １６．３２・・・プロセスガス導入管、１８．２６．．
３４・・・ガス導入口、２０・・・ジヨイント、２２・
・・上部突起部、２４・・・ガス排出口、 ２８・・・バッファ板、 ３０・・・開口部。
概略断面図、 第２図は、バッファ板を設けた状態の縦型処理装置の断
面図、 第３図は、本発明に係る縦型処理装置の第二実施例を示
す上部平面図、 第４図は、従来の縦型処理装置の概略断面図である。 １０・・・縦型処理炉、１２・・・ウェハボート、１４
・・・ウェハ、 １６．３２・・・プロセスガス導入管、１８．２６．．
３４・・・ガス導入口、２０・・・ジヨイント、２２・
・・上部突起部、２４・・・ガス排出口、 ２８・・・バッファ板、 ３０・・・開口部。
Claims (2)
- （１）縦型の処理炉と、この処理炉内にプロセスガスを
供給するプロセスガス導入管とを有し、前記処理炉内に
おいて被処理体の処理を行う縦型処理装置において、 前記プロセスガス導入管を、前記処理炉の末端側の炉壁
より内部に突入させ、この突入部の末端を密閉してその
側壁にガス導入口を開口させたことを特徴とする縦型処
理装置。 - （２）請求項（１）において、 前記ガス導入口を、前記処理炉の末端の炉壁に向けて開
口させた縦型処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333589A JP2729238B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 縦型処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333589A JP2729238B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 縦型処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194924A true JPH03194924A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2729238B2 JP2729238B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=18267734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333589A Expired - Fee Related JP2729238B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 縦型処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729238B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5704981A (en) * | 1995-04-05 | 1998-01-06 | Tokyo Electron Ltd. | Processing apparatus for substrates to be processed |
| KR100559198B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-03-10 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154639U (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-01 | ||
| JPS63161612A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型炉 |
| JPH01225314A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nec Kyushu Ltd | 炉芯管 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1333589A patent/JP2729238B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154639U (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-01 | ||
| JPS63161612A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型炉 |
| JPH01225314A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nec Kyushu Ltd | 炉芯管 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5704981A (en) * | 1995-04-05 | 1998-01-06 | Tokyo Electron Ltd. | Processing apparatus for substrates to be processed |
| KR100559198B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-03-10 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2729238B2 (ja) | 1998-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |