JPH03195362A - リンギングチョークコンバータ - Google Patents

リンギングチョークコンバータ

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JPH03195362A
JPH03195362A JP33157789A JP33157789A JPH03195362A JP H03195362 A JPH03195362 A JP H03195362A JP 33157789 A JP33157789 A JP 33157789A JP 33157789 A JP33157789 A JP 33157789A JP H03195362 A JPH03195362 A JP H03195362A
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JP
Japan
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voltage
fet
winding
switching element
output
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JP33157789A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Matsumae
博 松前
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、直流電圧を所定電圧に昇圧(又は降圧)する
直流−直流変換器に関する。
[従来の技術] 従来より、直流−直流変換器の一つとして、次側に主巻
線及び補助巻線を設けると共1ニニ次側には出力巻線を
設けた変圧器と、直流電源から主巻線への通電を断続す
るスイッチング素子と、次巻線への通電電流により補助
巻線に誘起された電圧をスイッチング素子のバイアス側
に戻すことでスイッチング素子に正帰還をかける正帰還
回路とを備え、スイッチング素子の自励発振(スイッチ
ング)によって直流電圧を昇圧あるいは降圧するリンギ
ングチョークコンバータ(以下、RCCという)が知ら
れている。
[発明が解決しようとする課題] この種のRCCには、電源電圧の変動や出力側負荷の変
化によって出力電圧が変動するといった問題があり、出
力安定化のための回路技術の開発が望まれている。特に
、RCCは他の直流−直流変換器の補助電源として用い
られることが多く、この場合には負荷変動によるよりも
電源電圧の変動によって出力電圧が不安定になるので、
これに対する対策が求められている。
この対策の一つとして、スイッチング素子にバイポーラ
トランジスタを用いたRCCでは、上記正帰還回路に、
補助巻線の電圧が所定値を超えると、トランジスタのベ
ース電流を分流して低減させるベース電流制御回路を備
え、出力電圧(出力電圧と補助巻線電圧とは比例関係に
ある)が定格電圧を超えるとベース電流を低減させてト
ランジスタをオフさせることで、トランジスタのオン期
間を短縮して電圧上昇を抑え出力電圧を安定化すること
が考えられる。
しかし、バイポーラトランジスタは、コレクタエミッタ
間の順電圧降下が大きく、したがってそのコレクタ損失
が大きく電力消費のロスも多い。
一 さらに、ベースバイアス電流は、コレクタ電流に比して
小さいとはいえ、その電力消費も無視できえない。その
ため、バイポーラトランジスタに代えて、たとえば、順
電圧降下が非常に小さくバイアス電流を要しないという
特性をもつ周知の電界効果トランジスタ(以下、FET
という)を用いることが望ましいが、上記のバイポーラ
トランジスタを用いたRCCにおける出力電圧安定化の
技術を、スイッチング素子にFETを用いたRCCに適
用して、その出力電圧を安定化させることはできない。
つまり、FETはドレイン電流をゲート電圧で制御する
ものであって、ゲートからソースには極めて僅かな電流
しか流れないので、上記のベース電流制御回路を用いて
FFTのオン期間を短縮することはできないからである
そこで、本発明は電源電圧に応じてスイッチング素子の
バイアス電圧を制御することで出力電圧を安定化させる
リンギングチョークコンバータを提供することを目的と
してなされ!′−[課題を解決するための手段] 4 本発明の要旨とするところは、 一次側に主巻線及び補助巻線を備えると共に二次側に二
次巻線を備えた変圧器と、 直流電源から該主巻線への通電を断続するスイッチング
素子と、 該スイッチング素子に上記補助巻線に誘起された電圧を
バイアス電圧として印加するバイアス回路と、 該バイアス回路の出力するバイアス電圧を制御すること
で上記スイッチング素子の導通を遮断する補助スイッチ
ング素子と、 上記補助巻線に誘起された電圧を所定時定数で蓄電して
バイアス電圧として上記補助スイッチング素子に出力す
る積分回路と、 上記変圧器の二次巻線に接続さね上記主巻線の通電停止
時に導通して該二次巻線からの電流を通す整流素子と、 該整流素子の出力を平滑する平滑回路と、を備えたリン
ギングチョークコンバータにある。
[作用] 以上のように構成された本発明のリンギングチョークコ
ンバータによれば、スイッチング素子が導通して、直流
電源から変圧器の主巻線へ電流が流れると、電源電圧に
略比例する電圧が主巻線と補助巻線とにそれぞれ誘起さ
れる。すると、バイアス回路により補助巻線の誘起電圧
が、スイッチング素子にバイアス電圧として印加される
ので、スイッチング素子は導通状態を継続する。一方、
補助巻線の誘起電圧が積分回路に入力されると、その誘
起電圧に対して所定時定数をもって積分回路の出力電圧
が上昇し、この出力電圧がバイアス電圧として補助スイ
ッチング素子に印加される。
それで、補助スイッチング素子が導通してバイアス回路
の出力するバイアス電圧を制御することで、スイッチン
グ素子の導通を遮断する。電源電圧が上昇すると、補助
巻線の誘起電圧が上昇して、積分回路の出力電圧の立上
がりが急峻になるので、補助スイッチング素子の導通開
始が早くなり、したがってスイッチング素子の遮断タイ
ミングも早くなる。
[実施例] 以下に本発明の一実施例を図面と共に説明する。
まず第1図は、本発明が適用された実施例のリンギング
チョークコンバータを表す電気回路図である。
図に示すように、リンギングチョークコンバタ(以下、
RCCという)]には、−次側に主巻線Lla及び補助
巻線Llbが設けられると共に二次側には主巻線Lla
と反対の極性に巻回された二次巻線L2が設けられた変
圧器3と、直流電源5から主巻線Llaへの通電を断続
する第1の電界効果トランジスタ(以下、第1FETと
いう)7と、補助スイッチング素子としての第2の電界
効果トランジスタ(以下、第2FETという)9と、出
力側が第2FET9のゲートに接続され入力側が補助巻
線Llbの一端に接続された積分回路1]と、第1FE
T7がターンオフしたときに変圧器3の二次巻線L2に
誘起される電圧に対して順方向となるように、二次巻線
L2に設けられた整流用ダイオードDREと、変圧器3
の二次側出力を平滑するための平滑コンデンサC3Mと
が備えられている。
変圧器3の主巻線Llaでは、一端が直流電源5の正極
に接続され、他端が第1FET7のドレイン−ソースを
介して直流電源5の負極に接続されている。一方補助巻
線Llbでは、一端が第1FET7のソースに接続され
ると共に起動抵抗R]を介して同ゲートに接続され、他
端がコンデンサC]及び抵抗R2を介して第1FET7
のゲートに接続されると共に積分回路]]の入力側に接
続されている。つまり、第1FET7のゲートには、補
助巻線Llbに誘起した電圧VBが印加さね第2FET
9のゲートには誘起電圧VBが積分回路1]を介して印
加されるように構成されている。
また、第1FET7のゲートは、抵抗R3及び抵抗R4
を介して直流電源5の正極側に、抵抗R3及びコンデン
サC2を介して直流電源5の負極側に、それぞれ接続さ
れていると共に、第2FET9のドレインにも接続され
、 さらに第1FET=8− 7のソースと第2FET9のソースとが接続されている
。つまり、第2FET9がターンオンすると、第1 F
ET7のゲート−ソース間の電位差がなくなって第1F
ET7がターンオフするように構成されている。
なお、補助巻線Llbの誘起電圧VBが第2FET9の
ゲートバイアス電圧以上になるように、主巻線Llaと
補助巻線Llbとの巻数比が定められている。また、抵
抗R3、起動抵抗R1及び抵抗R4のそれぞれの大きさ
は、スイッチ]5が入ったときに、起動抵抗R1の両端
電圧が第1FET7のゲートバイアス電圧V GSIの
閾値を超えるように設定されている。
積分回路]1は、抵抗R5とコンデンサC3とからなる
周知のCR回路に、抵抗R5をバイパスするバイパス回
路]3を設けたものである。バイパス回路]3は、第2
FET9のゲートバイアス電圧VGS2に対して順方向
のダイオードD]と、該バイアス電圧V GS2に対し
て逆方向でありアノードが抵抗R6を介してダイオード
D1のアノードに接続された定電圧ダイオードTZとの
直列回路として構成されている。
積分回路]]の出力電圧は、誘起電圧VBが発生すると
、積分回路1]の時定数をもって上昇する。補助巻線L
lbの誘起電圧VBが、さらに上昇し、所定電圧(定電
圧ダイオードTZのブレークダウン電圧vZ)以上にな
ると、定電圧ダイオードTZが導通し抵抗R5と抵抗R
6とが並列になり積分回路]]の時定数を変える。すな
わち、コンデンサC3の充電時間が短縮さね積分回路]
1の出力電圧が第2FET9のゲートバイアス電圧V 
GS2の閾値VSを超えるまでの時間が短縮されので、
第2FET9がターンオンするのが早くなる。
以下に、第2図に沿ってRCCIの動作を説明する。
まず、スイッチを15を入れると、第1FET7のゲー
トにバイアス電圧V GSIが印加され、 第1FET
7のドレイン−ソース間のチャネルが開通し直流電源5
から変圧器3の主巻線Llaへ電流が流れ始める。する
と、電源電圧V1に略比例して、主巻線Llaに電圧V
Aが誘起されると共に補助巻線Llbにも電圧VBが誘
起さね この誘起電圧VBが第1FFT7のゲートに戻
されてバイアス電圧V GSIが上昇する。そのため、
第1FET7の上記チャネル幅が拡大して完全にドレイ
ン−ソース間が導通する。また、コンデンサC2によっ
て第1FET7のゲートに漏れバイアス電流(極微小電
流)が供給されるので、第1FFT7はオン状態を継続
することができる。尚第2図において、誘起電圧VBは
、第1 FET7の順バイアス方向を正の電圧として記
載されている。
第1FFT7のオン期間中には、主巻線Llaを流れる
電流は、主巻線L]aのインダクタンスをし、時間をt
とすると、(Vi*t)/L となり、時間に比例して
増大する。つまり、第1FET7のオン期間の長さによ
って電流レベルが決まり、したがって変圧器3に蓄積さ
れるエネルギ量が決まる。そして、第1FET7のオン
期間中、変圧器3の二次巻線L2では、整流用ダイオー
ドDRE1 に対して逆方向の電圧が発生するので、変圧器3の二次
側には電流が流れない。
一方、誘起電圧VBは積分回路11に入力さね積分回路
]1の出力電圧(=VGS2)が、所定時間の後に、第
2FET9のゲートバイアス電圧VGS2の閾値VSに
達する。そこで、第2FFT9はターンオンし、第1 
FET7がターンオフする。
すると、変圧器3では主巻線Lla及び補助巻線Llb
には、主巻線Llaに電流を流し続ける方向)こ電圧が
発生し誘起電圧VBは負電位となる。
したがって、積分回路]]の出力電圧(=VGS2 )
も負電位に反転し第2FET9もターンオフする。
そして、コンデンサC3に蓄積された電荷が、抵抗R5
、補助巻線Llbから直流電源5に回収される。なお、
ダイオードD]によって、コンデンサC3から定電圧ダ
イオードTZを通しての放電が阻止されコンデンサC3
の負電位が調節される。
このとき、変圧器3の二次巻線L2には整流用ダイオー
ドDREに対して順方向の電圧VCが発生するので、整
流用ダイオードDREからコンデンサ2 CSMへと電流が流れコンデンサC3Mが充電され負荷
に電圧VOUTを出力する。そして、変圧器3に蓄積さ
れていたエネルギが二次側へ放出されると、整流用ダイ
オードDREを流れる電流は零になり整流用ダイオード
DREがターンオフする。
整流用ダイオードDREがターンオフした瞬間、第1F
ET7のゲートにはバイアス電圧VGSIが印加され直
流電源5から抵抗R3を介して電流が供給されるので、
第1 FET7はターンオンし、第1FET7の自励発
振が継続する。
このようにRCClでは、第1FET7が一定周波数で
発振することで、直流電圧を所定電圧VOUTに昇圧し
て外部負荷LDに出力する。
ここで、電源電圧V1が何等かの理由で定格電圧を超え
て上昇したとする。この場合、第1FET7がターンオ
ンすると、主巻線し]aの誘起電圧VAは電源電圧Vi
が正常のときより上昇し、主巻線Llaを流れる電流の
立ち上がりが急峻となる。同時に、第2図に破線で示す
ように、補助巻線Llbの誘起電圧VBも上昇するので
、積分回路]1の出力(=vGS2)が第2FET9(
7)ゲトバイアス電圧VGS2の閾値vSに達するまで
の時間が短くなる。したがって、第2FET9のオン開
始のタイミングが早くなるので、第1FET7も早くタ
ーンオフし第1FET7のオン期間が短縮される。その
結果、主巻線Llaを流れる電流レベルは電源電圧V1
の正常時と同レベルに留まり、したがって変圧器3に蓄
積されたエネルギ量も同レベルとなるので、二次側出力
電圧VOUTは変化せず安定する。
しかし、このように電源電圧Viの上昇に応じて、第1
FET7のオン−オフデユーティのオン期間を短縮させ
ても、出力電圧VOUTは、整流ダイオードDREの順
電圧降下、各巻線Lla、Llb、L2の抵抗値、第1
FET7のターンオン時間などの影響で、出力電圧VO
UTの上昇を抑制できないことがある。特に、電源電圧
V1が高い程、出力電圧VOUTが上昇しやすく、電源
電圧V1が大きく上昇したときには、出力電圧VOUT
が上昇してしまう。このように電源電圧V1が著しく上
昇し、補助巻線Llbの誘起電圧VBもブレークダウン
電圧vZを超えて上昇したとき、積分回路11では、定
電圧ダイオードTZが導通し]ンデンザC3が急速に充
電される。そのため、積分回路1]の出力電圧(=VG
S2 )がより短時間で第2FET9のゲートバイアス
電圧V GS2の閾値VSに達するので、第1FET7
がより早くターンオフする。
これで、第1FET7のオン期間が大きく短縮され、 
変圧器3に蓄積されるエネルギ量が従前のレベルに留ま
るので二次側出力電圧VOIJTの上昇が抑制され安定
する。
上記したように本実施例では、電源電圧v1の上昇に応
じで、第1FET7のオン−オフデユティのオン期間を
短縮させて出力電圧V OUTを所定レベルに保ち、さ
らに、電源電圧V1が著しく上昇し、補助巻線Llbの
誘起電圧VBが所定レベル(VZ )を超えて上昇した
ときには、積分回路]]の時定数を変えることで第1F
ET7のオ゛ン期間を一層短縮して出力電圧VOUTの
上昇を抑5− 制する。それゆえ、電源電圧V1が大きく上昇しても出
力電圧VOUTを所定レベルに安定的に保つことができ
る。
また、スイッチング素子としてFETを用いたので、従
来のバイポーラトランジスタを用いたRCCよりも電力
消費のロスが少なく、発熱量も少ない。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、電源電圧の上昇に
応じてスイッチング素子の導通期間が短縮されるので、
電源電圧が上昇しても出力電圧を安定的に保つことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例のリンギングチョークコンバータの電気
回路図、第2図はリンギングチョークコンバータの動作
タイミングを表す説明図である。 ]・・・リンギングチョークコンバータ 3・・・変圧
器5・・・直流電源 7・・・第1の電界効果トランジ
スタ9・・・第2の電界効果トランジスタ]]・・・積
分回路Ll計・・主巻線Llb・・・補助巻線L2・・
・二次巻線6− TZ・・・定電圧ダイオード C1・・・コンデンサ DRE・・・整流ダイオード

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一次側に主巻線及び補助巻線を備えると共に二次側に二
    次巻線を備えた変圧器と、 直流電源から該主巻線への通電を断続するスイッチング
    素子と、 該スイッチング素子に上記補助巻線に誘起された電圧を
    バイアス電圧として印加するバイアス回路と、 該バイアス回路の出力するバイアス電圧を制御すること
    で上記スイッチング素子の導通を遮断する補助スイッチ
    ング素子と、 上記補助巻線に誘起された電圧を所定時定数で蓄電して
    バイアス電圧として上記補助スイッチング素子に出力す
    る積分回路と、 上記変圧器の二次巻線に接続され、上記主巻線の通電停
    止時に導通して該二次巻線からの電流を通す整流素子と
    、 該整流素子の出力を平滑する平滑回路と、 を備えたリンギングチョークコンバータ。
JP33157789A 1989-12-21 1989-12-21 リンギングチョークコンバータ Pending JPH03195362A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5488552A (en) * 1992-10-07 1996-01-30 Hiroshi Sakamoto Inverter power supply
WO2009130808A1 (ja) * 2008-04-24 2009-10-29 パナソニック電工株式会社 電力変換装置、放電ランプバラスト及び前照灯バラスト
US8110330B2 (en) 2006-09-19 2012-02-07 Ricoh Company, Ltd. Toner, developer, toner container, process cartridge, image forming method, and image forming apparatus

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