JPH03196519A - 化合物半導体液相成長法 - Google Patents
化合物半導体液相成長法Info
- Publication number
- JPH03196519A JPH03196519A JP33787889A JP33787889A JPH03196519A JP H03196519 A JPH03196519 A JP H03196519A JP 33787889 A JP33787889 A JP 33787889A JP 33787889 A JP33787889 A JP 33787889A JP H03196519 A JPH03196519 A JP H03196519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- layer
- substrate
- quartz tube
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分腎〕
この発明は融液から基板上に化合物半導体薄膜を成長さ
せる液相エピタキシャル法の中の１つであるティッピン
グに関するものである。
せる液相エピタキシャル法の中の１つであるティッピン
グに関するものである。
第２図（ａ）〜（ｃ）は従来のティッピング法を工程順
に示した側断面図で、図において、（１１は石英管。
に示した側断面図で、図において、（１１は石英管。
（２）は基板、（３）は融液である。
次に動作について説明する。第２図（ａ）に示すように
、傾けられた石英管（１）の中に真空封止された基板（
２）と融液（３）は分離されている。次いで（ｂ）図に
示すように石英管（１）を水平にすると、基板（２）は
融液（３）に浸る。この状態で融液（３）の温度を下げ
ると、半導体薄膜が基板（２）上にエピタキシャル成長
する。
、傾けられた石英管（１）の中に真空封止された基板（
２）と融液（３）は分離されている。次いで（ｂ）図に
示すように石英管（１）を水平にすると、基板（２）は
融液（３）に浸る。この状態で融液（３）の温度を下げ
ると、半導体薄膜が基板（２）上にエピタキシャル成長
する。
この成長が終了すると、（Ｃ）図に示すように、石英管
（１）は再び（ａ）図の状態に石英管（１）が傾けられ
、融液（３）と基板＋２１が分離される。
（１）は再び（ａ）図の状態に石英管（１）が傾けられ
、融液（３）と基板＋２１が分離される。
従来のティッピング法は以上のように行われていたので
、エピタキシャル薄膜が２層以上に積層できないという
問題点があった。
、エピタキシャル薄膜が２層以上に積層できないという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、異った組成のエピタキシャル薄膜を２Ｍ成長
させる化合物半導体液相成長法を得ることを目的とする
。
たもので、異った組成のエピタキシャル薄膜を２Ｍ成長
させる化合物半導体液相成長法を得ることを目的とする
。
この発明に係る化合物半導体液相成長法は、石英管の片
方の端にくびれを設け、このくびれによってできた小部
屋に適当な添加物を入れるようにしたものである。
方の端にくびれを設け、このくびれによってできた小部
屋に適当な添加物を入れるようにしたものである。
この発明におけるティッピング法は、第１ｒｒＩ目のエ
ピタキシャル成長後、第１層目用の融液中に、小部屋に
入れられた添加物を溶かし込むことにより第２層目薄膜
用の融液を作り、この第２層目用の融液を第１Ｊｉｉ目
のエピタキシャル薄膜の上に乗せることにより、互いに
組成の異った２層のエピタキシャル薄膜を成長する。
ピタキシャル成長後、第１層目用の融液中に、小部屋に
入れられた添加物を溶かし込むことにより第２層目薄膜
用の融液を作り、この第２層目用の融液を第１Ｊｉｉ目
のエピタキシャル薄膜の上に乗せることにより、互いに
組成の異った２層のエピタキシャル薄膜を成長する。
以下、乙の発明の一実施例としてＣｄＨｇＴｅの液相成
長を図に従って説明する。
長を図に従って説明する。
第１図において、（４）はくびれ、（５）はくびれ（４
）によって作られた小部屋、（６）は添加物、（７）は
第２層目用の融液で、なお、図中符号（１）〜（３）は
前記従来のものと同一につき説明は省略する。
）によって作られた小部屋、（６）は添加物、（７）は
第２層目用の融液で、なお、図中符号（１）〜（３）は
前記従来のものと同一につき説明は省略する。
次に動作について説明する。第１図（ａ）の状態では第
１層目用のＴｅ中にＣｄ、Ｈｇが溶は込んだ融液（３）
とＣｄＴｅ基板（２）は分離している。次いで、（ｂ）
図の状態では石英管（１）が水平の状態になり、基板（
２）は第１層目用融液（３）に浸る。この状態で融液（
３）の温度を下げると、第１層目のＣｄＨｇＴｅ薄膜が
基板（２）上に成長する。次いで、（ｅ）図の状態では
石英管（１）が（ａ）と反対側に傾けられ、添加物Ｃｄ
（６）が第１層目用融液（３）の中に溶は込む。従って
、第２層目用融液（７）は第１層目用融液（３）よりも
Ｃｄを多く含む融液となる。次いで、（ｄ）図の状態で
融液（７）の温度を下げると、第１層目薄膜上に第１層
目薄膜よりＣｄを多く含んだ第２層目薄膜用ｇＴｅ薄膜
が成長する。次いで、（ｅ）図の状態のように再び（８
１図と同じ傾斜状態になると成長は終了する。
１層目用のＴｅ中にＣｄ、Ｈｇが溶は込んだ融液（３）
とＣｄＴｅ基板（２）は分離している。次いで、（ｂ）
図の状態では石英管（１）が水平の状態になり、基板（
２）は第１層目用融液（３）に浸る。この状態で融液（
３）の温度を下げると、第１層目のＣｄＨｇＴｅ薄膜が
基板（２）上に成長する。次いで、（ｅ）図の状態では
石英管（１）が（ａ）と反対側に傾けられ、添加物Ｃｄ
（６）が第１層目用融液（３）の中に溶は込む。従って
、第２層目用融液（７）は第１層目用融液（３）よりも
Ｃｄを多く含む融液となる。次いで、（ｄ）図の状態で
融液（７）の温度を下げると、第１層目薄膜上に第１層
目薄膜よりＣｄを多く含んだ第２層目薄膜用ｇＴｅ薄膜
が成長する。次いで、（ｅ）図の状態のように再び（８
１図と同じ傾斜状態になると成長は終了する。
以上のようにこの発明によれば、石英管の一端にくびれ
を設けて添加物を加えることができるようにしたので、
２層のエピタキシャル薄膜成長が可能となる。
を設けて添加物を加えることができるようにしたので、
２層のエピタキシャル薄膜成長が可能となる。
ＣｄＨｇＴｅ薄膜の場合、Ｃｄの多い２層目エピタキシ
ャル薄膜を成長させると、これを用いて赤外線受光デバ
イスを作った場合、ｐｎ接合の表面露出部でのもれ電流
が少い良好なデバイスが得られるという効果がある。
ャル薄膜を成長させると、これを用いて赤外線受光デバ
イスを作った場合、ｐｎ接合の表面露出部でのもれ電流
が少い良好なデバイスが得られるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による化合物半導体液相成
長法を工程順に示す側断面図、第２図；よ従来の化合物
半導体液相成長のティッピング法を工程順に示す側断面
図である。図におし）て、（１１１ま石英管、（２）は
基板、（３）は第１層目用融液、（４）ζよ石英管（１
）の一端に設けられたくびれ、（５）はくびれ（４）に
よって仕切られた小部屋、（６）は添加物、（７１４よ
第２５目用融液である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
長法を工程順に示す側断面図、第２図；よ従来の化合物
半導体液相成長のティッピング法を工程順に示す側断面
図である。図におし）て、（１１１ま石英管、（２）は
基板、（３）は第１層目用融液、（４）ζよ石英管（１
）の一端に設けられたくびれ、（５）はくびれ（４）に
よって仕切られた小部屋、（６）は添加物、（７１４よ
第２５目用融液である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 融液と基板を封じ込んだ石英管を傾斜させることによっ
て基板上に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させ
るティッピング法において、前記石英管の一端にくびれ
を設け、このくびれによってできた小部屋に添加物を入
れて２段階液相成長を行うことを特徴とする化合物半導
体液相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33787889A JPH03196519A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 化合物半導体液相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33787889A JPH03196519A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 化合物半導体液相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196519A true JPH03196519A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18312843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33787889A Pending JPH03196519A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 化合物半導体液相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196519A (ja) |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP33787889A patent/JPH03196519A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3780359A (en) | Bipolar transistor with a heterojunction emitter and a method fabricating the same | |
| CA1249074A (en) | Submerged wall isolation of silicon islands | |
| US3960618A (en) | Epitaxial growth process for compound semiconductor crystals in liquid phase | |
| US3530011A (en) | Process for epitaxially growing germanium on gallium arsenide | |
| JP2746497B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63502472A (ja) | 三次元半導体構造を生成するための液相エピタキシャル法 | |
| JPS5937855B2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS59124711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS587052B2 (ja) | 半導体結晶の液相成長装置 | |
| JPS5918644A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS58131737A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS643051B2 (ja) | ||
| JPS5948532B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6240719A (ja) | エピタキシアルウエ−ハの製造方法 | |
| JPS6321282A (ja) | 混晶半導体の液相エピタキシヤル積層法 | |
| JPH0476491B2 (ja) | ||
| JP2003267794A (ja) | 結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
| JPS6235998B2 (ja) | ||
| JPH0355848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0571557B2 (ja) | ||
| JPH043101B2 (ja) | ||
| JPH0341748A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6022358A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02264489A (ja) | 埋込型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0582458A (ja) | 半導体結晶の製造方法 |