JPH03196596A - 厚膜レジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、プリント配線板の製造過程で用いられる厚
膜レジストパターンの形成方法に関する〔従来の技術〕 従来、例えば、第２図にみるように、金属層１１張り基
板１０の所定部分に厚膜レジストパターン１３を施して
未レジスト部分の金属層１１をエツチング除去しプリン
ト配線板を製造することが行われている。この場合、ス
ルホール部１２の上を覆う（テンティングする）レジス
トパターンを厚みのある厚膜レジストパターン１３にす
る必要がある。もし薄ければ、エツチング工程でスルホ
ール部１２でレジストパターンが破れて、スルホール部
１２の金属層が損傷し不良品となってしまうからである
。

この他、厚膜レジストパターンは、パターンめっき法に
よるプリント配線板の製造の際等にも使われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ただ、厚膜レジストパターンを用いる場合、以下に説明
するように、微細な導体パターン形成が難しいという問
題がある。

厚膜レジストパターンは、通常、整面研磨−ドライフィ
ルム（感光性レジスト層）ラミネート−ＵＶ露光−１５
分以上放置（ホールドタイム）−現像という工程で形成
される。

Ｕｖｎ光後に１５分以上放置するホールドタ・ムをとる
ことで、ＵＶ露先によって起きた反応イ完了させてから
、現像するようにしている。

しかしながら、ドライフィルムの厚みが厚い勾合、ＵＶ
光が途中で吸収され下層部分まで届が１、下層部分が露
光不足となり、ホールドタイム４とっても反応が十分に
完了させられない。

この状態で現像すると、第３図にみるように、少しの現
像時間でオーバ現像を招き、基板１５ｊ面に設けられた
厚膜レジストパターン１６ノ下Ｊｉ部分（基板１５接着
側）１６ａが扶れてしまい、所定のパターン幅より狭く
なり、その分、必要し上に金属層１１が除去され、導体
パターン断線心どの不都合を生じる。

この発明は、上記事情に鑑み、厚膜レジストパターンの
下層部分でのオーバ現像問題を容易に解消させることの
できる厚膜レジストパターンの形成方法を提供すること
を課題とする。

〔課題を解決するための手段〕 前記課題を解決するため、この発明は、プリント配線板
製造用基板の表面に感光性レジスト層を厚膜に形成し露
光・現像することにより厚膜レジストパターンを形成す
る方法において、前記感光性レジスト層を、５０〜Ｉ　
５０’ｌ：’、３０秒〜６０分の条件で加熱する処理を
、現像前、露光後１５分を越えない間に始めるようにし
ている。

この発明における厚膜レジストパターンの厚みは、例え
ば、１０〜１００ｎ程度の範囲である。

加熱処理は、高温−短時間であることが望ましいが、温
度が１５０℃を越えると、感光性レジスト層の変質が起
きたり、エツチング後の厚膜レジストパターン剥離が困
難となるなどの不都合がある。温度が５０℃を下回ると
、所望の反応促進効果が得られない。

低温の場合には長い時間加熱する必要がある。

しかし、６０分を越えると生産性の点で実用性が失われ
る。高温の場合でも、所望の反応促進効果を得るには、
３０秒以上の加熱時間は必要である以上の点から、１２
０℃前後の温度で６０秒程度の処理時間が、最適条件で
ある。

加熱は、露光後、１５分を越えない範囲、好ましくは６
０秒以内に開始するようにする。

加熱方法は、熱風式電気オーブンによる加熱、赤外線に
よる加熱、高周波加熱などが用いられるが、特に限定さ
れない。また、現像ラインの入口コンベアにヒートゾー
ンを設け、連続ライン構成とすることも可能である。

〔作　　　用〕

この発明の厚膜レジストパターンを形成する方法では、
基板表面に設けられた感光性レジスト層に、現像前、露
光後１５分を越えない間に始められる５０〜１５０℃、
３０秒〜６０分の条件の加熱処理を施す。この加熱処理
は、ＵＶ光が十分にあたらない感光性レジスト層の下層
部分の反応を促進させる。加熱処理開始が遅すぎると、
反応自体が下火になっており、効果的な反応促進がなさ
れなくなる。

この加熱処理により、感光性レジスト層の下層部分は反
応が十分に完了しているため、従来のオーバ現像は解消
され、所定幅の厚膜レジストパターンが得られるため、
微細な導体パターンの形成が容易に可能となる。

〔実　施　例〕

続いて、この発明の詳細な説明する。この発明は、以下
の実施例に限らない。

一実施例１ ３０ｘのスルホールめっきが施された両面銅張り基板（
厚み１．６　ｍガラスエポキシ基材、銅箔厚み１Ｂ、ｗ
）１の表裏面を整面研磨した後、第１図（ａｌにみるよ
うに、厚み５０ｔｔｍのドライフィルム（旭化成工業■
Ａ　Ｑ−５０４８）　２をラミネートする。この場合、
ドライフィルム（感光性レジスト層）２のラミネートは
表面と裏面へ行った。ラミネート条件は、表面温度６０
℃、ロール温度１００’Ｃ、ラミネート速度１．５ｍ／
分である。ラミネート後１５分間、放置した。

基板１表面の温度が室温に戻ってから、両面ＵＶ露光機
を用い、第１図中）にみるように、フィルムマスク３を
真空密着さセ１００ｍｊｉ！光を行った。

露光が終了してから１５秒後に１２０℃、６０秒間、熱
風式電気乾燥機により加熱し、室温条件下で放冷させた
。

冷却させた後、第１図（Ｃ）にみるように、スプレー式
現像機により炭酸ソーダ濃度１％、温度３０℃、スプレ
ー圧力１．５　ｋｇ　／　ｃｔＡ、時間５０秒の条件で
現像し、厚膜レジストパターン２′を得るとともに、塩
化第二銅エツチングマシンにより所定時間エツチングを
行ってから、水酸化ナトリウム５％液にて厚膜レジスト
パターン２′を剥離して、プリント配線板を得た。

実施例２ 露光が終了してから１５秒後、１５０℃、３０秒間、熱
風式電気乾燥機により加熱するようにした他は、実施例
１と同様にしてプリント配線板を得た。

実施例３ 露光が終了してから１５秒後、５０℃、１５分間、熱風
式電気乾燥機により加熱するようにした他は、実施例１
と同様にしてプリント配線板を得た。

比較例１ 露光が終了してから２０分後、１２０℃、１２０秒間、
熱風式電気乾燥機により加熱するようにした他は、実施
例１と同様にしてプリント配線板を得た。

一比較例２− 露光が終了してから１５秒後、１６０℃、１２０秒間、
熱風式電気乾燥機により加熱するようにした他は、実施
例１と同様にしてプリント配線板を得た。

一比較例３− 露光が終了してから１５秒後、１５０℃、１０秒間、熱
風式電気乾燥機により加熱するようにした他は、実施例
１と同様にしてプリント配線板を得た。

一比較例４− 露光終了後、加熱処理せず、１５分間、室温状態で放置
するようにした他は、実施例１と同様にしてプリント配
線板を得た。

実施例および比較例において、厚膜レジストパターンの
断面形状、剥離性をそれぞれ評価した。

評価結果を第１表に記す。

第 ■ 表 実施例と比較例の評価結果を比べれば、この発明の方法
による厚膜レジストパターンが極めて優れたものである
ことがよく分かる。

〔発明の効果〕

以上に述べたように、この発明によれば、下層部分にオ
ーバ現像による欠けが発生しておらず１、しかも、剥離
容易な厚膜レジストパターンが形成できるので、微細な
導電パターンのプリント配線板を容易に製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例により厚膜レジストパタ
ーンを製造するときの様子を順を追ってあられす模式的
断面図、第２図は、テンティング法によりプリント配線
板の製造する際の厚膜レジストパターンをあられす断面
図、第３図は、従来の厚膜レジストパターンを模式的に
あられす断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　プリント配線板製造用基板の表面に感光性レジスト
   層を厚膜に形成し露光・現像することにより厚膜レジス
   トパターンを形成する方法において、前記感光性レジス
   ト層を、５０〜１５０℃、３０秒〜６０分の条件で加熱
   する処理を、現像前、露光後１５分を越えない間に始め
   るようにすることを特徴とする厚膜レジストパターンの
   形成方法。