JPH03197673A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH03197673A
JPH03197673A JP33965889A JP33965889A JPH03197673A JP H03197673 A JPH03197673 A JP H03197673A JP 33965889 A JP33965889 A JP 33965889A JP 33965889 A JP33965889 A JP 33965889A JP H03197673 A JPH03197673 A JP H03197673A
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JP
Japan
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quartz plate
semiconductor device
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Application number
JP33965889A
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English (en)
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Yasunobu Tsukamoto
塚本 泰信
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にプラズマ放
電を利用する半導体装置の製造装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置の製造装置のビューイングボ
ートの構造は、第3図の断面図に示すように、真空室1
の覗き窓に一枚のガラス板(主に石英板)が固定された
構造となっていた。このガラス板は第3図では固定式石
英板2として示している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置の製造装置のビューイングボ
ートの構造は、覗き窓が固定となっている為、プラズマ
放電の積算時間が嵩むにつれて、覗き窓に反応性生成物
が付着したり、あるいはプラズマによりエツチングされ
ることにより、曇りが生じるという欠点がある。
覗き窓に曇りが生じることにより、ウェハの表面状態の
目視確認が困難になったり、又、実質的な発光スペクト
ル強度が弱くなるため、ドライエツチング装置ではエン
ドポイント信号の検出が困難になる、等の弊害が生じる
ことになる。
こうした弊害を防止するため、プラズマ放電を用いる半
導体製造装置では、頻繁に清掃を行うことが必要となる
例えば、CCρ4やC2Cβ2F2等のデボ系のガスを
用いるドライエツチング装置の場合、反応性生成物の付
着による石英窓の曇りにより50バッチ処理程度でエン
ドポイント信号の検出が困難となり、石英窓部の清掃が
必要とされている。
上述した従来の覗き窓が固定式の石英板であるのに対し
、本発明の半導体装置の製造装置は、ビューイングボー
トの覗き窓に可動式の石英板を追加して設け、覗き窓に
曇りが生じた時点で石英板の移動を行うことにより、覗
き窓の視界を長期間に渡りクリーンな状態に保てるとい
う相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造装置は、ビューイングボート
に従来構造の固定式の石英板以外に可動式の石英板をも
う一枚有している。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例1の断面図である。従来構造の
固定式石英板2に加えて、その内側に可動式石英板3を
有している。
プラズマ放電による反応性生成物の付着、エツチングに
よる石英板表面の劣化等により、まず内側の可動式石英
板3の透過率が低下した場合、この可動式石英板3を移
動させることにより、長期間に渡り石英板の透過率を良
好な状態に保つことができる。本実施例を採用すること
により、ドライエツチング装置の清掃頻度を従来の50
バツチ処理から200バッチ処理程度まで延ばすことが
可能となる。
上述の石英板の可動部の構造は、スライド部分に0リン
グを装着し、真空グリース等で気密性を維持する。又、
移動手段としては手動でもよいし、自動化することもも
ちろん可能である。
第2図(a)、(b)は、本発明の実施例2の断面図及
びそのA−A断面図である。可動式石英板3を回転させ
て使用することにより、実施例1と同様に、長期間に渡
って覗き窓をクリアーな状態に保つ。回転可動部の構造
としては、実施例1と同様0リング、真空グリース等を
介して気密性を維持する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、プラズマ放電を利用する
半導体装置の製造装置のビューイングボートに、可動式
石英板を追加することにより、反応性生成物や化学的エ
ツチングによる覗き窓の曇りを長期間防止することがで
き、真空室の清掃による半導体製造装置のダウンタイム
を大幅に短縮できる効果がある。
また、本発明を採用することにより、ドライエツチング
装置のエンドポイントモニターのような、プラズマモニ
ターの感度を安定化させることができる。
さらにこの種の半導体装置の製造装置の定期清掃頻度を
少なくする事が可能なので、真空を破ることによる装置
の不安定要因を取り除くことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の断面図、第2図(a)、(
b)は本発明の実施例2の断面図及びそのA−A断面図
、第3図は従来の半導体製造装置のビューイングボート
の断面図である。 1・・・真空室、 2・・・固定式石英板、 3・・・可動式石英 板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  プラズマ放電を用いる半導体装置の製造装置において
    、真空室内観察用の覗き窓を二重にし、内側を可動式と
    したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
JP33965889A 1989-12-26 1989-12-26 半導体装置の製造装置 Pending JPH03197673A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421557U (ja) * 1990-06-12 1992-02-24
DE102013100443A1 (de) * 2012-08-14 2014-05-15 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Schutzfenstervorrichtung für eine Beschichtungsanlage

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421557U (ja) * 1990-06-12 1992-02-24
DE102013100443A1 (de) * 2012-08-14 2014-05-15 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Schutzfenstervorrichtung für eine Beschichtungsanlage

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