JPS6052014A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6052014A JPS6052014A JP58161365A JP16136583A JPS6052014A JP S6052014 A JPS6052014 A JP S6052014A JP 58161365 A JP58161365 A JP 58161365A JP 16136583 A JP16136583 A JP 16136583A JP S6052014 A JPS6052014 A JP S6052014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- window
- film forming
- forming chamber
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体製造工程において使用される半導体
製造装置に関するものである。
製造装置に関するものである。
半導体集積回路は、ますます高集積化が進み、製造プロ
セスの低温化への要求が厳しくなってきている。
セスの低温化への要求が厳しくなってきている。
特に、不純物プロファイルを崩さない、又は多層配線を
使うためには製造プロセスの低温化は是非とも必要とな
る。そのため成膜工程において従来使用されていた化学
気相成長（ＣＶＤ）プロセスの低温化を光ＣＶＤ法を使
って行なうという試みがなされている。
使うためには製造プロセスの低温化は是非とも必要とな
る。そのため成膜工程において従来使用されていた化学
気相成長（ＣＶＤ）プロセスの低温化を光ＣＶＤ法を使
って行なうという試みがなされている。
しかしながら、この光ＣＶＤ法ではウェハ上だけではな
く、チャンバ内に光を導入するための窓にも膜が堆積し
、くもることがら成膜速度が堆積中に減少してしまうと
いう問題があった。
く、チャンバ内に光を導入するための窓にも膜が堆積し
、くもることがら成膜速度が堆積中に減少してしまうと
いう問題があった。
光ＣＶＤ法によるシリコン成膜の場合を例にとってこの
問題を以下図面を用いて説明する。
問題を以下図面を用いて説明する。
光ＣＶｒ）装置としては、従来、第１図に示すような断
面を持つ装置が考えられている。
面を持つ装置が考えられている。
即ち水銀ランプのような紫外線を出す光源２から出た光
をミラー１等にて効率よく成膜チャンバ３中のウェハ５
に照射し、シラン（Ｓｉｌ１４）等の導入ガスを光反応
させることによってウェハ５上にシリコン（Ｓｉ）等の
膜を成長させる。この時ウェハ５上のみならず、入射窓
４にも膜が成長するため、光が透過しにくくなり、成膜
速度が減少してしまうという大きな問題があった。
をミラー１等にて効率よく成膜チャンバ３中のウェハ５
に照射し、シラン（Ｓｉｌ１４）等の導入ガスを光反応
させることによってウェハ５上にシリコン（Ｓｉ）等の
膜を成長させる。この時ウェハ５上のみならず、入射窓
４にも膜が成長するため、光が透過しにくくなり、成膜
速度が減少してしまうという大きな問題があった。
（発明の概要）
この発明は」１記のような従来のものの問題点に鑑みて
なされたもので、ウェハに成膜を行なうためのガスが充
満された成膜チャンバの他に、該成膜チャンバ内のガス
により形成される膜を分解できるガスが充満されたクリ
ーニングチャンバを設け、成膜チャンバとクリーニング
チャンバとの間に移動窓を移動可能に配設し、成膜チャ
ンバにおいて」１記移動窓に形成される膜をクリーニン
グチャンバにおいて除去することにより、光ＣＶＤ法に
て股を形成する際に成膜速度が減少しない半導体製造装
置を提供することを目的としている。
なされたもので、ウェハに成膜を行なうためのガスが充
満された成膜チャンバの他に、該成膜チャンバ内のガス
により形成される膜を分解できるガスが充満されたクリ
ーニングチャンバを設け、成膜チャンバとクリーニング
チャンバとの間に移動窓を移動可能に配設し、成膜チャ
ンバにおいて」１記移動窓に形成される膜をクリーニン
グチャンバにおいて除去することにより、光ＣＶＤ法に
て股を形成する際に成膜速度が減少しない半導体製造装
置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による半導体製造装置を示し
、図において、第１図と同一符号は同一のものを示す。
、図において、第１図と同一符号は同一のものを示す。
６は成膜チャンバ３内のガスにより形成された膜を分解
できるガスが充満されたクリーニングチャンバ、７は移
動窓としての円盤伏在に配置されており、これは軸７ａ
の近辺及び外周端部分を除いて透明になっている。
できるガスが充満されたクリーニングチャンバ、７は移
動窓としての円盤伏在に配置されており、これは軸７ａ
の近辺及び外周端部分を除いて透明になっている。
次に作用効果について説明する。第２図に示したように
成膜チャンバ３の隣りにクリーニングチャンバ６及び回
転窓７を備えたことにより、成膜チャンバ３にて回転窓
７に付着したシリコン（Ｓｔ）等の膜はフレオン１４（
ＣＦ４）ガスプラズマ等を発生させたクリーニングチャ
ンバ６に入った段階でエツチング除去され、成膜チャン
バ３にある窓４及び回転窓７は常に透明な状態に保つこ
とが可能となる。
成膜チャンバ３の隣りにクリーニングチャンバ６及び回
転窓７を備えたことにより、成膜チャンバ３にて回転窓
７に付着したシリコン（Ｓｔ）等の膜はフレオン１４（
ＣＦ４）ガスプラズマ等を発生させたクリーニングチャ
ンバ６に入った段階でエツチング除去され、成膜チャン
バ３にある窓４及び回転窓７は常に透明な状態に保つこ
とが可能となる。
そしてこの回転窓７と成膜チャンバ３．クリーニングチ
ャンバ６との間は完全にシールする必要は必ずしもなく
、装置全体の気密性さえ保てばよい。
ャンバ６との間は完全にシールする必要は必ずしもなく
、装置全体の気密性さえ保てばよい。
なお上記実施例では、移動窓７として回転窓を一例とし
てあげたが、これは必ずしも回転窓とする必要はなく、
スライドするタイプの移動窓であってもよい。また常時
移動する必要もなく、窓のくもりが成膜速度を減少しな
い程度の頻度にて移動するようにしてもよい。
てあげたが、これは必ずしも回転窓とする必要はなく、
スライドするタイプの移動窓であってもよい。また常時
移動する必要もなく、窓のくもりが成膜速度を減少しな
い程度の頻度にて移動するようにしてもよい。
また本発明は、光ＣＶＤ装’＋１の入射窓のくもり対策
のみならずエツチング装置又は成膜装置のエツチング速
度、成膜速度を光学的に検出するための窓のくもり対策
としても応用することが可能である。
のみならずエツチング装置又は成膜装置のエツチング速
度、成膜速度を光学的に検出するための窓のくもり対策
としても応用することが可能である。
以上のように、この発明によればウェハに成膜を行なう
ためのガスが充満された成膜チャンバの他に、この成膜
チャンバ内のガスにより形成される膜を分解できるガス
が充満されたクリーニングチャンバを設け、成膜チャン
バとクリーニングチャンバとの間に移動窓を移動可能に
配設し、この移動窓に成膜チャンバで形成される膜をク
リーニングチャンバで除去するようにしたので、光ｃＶ
Ｄ法にて成膜速度が減少しない半導体製造装置が得られ
る効果がある。
ためのガスが充満された成膜チャンバの他に、この成膜
チャンバ内のガスにより形成される膜を分解できるガス
が充満されたクリーニングチャンバを設け、成膜チャン
バとクリーニングチャンバとの間に移動窓を移動可能に
配設し、この移動窓に成膜チャンバで形成される膜をク
リーニングチャンバで除去するようにしたので、光ｃＶ
Ｄ法にて成膜速度が減少しない半導体製造装置が得られ
る効果がある。
第１図は従来の半導体製造装置を示す断面図、第２図は
この発明の一実施例による半導体製造装置を示す断面図
である。 図において、１はミラー、２は光源、３は成膜チャンバ
、４は入射窓、５はウェハ、６はクリーニングチャンバ
、７は回転窓（移動窓）、７ａは回転軸である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
この発明の一実施例による半導体製造装置を示す断面図
である。 図において、１はミラー、２は光源、３は成膜チャンバ
、４は入射窓、５はウェハ、６はクリーニングチャンバ
、７は回転窓（移動窓）、７ａは回転軸である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- （１）光を利用した化学気相反応によりウェハに成膜を
行なう半導体製造装置であって、ウェハをを導入するた
めの入射窓と、上記成膜チャンバにおいて上記ガスから
形成される膜を分解できるガスが充満されたクリーニン
グチャンバと、上記成膜チャンバとクリーニングチャン
バとの間に移動自在に設りられた移動窓とを備え、」二
記移動窓は上記成膜チャンバ内では−１−記入射窓と」
二記ウェハとの間に配設されていることを特徴とする半
導体製造装置。 動自在に設りられた回転窓であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58161365A JPS6052014A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58161365A JPS6052014A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052014A true JPS6052014A (ja) | 1985-03-23 |
| JPS6361769B2 JPS6361769B2 (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=15733698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58161365A Granted JPS6052014A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052014A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196526A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 光化学的気相成長方法及びその装置 |
| JPS62104438U (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | ||
| JPS63314828A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| FR2639474A1 (fr) * | 1988-11-24 | 1990-05-25 | Canon Kk | Appareil de deposition chimique en phase vapeur par plasma a micro-ondes |
| US5084125A (en) * | 1989-09-12 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductor substrate |
| US5288684A (en) * | 1990-03-27 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction |
| US5810930A (en) * | 1996-02-06 | 1998-09-22 | Korea Electric Power Corporation | Photo-chemical vapor deposition apparatus having exchange apparatus of optical window and method of exchanging optical window therewith |
| US6284049B1 (en) * | 1997-05-01 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Processing apparatus for fabricating LSI devices |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58161365A patent/JPS6052014A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196526A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 光化学的気相成長方法及びその装置 |
| JPS62104438U (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | ||
| JPS63314828A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| FR2639474A1 (fr) * | 1988-11-24 | 1990-05-25 | Canon Kk | Appareil de deposition chimique en phase vapeur par plasma a micro-ondes |
| US4995341A (en) * | 1988-11-24 | 1991-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma CVD apparatus for the formation of a large-area functional deposited film |
| US5084125A (en) * | 1989-09-12 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductor substrate |
| US5288684A (en) * | 1990-03-27 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction |
| US5810930A (en) * | 1996-02-06 | 1998-09-22 | Korea Electric Power Corporation | Photo-chemical vapor deposition apparatus having exchange apparatus of optical window and method of exchanging optical window therewith |
| US6284049B1 (en) * | 1997-05-01 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Processing apparatus for fabricating LSI devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361769B2 (ja) | 1988-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0181553B1 (ko) | 박막형성방법 | |
| KR20030019912A (ko) | 처리 장치 및 그것의 세정 방법 | |
| US5240555A (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor etching machines | |
| JPS6052014A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100611612B1 (ko) | 스로틀 밸브 위치를 이용한 세척 공정의 종료점 결정 방법 및 장치 | |
| JPH05175135A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JP3131860B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| US20040087054A1 (en) | Disposable barrier technique for through wafer etching in MEMS | |
| JPH04345022A (ja) | ブランケットメタルｃｖｄ装置 | |
| JPS61228633A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH05144779A (ja) | シリコン酸化膜のドライエツチング方法 | |
| EP0366013A2 (en) | Selective dielectric deposition on horizontal features of an integrated circuit subassembly | |
| JPH05109702A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6528341B1 (en) | Method of forming a sion antireflection film which is noncontaminating with respect to deep-uv photoresists | |
| JPH04330723A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS60216549A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3174787B2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| US6183819B1 (en) | Method for processing a poly defect | |
| JP3900759B2 (ja) | スパッタリング成膜用の基板ホルダー及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 | |
| JPH06275566A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH04318175A (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3567508B2 (ja) | 半導体処理装置及び処理方法 | |
| JP2003243360A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR100436772B1 (ko) | 반도체소자의제조방법 | |
| JPH01186627A (ja) | 半導体素子のパシベーション膜作成方法 |