JPH0320061A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0320061A JPH0320061A JP1155454A JP15545489A JPH0320061A JP H0320061 A JPH0320061 A JP H0320061A JP 1155454 A JP1155454 A JP 1155454A JP 15545489 A JP15545489 A JP 15545489A JP H0320061 A JPH0320061 A JP H0320061A
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Links
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は不純物拡散とシわけ板状の固体砒素拡散源から
の砒素拡散を行う半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
の砒素拡散を行う半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
近年、半導体装置の高集積化．微細化には、めざましい
ものがある。これらの素子の微細化に伴い不純物拡散領
域の拡散長も縮小化の一途をたどっており、高濃度かつ
拡散長の短い不純物拡散領域を再現性よく形或すること
が要求されている。
ものがある。これらの素子の微細化に伴い不純物拡散領
域の拡散長も縮小化の一途をたどっており、高濃度かつ
拡散長の短い不純物拡散領域を再現性よく形或すること
が要求されている。
そのため高濃度かつ浅い拡散長の得られる砒素の拡散は
Ｎ形導電領域の形戊には必要Ｍ＆の技術となっている。
Ｎ形導電領域の形戊には必要Ｍ＆の技術となっている。
砒素によるＮ形導電領域の形戒方法はイオン打ち込みと
その後の熱拡散によるものが一般的であるが、イオン打
ち込み時のシリコン基板への残存損傷の問題や、溝掘シ
構造における溝の側壁などの三次元構造を有する素子へ
はイオン注入法では砒素拡散領域を形戊することが困難
であるため、シリコン基板への損傷が少なく、かつ三次
元構造を有する素子に対しても比較的容易に砒素拡散領
域を形戒することのできる板状の固体砒素拡散源からの
熱拡散による砒素拡散が注目されている。板状の固体砒
素拡散源からの熱拡散は通常、常圧型の拡散炉中におい
て窒素又は窒素および酸素の混合雰囲気中で８００〜１
１ｏＯ℃の温度で行なわれる。
その後の熱拡散によるものが一般的であるが、イオン打
ち込み時のシリコン基板への残存損傷の問題や、溝掘シ
構造における溝の側壁などの三次元構造を有する素子へ
はイオン注入法では砒素拡散領域を形戊することが困難
であるため、シリコン基板への損傷が少なく、かつ三次
元構造を有する素子に対しても比較的容易に砒素拡散領
域を形戒することのできる板状の固体砒素拡散源からの
熱拡散による砒素拡散が注目されている。板状の固体砒
素拡散源からの熱拡散は通常、常圧型の拡散炉中におい
て窒素又は窒素および酸素の混合雰囲気中で８００〜１
１ｏＯ℃の温度で行なわれる。
第２図ａ，ｂ，ｃは従来の技術による板状の固体砒素拡
散源および拡散を行なうウェーハを積載するボートの梅
能示し，たものである。従来のポートは全体がロッドに
よシ構威されておシウェーハ支持棒１ （３ａ）および
ＩＩ（３ｂ）上に形或された溝に板状の固体砒素拡散源
１および拡散を行なうウェーハが置かれる。砒素拡散を
行なう場合、このボートは第２図ｄに示すようにウェー
ハおよび板状の固体砒素拡散源が拡散炉のプロセスチュ
ーブ中にガスの流れと直角となる方向に置かれ、窒素又
は窒素および酸素雰囲気中で８００〜１０ｏＯ℃で拡散
を行なう。
散源および拡散を行なうウェーハを積載するボートの梅
能示し，たものである。従来のポートは全体がロッドに
よシ構威されておシウェーハ支持棒１ （３ａ）および
ＩＩ（３ｂ）上に形或された溝に板状の固体砒素拡散源
１および拡散を行なうウェーハが置かれる。砒素拡散を
行なう場合、このボートは第２図ｄに示すようにウェー
ハおよび板状の固体砒素拡散源が拡散炉のプロセスチュ
ーブ中にガスの流れと直角となる方向に置かれ、窒素又
は窒素および酸素雰囲気中で８００〜１０ｏＯ℃で拡散
を行なう。
発明が解決しようとする課題
従来例で述べたボートは全体がロッドで構威されている
ため板状の固体砒素拡散源およびウェーハの周囲には空
間が十分確保されている。このためガス導入口から導入
したガスは板状の固体砒素拡散源とウェーハの間に侵入
しやすくなう板状の固体砒素拡散源とウェーハ間にガス
の流れを生ずる。このように板状の固体砒素拡散源とウ
ェーハ間にガス流繞生すると板状の固体拡散源から放出
された砒素を含むガスが上記のガス流により乱されある
特定のパターンをもって拡散される。このためウェーハ
面内での拡散された砒素の濃度にバラつきが生ずる。さ
らにウェーハの置かれた位置によってもガスの流速かよ
び流れのパターンが異なるためウエー八間の砒素濃度の
均一性も劣化することになる。
ため板状の固体砒素拡散源およびウェーハの周囲には空
間が十分確保されている。このためガス導入口から導入
したガスは板状の固体砒素拡散源とウェーハの間に侵入
しやすくなう板状の固体砒素拡散源とウェーハ間にガス
の流れを生ずる。このように板状の固体砒素拡散源とウ
ェーハ間にガス流繞生すると板状の固体拡散源から放出
された砒素を含むガスが上記のガス流により乱されある
特定のパターンをもって拡散される。このためウェーハ
面内での拡散された砒素の濃度にバラつきが生ずる。さ
らにウェーハの置かれた位置によってもガスの流速かよ
び流れのパターンが異なるためウエー八間の砒素濃度の
均一性も劣化することになる。
本発明は前記の板状の固体砒素拡散源とウェーハ間に特
定のガスの流れを生じないような構造を有するボートを
用いて板状の固体砒素拡散源から砒素の熱拡散を行い、
高濃度かつ浅い拡散長を有するＮ形不純物領域を形或す
ることができる半導体装置の製造方法を提供せんとする
ものである。
定のガスの流れを生じないような構造を有するボートを
用いて板状の固体砒素拡散源から砒素の熱拡散を行い、
高濃度かつ浅い拡散長を有するＮ形不純物領域を形或す
ることができる半導体装置の製造方法を提供せんとする
ものである。
課題を解決するための手段
本発明は板状の固体砒素拡散源を用いてシリコン基板も
しくは多結晶ｙｙコン膜に砒素を熱拡散によシ不純物拡
散を行なう工程において、板状の固体砒素拡散源と拡散
を行なうシリコン基板を積載するポートに円筒形状の構
造をもつポートを用いてＮ形不純物領域を形戒するもの
である。
しくは多結晶ｙｙコン膜に砒素を熱拡散によシ不純物拡
散を行なう工程において、板状の固体砒素拡散源と拡散
を行なうシリコン基板を積載するポートに円筒形状の構
造をもつポートを用いてＮ形不純物領域を形戒するもの
である。
作 用
本発明の製造方法によれば、板状の固体砒素拡散源から
シリコン基板に砒素を熱拡散する場合、板状の固体砒素
拡散源とシリコン基板を積載するボートに円筒形状のボ
ートを用いることにより板状の固体砒素拡散源とシリコ
ン基板間に生ずる特定のガスの流れを低減することがで
き、かつ円筒形状のボート内のガスの流速を低く抑える
ことが出来、ウェーハ面内およびウエーハ間均一性の優
れた砒素拡散領域を形或することができる。
シリコン基板に砒素を熱拡散する場合、板状の固体砒素
拡散源とシリコン基板を積載するボートに円筒形状のボ
ートを用いることにより板状の固体砒素拡散源とシリコ
ン基板間に生ずる特定のガスの流れを低減することがで
き、かつ円筒形状のボート内のガスの流速を低く抑える
ことが出来、ウェーハ面内およびウエーハ間均一性の優
れた砒素拡散領域を形或することができる。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図ａ−ｄに示す断面図によ
シ記述する。
シ記述する。
第１図ａ，ｂ，ｃは本発明にかいて砒素拡散に用いるボ
ートの形状を示したものである。第１図ａ，ｂ，ｃに示
す通うボートは円筒形状をしておシ、シリコン基板を保
持するための溝を刻んだロッド３ａを有する半円筒形の
底部３ｂと底部にシリコン基板２かよび板状の砒素固体
拡散源１ｔ−積載した後、底部３ｄの上部をカカい円筒
形ボートを形或するための上部カバー３０とから構威さ
れている。ボート底部の溝間隔は３ＩＩＩｍである。
ートの形状を示したものである。第１図ａ，ｂ，ｃに示
す通うボートは円筒形状をしておシ、シリコン基板を保
持するための溝を刻んだロッド３ａを有する半円筒形の
底部３ｂと底部にシリコン基板２かよび板状の砒素固体
拡散源１ｔ−積載した後、底部３ｄの上部をカカい円筒
形ボートを形或するための上部カバー３０とから構威さ
れている。ボート底部の溝間隔は３ＩＩＩｍである。
第１図ｄは本ボートを拡散炉のプロセスチューブ内に設
置して砒素拡散を行う場合の状態を示している。砒素拡
散は直径１５０ｗ＊厚さ１．６一の板状の固体砒素拡散
源を使用し、一枚の板状砒素拡散源に対してシリコン基
板表面が対向するように溝間隔３ｆｆｆｆｌで配置する
。キャリアガスとして窒素ガスを１５ｌ／分で流し温度
９００゜Ｃで１２０分間熱処理を行なうことにより消度
５ Ｘ １ ０１９ｃＩＩＩ−’拡散長０．１６μｍの
Ｎ形拡散層をウェーハ面内釦よびウェーハ間均一性よく
一度に大量に形戚することが可能となる。
置して砒素拡散を行う場合の状態を示している。砒素拡
散は直径１５０ｗ＊厚さ１．６一の板状の固体砒素拡散
源を使用し、一枚の板状砒素拡散源に対してシリコン基
板表面が対向するように溝間隔３ｆｆｆｆｌで配置する
。キャリアガスとして窒素ガスを１５ｌ／分で流し温度
９００゜Ｃで１２０分間熱処理を行なうことにより消度
５ Ｘ １ ０１９ｃＩＩＩ−’拡散長０．１６μｍの
Ｎ形拡散層をウェーハ面内釦よびウェーハ間均一性よく
一度に大量に形戚することが可能となる。
発明の効果
以上のように、本発明による半導体装置の製造方法によ
シウェーハ面内およびウェーハ間の濃度．拡散長の均一
性の優れたＮ形拡散領域を一度に大量に形成することが
可能となる。
シウェーハ面内およびウェーハ間の濃度．拡散長の均一
性の優れたＮ形拡散領域を一度に大量に形成することが
可能となる。
ｔＪｌ１図は本発明による半導体装置の製造方法による
砒素拡散に用いるボートの断面図、第２図は従来例によ
る方法でのボートの断面図である。 １・・・・・・板状の固体砒素拡散源、２・・・・・・
シリコンウェーハ、３・・・・・・ボート、３ａ・・・
・・・ウェーハ支持棒■、３ｂ・・・・・・ウェーハ支
持棒■、３Ｃ・・・・・・上部カバー、３ｄ・・・・・
・底部、４・・・・・・プロセスチューブ、５・・・・
・・ガス導入口、６・・・・・・ガス流。
砒素拡散に用いるボートの断面図、第２図は従来例によ
る方法でのボートの断面図である。 １・・・・・・板状の固体砒素拡散源、２・・・・・・
シリコンウェーハ、３・・・・・・ボート、３ａ・・・
・・・ウェーハ支持棒■、３ｂ・・・・・・ウェーハ支
持棒■、３Ｃ・・・・・・上部カバー、３ｄ・・・・・
・底部、４・・・・・・プロセスチューブ、５・・・・
・・ガス導入口、６・・・・・・ガス流。
Claims (1)
- 一導電性のシリコン基板または多結晶シリコン膜に板状
の固体砒素拡散源から砒素を熱拡散により不純物拡散す
る工程において、前記板状の固体砒素拡散源と拡散を行
なうシリコン基板とを積載するボートを円筒形状とした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155454A JPH0320061A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155454A JPH0320061A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320061A true JPH0320061A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15606397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155454A Pending JPH0320061A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320061A (ja) |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155454A patent/JPH0320061A/ja active Pending
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