JPH03200970A - 感光性ポリイミドのパターン加工方法 - Google Patents

感光性ポリイミドのパターン加工方法

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JPH03200970A
JPH03200970A JP22626189A JP22626189A JPH03200970A JP H03200970 A JPH03200970 A JP H03200970A JP 22626189 A JP22626189 A JP 22626189A JP 22626189 A JP22626189 A JP 22626189A JP H03200970 A JPH03200970 A JP H03200970A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive polyimide
film
polyimide film
photosensitive
development
Prior art date
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Pending
Application number
JP22626189A
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English (en)
Inventor
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Masuichi Eguchi
益市 江口
Masaya Asano
浅野 昌也
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感光性ポリイミドのパターン加工方法に関す
るものである。
[従来の技術] 従来、半導体素子等への感光性ポリイミド系樹脂膜の形
成は次の工程で行われていた。
(1)  シリコンやセラミック等の基板上に感光性ポ
リイミド樹脂の前駆体の溶液を塗布した後、プリベーク
して感光性ポリイミド皮膜を形成する、■ 次いでこれ
を選択的に露光、すなわち最終的に残すべきポリイミド
膜の部分に光が当るようなフォトマスクを使用し、紫外
線を照射する、(3)現像する、 (4)  加熱焼成する。
しかしながら、かかる従来技術の場合、プリベーク処理
した感光性ポリイミド皮膜を露光した後、長時間放置し
た場合、現像性が低下し現像に長時間を要するという問
題があるうえ、しばしば得られたポリイミド樹脂膜のパ
ターンにクラックが入るという欠点を有していた。
このため、従来、感光性ポリイミドをパターン加工する
に際しては、プリベーク、露光、現像を連続して行う必
要があるなど工程管理上の制約があるうえ、これらを連
続的に行えない場合には、−旦塗布した感光性ポリイミ
ド膜を剥離して、再度塗布からやり直す必要があるなど
の問題があった。
[発明が解決しようとする課題] 本発明者らは、このような従来技術の欠点に鑑み、その
改善策について鋭意検討した結果、露光後の感光性ポリ
イミド皮膜を現像前に再ベーク処理した場合には、現像
性が著しく向上するとともにクラックの発生がな(、し
かも解像度を同時に向上できることを知見し、本発明に
到達したものである。
したがって、本発明の目的は感光性ポリイミドの現像を
行う際の現像性の向上ないし現像時間の安定化、クラッ
クの防止および解像度の向上等を同時に達成できる感光
性ポリイミドのパターン加工方法を提供することにある
。
[課題を解決するための手段] かかる本発明の目的は、次の構成により達成される。
(1)次の(A)〜(E)の工程を経て順次パターン加
工することを特徴とする感光性ポリイミドのパターン加
工方法。
(A)基板上に感光性ポリイミドコーティング剤を塗布
後、プリベークを行い、感光性ポリイミド皮膜を形成す
る工程、 (B)該感光性ポリイミド皮膜を選択的に露光する工程
、 (C)該感光性ポリイミド皮膜に第2のベーク処理を行
う工程、 (D)該感光性ポリイミド皮膜を現像する工程、(E)
加熱焼成する工程。
本発明において用いられる感光性ポリイミドコーティン
グ剤とはポリイミドまたはポリイミド前駆体に感光基を
導入、あるいは感光性化合物を混合し、紫外線、遠紫外
線、可視光線などの光への感応性を付与したものをいい
、公知の各種の感光性ポリイミドコーティング剤が使用
しうる。ここでポリイミド前駆体とは加熱焼成処理によ
りポリイミドを与えるものである。
次に本発明における感光性ポリイミドのパターン加工方
法について具体的に説明する。
まず、シリコン基板やセラミック基板のような半導体素
子あるいは半導体装置を実装した基板の表面に感光性ポ
リイミドコーティング剤を塗布した後、プリベークして
感光性ポリイミド皮膜を形成する。プリベーク温度は感
光性ポリイミドの膜厚に応じて適宜選択するのが好まし
いが、通常オープンの場合、50℃〜100℃で15分
から8時間、ホットプレートの場合、80℃〜120℃
の範囲で1分から30分程度行うことができる。
このようにしてプリベーク処理された感光性ポリイミド
皮膜は次いで選択的に露光されて所定のパターンに形成
される。露光はコンタクトアライナ−のような密着露光
、あるいはミラープロジェクションアライナ−やステッ
パーのような投影露光など公知の方式で行うことができ
る。
次いで所定パターンの施された感光性ポリイミド皮膜に
は、現像前に、第2のベーク処理が施される。第2のベ
ーク処理条件としてはプリベーク条件と同じかあるいは
より弱い条件が好ましく採用される。ここでより弱い条
件とはより弱い熱履歴が感光性ポリイミド皮膜に与えら
れるような条件を意味する。
通常ホットプレートの場合は80℃〜110℃の範囲で
30秒から5分の範囲で選ばれ、オーブンの場合は50
℃〜100℃の範囲で10分から90分の範囲で選択す
るのがパターン加工性の点から好ましい。
本発明における露光後、現像前の第2のベーク処理は、
本発明の目的ないし効果を効果的に達成するためには、
現像前の少なくとも4時間前に行うのが好ましい。
第2のベーク処理の施された感光性ポリイミド皮膜はつ
いで公知の方法により現像される。
現像液としては、N−メチル−2−ピロリドンやN、N
−ジメチルアセトアミドのような極性溶媒にメタノール
やエチレングリコールのようなアルコール系の溶剤、ア
セトンやシクロヘキサノンのようなケトン系の溶剤、ベ
ンゼンやキシレンのような芳香族炭化水素系の溶剤を加
えたものが使用でき、現像方式としてははスプレ一方式
、浸漬方式、超音波を加えた現像方式など公知の方法を
使用できる。
本発明における、感光性ポリイミドのパターン加工方法
は、感光基をジエチルアミノエチルメタクリレートのよ
うな光反応性を有する2重結合をもった3級アミンのよ
うな化合物をポリイミド前駆体に混合することにより感
光性を導入した感光性ポリイミドの場合に特に効果的で
あるが、感光基をエステル結合のような化学結合により
導入した感光性ポリイミドの場合にも効果が期待できる
。
所定の現像が終了後、公知の方法、例えば感光性ポリイ
ミド皮膜を200〜400℃の範囲で、連続的または段
階的に昇温しで、加熱焼成することにより所定のパター
ンを有するポリイミド樹脂膜の加工が完了する。
[発明の効果] 本発明の感光性ポリイミドパターンのパターン加工方法
は上述のごとく露光後現像前に第2のべ一り処理を施す
ようにしたので、現像性が著しく向上するとともにクラ
ックの発生がなく、しかも解像度を同時に向上できる利
点がある。
[実施例] 以下本発明を実施例により具体的に説明する。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれらに限定されない。
実施例1 ベンゾフェノンテトラカルボン酸310gと4゜4′−
ジアミノジフェニルエーテル200gを2040gのN
−メチルピロリドン中で40℃で反応させて、粘度が1
30ポイズのポリアミド酸のワニスを得た。
このワニスにジメチルアミノエチルメタクリレヘト34
0gとN−メチルピロリドン300 g’iミヒラーケ
トン12gを混合して感光性ポリイミド前駆体のワニス
(A)を得た。
このワニス(A)をシリコーンウェハー上にスピンナを
用いて塗布後、100℃のホットプレートで3分間プリ
ベークし、膜厚5μのフィルムを作製した。
このものに、キャノン製マスクアライナ−へPLA−5
01を用いて300mjのテストパターンでの露光を行
った。
露光終了後、直ちに、90℃のホットプレートで1分間
処理する第2のベーク処理を行い、次いでN−メチルピ
ロリドンとメタノールが体積比で1=1の現像液中で浸
漬現像を行ったところ、未露光部の溶解時間は1分であ
り、2分の現像後に膜厚が4μで、10μのライン・ア
ンド・スペースが解像されていた。
続いて150℃で30分および300℃で30分順次加
熱焼成処理を行ない良好な所定のパターンを有するポリ
イミド樹脂膜を得た。
実施例2 露光後2日間23℃、50%RHの雰囲気下に放置した
後現像を行った以外は実施例1と同じ条件で感光性ポリ
イミドのパターン加工を行った。
未露光部の溶解時間は1分で、2分の現像後に膜厚が4
μで、10μのライン・アンド・スペースが解像されて
いた。
実施例3 露光後2日間23℃、8o%RHの雰囲気下に放置した
後現像を行った以外は実施例1と同じ条件で感光性ポリ
イミドのパターン加工を行った。
未露光部の溶解時間は1分10秒で、2分の現像後に膜
厚が4μで、15μのライン・アンド・スペースが解像
されていた。
参考例 プリベーク後、すぐに露光し、現像前のベーク処理を行
うことなくただちに現像を行った以外は実施例1と同じ
条件でパターン加工を行ったところ。未露光部の溶解時
間は1分5秒となり、2分の現像後、膜厚が3.5μで
、15〜20μのライン・アンド・スペースに残膜が残
っていた。
比較例1 露光後6時間、23℃、5o%RHの雰囲気下に放置し
たものについて、現像前に再度プリベークを行なわなか
った以外は実施例1と同じ条件でパターン加工を行った
ところ、未露光部の−溶解時間は2分30秒となり、3
分30秒の現像後、膜厚が3.5μで、50μのライン
・アンド・スペースにも残膜が残っていた。
比較例2 露光後8時間、23℃、80%RHの雰囲気下に放置し
たものについて現像前に第2のベーク処理を行わなかっ
た以外は実施例1と同じ条件で感光性ポリイミドのパタ
ーン加工を行った。露光部の溶解時間は5分以上となり
、7分の現像後に膜厚が2.5μで、50μのライン・
アンド・スペースにも残膜が残っていた。またパターン
のコーナ一部にもクラックが生じていた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次の(A)〜(E)の工程を経て順次パターン加
    工することを特徴とする感光性ポリイミドのパターン加
    工方法。 (A)基板上に感光性ポリイミドコーティング剤を塗布
    後、プリベークを行い、感光性ポリイミド皮膜を形成す
    る工程、 (B)該感光性ポリイミド皮膜を選択的に露光する工程
    、 (C)該感光性ポリイミド皮膜に第2のベーク処理を行
    う工程、 (D)該感光性ポリイミド皮膜を現像する工程、 (E)加熱焼成する工程。
JP22626189A 1989-08-30 1989-08-30 感光性ポリイミドのパターン加工方法 Pending JPH03200970A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018038002A1 (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018038002A1 (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法
JPWO2018038002A1 (ja) * 2016-08-25 2019-04-11 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法

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