JPH03203964A - スクリーン印刷用ペースト - Google Patents
スクリーン印刷用ペーストInfo
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- JPH03203964A JPH03203964A JP1344066A JP34406689A JPH03203964A JP H03203964 A JPH03203964 A JP H03203964A JP 1344066 A JP1344066 A JP 1344066A JP 34406689 A JP34406689 A JP 34406689A JP H03203964 A JPH03203964 A JP H03203964A
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Landscapes
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- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はスクリーン印刷用ペーストに間する。
(従来の技術)
従来より、金属粒子、バインダー及びヒークルの3種の
成分を含むペーストを、スクリーンを用いて基板上に印
刷し、このペーストを乾燥させたのち焼成して基板に導
体パターンを形成することが行なわれている。
成分を含むペーストを、スクリーンを用いて基板上に印
刷し、このペーストを乾燥させたのち焼成して基板に導
体パターンを形成することが行なわれている。
基板として例えば、ハイプリ・ノドIC用にセラミック
ス基板やプラズマデイスプレィパネル(PDP)用にガ
ラス基板を用いる。金属粒子には導体パターンの使用目
的に応じて例えば、ニッケル(Ni)粒子、銀(A9)
粒子、金(Au)粒子或は酸化ルテニウム(RuO2)
粒子を用いる。また通常、バインダーには低融点ガラス
を、及び、ビークルには有機物及び溶剤の混合物を用い
る。
ス基板やプラズマデイスプレィパネル(PDP)用にガ
ラス基板を用いる。金属粒子には導体パターンの使用目
的に応じて例えば、ニッケル(Ni)粒子、銀(A9)
粒子、金(Au)粒子或は酸化ルテニウム(RuO2)
粒子を用いる。また通常、バインダーには低融点ガラス
を、及び、ビークルには有機物及び溶剤の混合物を用い
る。
セラミックス基板を用いる場合には金属粒子が互いに焼
結し合うような高い焼成温度で焼成を行なえるが、融点
の低いガラス基板を用いる場合には焼成温度を低くしな
ければならず(通常焼成温度を600°C以下とする)
これがため金属粒子は焼結しない、焼成温度を低くした
場合、金属粒子はバインダーにより結合される。
結し合うような高い焼成温度で焼成を行なえるが、融点
の低いガラス基板を用いる場合には焼成温度を低くしな
ければならず(通常焼成温度を600°C以下とする)
これがため金属粒子は焼結しない、焼成温度を低くした
場合、金属粒子はバインダーにより結合される。
バインダーは金属粒子を基板に固着させ或は金属粒子相
互を結合するために必要不可欠な成分である。
互を結合するために必要不可欠な成分である。
(発明が解決しようとする課WA)
しなしながらバインダーを一般によく用いられる鉛ガラ
スとした従来のスクリーン印刷用ペーストを用いて直流
型のPDPの陰極を形成した場合、鉛ガラスを用いるこ
とにより次の■及び■に述べるような問題があった。(
例えば、文献I:テレビジョン学会技術報告 Vol、
12第43〜48頁 1988年や、文献■:天野芳文
氏博士論文 第88〜92頁 慶応義塾大学1988年
11月をを照されたい、) ■陰極に含まれる鉛ガラスの酸化鉛が放電により還元さ
れ還元された鉛が陰極表面に析出し、この析出によりw
A接する陰極間の短絡を招く。
スとした従来のスクリーン印刷用ペーストを用いて直流
型のPDPの陰極を形成した場合、鉛ガラスを用いるこ
とにより次の■及び■に述べるような問題があった。(
例えば、文献I:テレビジョン学会技術報告 Vol、
12第43〜48頁 1988年や、文献■:天野芳文
氏博士論文 第88〜92頁 慶応義塾大学1988年
11月をを照されたい、) ■陰極に含まれる鉛ガラスの酸化鉛が放電により還元さ
れ還元された鉛が陰極表面に析出し、この析出によりw
A接する陰極間の短絡を招く。
■鉛が析出しでまた鉛が放電fこよる熱で溶融して電極
表面の物理的化学的な変化を生じ、これにより電極表面
の部分的導通性が向上して陰極の局所的な放電集中を招
いてFDPの寿命を短命化する。
表面の物理的化学的な変化を生じ、これにより電極表面
の部分的導通性が向上して陰極の局所的な放電集中を招
いてFDPの寿命を短命化する。
従って船ガラスの使用量をなるべく少なくすることが必
要であるが、理想的には、鉛ガラスを用いないようにす
るのが望ましい。
要であるが、理想的には、鉛ガラスを用いないようにす
るのが望ましい。
まな直流型FDPの陰極形成で現在量も一般的に用いて
られている金属粒子の主材料はNi粒子であるが、Ni
は鉛ガラスが溶融する500″C程度の温度で導電性の
ない酸化物になり、従って金属粒子表面が絶縁物でおお
われてしまうため、この酸化物を還元する還元剤例えば
ホウ素を含むNiホウ化物の粒子を金属粒子として用い
る。
られている金属粒子の主材料はNi粒子であるが、Ni
は鉛ガラスが溶融する500″C程度の温度で導電性の
ない酸化物になり、従って金属粒子表面が絶縁物でおお
われてしまうため、この酸化物を還元する還元剤例えば
ホウ素を含むNiホウ化物の粒子を金属粒子として用い
る。
このペーストを用いて形成した陰極表面は組成的にはN
i、船ガラス及び酸化した還元剤(例えばホウ酸)が混
在する不均一な状態となっており、これに加え電極表面
に放電ガスのアルゴンイオンが衝突したり放電による熱
が加わったり等により電極表面の物理的化学的な変化が
生じて陰極の局所への放電集中が起き易い、この放電集
中により陰極が破損してFDPの寿命が短くなる。
i、船ガラス及び酸化した還元剤(例えばホウ酸)が混
在する不均一な状態となっており、これに加え電極表面
に放電ガスのアルゴンイオンが衝突したり放電による熱
が加わったり等により電極表面の物理的化学的な変化が
生じて陰極の局所への放電集中が起き易い、この放電集
中により陰極が破損してFDPの寿命が短くなる。
放電集中を起つにくくするには、ペーストが含む元素を
少なくして陰極を組成的に均一化するとよいが、従来の
Ni粒子(Niホウ化物粒子)のペーストでは、実用的
な機械的強度及び放電特性を有する陰極を形成するため
Niのほかに鉛ガラス及び還元剤その他の添加物が必要
であり、従ってペーストが含む元素を少なくすることは
できない。
少なくして陰極を組成的に均一化するとよいが、従来の
Ni粒子(Niホウ化物粒子)のペーストでは、実用的
な機械的強度及び放電特性を有する陰極を形成するため
Niのほかに鉛ガラス及び還元剤その他の添加物が必要
であり、従ってペーストが含む元素を少なくすることは
できない。
また、FDPの表示画素の高精細化に伴ない電極も高精
細化が必要となるが、高精細な電極をスクリーン印刷す
るにはスクリーンのメツシュを細かくする必要があり、
従ってこのメツシュサイズに合せてNi粒子の粒径も小
さくしなければならない、しかしながらNi粒子は粒径
が微細になると化学的に不安定で発火し易くなり、従っ
てN1粒子の微細化は困難でありまた微細な粒子を形成
するためのコストが非常に高くなる。しかも微細化に伴
ないNi粒子の比面積(表面積/体積)は増加するが、
比面積の大きいNi粒子同士をしっかりと結合するため
には鉛ガラスの量を増やさなければならず、従って陰極
中において放電に寄与するNi粒子の密度は粗となって
放電面積が減りNi粒子が局在するため放電集中が起き
やすくなる。また船ガラスの量が多くなると粒子間抵抗
が非常に大きくなりFDPの陰極陽極間での放電が得ら
れなくなる。
細化が必要となるが、高精細な電極をスクリーン印刷す
るにはスクリーンのメツシュを細かくする必要があり、
従ってこのメツシュサイズに合せてNi粒子の粒径も小
さくしなければならない、しかしながらNi粒子は粒径
が微細になると化学的に不安定で発火し易くなり、従っ
てN1粒子の微細化は困難でありまた微細な粒子を形成
するためのコストが非常に高くなる。しかも微細化に伴
ないNi粒子の比面積(表面積/体積)は増加するが、
比面積の大きいNi粒子同士をしっかりと結合するため
には鉛ガラスの量を増やさなければならず、従って陰極
中において放電に寄与するNi粒子の密度は粗となって
放電面積が減りNi粒子が局在するため放電集中が起き
やすくなる。また船ガラスの量が多くなると粒子間抵抗
が非常に大きくなりFDPの陰極陽極間での放電が得ら
れなくなる。
この発明の目的は上述した従来の問題点を解決し、組成
的により均一な導体パターンを形成できしかもより高精
細な導体パターンを形成できるスクリーン印刷用ペース
トラ提供することにある。
的により均一な導体パターンを形成できしかもより高精
細な導体パターンを形成できるスクリーン印刷用ペース
トラ提供することにある。
(課題を解決するための手段)
この目的の達成を図るため、この発明のスクリーン印刷
用ペーストは、導電性粒子をバインダー層を介し結合し
て成る導体パターンを形成するためのペーストにおいて
、耐酸化性を有する材料から成る導電性粒子と、バイン
ダー層を形成する材料を含むバインダー形成液とを含ん
で成り、バインダー形成液が含む、バインダー層を形成
する材料は、バインダー層中では導電性粒子を構成する
耐酸化性材料と同じ種類の材料であることを特徴とする
。
用ペーストは、導電性粒子をバインダー層を介し結合し
て成る導体パターンを形成するためのペーストにおいて
、耐酸化性を有する材料から成る導電性粒子と、バイン
ダー層を形成する材料を含むバインダー形成液とを含ん
で成り、バインダー形成液が含む、バインダー層を形成
する材料は、バインダー層中では導電性粒子を構成する
耐酸化性材料と同じ種類の材料であることを特徴とする
。
(作用)
このような構成のスクリーン印刷用ペーストによれば、
ペーストが含む粒子は、耐酸化性を有する材料から成る
ので、従来のNi粒子を含むペーストとは異なり、粒子
の導電性を回復するための還元剤は不要であるし粒径を
微細化しても発火のおそれがない。
ペーストが含む粒子は、耐酸化性を有する材料から成る
ので、従来のNi粒子を含むペーストとは異なり、粒子
の導電性を回復するための還元剤は不要であるし粒径を
微細化しても発火のおそれがない。
またバインダー形成液が含む、バインダー層を形成する
材料は、バインダー層中では導電性粒子を構成する耐酸
化性材料と同じti類の材料である。従って形成された
導体パターン中の導電性粒子及びバインダー層は同じf
i類の耐酸化性材料を含む。
材料は、バインダー層中では導電性粒子を構成する耐酸
化性材料と同じti類の材料である。従って形成された
導体パターン中の導電性粒子及びバインダー層は同じf
i類の耐酸化性材料を含む。
またこの発明のペーストは液体であるバインダー形成液
と固体である粒子とを含んで成るので、粒子を微細化し
た場合でも粒子相互を結合するバインダーの量を減らせ
る。
と固体である粒子とを含んで成るので、粒子を微細化し
た場合でも粒子相互を結合するバインダーの量を減らせ
る。
(実施例)
以下、図面IFr参照し、この発明の実施例につき説明
する。尚、図面はこの発明が理解できる程度に、各構成
成分の形状、寸法及び配設位置を概略的に示しであるに
すぎず、従ってこの発明は図示例に限定されるものでは
ない。
する。尚、図面はこの発明が理解できる程度に、各構成
成分の形状、寸法及び配設位置を概略的に示しであるに
すぎず、従ってこの発明は図示例に限定されるものでは
ない。
募:JむE倒
第−実施例のスクリーン印刷用ペーストは、耐酸化性材
料として金属酸化物例えば二重化錫(SnO2)から成
る導電性粒子と、バインダー層を形成する材料を含むバ
インダー形成液とを含んでなる。このバインダー形成液
が含む、バインダー層を形成する材料は、バインダー層
中では導電性粒子を構成する耐酸化性材料と同じ種類の
材料、この例ではSnO2である。
料として金属酸化物例えば二重化錫(SnO2)から成
る導電性粒子と、バインダー層を形成する材料を含むバ
インダー形成液とを含んでなる。このバインダー形成液
が含む、バインダー層を形成する材料は、バインダー層
中では導電性粒子を構成する耐酸化性材料と同じ種類の
材料、この例ではSnO2である。
しかもSnO2粒子及びバインダー形成液はそれぞれS
n○2粒子の抵抗値調整用のドーパント及びバインダー
層の抵抗値調整用のドーパントを含む、 以下、より詳
細にこの実施例(こつき説明する。1−1施例のペース
トは次に述べるようにしてSnO2粒子、バインダー形
成液及びビークルを混合して作ったものである。
n○2粒子の抵抗値調整用のドーパント及びバインダー
層の抵抗値調整用のドーパントを含む、 以下、より詳
細にこの実施例(こつき説明する。1−1施例のペース
トは次に述べるようにしてSnO2粒子、バインダー形
成液及びビークルを混合して作ったものである。
この実施例では、5nOz粒子の抵抗値調整用のドーパ
ント及びバインダー層の抵抗値調整用のドーパントとし
てアシチモン(Sb)!用いる。
ント及びバインダー層の抵抗値調整用のドーパントとし
てアシチモン(Sb)!用いる。
そして87wt%のS n O2に対して13wt%の
sbを例えばイオン注入等によりドーピングして形成し
たS n O2を用意し、このSnO2を微粉末化して
SnO□粒子を得る。この微粉末の平均粒径は0.5μ
mとした。
sbを例えばイオン注入等によりドーピングして形成し
たS n O2を用意し、このSnO2を微粉末化して
SnO□粒子を得る。この微粉末の平均粒径は0.5μ
mとした。
またバインダー形成液としてこの液の4wt%程度の割
合でSbを含むFAT○(日本化学産業株式会社製)を
用意する。このFAT○から、sbをドーピングしたS
nO2薄膜(或は層)を形成できる。このほかバインダ
ー形成液として、有機錫例えばアセチルアセトン錫(S
n(C4Hs ) 2 (C6H702) )を、ア
ルコール溶液例えばブタノール溶液中に溶解させたもの
を用いでもよい、バインダー形成液にドーパシトを添加
すればドーパント含有のSnO2層をまたドーパシトを
添加しなければノンドープのS n 02層を形成でき
る。
合でSbを含むFAT○(日本化学産業株式会社製)を
用意する。このFAT○から、sbをドーピングしたS
nO2薄膜(或は層)を形成できる。このほかバインダ
ー形成液として、有機錫例えばアセチルアセトン錫(S
n(C4Hs ) 2 (C6H702) )を、ア
ルコール溶液例えばブタノール溶液中に溶解させたもの
を用いでもよい、バインダー形成液にドーパシトを添加
すればドーパント含有のSnO2層をまたドーパシトを
添加しなければノンドープのS n 02層を形成でき
る。
さらにペーストの印刷性を向上するためのビークルとし
てESL−$405 (Elect ro−scien
ce Laboratories社製)を用意する。
てESL−$405 (Elect ro−scien
ce Laboratories社製)を用意する。
そしてこれらSnO□粒子、バインダー形成液及びビー
クルを50wt%、10wt%及び40wt%の割合で
混合し、セラミック3本ロールミルと称する装置(弁上
製作所社製)を用いて混合攪拌しペースト化し、これら
粒子、形成液及びビークルから成る第−実施例のペース
トを得る。
クルを50wt%、10wt%及び40wt%の割合で
混合し、セラミック3本ロールミルと称する装置(弁上
製作所社製)を用いて混合攪拌しペースト化し、これら
粒子、形成液及びビークルから成る第−実施例のペース
トを得る。
導体パターンの形成は従来と同様であり、第−実施例の
ペーストを基板に所定のパターン形状でスクリーン印刷
し、このペーストを乾燥したのち焼成することによって
導体パターンを得る。
ペーストを基板に所定のパターン形状でスクリーン印刷
し、このペーストを乾燥したのち焼成することによって
導体パターンを得る。
バインダー層となるSnO,層はペーストが焼成された
ときバインダー形成液から得られる層である。
ときバインダー形成液から得られる層である。
第1図に、この実施例のペーストを用いて基板10に形
成した導体パターン12の様子を断面図で概略的ζこ示
す。
成した導体パターン12の様子を断面図で概略的ζこ示
す。
導体パターン12は第1図にも示すように、主としてS
nO2粒子(導電性金属酸化物の粒子)]4とSnO2
バインダー層16とから成る0粒子14の構成成分と同
じfl類の導電性金属酸化物の層であるSnO2バイン
ダー層16は焼成工程を経てバインダー形成液から形成
される。上述したようにこの実施例の81102バイン
ダ一層16は抵抗調整用のsbドーパシトを含み、従っ
てこの実施例によれば導体パターン12を主として錫(
Sn) 、酸素(0)及びアンチモン(Sb)の3種の
元素から構成することができ、従来のNi粒子のペース
トによる導体パターンよりも構成成分を少なくすること
ができる。従って導体パターン12の組成的な均一性を
従来よりも高くできる。
nO2粒子(導電性金属酸化物の粒子)]4とSnO2
バインダー層16とから成る0粒子14の構成成分と同
じfl類の導電性金属酸化物の層であるSnO2バイン
ダー層16は焼成工程を経てバインダー形成液から形成
される。上述したようにこの実施例の81102バイン
ダ一層16は抵抗調整用のsbドーパシトを含み、従っ
てこの実施例によれば導体パターン12を主として錫(
Sn) 、酸素(0)及びアンチモン(Sb)の3種の
元素から構成することができ、従来のNi粒子のペース
トによる導体パターンよりも構成成分を少なくすること
ができる。従って導体パターン12の組成的な均一性を
従来よりも高くできる。
第2図に、従来のNi粒子のペーストを用いて基板]0
に形成した導体パターン18の様子を断面図で概略的に
示す、第2図(A)は比較的大きな粒径例えば5〜10
μmのNi粒子を用いた例及び第2図(B)は比較的小
さな粒径のNi粒子を用いた例である。
に形成した導体パターン18の様子を断面図で概略的に
示す、第2図(A)は比較的大きな粒径例えば5〜10
μmのNi粒子を用いた例及び第2図(B)は比較的小
さな粒径のNi粒子を用いた例である。
従来の導体パターン18は、土として鉛ガラス20及び
Ni粒子22から成る。
Ni粒子22から成る。
従来では、Ni粒子22を微細化した場合に、粒子相互
をしっかりと結合するためにバインダーである鉛ガラス
2oの量を多くしなければならず従って第2図(B)に
も示すようIこ導体パターン18中のNi粒子22の密
度が粗となる。
をしっかりと結合するためにバインダーである鉛ガラス
2oの量を多くしなければならず従って第2図(B)に
も示すようIこ導体パターン18中のNi粒子22の密
度が粗となる。
一方、この実施例のペーストは、液体であるバインダー
形成液と固体である粒子とを含んで成るので、固体であ
る鉛ガラスと固体である粒子とを含んで成る従来ペース
トと比較して、SnO2粒子を微細化した場合でも、粒
子相互を結合するバインダーのlf!多くせずとも粒子
相互をしっかりと結合でき、この結果、第1図にも示す
ように導体パターン12中の5nOz粒子のと度を記と
することができる。これがため、導体パターン12をF
DPの陰極とした場合には放電特性に大きな影響を与え
る陰極表面の状態は放電に寄与するSnO2粒子が占め
る面積の割合が増えて放電面積が大きくなり粒子の局在
を従来より緩和でき、この結果放電集中を起きにくくす
ることができる。またバインダー量を少なくできるので
、粒子間抵抗を従来より小さくできる。
形成液と固体である粒子とを含んで成るので、固体であ
る鉛ガラスと固体である粒子とを含んで成る従来ペース
トと比較して、SnO2粒子を微細化した場合でも、粒
子相互を結合するバインダーのlf!多くせずとも粒子
相互をしっかりと結合でき、この結果、第1図にも示す
ように導体パターン12中の5nOz粒子のと度を記と
することができる。これがため、導体パターン12をF
DPの陰極とした場合には放電特性に大きな影響を与え
る陰極表面の状態は放電に寄与するSnO2粒子が占め
る面積の割合が増えて放電面積が大きくなり粒子の局在
を従来より緩和でき、この結果放電集中を起きにくくす
ることができる。またバインダー量を少なくできるので
、粒子間抵抗を従来より小さくできる。
第3図に、この実施例のペーストにより形成した導体パ
ターン120表面の導電物質Snの分布状態を示し、ま
た第4図に従来のNi粒子のペーストにより形成した導
体パターン18の表面の導電物質Niの分布状態を示す
、第3図及び第4図の横軸に導体パターン表面上の分析
ラインLに沿う方向の距Nxを、また第3図及び第4図
の縦軸に距離Xにおける導体パターン表面のSn及びN
iの存在率の相対値を取って示した。尚、菓3図はエー
ジングにより導体パターン表面の鉛ガラス等を除去した
状態の分布状態を示す。
ターン120表面の導電物質Snの分布状態を示し、ま
た第4図に従来のNi粒子のペーストにより形成した導
体パターン18の表面の導電物質Niの分布状態を示す
、第3図及び第4図の横軸に導体パターン表面上の分析
ラインLに沿う方向の距Nxを、また第3図及び第4図
の縦軸に距離Xにおける導体パターン表面のSn及びN
iの存在率の相対値を取って示した。尚、菓3図はエー
ジングにより導体パターン表面の鉛ガラス等を除去した
状態の分布状態を示す。
従来のペーストlこよる導体パターン18では、第4図
からも理解できるように、Ni粒子22が露出しでいな
い部分ではNiが存在せず、従って導体パターン表面で
のNiの濃度の不均一性が高く組成的に不均一である。
からも理解できるように、Ni粒子22が露出しでいな
い部分ではNiが存在せず、従って導体パターン表面で
のNiの濃度の不均一性が高く組成的に不均一である。
一方、この実施例のペーストによる導体パターン12で
は、第3図からも理解できるように、Sn粒子14及び
バインダー層16の組成的な相違はsbトド−ントの含
有量の差のみであるので、導体パターン表面のSnの濃
度の均一性が高く組成的に均一である0組成的な均一性
を高めることによって導体パターン12frPDPの陰
極としで用いた場合tこ物理的化学的な変化の度合を小
ざくし放電集中を起きにくくすることができる。
は、第3図からも理解できるように、Sn粒子14及び
バインダー層16の組成的な相違はsbトド−ントの含
有量の差のみであるので、導体パターン表面のSnの濃
度の均一性が高く組成的に均一である0組成的な均一性
を高めることによって導体パターン12frPDPの陰
極としで用いた場合tこ物理的化学的な変化の度合を小
ざくし放電集中を起きにくくすることができる。
また、従来のように鉛ガラス20をバインダーとした場
合、鉛ガラス20の量を増やすと鉛ガラス20は絶縁体
であるのでNi粒子22闇の抵抗か高まり、導体パター
ン18を例えばFDPの陰極として用いるには不都合で
ある。そこで鉛ガラス2oに導電性物質を添加して抵抗
を下げることも考えられる。しかし抵抗を下げすぎると
粒子22内を通る電子の量が少なくなり、導電性物質を
添加した鉛ガラス22が放電に寄与することも考えられ
る。そこで粒子の粒径及び抵抗と、鉛ガラス22への導
電性物質の添加量とを調整することが必要となるが、従
来のペーストでは抵抗値の最適化が難しい。
合、鉛ガラス20の量を増やすと鉛ガラス20は絶縁体
であるのでNi粒子22闇の抵抗か高まり、導体パター
ン18を例えばFDPの陰極として用いるには不都合で
ある。そこで鉛ガラス2oに導電性物質を添加して抵抗
を下げることも考えられる。しかし抵抗を下げすぎると
粒子22内を通る電子の量が少なくなり、導電性物質を
添加した鉛ガラス22が放電に寄与することも考えられ
る。そこで粒子の粒径及び抵抗と、鉛ガラス22への導
電性物質の添加量とを調整することが必要となるが、従
来のペーストでは抵抗値の最適化が難しい。
一方この実施例では、S n 02粒子14に対するs
bのドープ量及びバインダー層16に対するsbのドー
プ量を調整することによって、粒子14の抵抗及びバイ
ンダー層16の抵抗を可変的に調整できるので、粒子1
4及びバインダー層16相互の抵抗値の間係の調整が簡
単に行なえ抵抗の最適化が容易であり、従ってペースト
の設計が簡単に行なえる。
bのドープ量及びバインダー層16に対するsbのドー
プ量を調整することによって、粒子14の抵抗及びバイ
ンダー層16の抵抗を可変的に調整できるので、粒子1
4及びバインダー層16相互の抵抗値の間係の調整が簡
単に行なえ抵抗の最適化が容易であり、従ってペースト
の設計が簡単に行なえる。
尚、この実施例では粒子14及びバインダー層16の双
方に対してドーパントを添加するようにしたが、これら
14及び16のいずれか一方に対してのみドーパントを
添加するようにしてもよい。
方に対してドーパントを添加するようにしたが、これら
14及び16のいずれか一方に対してのみドーパントを
添加するようにしてもよい。
簾ffl倒
以下、第−実施例と相違する点につき説明し、第−実施
例と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
例と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
第二実施例では、耐酸化性を有する導電性粒子を工T○
(Indium−Tin−Oxide)の粒子とし、バ
インダー形成液ji;ITOバインダー層を形成する材
料を含むバインダー形成液とする。ドーパントには5n
Ozを用い、ITO粒子の平均粒径を0.1μm以下と
する。
(Indium−Tin−Oxide)の粒子とし、バ
インダー形成液ji;ITOバインダー層を形成する材
料を含むバインダー形成液とする。ドーパントには5n
Ozを用い、ITO粒子の平均粒径を0.1μm以下と
する。
第二実施例でも、第−実施例と同様の効果が得られる。
この発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
く、従って各構成成分の形成材料、数値的条件、形成方
法及びその他の条件を任意好適に変更することかできる
0例えば導電性粒子を耐酸化性を有する金属例えばAu
から形成してもよい、また粒子の形状は球状、粉状、針
状そのほかの任意好適な形状とすることができる。また
バインダー形成液として上述以外の任意好適なものを用
いることができ、例えば塗布焼成型金属酸化膜形成液M
OFC東京応化株式会社製)を用いてもよい、この場合
も、ペーストの焼成によりMOFからバインダー層を得
ることができる。MOFによれば、例えばSi、41%
Ti、Ta、Sn、Ge、W、Mo、Fe、Cr、Zn
、Se、G。
く、従って各構成成分の形成材料、数値的条件、形成方
法及びその他の条件を任意好適に変更することかできる
0例えば導電性粒子を耐酸化性を有する金属例えばAu
から形成してもよい、また粒子の形状は球状、粉状、針
状そのほかの任意好適な形状とすることができる。また
バインダー形成液として上述以外の任意好適なものを用
いることができ、例えば塗布焼成型金属酸化膜形成液M
OFC東京応化株式会社製)を用いてもよい、この場合
も、ペーストの焼成によりMOFからバインダー層を得
ることができる。MOFによれば、例えばSi、41%
Ti、Ta、Sn、Ge、W、Mo、Fe、Cr、Zn
、Se、G。
及びMoのなかから選んだいずれかひとつの元素の酸化
物の層をバインダー層として形成できる。
物の層をバインダー層として形成できる。
しかもバインダー層にこの層の抵抗値を調整するための
ドーパントを含ませることができる。酸化物の層を形成
する元素の性質に応じて例えばB、P、Sb、As、C
a%Au及びPtのなかから任意好適に選択した1つ又
は複数の元素をドーパントとすることができる。尚、バ
インダー形成液として薄膜形成に用いられるものを用い
るのがよい。
ドーパントを含ませることができる。酸化物の層を形成
する元素の性質に応じて例えばB、P、Sb、As、C
a%Au及びPtのなかから任意好適に選択した1つ又
は複数の元素をドーパントとすることができる。尚、バ
インダー形成液として薄膜形成に用いられるものを用い
るのがよい。
(発明の効果)
上述した説明からも明らかなように、この発明のスクリ
ーン印刷用ペーストによれば、導電性粒子は耐酸化性を
有するので、従来のNi粒子を含むペーストとは具なり
、粒子の導電性を回復するための還元剤は不要であるし
粒径を微細化しても発火のおそれがなく微細な粒子を作
成するためのコストを低減できる。
ーン印刷用ペーストによれば、導電性粒子は耐酸化性を
有するので、従来のNi粒子を含むペーストとは具なり
、粒子の導電性を回復するための還元剤は不要であるし
粒径を微細化しても発火のおそれがなく微細な粒子を作
成するためのコストを低減できる。
またバインダー形成液が含む、バインダー層を形成する
材料は、バインダー層中では導電性粒子を構成する耐酸
化性材料と同じ種類の材料であり、従って導電性粒子及
びバインダー層は同じ種類の耐酸化性材料を含むので導
体パクーンの組成的な均一化を図れる。
材料は、バインダー層中では導電性粒子を構成する耐酸
化性材料と同じ種類の材料であり、従って導電性粒子及
びバインダー層は同じ種類の耐酸化性材料を含むので導
体パクーンの組成的な均一化を図れる。
従って還元剤が不要であり粒子及びバインダー層が同じ
種類の材料を含むので導体パターン特にその表面の組成
的な均一性を従来より高くすることかでき、また船ガラ
スを用いていないので、例えば導体パターン!FDPの
陰極として用いた場合に、放電による導体パターン表面
の物理的化学的な変化を少なくして従来よりも放電集中
を起りにくくすることかできる。
種類の材料を含むので導体パターン特にその表面の組成
的な均一性を従来より高くすることかでき、また船ガラ
スを用いていないので、例えば導体パターン!FDPの
陰極として用いた場合に、放電による導体パターン表面
の物理的化学的な変化を少なくして従来よりも放電集中
を起りにくくすることかできる。
またバインダー形成液は液体なので微細な導電性粒子を
用いた場合でも粒子相互を結合するバインダーの量を減
らせ、従って形成された導体パターン中にお:する粒子
密度を従来よりち密とすることかでき、これかため導体
パターンをPDPの陰極として用いた場合に放電に寄与
する粒子が導体パターン表面において占める面積(放電
面積)を広くし粒子の局在を従来よりも緩和できるので
、放電集中を起こりにくくすることができる。
用いた場合でも粒子相互を結合するバインダーの量を減
らせ、従って形成された導体パターン中にお:する粒子
密度を従来よりち密とすることかでき、これかため導体
パターンをPDPの陰極として用いた場合に放電に寄与
する粒子が導体パターン表面において占める面積(放電
面積)を広くし粒子の局在を従来よりも緩和できるので
、放電集中を起こりにくくすることができる。
またバインダー量を少なくできるので粒子を微細化した
場合に粒子間抵抗を従来よりも小さくできる。
場合に粒子間抵抗を従来よりも小さくできる。
第1図はこの発明の実施例のペーストを用いて形成した
導体パターンの様子を概略的に示す断面図、 第2図(A)〜(B)は従来のペーストを用いて形成し
た導体パターンの様子を概略的に示す断面図、 第3図はこの発明の実施例のペーストを用いて形成した
導体パターンの表面のSnの分布状態を概略的に示す図
、 第4図は従来のペーストを用いて形成した導体パターン
の表面のNiの分布状態を概略的に示す図である。 14・・・導電性粒子 16・・・バインダー層。
導体パターンの様子を概略的に示す断面図、 第2図(A)〜(B)は従来のペーストを用いて形成し
た導体パターンの様子を概略的に示す断面図、 第3図はこの発明の実施例のペーストを用いて形成した
導体パターンの表面のSnの分布状態を概略的に示す図
、 第4図は従来のペーストを用いて形成した導体パターン
の表面のNiの分布状態を概略的に示す図である。 14・・・導電性粒子 16・・・バインダー層。
Claims (3)
- (1)導電性粒子をバインダー層を介し結合して成る導
体パターンを形成するためのペーストにおいて、 耐酸化性を有する材料から成る導電性粒子と、前記バイ
ンダー層を形成する材料を含むバインダー形成液とを含
んで成り、 前記バインダー形成液が含む、バインダー層を形成する
材料は、前記バインダー層中では前記導電性粒子を構成
する耐酸化性材料と同じ種類の材料であることを特徴と
するスクリーン印刷用ペースト。 - (2)前記導電性粒子及びバインダー層の双方又はいず
れか一方の抵抗調整用のドーパントを含んで成ることを
特徴とする請求項1に記載のスクリーン印刷用ペースト
。 - (3)前記バインダー層はペーストの焼成により前記バ
インダー形成液から得られる層であることを特徴とする
請求項1又は2に記載のスクリーン印刷用ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344066A JPH03203964A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | スクリーン印刷用ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344066A JPH03203964A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | スクリーン印刷用ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203964A true JPH03203964A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18366394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1344066A Pending JPH03203964A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | スクリーン印刷用ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03203964A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933702A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-23 | アルプス電気株式会社 | 透明導電性被膜形成用ペ−スト |
| JPS59167906A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 導電性厚膜形成組成物、その製造法および使用法 |
| JPS6346274A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-27 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 導電性塗料 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1344066A patent/JPH03203964A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933702A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-23 | アルプス電気株式会社 | 透明導電性被膜形成用ペ−スト |
| JPS59167906A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 導電性厚膜形成組成物、その製造法および使用法 |
| JPS6346274A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-27 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 導電性塗料 |
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