JPH113802A - 低温焼成用抵抗ペースト - Google Patents
低温焼成用抵抗ペーストInfo
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- JPH113802A JPH113802A JP9169470A JP16947097A JPH113802A JP H113802 A JPH113802 A JP H113802A JP 9169470 A JP9169470 A JP 9169470A JP 16947097 A JP16947097 A JP 16947097A JP H113802 A JPH113802 A JP H113802A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、直流型プラズマディスプレイバネ
ル（ＰＤＰ）用途に対応出来る抵抗体の温度係数（ＴＣ
Ｒ）及び抵抗値のばらつきが小さく、耐静電気特性の極
めて安定した低温焼成用抵抗ペーストを提供することを
課題とする。 【解決手段】 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビス
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が３
５０℃〜５５０℃であるＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 −ＺｎＯ系のものを単独又は混合せるガラス粉末
と、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラ
セオジム粉末との混合物を用い、それら粉末の総てを、
有機ビヒクル中に分散させて抵抗ペーストとする。
ル（ＰＤＰ）用途に対応出来る抵抗体の温度係数（ＴＣ
Ｒ）及び抵抗値のばらつきが小さく、耐静電気特性の極
めて安定した低温焼成用抵抗ペーストを提供することを
課題とする。 【解決手段】 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビス
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が３
５０℃〜５５０℃であるＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 −ＺｎＯ系のものを単独又は混合せるガラス粉末
と、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラ
セオジム粉末との混合物を用い、それら粉末の総てを、
有機ビヒクル中に分散させて抵抗ペーストとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種抵抗器など、
主として直流型プラズマディスプレイパネル、液晶表示
板、陰極線管などのガラス基材表面に焼成抵抗体の被膜
形成可能な抵抗ペーストに係り、スパッタ防止のための
電流制限用抵抗に用いる、５００〜６００℃で焼成可能
な低温焼成用抵抗ペーストの改良に関する。
主として直流型プラズマディスプレイパネル、液晶表示
板、陰極線管などのガラス基材表面に焼成抵抗体の被膜
形成可能な抵抗ペーストに係り、スパッタ防止のための
電流制限用抵抗に用いる、５００〜６００℃で焼成可能
な低温焼成用抵抗ペーストの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業用貴金属ペーストの用途
は急速に拡大してきており、多種にわたる貴金属が単一
又は複合してそれに活用されている。貴金属ペーストと
いっても、これを正確に定義することは難しいが、貴金
属ペーストとは、端的に言えば、導電機能材料としての
貴金属粉末や貴金属レジネートなどを、無機バインダー
であるガラスフリット、金属酸化物などを、粘性を付与
する有機ビヒクルに混合分散してペースト状にしたもの
である。
は急速に拡大してきており、多種にわたる貴金属が単一
又は複合してそれに活用されている。貴金属ペーストと
いっても、これを正確に定義することは難しいが、貴金
属ペーストとは、端的に言えば、導電機能材料としての
貴金属粉末や貴金属レジネートなどを、無機バインダー
であるガラスフリット、金属酸化物などを、粘性を付与
する有機ビヒクルに混合分散してペースト状にしたもの
である。
【０００３】これらは、一般に非導電性の、例えばセラ
ミックスなどの基板材料に塗布、焼成、硬化させて導
電、抵抗回路機能を発揮する電子部品として利用される
ことにより、貴金属ペーストの概念ならびに価値を理解
することが出来る。それらに通常使用される金属及び貴
金属類としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉなどを挙げることが出来
る。
ミックスなどの基板材料に塗布、焼成、硬化させて導
電、抵抗回路機能を発揮する電子部品として利用される
ことにより、貴金属ペーストの概念ならびに価値を理解
することが出来る。それらに通常使用される金属及び貴
金属類としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉなどを挙げることが出来
る。
【０００４】また、電気メッキに代表される湿式メッキ
や、乾式メッキとして真空蒸着法、化学蒸着法、スパッ
タリングなどにより薄膜を形成させる方法等がある。
や、乾式メッキとして真空蒸着法、化学蒸着法、スパッ
タリングなどにより薄膜を形成させる方法等がある。
【０００５】薄膜法に対して厚膜法は、通常０．２μｍ
〜数十μｍの膜を形成させるもので、貴金属ペースト、
有機金属メタル（メタルオーガニック ＭＯ）によるも
のである。その方法によって得られる製品は、精密導体
回路などに広く利用され、主なものを挙げると、ハイブ
リッドＩＣ、ネットワーク抵抗、各種センサ、積層セラ
ミックコンデンサ、タンタルコンデンサ、厚膜感熱プリ
ントヘッド、等々である。
〜数十μｍの膜を形成させるもので、貴金属ペースト、
有機金属メタル（メタルオーガニック ＭＯ）によるも
のである。その方法によって得られる製品は、精密導体
回路などに広く利用され、主なものを挙げると、ハイブ
リッドＩＣ、ネットワーク抵抗、各種センサ、積層セラ
ミックコンデンサ、タンタルコンデンサ、厚膜感熱プリ
ントヘッド、等々である。
【０００６】本発明は、前記金属及び貴金属ペーストの
利用分野に属し、その応用技術の一貫として実施される
もので、そのうち厚膜ハイブリッドＩＣ及び抵抗器用ペ
ーストとして用いられるものでも、導電体となるもの、
抵抗体となるものに分けられる。従来用いられていた抵
抗ペーストとしては、銀・パラジウムが主流を占めてい
たが、焼成中にパラジウムの酸化・還元過程において銀
との合金化など制御困難な反応が起こり、正確な抵抗値
を得るのが難しく、現在では殆ど使用されなくなった。
利用分野に属し、その応用技術の一貫として実施される
もので、そのうち厚膜ハイブリッドＩＣ及び抵抗器用ペ
ーストとして用いられるものでも、導電体となるもの、
抵抗体となるものに分けられる。従来用いられていた抵
抗ペーストとしては、銀・パラジウムが主流を占めてい
たが、焼成中にパラジウムの酸化・還元過程において銀
との合金化など制御困難な反応が起こり、正確な抵抗値
を得るのが難しく、現在では殆ど使用されなくなった。
【０００７】それにひきかえ、近年着目されている酸化
ルテニウムは安定な酸化物で、この粉末とガラス粉末と
を有機ビヒクル中に分散させて用いるが、酸化物の抵抗
率が酸化パラジウムに比して小さく、抵抗体の温度係数
（ＴＣＲ）も小さいので、一つの系列で低抵抗から高抵
抗まで幅広い効力を有する。
ルテニウムは安定な酸化物で、この粉末とガラス粉末と
を有機ビヒクル中に分散させて用いるが、酸化物の抵抗
率が酸化パラジウムに比して小さく、抵抗体の温度係数
（ＴＣＲ）も小さいので、一つの系列で低抵抗から高抵
抗まで幅広い効力を有する。
【０００８】酸化ルテニウム系ペーストには、導電物質
として通常ＲｕＯ2 を用いるものと、Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7
のようなパイロクロア形ルテニウム酸塩を用いるものと
があり、ＭｎＯ2 、Ｃｕ2 Ｏ、Ｎｂ2 Ｏ5 などの金属酸
化物などを添加して、抵抗体の温度係数、耐電力、耐静
電気特性などの抵抗としての電気的特性を制御する方法
が採られている。
として通常ＲｕＯ2 を用いるものと、Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7
のようなパイロクロア形ルテニウム酸塩を用いるものと
があり、ＭｎＯ2 、Ｃｕ2 Ｏ、Ｎｂ2 Ｏ5 などの金属酸
化物などを添加して、抵抗体の温度係数、耐電力、耐静
電気特性などの抵抗としての電気的特性を制御する方法
が採られている。
【０００９】その際、ペーストに用いるガラス粉末が、
焼成時に流動するのを制御するためフィラーを添加する
が、一般に使用されているものに酸化チタン粉末、酸化
アルミニウム粉末、酸化ジルコニウム粉末などがある。
それら抵抗ペーストに関し、二三の公知例を挙げる。
焼成時に流動するのを制御するためフィラーを添加する
が、一般に使用されているものに酸化チタン粉末、酸化
アルミニウム粉末、酸化ジルコニウム粉末などがある。
それら抵抗ペーストに関し、二三の公知例を挙げる。
【００１０】まず、特公昭６３−７５８５号には、抵抗
塗料として酸化ルテニウムと、ガラス、ランタン酸化物
及び／又はネオジム酸化物と、有機ビヒクルとからなる
ものがあり、それらのランタン酸化物及び／又はネオジ
ム酸化物が予めガラス中に包含され、また、酸化ルテニ
ウムとランタン酸化物及び／又はネオジム酸化物とが予
めガラスに包含されていること、及びそれらの量比を規
定した発明が開示されている。
塗料として酸化ルテニウムと、ガラス、ランタン酸化物
及び／又はネオジム酸化物と、有機ビヒクルとからなる
ものがあり、それらのランタン酸化物及び／又はネオジ
ム酸化物が予めガラス中に包含され、また、酸化ルテニ
ウムとランタン酸化物及び／又はネオジム酸化物とが予
めガラスに包含されていること、及びそれらの量比を規
定した発明が開示されている。
【００１１】それと関連する抵抗塗料として、特公昭６
３−５５８４４号には、（ａ）酸化ルテニウムと、
（ｂ）ガラスと、（ｃ）プラセオジム酸化物及び／又は
サマリウム酸化物と、（ｄ）有機ベヒクルとから成るも
のがあり、それにさらにランタン酸化物及び／又はネオ
ジム酸化物を加えた塗料が開示されている。
３−５５８４４号には、（ａ）酸化ルテニウムと、
（ｂ）ガラスと、（ｃ）プラセオジム酸化物及び／又は
サマリウム酸化物と、（ｄ）有機ベヒクルとから成るも
のがあり、それにさらにランタン酸化物及び／又はネオ
ジム酸化物を加えた塗料が開示されている。
【００１２】また、特開昭６２−１２４１６４号には、
抵抗塗料及びそれより形成される抵抗体が記載され、そ
れらを形成する物質として、（ａ）酸化ルテニウム、
（ｂ）ガラスと、（ｃ）ランタン酸化物、ネオジム酸化
物、プラセオジム酸化物及びサマリウム酸化物からなる
群より選ばれる一種又は二種以上の酸化物と、（ｄ）銅
酸化物と、（ｅ）有機ビヒクルとからなる抵抗塗料、な
らびに、絶縁基板上に、（ａ）酸化ルテニウムと、
（ｂ）ガラスと、（ｃ）ランタン酸化物、ネオジム酸化
物、プラセオジム酸化物及びサマリウム酸化物からなる
群より選ばれる一種又は二種以上の酸化物と、（ｄ）銅
酸化物とからなる抵抗被膜を形成してなる厚膜抵抗体が
開示されている。
抵抗塗料及びそれより形成される抵抗体が記載され、そ
れらを形成する物質として、（ａ）酸化ルテニウム、
（ｂ）ガラスと、（ｃ）ランタン酸化物、ネオジム酸化
物、プラセオジム酸化物及びサマリウム酸化物からなる
群より選ばれる一種又は二種以上の酸化物と、（ｄ）銅
酸化物と、（ｅ）有機ビヒクルとからなる抵抗塗料、な
らびに、絶縁基板上に、（ａ）酸化ルテニウムと、
（ｂ）ガラスと、（ｃ）ランタン酸化物、ネオジム酸化
物、プラセオジム酸化物及びサマリウム酸化物からなる
群より選ばれる一種又は二種以上の酸化物と、（ｄ）銅
酸化物とからなる抵抗被膜を形成してなる厚膜抵抗体が
開示されている。
【００１３】上記従来例には、ガラスの軟化点ついての
記載はなく明らかではないが、軟化点は５５０〜８５０
℃のものを単独で使用しているものと推測される。直流
型プラズマディスプレイパネル（ＤＣ型ＰＤＰ）に使用
される電流制限用抵抗に不可欠の特性、即ち抵抗値が５
００ｋΩ／□程度で、抵抗値のばらつきが小さく（ＣＶ
５％以内）、且つＴＣＲ（抵抗体の温度係数）も小さく
（−５００ｐｐｍ／℃以内）、同時にサイズが小さくと
も（０．３ｍｍ×０．３ｍｍ以内）、高電圧パルス（１
０００Ｖ）に対して安定なもの（変化率が３％以内）が
要求されるところ、従来例のものは、それらの特性を総
合して満足するものではなかった。
記載はなく明らかではないが、軟化点は５５０〜８５０
℃のものを単独で使用しているものと推測される。直流
型プラズマディスプレイパネル（ＤＣ型ＰＤＰ）に使用
される電流制限用抵抗に不可欠の特性、即ち抵抗値が５
００ｋΩ／□程度で、抵抗値のばらつきが小さく（ＣＶ
５％以内）、且つＴＣＲ（抵抗体の温度係数）も小さく
（−５００ｐｐｍ／℃以内）、同時にサイズが小さくと
も（０．３ｍｍ×０．３ｍｍ以内）、高電圧パルス（１
０００Ｖ）に対して安定なもの（変化率が３％以内）が
要求されるところ、従来例のものは、それらの特性を総
合して満足するものではなかった。
【００１４】また、フィラーに就いても、前三例は、ラ
ンタン酸化物及び／又はネオジム酸化物であり、プラセ
オジム酸化物及び／又はサマリウム酸化物ランタン酸化
物であり、ネオジム酸化物、プラセオジム酸化物及びサ
マリウム酸化物からなる群より選ばれる一種又は二種以
上の酸化物であって、それらは何れも本発明で使用する
酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末を混合
したものと異なるものである。同時に、ガラス粉末に就
いても、本発明で使用する軟化点が３５０〜５５０℃と
低いガラス粉末とは異なっている。
ンタン酸化物及び／又はネオジム酸化物であり、プラセ
オジム酸化物及び／又はサマリウム酸化物ランタン酸化
物であり、ネオジム酸化物、プラセオジム酸化物及びサ
マリウム酸化物からなる群より選ばれる一種又は二種以
上の酸化物であって、それらは何れも本発明で使用する
酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末を混合
したものと異なるものである。同時に、ガラス粉末に就
いても、本発明で使用する軟化点が３５０〜５５０℃と
低いガラス粉末とは異なっている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】直流型プラズマディス
プレイパネルの場合、一枚の基板に微細な抵抗体が数百
万個も形成されるので、電流制限用抵抗体の抵抗値のば
らつきが小さく、且つ基板の温度の変化や周囲環境温度
の変化を考慮すると、温度係数（ＴＣＲ）が小さいこと
が重要な要件となる。また、２００〜３００Ｖの電圧パ
ルスが印加されることを考慮すれば、電圧パルスについ
ても安定を図ることも重要である。
プレイパネルの場合、一枚の基板に微細な抵抗体が数百
万個も形成されるので、電流制限用抵抗体の抵抗値のば
らつきが小さく、且つ基板の温度の変化や周囲環境温度
の変化を考慮すると、温度係数（ＴＣＲ）が小さいこと
が重要な要件となる。また、２００〜３００Ｖの電圧パ
ルスが印加されることを考慮すれば、電圧パルスについ
ても安定を図ることも重要である。
【００１６】前記のことを総合的に考えると、直流型プ
ラズマティスプレイパネルに適用可能な抵抗の特性とし
て要求される事項は、５００ｋΩ／□程度で、抵抗値の
ばらつきが５％以下で、温度係数（ＴＣＲ）が−５００
ｐｐｍ／℃以内、０．３ｍｍ×０．３ｍｍサイズで１０
００Ｖパルスでの変化率が５％以内の抵抗体とすること
であり、それらの改良を本発明の課題とする。
ラズマティスプレイパネルに適用可能な抵抗の特性とし
て要求される事項は、５００ｋΩ／□程度で、抵抗値の
ばらつきが５％以下で、温度係数（ＴＣＲ）が−５００
ｐｐｍ／℃以内、０．３ｍｍ×０．３ｍｍサイズで１０
００Ｖパルスでの変化率が５％以内の抵抗体とすること
であり、それらの改良を本発明の課題とする。
【００１７】
１ ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビスマス粉末、
ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸ストロンチ
ウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中から選ばれた
一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が３５０℃〜５
５０℃であるＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3
系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｚｎ
Ｏ系のものを単独又は混合せるガラス粉末と、フィラー
として酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末
との混合物を用い、それら粉末の総てを、有機ビヒクル
中に分散させることを特徴とする低温焼成用抵抗ペース
ト。 ２ 酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末と
の混合物の重量和は、導電粒子とガラス粉末との重量和
の５重量％〜３５重量％の範囲である前項１記載の低温
焼成用抵抗ペースト。
ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸ストロンチ
ウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中から選ばれた
一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が３５０℃〜５
５０℃であるＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3
系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｚｎ
Ｏ系のものを単独又は混合せるガラス粉末と、フィラー
として酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末
との混合物を用い、それら粉末の総てを、有機ビヒクル
中に分散させることを特徴とする低温焼成用抵抗ペース
ト。 ２ 酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末と
の混合物の重量和は、導電粒子とガラス粉末との重量和
の５重量％〜３５重量％の範囲である前項１記載の低温
焼成用抵抗ペースト。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明によって作られた抵抗体
が、耐電圧特性において、従来品に比し数段向上させ得
たことについて特筆すべき点は、フィラーとして酸化ジ
スプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物を
用いたことにある。また、抵抗ペーストの一成分である
ガラス粉末について、軟化点が３５０〜５５０℃のもの
を用いたから低温下での焼結が可能で、焼成固着した抵
抗体の均一性がよく、ガラス基板が使用されている直流
型プラズマディスプレイパネルに応用可能なほか、省エ
ネに寄与出来る長所がある。
が、耐電圧特性において、従来品に比し数段向上させ得
たことについて特筆すべき点は、フィラーとして酸化ジ
スプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物を
用いたことにある。また、抵抗ペーストの一成分である
ガラス粉末について、軟化点が３５０〜５５０℃のもの
を用いたから低温下での焼結が可能で、焼成固着した抵
抗体の均一性がよく、ガラス基板が使用されている直流
型プラズマディスプレイパネルに応用可能なほか、省エ
ネに寄与出来る長所がある。
【００１９】ガラス組成は、ＰｂＯ７５．０〜８１．０
重量％、ＳｉＯ2 ６．０〜１０．０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ３．０〜５．０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ８．０〜１２．０
重量％、からなるもの、又はＰｂＯ７０．３〜７６．４
重量％、ＳｉＯ2 ０．９〜３．０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １
４．８〜１８．９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 １．７〜３．７重
量％、ＺｎＯ４．１〜６．２重量％からなる平均粒子径
１μｍ以下のものを用いる。
重量％、ＳｉＯ2 ６．０〜１０．０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ３．０〜５．０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ８．０〜１２．０
重量％、からなるもの、又はＰｂＯ７０．３〜７６．４
重量％、ＳｉＯ2 ０．９〜３．０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １
４．８〜１８．９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 １．７〜３．７重
量％、ＺｎＯ４．１〜６．２重量％からなる平均粒子径
１μｍ以下のものを用いる。
【００２０】さらに具体的には、軟化点５１０℃のＰｂ
Ｏ７８．０重量％、ＳｉＯ2 ８．０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ４．０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 １０．０重量％のガラス粉
末、及び／又は軟化点４３０℃のＰｂＯ７３．３重量
％、ＳｉＯ2 ２．０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １６．９重量％、
Ａｌ2 Ｏ3 ２．７重量％、ＺｎＯ５．２重量％のガラス
粉末を単独又は混合して用いる。
Ｏ７８．０重量％、ＳｉＯ2 ８．０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ４．０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 １０．０重量％のガラス粉
末、及び／又は軟化点４３０℃のＰｂＯ７３．３重量
％、ＳｉＯ2 ２．０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １６．９重量％、
Ａｌ2 Ｏ3 ２．７重量％、ＺｎＯ５．２重量％のガラス
粉末を単独又は混合して用いる。
【００２１】
【実施例】まず、ＰｂＯ７３．３重量％、ＳｉＯ2 ２．
０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １６．９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２．７
重量％、ＺｎＯ５．２重量％を混合して約１３００℃で
溶融した後冷却し、これをボールミルにて粉砕し、軟化
点４３０℃で平均粒子径１μｍ以下のガラス粉末を用意
した。別に導電粒子として、平均粒子径１μｍ以下のル
テニウム酸鉛粉末、及びフィラーとして平均粒子径１μ
ｍ以下の酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉
末との混合物を用意した。
０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １６．９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２．７
重量％、ＺｎＯ５．２重量％を混合して約１３００℃で
溶融した後冷却し、これをボールミルにて粉砕し、軟化
点４３０℃で平均粒子径１μｍ以下のガラス粉末を用意
した。別に導電粒子として、平均粒子径１μｍ以下のル
テニウム酸鉛粉末、及びフィラーとして平均粒子径１μ
ｍ以下の酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラセオジム粉
末との混合物を用意した。
【００２２】上記の材料を用い、ルテニウム酸鉛粉末２
４．１重量％、ガラス粉末５９．２重量％、酸化ジスプ
ロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物（１
５：５、１０：１０、５：１５、表１、実施例１〜３参
照）１６．７重量％の割合で調合した粉末を、エチルセ
ルロース１５重量部とターピネオール８５重量部からな
る有機ビヒクルと混合し、遊星ブレンダーで予備混練し
たのち、回転比の異なる三本ロールを通して三者を均一
に分散させて、低温焼成用抵抗ペーストとした。
４．１重量％、ガラス粉末５９．２重量％、酸化ジスプ
ロシウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物（１
５：５、１０：１０、５：１５、表１、実施例１〜３参
照）１６．７重量％の割合で調合した粉末を、エチルセ
ルロース１５重量部とターピネオール８５重量部からな
る有機ビヒクルと混合し、遊星ブレンダーで予備混練し
たのち、回転比の異なる三本ロールを通して三者を均一
に分散させて、低温焼成用抵抗ペーストとした。
【００２３】かくして得たペーストで抵抗体を作成した
ものの、抵抗値のばらつきを評価するため、予め、ガラ
ス板の中央部に直線状の共通電極を設け、この共通電極
の両側に振り分けて各１６個の試験電極を設けた評価基
板２枚を用意した。これらの評価基板の各電極は、それ
ぞれガラス板上に予め銀を主成分とする導体ペーストを
スクリーン印刷してから焼成を行った。この評価基板上
の共通電極と試験電極とを橋絡するように、本発明に係
る低温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷して、焼成
炉中５８０℃ピーク値１０分でトータル１時間焼成して
抵抗体とした。
ものの、抵抗値のばらつきを評価するため、予め、ガラ
ス板の中央部に直線状の共通電極を設け、この共通電極
の両側に振り分けて各１６個の試験電極を設けた評価基
板２枚を用意した。これらの評価基板の各電極は、それ
ぞれガラス板上に予め銀を主成分とする導体ペーストを
スクリーン印刷してから焼成を行った。この評価基板上
の共通電極と試験電極とを橋絡するように、本発明に係
る低温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷して、焼成
炉中５８０℃ピーク値１０分でトータル１時間焼成して
抵抗体とした。
【００２４】評価基板一枚当たり３２の試料の０．２５
ｍｍ×０．２５ｍｍで厚さ５．５μｍの抵抗体を焼成形
成した。この評価基板を二枚作成し、合計６４サンプル
の焼成抵抗体を作成して評価したところ、平均抵抗値は
１．１７ＭΩ、抵抗値ばらつきの指標である抵抗値変動
係数ＣＶ＝σ／X ×１００（％）（σは標準偏差、Xは
平均抵抗値）は表１に示す通り、実施例１は３．２、実
施例２は４．４、実施例３は３．８と低かった。
ｍｍ×０．２５ｍｍで厚さ５．５μｍの抵抗体を焼成形
成した。この評価基板を二枚作成し、合計６４サンプル
の焼成抵抗体を作成して評価したところ、平均抵抗値は
１．１７ＭΩ、抵抗値ばらつきの指標である抵抗値変動
係数ＣＶ＝σ／X ×１００（％）（σは標準偏差、Xは
平均抵抗値）は表１に示す通り、実施例１は３．２、実
施例２は４．４、実施例３は３．８と低かった。
【００２５】
【比較例】フィラーを各々単独で用いた他は、総て実施
例と同様に行った。その抵抗値変動係数は、表２の比較
例１〜７に示すように一部を除き全体にばらつきが激し
く、一部、抵抗値変動係数は酸化プラセオジム４．３、
酸化チタン４．２と実施例に近いが、他方、温度係数
−３１３、−２０７１、高電圧パルス１０００ＶでのΔ
Ｒが−１２．５、−０．１と、三要素を満足させるもの
はなく、本発明のフィラー混合物が予期できない作用効
果を奏していることが判る。幾つかの例は、次葉の評価
結果として、実施例を表１に、又比較例は次の表２に示
した。
例と同様に行った。その抵抗値変動係数は、表２の比較
例１〜７に示すように一部を除き全体にばらつきが激し
く、一部、抵抗値変動係数は酸化プラセオジム４．３、
酸化チタン４．２と実施例に近いが、他方、温度係数
−３１３、−２０７１、高電圧パルス１０００ＶでのΔ
Ｒが−１２．５、−０．１と、三要素を満足させるもの
はなく、本発明のフィラー混合物が予期できない作用効
果を奏していることが判る。幾つかの例は、次葉の評価
結果として、実施例を表１に、又比較例は次の表２に示
した。
【００２６】表１及び表２において、 Ω／□はシート抵抗値 ＣＶ％は抵抗値変動係数 ｐｐｍ／℃は１℃当たりの抵抗値の変化率 ΔＲ％は高電圧パルスでの抵抗値の変化率（Ｒ2 −Ｒ1
／Ｒ1 ×１００） Ｒ1 ：試験前の抵抗値 Ｒ2 ：試験後の抵抗値 を表す。
／Ｒ1 ×１００） Ｒ1 ：試験前の抵抗値 Ｒ2 ：試験後の抵抗値 を表す。
【００２７】 表中、フィラー量は導電粒子＋ガラス粉末１００重量和に対する重量％
【００２８】 表中、フィラー量は導電粒子＋ガラス粉末１００重量和に対する重量％
【００２９】上記、実施例表１及び比較例表２から明ら
かなように、本発明が、フィラーとして酸化ジスプロシ
ウム粉末と酸化プラセオジム粉末とを混合使用したこと
により、それらを単独で使用した場合及びその他の化合
物を使用した場合に比して、抵抗値のばらつきや抵抗体
の温度係数の低さ、耐電圧特性の各要件を満たしてい
る。例えば、実施例２のフィラーとして酸化ジスプロシ
ウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物を使用した
場合と、比較例１の酸化ジスプロシウム粉末を単独で使
用した場合とを比較すると、抵抗値、そのばらつきは実
施例も比較例も共に近い値を示すが、耐電圧特性におい
て格段の差があり、実施例１〜３のものは全体のバラン
スが均一に保て、総ての数値が安定しているのが判る。
かなように、本発明が、フィラーとして酸化ジスプロシ
ウム粉末と酸化プラセオジム粉末とを混合使用したこと
により、それらを単独で使用した場合及びその他の化合
物を使用した場合に比して、抵抗値のばらつきや抵抗体
の温度係数の低さ、耐電圧特性の各要件を満たしてい
る。例えば、実施例２のフィラーとして酸化ジスプロシ
ウム粉末と酸化プラセオジム粉末との混合物を使用した
場合と、比較例１の酸化ジスプロシウム粉末を単独で使
用した場合とを比較すると、抵抗値、そのばらつきは実
施例も比較例も共に近い値を示すが、耐電圧特性におい
て格段の差があり、実施例１〜３のものは全体のバラン
スが均一に保て、総ての数値が安定しているのが判る。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係る低温焼成用抵抗ペーストに
よれば、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化
プラセオジム粉末との混合物を使用したことにより、約
５００ｋΩ／□もの高抵抗で、かつ０．３ｍｍ×０．３
ｍｍ以下の微小な抵抗体においても、前記のとおり抵抗
値のばらつき及び抵抗体の温度係数が小さく、然も高電
圧パルスに対して安定であるため、直流型プラズマディ
スプレイパネルにおいて、スパッタ防止のための電流制
限用抵抗に、十二分に対応出来るという特別顕著な作用
効果を奏するものである。
よれば、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化
プラセオジム粉末との混合物を使用したことにより、約
５００ｋΩ／□もの高抵抗で、かつ０．３ｍｍ×０．３
ｍｍ以下の微小な抵抗体においても、前記のとおり抵抗
値のばらつき及び抵抗体の温度係数が小さく、然も高電
圧パルスに対して安定であるため、直流型プラズマディ
スプレイパネルにおいて、スパッタ防止のための電流制
限用抵抗に、十二分に対応出来るという特別顕著な作用
効果を奏するものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビス
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、ルテニウム酸ランタン粉末の中か
ら選ばれた一種又は二種以上の導電粒子と、軟化点が３
５０℃〜５５０℃であるＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 −ＺｎＯ系のものを単独又は混合せるガラス粉末
と、フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末と酸化プラ
セオジム粉末との混合物を用い、それら粉末の総てを、
有機ビヒクル中に分散させることを特徴とする低温焼成
用抵抗ペースト。 - 【請求項２】 フィラーとして酸化ジスプロシウム粉末
と酸化プラセオジム粉末との混合物の重量和は、導電粒
子とガラス粉末との重量和の５重量％〜３５重量％の範
囲である請求項１記載の低温焼成用抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169470A JPH113802A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169470A JPH113802A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113802A true JPH113802A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15887162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169470A Pending JPH113802A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113802A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693080A (en) * | 1984-09-21 | 1987-09-15 | Van Rietschoten & Houwens Technische Handelmaatschappij B.V. | Hydraulic circuit with accumulator |
| US4707988A (en) * | 1983-02-03 | 1987-11-24 | Palmers Goeran | Device in hydraulically driven machines |
| US4832993A (en) * | 1987-03-09 | 1989-05-23 | Alsthom | Method of applying a protective coating to a titanium alloy blade, and a blade obtained thereby |
| WO2013157339A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | セントラル硝子株式会社 | ガラスペースト |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP9169470A patent/JPH113802A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4707988A (en) * | 1983-02-03 | 1987-11-24 | Palmers Goeran | Device in hydraulically driven machines |
| US4693080A (en) * | 1984-09-21 | 1987-09-15 | Van Rietschoten & Houwens Technische Handelmaatschappij B.V. | Hydraulic circuit with accumulator |
| US4832993A (en) * | 1987-03-09 | 1989-05-23 | Alsthom | Method of applying a protective coating to a titanium alloy blade, and a blade obtained thereby |
| WO2013157339A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | セントラル硝子株式会社 | ガラスペースト |
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