JPH03205465A - レジスト剥離液 - Google Patents
レジスト剥離液Info
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- JPH03205465A JPH03205465A JP2001306A JP130690A JPH03205465A JP H03205465 A JPH03205465 A JP H03205465A JP 2001306 A JP2001306 A JP 2001306A JP 130690 A JP130690 A JP 130690A JP H03205465 A JPH03205465 A JP H03205465A
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- Japan
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- resist
- layer
- hydrofluoric acid
- soln
- silicone
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は多層レジストにおける、」二層レジストあるい
は中間層の剥離液に関するものである。
は中間層の剥離液に関するものである。
「従来の技術」
半導体集積回路（ＬＳＩ）の製造に広く使用ざれている
りソグラフィは紫外線（ＵＶ）である。これは大量生産
にはその威力を発揮するが、光のコンｌ・ラストの問題
から、高精度微細なバタ・−ン形威には限界があり、現
在その寸法は０．５μｍ程度である。
りソグラフィは紫外線（ＵＶ）である。これは大量生産
にはその威力を発揮するが、光のコンｌ・ラストの問題
から、高精度微細なバタ・−ン形威には限界があり、現
在その寸法は０．５μｍ程度である。
この限界を打破するため、シリコーン系ｌノジストを上
層レジストにドライエッヂング耐性に優れたノボラック
系レジストを下層１ノジストにずる２層レジス｝・ある
いは下層レジストの」二に酸素プラズマ耐性に優れた中
間層を設け、さらにその」二に上層ｌノジス１・として
従来のレジストを薄く形戊ずる３層レジストが提案され
ている。上層レジストを薄膜として用いることにより、
高感度でしかも解像性に優れたパターンが形威でき、ま
た得られた」二層のパターンを酸素プラズマエッチング
で下層レジストに転写することにより高ドライエッチン
グ耐性のバクーンが形成できる。
層レジストにドライエッヂング耐性に優れたノボラック
系レジストを下層１ノジストにずる２層レジス｝・ある
いは下層レジストの」二に酸素プラズマ耐性に優れた中
間層を設け、さらにその」二に上層ｌノジス１・として
従来のレジストを薄く形戊ずる３層レジストが提案され
ている。上層レジストを薄膜として用いることにより、
高感度でしかも解像性に優れたパターンが形威でき、ま
た得られた」二層のパターンを酸素プラズマエッチング
で下層レジストに転写することにより高ドライエッチン
グ耐性のバクーンが形成できる。
ところで、従来、このようなレジストの剥離は基板加工
したのち、酸素プラズマを用いたアツソングで行なわれ
てきた。しかしながら、多層レジストの場合、酸素プラ
ズマ耐性に優れた材料を使用しているため、これがアッ
ノングのバリャとなり、酸素プラズマによるレジス■・
剥離は困難である。したがって、多層レノストにお｛ジ
るレンス｝・剥離は、まず酸素プラズマ耐性に優れた上
層レノス１・あるいは中間層を除去したのち、酸素プラ
ズマでアッシングすることが必要となる。−Ｌ層レジス
トあるいは中間層の除去には、弗素系ガスを用いたドラ
イエッチンクあるいは弗化水素水溶肢による湿式エッチ
ングの２つの方法が検利されている。
したのち、酸素プラズマを用いたアツソングで行なわれ
てきた。しかしながら、多層レジストの場合、酸素プラ
ズマ耐性に優れた材料を使用しているため、これがアッ
ノングのバリャとなり、酸素プラズマによるレジス■・
剥離は困難である。したがって、多層レノストにお｛ジ
るレンス｝・剥離は、まず酸素プラズマ耐性に優れた上
層レノス１・あるいは中間層を除去したのち、酸素プラ
ズマでアッシングすることが必要となる。−Ｌ層レジス
トあるいは中間層の除去には、弗素系ガスを用いたドラ
イエッチンクあるいは弗化水素水溶肢による湿式エッチ
ングの２つの方法が検利されている。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、前者はドライエッチング装置が必要にな
るだ（ジでなく、プロセスが煩剥｛になる欠点があった
。また、後者は高濃度の弗化水素水溶液でないと除去て
きないため、加工基板がアルミニウムや酸化シリコンの
場合、基板自身を損傷させる欠点があった。
るだ（ジでなく、プロセスが煩剥｛になる欠点があった
。また、後者は高濃度の弗化水素水溶液でないと除去て
きないため、加工基板がアルミニウムや酸化シリコンの
場合、基板自身を損傷させる欠点があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、基板を損傷することなく多層レジス｝
・の上層あるいは中間層レジストを除去できるレジスト
剥離液を提供することにある，、「課題を解決するため
の手段」 本発明を概説すれば、本究明はレジスト剥離液に関する
発明であって、その１つは極性有機溶媒と、アルカリ水
溶肢と、界面活性剤とを含むことを特徴とずる。この極
性有機溶燥としては、ノメチルフォルムアミト、ジメチ
ルアセ１・アミド、ンメヂルスルフォキンド、アセＹ・
二１・リル、アセトン、メヂルエチルケ）・ン、メチル
イソブチルケ｝・ン、エヌメチルビロリドン、メタノー
ル、エタノール、プロパノールの中から選ばれた１種以
−Ｌの極性有機溶媒が使用ざれ、アルカリ水溶液として
はテトラメチルアンモニウムヒドロキンド水溶液あるい
はコリン水溶液が使用される。
とするところは、基板を損傷することなく多層レジス｝
・の上層あるいは中間層レジストを除去できるレジスト
剥離液を提供することにある，、「課題を解決するため
の手段」 本発明を概説すれば、本究明はレジスト剥離液に関する
発明であって、その１つは極性有機溶媒と、アルカリ水
溶肢と、界面活性剤とを含むことを特徴とずる。この極
性有機溶燥としては、ノメチルフォルムアミト、ジメチ
ルアセ１・アミド、ンメヂルスルフォキンド、アセＹ・
二１・リル、アセトン、メヂルエチルケ）・ン、メチル
イソブチルケ｝・ン、エヌメチルビロリドン、メタノー
ル、エタノール、プロパノールの中から選ばれた１種以
−Ｌの極性有機溶媒が使用ざれ、アルカリ水溶液として
はテトラメチルアンモニウムヒドロキンド水溶液あるい
はコリン水溶液が使用される。
もう１つは」二記極性有機溶媒と、弗酸水溶族と、界面
活性剤を含むことを持徴とする。
活性剤を含むことを持徴とする。
多層１ノンストに用いられる酸素プラズマ面ｊ性に優れ
た＋ｇ Ｉ＋は一般にソリ−１−ンポリマてあるが、こ
れは酸素プラズマと反応することにより表面に酸化シリ
コン層が形威され、これがエッチングに対するバリャと
なるため、酸素プラズマ耐性が発現するといわれている
。この酸化シリコン層は僅か０ ０１μｍの厚さである
が、これが有機溶媒でンリコーンポリマ膜を溶解除央ず
る場合のバリャ３ 層となるためレジスト剥離が困難となる。
た＋ｇ Ｉ＋は一般にソリ−１−ンポリマてあるが、こ
れは酸素プラズマと反応することにより表面に酸化シリ
コン層が形威され、これがエッチングに対するバリャと
なるため、酸素プラズマ耐性が発現するといわれている
。この酸化シリコン層は僅か０ ０１μｍの厚さである
が、これが有機溶媒でンリコーンポリマ膜を溶解除央ず
る場合のバリャ３ 層となるためレジスト剥離が困難となる。
この酸化シリコンを弗酸あるいは強アルカリで除去する
ことにより、その下にあるンリフーンボリマ膜は極性有
機溶媒で剥離できるが、上記｛，たように加工基板を損
傷することなく処理することは非常に困難であり、処理
条件をコントロールできない。即ち、弗酸で処理する場
合、５％の水溶液で３秒以上の浸漬でアルミニウム基板
はコローンヨンの問題が生じる。また、アルカリで処理
する場合、１５％以上のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液を使用する必要があるが、アルミニウム
がそれでエッチングされる問題を生じる。
ことにより、その下にあるンリフーンボリマ膜は極性有
機溶媒で剥離できるが、上記｛，たように加工基板を損
傷することなく処理することは非常に困難であり、処理
条件をコントロールできない。即ち、弗酸で処理する場
合、５％の水溶液で３秒以上の浸漬でアルミニウム基板
はコローンヨンの問題が生じる。また、アルカリで処理
する場合、１５％以上のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液を使用する必要があるが、アルミニウム
がそれでエッチングされる問題を生じる。
本発明はこの問題を解決するためになされたものであり
、ンリコーンボリマを溶解することが可能な極性有機溶
媒と酸化シリコンに対してエッチング能力のある弗酸あ
るいはアルカリ水溶液を混合した溶液が基板を損傷する
ことなくンリコーンポリマ膜とその」二に形成された酸
化ンリコン層を剥離できることを発見した。
、ンリコーンボリマを溶解することが可能な極性有機溶
媒と酸化シリコンに対してエッチング能力のある弗酸あ
るいはアルカリ水溶液を混合した溶液が基板を損傷する
ことなくンリコーンポリマ膜とその」二に形成された酸
化ンリコン層を剥離できることを発見した。
４
即ち、弗酸あるいはアルカリ水溶液は極性有機溶媒と混
合することにより基板を損傷しない濃度で酸化シリコン
を除去できることを発見し、本発明が可能となった。極
性有機溶媒との相乗効果により、弗酸の濃度は０．１％
以下でも、またテトラメチルアンモニウムヒド口キッド
の濃度は０５％以下でも酸化シリコン層を除去できる。
合することにより基板を損傷しない濃度で酸化シリコン
を除去できることを発見し、本発明が可能となった。極
性有機溶媒との相乗効果により、弗酸の濃度は０．１％
以下でも、またテトラメチルアンモニウムヒド口キッド
の濃度は０５％以下でも酸化シリコン層を除去できる。
本発明のもう１つの特徴は、酸化シリコン層とシリコー
ンポリマ膜を１種類の剥１１［ｔで同時に剥離できるこ
とであり、従来のように弗酸水溶液で酸化シリコン層を
除去した後、極性有機溶媒でノリコーンポリマ膜を除去
する煩雑な工程を使用する必要がないことである。
ンポリマ膜を１種類の剥１１［ｔで同時に剥離できるこ
とであり、従来のように弗酸水溶液で酸化シリコン層を
除去した後、極性有機溶媒でノリコーンポリマ膜を除去
する煩雑な工程を使用する必要がないことである。
本発明で用いる極性有機溶媒はノリコーンボリマを溶解
できるアルコール類、ケトン類、非プロトン性極性溶媒
が使用できるが、弗酸あるいはアルカリ水溶液と均一に
混合できることが重要である。またアルカリ水溶肢につ
いては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アル
カリも使用できるが、半導体加工に使用する場合アルカ
リ金属汚東の問題がある。このため、テｌ・ラメヂルア
ンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ＋−１）やコリン水溶
液が好ましい。本発明に用いる界面活性剤はレジスト表
面に刻するぬれ性を改善するために用いるものであり、
１ノシストの除失速度を高める効果を有する。このため
、界面活性剤として知られている材料は全て使川てきる
。
できるアルコール類、ケトン類、非プロトン性極性溶媒
が使用できるが、弗酸あるいはアルカリ水溶液と均一に
混合できることが重要である。またアルカリ水溶肢につ
いては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アル
カリも使用できるが、半導体加工に使用する場合アルカ
リ金属汚東の問題がある。このため、テｌ・ラメヂルア
ンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ＋−１）やコリン水溶
液が好ましい。本発明に用いる界面活性剤はレジスト表
面に刻するぬれ性を改善するために用いるものであり、
１ノシストの除失速度を高める効果を有する。このため
、界面活性剤として知られている材料は全て使川てきる
。
本発明のレジスト剥離液の組成は加工基板を損傷しない
所で決定する必要がある。弗酸の場合、その濃度は５ｗ
ｔ％であり、テｌ・ラメチルアンモニウムヒドｔ二ノキ
ノ１・とコリンの場合は１５ｒｔ％てある。レンストの
剥離できるための最低濃度は弗酸の場合か０ １珈（％
で、アルカリの場合が０．５ｗｔ％てある。
所で決定する必要がある。弗酸の場合、その濃度は５ｗ
ｔ％であり、テｌ・ラメチルアンモニウムヒドｔ二ノキ
ノ１・とコリンの場合は１５ｒｔ％てある。レンストの
剥離できるための最低濃度は弗酸の場合か０ １珈（％
で、アルカリの場合が０．５ｗｔ％てある。
「実施例−１
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが
、本発明はこれら実施例に限定されない。
、本発明はこれら実施例に限定されない。
（実施例１ ）
シリコーンボリマ（ＳＩＲ 東レンリコーン社製）を用
いた３層レンス１・およびシリコーン系ポジ型７ フォトレジスト（ＰＩ−１−ＳＰ：富士ハント社製）を
用いた２層レジストにおいて、酸素プラズマによるエッ
ヂングでレジストパターンを形威した。次いで表１に示
ず組威のレジスト剥離液中に６０秒間浸漬することによ
り、シリコーン系レジスＩ−（ＳＩＲＳＰＩ−１−ＳＰ
）を剥離した。その後、基板を力ロ エ し ノこ 。
いた３層レンス１・およびシリコーン系ポジ型７ フォトレジスト（ＰＩ−１−ＳＰ：富士ハント社製）を
用いた２層レジストにおいて、酸素プラズマによるエッ
ヂングでレジストパターンを形威した。次いで表１に示
ず組威のレジスト剥離液中に６０秒間浸漬することによ
り、シリコーン系レジスＩ−（ＳＩＲＳＰＩ−１−ＳＰ
）を剥離した。その後、基板を力ロ エ し ノこ 。
表 １ レジスト剥離液の組成
（実施例２ ）
シリコーンボリマ（Ｓ Ｉ Ｒ
東レシリコーン社製）
８ー
を用いた３層レジストおよびシリコーン系ボジ型フォト
レジスト（ＦＩ−ｌ−ＳＰ 富士ハント社製）を用いた
２層レノス）・において、酸素プラズマによるエッヂン
グで１ノジスｌ・パターンを形威しノこ。次いで表２に
示す組戊のレジスト剥離液中に６０秒間浸漬ずろことに
より、シリコーン系レジスト（ＳｘｎＳＦＴＩ−ＳＰ）
を剥離した。その後、基板を加工した。
レジスト（ＦＩ−ｌ−ＳＰ 富士ハント社製）を用いた
２層レノス）・において、酸素プラズマによるエッヂン
グで１ノジスｌ・パターンを形威しノこ。次いで表２に
示す組戊のレジスト剥離液中に６０秒間浸漬ずろことに
より、シリコーン系レジスト（ＳｘｎＳＦＴＩ−ＳＰ）
を剥離した。その後、基板を加工した。
表 ２ レジスト剥離液の組或
（
実施例３
）
実施例１と２における極性溶媒ジメチルアセｌ・アミド
のかわりにジメヂルフ１ルムアミド、ジメヂルスルフォ
キシド、アセトニトリル、アセトン、メヂルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、エヌメチルビロリドン、
メタノール、エタノール、プロパノールを用いた剥離液
で実施例１および２と同様の方法にてシリコーン系ｌノ
ジストを剥離した。
のかわりにジメヂルフ１ルムアミド、ジメヂルスルフォ
キシド、アセトニトリル、アセトン、メヂルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、エヌメチルビロリドン、
メタノール、エタノール、プロパノールを用いた剥離液
で実施例１および２と同様の方法にてシリコーン系ｌノ
ジストを剥離した。
（実施例４ ）
実施例１と２における界面活性剤ＦＣ４ ３ ０の代わ
りに、１・ウィーン８０（関東化学社製）、ＰＣ９５．
ＦＣ１ ２９，ＰＣＩ．７０Ｃ．ＦＣ４３ １（３Ｍ社
製）を用いた剥離液て実施例１および２と同様の方法に
てシリコーン系レジストを剥離した。
りに、１・ウィーン８０（関東化学社製）、ＰＣ９５．
ＦＣ１ ２９，ＰＣＩ．７０Ｃ．ＦＣ４３ １（３Ｍ社
製）を用いた剥離液て実施例１および２と同様の方法に
てシリコーン系レジストを剥離した。
（実施例５ ）
シリコーンボリマ（ＳＩＲ：東１ノンリコ・−ン社製）
を用いた３層レジストおよびンリコーン系ボジ型フオ１
・レジスト（Ｆｌ−Ｎ−ＳＰ：富士ハン１・社製）を用
いた２層１ノジストにおいて、酸素プラズマによるエッ
チングでレジストパターンを形成した。次いでＣ Ｆ
，．Ｃ Ｃ Ｉ．．．Ｓ ｉＣ ｌ，ガスを用いた反応
性イオンエッチングにより処理したのち、表１に示ず組
威のレジスト剥離夜中に６０秒間浸漬することにより、
シリコーン系レジスト（Ｓ Ｉ Ｒ， Ｆ Ｉ｛ｓｐ）
を剥離した。実施例１の場合０．１μｍ以下の微細パタ
ーンでは剥離液で処理するときに倒壊するところがあっ
たが、この方法では倒壊するところが認められなかった
。反応性エッヂングの条件は以下の通りである。ガス圧
４ ． ５ Ｐ ａｓガス流量１００ Ｓｃｃｍ，ｄ
ｃバイアス３５０■、工、ツチング時間１分。
を用いた３層レジストおよびンリコーン系ボジ型フオ１
・レジスト（Ｆｌ−Ｎ−ＳＰ：富士ハン１・社製）を用
いた２層１ノジストにおいて、酸素プラズマによるエッ
チングでレジストパターンを形成した。次いでＣ Ｆ
，．Ｃ Ｃ Ｉ．．．Ｓ ｉＣ ｌ，ガスを用いた反応
性イオンエッチングにより処理したのち、表１に示ず組
威のレジスト剥離夜中に６０秒間浸漬することにより、
シリコーン系レジスト（Ｓ Ｉ Ｒ， Ｆ Ｉ｛ｓｐ）
を剥離した。実施例１の場合０．１μｍ以下の微細パタ
ーンでは剥離液で処理するときに倒壊するところがあっ
たが、この方法では倒壊するところが認められなかった
。反応性エッヂングの条件は以下の通りである。ガス圧
４ ． ５ Ｐ ａｓガス流量１００ Ｓｃｃｍ，ｄ
ｃバイアス３５０■、工、ツチング時間１分。
「発明の効果」
以」二説明したように、本発明によるレジスト剥離液は
極性有機溶媒、アルカリ水溶肢あるいは弗酸水溶液、界
面活性剤を含むものなので、多層１ノジストにおける上
層レジストあるいは中間層の剥離において基板を損傷す
ることがなく、レンストの剥離が可能である。またドラ
イ剥離の場合反応性イオンエッチング装置が必要である
だけでなく、レジストの剥離工程が非常に複雑であるが
、木発明のレジスト剥１１１１ｍは浸漬するだけの簡単
な方法でレジストが剥離できるため、工程が非常に簡便
となる利点がある。
極性有機溶媒、アルカリ水溶肢あるいは弗酸水溶液、界
面活性剤を含むものなので、多層１ノジストにおける上
層レジストあるいは中間層の剥離において基板を損傷す
ることがなく、レンストの剥離が可能である。またドラ
イ剥離の場合反応性イオンエッチング装置が必要である
だけでなく、レジストの剥離工程が非常に複雑であるが
、木発明のレジスト剥１１１１ｍは浸漬するだけの簡単
な方法でレジストが剥離できるため、工程が非常に簡便
となる利点がある。
Claims (2)
- （１）極性有機溶媒、アルカリ水溶液、界面活性剤とを
含むことを特徴とするレジスト剥離液。 - （２）極性有機溶媒、弗酸水溶液、界面活性剤とを含む
ことを特徴とするレジスト剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP130690A JP2829341B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | レジスト剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP130690A JP2829341B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | レジスト剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205465A true JPH03205465A (ja) | 1991-09-06 |
| JP2829341B2 JP2829341B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=11497806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP130690A Expired - Fee Related JP2829341B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | レジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829341B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792274A (en) * | 1995-11-13 | 1998-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same |
| US6261745B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Post-ashing treating liquid compositions and a process for treatment therewith |
| JP2010250268A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-11-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 多層レジスト積層体用剥離液及び多層レジスト積層体の処理方法 |
| JP2011057895A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | インクセット及び画像形成方法 |
| WO2015016113A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS499301A (ja) * | 1972-05-29 | 1974-01-26 | ||
| JPS61180431A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Hitachi Ltd | 感放射線樹脂膜の除去方法 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP130690A patent/JP2829341B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| JPS499301A (ja) * | 1972-05-29 | 1974-01-26 | ||
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| US5905063A (en) * | 1995-11-13 | 1999-05-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same |
| US6261745B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Post-ashing treating liquid compositions and a process for treatment therewith |
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| TWI495966B (zh) * | 2009-03-24 | 2015-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method for treating peeling liquid and multilayer photoresist laminates for multilayer photoresist laminates |
| JP2011057895A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | インクセット及び画像形成方法 |
| WO2015016113A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| CN105432147A (zh) * | 2013-07-31 | 2016-03-23 | 旭硝子株式会社 | 电子设备的制造方法 |
| JPWO2015016113A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-03-02 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| CN105432147B (zh) * | 2013-07-31 | 2017-10-20 | 旭硝子株式会社 | 电子设备的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2829341B2 (ja) | 1998-11-25 |
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