JPH03205627A - 情報記録用部材 - Google Patents
情報記録用部材Info
- Publication number
- JPH03205627A JPH03205627A JP2000572A JP57290A JPH03205627A JP H03205627 A JPH03205627 A JP H03205627A JP 2000572 A JP2000572 A JP 2000572A JP 57290 A JP57290 A JP 57290A JP H03205627 A JPH03205627 A JP H03205627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- film
- groove
- thickness
- groove portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はレーザー光などの記録用エネルギービームによ
って、たとえば映像や音声などのアナログ信号をFM変
調したものや、電子計算機のデータや、ファクシミリ信
号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情報を
、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用薄
膜に関する.
って、たとえば映像や音声などのアナログ信号をFM変
調したものや、電子計算機のデータや、ファクシミリ信
号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情報を
、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用薄
膜に関する.
レーザー光によって薄膜に情報記録を行う記録方法には
種々の原理を応用したものがあるが、膜材料の相転移(
相変化とも呼ばれる)、フォトダークニングなどの原子
配列変化による記録や、磁性体薄膜の磁化方向反転を利
用する光磁気記録は、膜の形状変化をほとんど伴わない
ので、2枚のディスクを樹脂により直接貼りあわせた両
面ディスクが出来るという長所を持っている。この種の
記録に関連する従来例としては、例えば特願昭60−2
26723号が挙げられる。
種々の原理を応用したものがあるが、膜材料の相転移(
相変化とも呼ばれる)、フォトダークニングなどの原子
配列変化による記録や、磁性体薄膜の磁化方向反転を利
用する光磁気記録は、膜の形状変化をほとんど伴わない
ので、2枚のディスクを樹脂により直接貼りあわせた両
面ディスクが出来るという長所を持っている。この種の
記録に関連する従来例としては、例えば特願昭60−2
26723号が挙げられる。
上記従来技術のうち、相変化による記録は記録用ビーム
の照射による熱(約300℃以上)によって膜形状変化
をほとんど伴わない原子配列変化を生じさせるものであ
るが、記録膜中に発生した熱が記録膜に近接した保護層
および金属膜に逃げてしまうと,記録に必要なレーザー
パワーが大幅に増加する。 一方、記録膜中に発生した熱は、上記記録用ビ一ムの強
度分布に対応してほぼ正規分布をしており、中心付近は
温度が高く周囲では温度が低い.このため、中心部と周
辺部の原子配列変化速度が異なり、原子配列変化が一様
でなくなるため,特に周辺部に前に記録されていた信号
の消え残りが生じやすい。 上述のような熱の拡散を抑制するには,上記記録膜の熱
容量を小さくするかあるいは熱伝導の小さい保護層およ
び、金属膜を股ければよい。しかし、このようにすると
長い記録点を形戒する場合、記録膜面内の熱伝導の影響
で記録点の幅が徐々に広がり、記録信号に忠実な再生信
号を得ることができない。 従って、本発明の目的は、記録信号に忠実な再生波形が
得られ、消え残りが少なく、また、記録感度が高い記録
用部材を提供することにある。 (課題を解決するための手段】 上記目的は、基板の表面の形状を、ランド部もグルーブ
部も平坦にし、ランド部とグルーブ部の間で急峻な傾斜
面を有するようにすることにょり達成される。すなわち
、上記の基板に積層した上記記録膜(記録用薄膜)は上
記急峻な傾斜面で膜厚が著しく薄くなるか、あるいは、
上記の急峻な傾斜面の傾き角が上記基板の平面に対して
垂直に近い場合は上記記録膜は存在しない。したがって
、熱の拡散は抑制される.上記基板の平面に対して上記
ランド部と上記グルーブ部との境界部分の傾斜は70度
以上の傾きが好ましい。 また、上記の記録膜には、光学的な反射率を最適にする
ための中間層および金属膜を膜厚を調節して積層する。 ここでは、上記金属膜が記録膜の上方に積層されている
ように見える方向から見た時、下方にある、すなわ凹部
になっている部分をグルーブ部、上方にある、すなわち
凸部になっている部分をランド部と定義する。ここで、
ランド部上の記録膜の真横に近い位置にグルーブ部上の
金属膜が来るように記録膜と金属膜の間の保護層の膜厚
を調整して積層する。すなわち、上記ランド部の記録膜
の上面が上記グルーブの反射層の下面より上で上面の上
50nmまでの範囲に有るか、上記ランド部の記録膜の
下面が上記グルーブ部の反射層の上面より下で下面の5
0nmまでの範囲に有るように、上記記録用薄膜と上記
の金属膜との間の中間層の膜厚を調節する。 また、上記の記録用薄膜の膜厚は上記ランド部と上記グ
ルーブ部の段差量より小さい膜厚であることが好ましい
。このようにすることにより、グルーブ部では両横の金
属膜への熱の拡散で記録されにくくなる。従ってグルー
ブ部に記録した場合、記録点のトラックに直角方向への
広がりが抑制され、消え残りや、再生波形歪みが抑制さ
れる。 上記基板は、ランド部を平坦な面にし、グルーブ部も底
部を平坦な面にし、ランド部とグルーブ部の間で急峻な
傾斜面を有する形状にしたものである。上記の基板に下
部保護層を介して上記記録膜を積層し、記録膜に接して
上部保護層を形威し、さらに,上記上部保護層に接して
上記金属膜を積層する。ここで、上記ランド部上の上記
記録膜に対して,上記グルーブ部上の上記金属膜が上記
上部保護層を介してほぼ横に並ぶような所望の膜厚にす
る。 上記の構造によれば、上記記録用ビームのグルーブ部を
中心とする照射により生じた温度分布は、グルーブ内で
の変化がゆるやかであり、上記の傾斜部で急激に下がっ
て、ランド部ではほとんど温度が上がらない。このため
記録点のトラックに直角方向の広がりが抑制されると同
時にグルーブ部の傾斜部に近い部分でも温度が高いため
に結晶化による消去が行われやすい。従って消え残りが
小さくなる。また、上記の急峻な傾斜面においては各層
の膜厚は薄いため、上記記録用ビームの照射により生じ
た上記記録膜中の熱が逃げにくく、記録感度が向上する
。 上記グルーブ部の幅は、上記記録用ビームの直径(光強
度が中心の1 / eになるところまでの円形領域の直
径)の20%以上70%以下が好ましく,より好ましく
は30%以上50%以下が好ましい。 中間層の膜厚は基板のグルーブ部とランド部の段差の0
.1倍以上2倍以下の範囲が好ましい。 また、上記反射層の膜厚は上記記録層の膜厚の0.2倍
以上5倍以下が好ましい。 さらに、上記基板の平面に対して、上記ランド部と上記
グルーブ部の間の傾斜部の傾斜は70度以上が好ましい
。上記ランド部と上記グルーブ部の間の傾斜部において
上記の記録膜の膜厚はできるだけ薄いことが好ましく、
存在しなければさらに好ましい。 上記の金属膜は、単体金属または熱伝導率を調節した合
金薄膜であり、上記の記録用ビームの照射によって生じ
る熱を吸収あるいは拡散させるが記録感度の低下は少な
い。また、外カ、特に引っ張り力に対して強い。それに
よって、再生波形歪みを小さくできるとともに、上記の
記録用ビームの照射によって生ずる変質あるいは変形を
防止することができる。 金属膜は、熱伝導率が500W/m/K以下の範囲が好
ましく、膜厚は5nm以上500nm以下の範囲が好ま
しい。特に、熱伝導率がIOOW/ m / K以上3
00W/m/K以下、膜厚が約20nm以上、100n
m以下の金属膜を用いると、記録感度が大きく低下せず
に上記の記録用ビームの照射によって生ずる変質あるい
は変形を防止する効果、および消え残りを小さくする効
果が顕著である。合金とすれば熱伝導率を最適化できる
ため、記録感度を大幅に下げずに変形防止効果を得るこ
とができる。熱拡散係数は2 3 c m2/sec以
上69m”/sec以下が好ましい.記録膜の膜厚は1
0nm以上250nm以下の範囲が記録感度、S/N比
などの点で好ましく,中間層の膜厚と合せて調整するこ
とが好ましい。 中間層の膜厚は10nm以上500nm以下の範囲が好
ましい。この層の膜厚は、光の干渉効果を利用して大き
な再生信号を得るために上記記録膜の膜厚と合せて調整
することが好ましい。 一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ねあわせにな
るため干渉をおこす.反射率で信号を読み取る場合には
、上記のそれぞれの膜の膜厚を調整して反射率の値が小
さい条件を満たすこ?が好ましい。これは、信号読みだ
し時のコントラスト比が大きくなり、記録感度も高くな
るがらである。中間層の特に好ましい膜厚範囲は3on
m以上200nm以下の範囲である.記録膜の屈折率と
膜厚の積は100nm以上、600nm以下、中間層の
屈折率と膜厚の積は40nm以上、500nm以下の範
囲が特に好ましい。ただし、記録膜については、記録膜
の少なくとも一部分の屈折率と膜厚の積が上記の範囲内
にあればよい。 中間層に使用できる物質は、酸化物、低酸化物、硫化物
、窒化物などであって、たとえば主成分がCeO2,L
a,○at sio,sio,,In20a,Al20
3,Gem,Gem.,Pb○,Sn○,SnO2,B
i,○g t T eO, t WO2t woa e
T a,Ost S c,O,, y2o3t T I
Ozv Z 11” O■tCdS,ZnSt Cd
Se,ZnSe,In2S3wI n2 S e3 r
S J S3 + S bz S ei? G a2
s3taa*se3t MgF,,CeF,,CaF
.tGem,GeSe,GeSe,,SnS,SnSe
,PbS,PbSe,Bi,S,,Bi.Se,,Ta
N,SiaN4,AIN,Si,Ti,B.C,SiC
,BおよびCのうちの少なくとも一考に近い組成である
ものあるいはこれらの混合物が好ましい.中間層は使用
するレーザ光の消衰係数kが0.03以上1.0以下で
あると、記録感度が高く好ましい。中間層とは反対側(
光入射側)の保護層にも中間層に用いるものに近い組成
の物質を使用できるが、消衰係数は0.1以下が好まし
いので,例えば酸化物の場合、酸素欠陥を少なくする方
がよい。 本発明の金属膜に近接してさらに上記の中間層に使用可
能な材料の層や金属膜を設ければさらに強度が増す。本
発明の金属膜は、記録膜と基板との間に形威してもよい
し、記録膜の基板とは反対の側に設けてもよい。 本発明はディスク状記録媒体ばかりでなく、テープ状、
カード状など、他の形態の記録媒体にも有効である。 記録膜としては相変化記録膜、光磁気記録膜、有機記録
膜のいずれを用いても効果が得られる。
の照射による熱(約300℃以上)によって膜形状変化
をほとんど伴わない原子配列変化を生じさせるものであ
るが、記録膜中に発生した熱が記録膜に近接した保護層
および金属膜に逃げてしまうと,記録に必要なレーザー
パワーが大幅に増加する。 一方、記録膜中に発生した熱は、上記記録用ビ一ムの強
度分布に対応してほぼ正規分布をしており、中心付近は
温度が高く周囲では温度が低い.このため、中心部と周
辺部の原子配列変化速度が異なり、原子配列変化が一様
でなくなるため,特に周辺部に前に記録されていた信号
の消え残りが生じやすい。 上述のような熱の拡散を抑制するには,上記記録膜の熱
容量を小さくするかあるいは熱伝導の小さい保護層およ
び、金属膜を股ければよい。しかし、このようにすると
長い記録点を形戒する場合、記録膜面内の熱伝導の影響
で記録点の幅が徐々に広がり、記録信号に忠実な再生信
号を得ることができない。 従って、本発明の目的は、記録信号に忠実な再生波形が
得られ、消え残りが少なく、また、記録感度が高い記録
用部材を提供することにある。 (課題を解決するための手段】 上記目的は、基板の表面の形状を、ランド部もグルーブ
部も平坦にし、ランド部とグルーブ部の間で急峻な傾斜
面を有するようにすることにょり達成される。すなわち
、上記の基板に積層した上記記録膜(記録用薄膜)は上
記急峻な傾斜面で膜厚が著しく薄くなるか、あるいは、
上記の急峻な傾斜面の傾き角が上記基板の平面に対して
垂直に近い場合は上記記録膜は存在しない。したがって
、熱の拡散は抑制される.上記基板の平面に対して上記
ランド部と上記グルーブ部との境界部分の傾斜は70度
以上の傾きが好ましい。 また、上記の記録膜には、光学的な反射率を最適にする
ための中間層および金属膜を膜厚を調節して積層する。 ここでは、上記金属膜が記録膜の上方に積層されている
ように見える方向から見た時、下方にある、すなわ凹部
になっている部分をグルーブ部、上方にある、すなわち
凸部になっている部分をランド部と定義する。ここで、
ランド部上の記録膜の真横に近い位置にグルーブ部上の
金属膜が来るように記録膜と金属膜の間の保護層の膜厚
を調整して積層する。すなわち、上記ランド部の記録膜
の上面が上記グルーブの反射層の下面より上で上面の上
50nmまでの範囲に有るか、上記ランド部の記録膜の
下面が上記グルーブ部の反射層の上面より下で下面の5
0nmまでの範囲に有るように、上記記録用薄膜と上記
の金属膜との間の中間層の膜厚を調節する。 また、上記の記録用薄膜の膜厚は上記ランド部と上記グ
ルーブ部の段差量より小さい膜厚であることが好ましい
。このようにすることにより、グルーブ部では両横の金
属膜への熱の拡散で記録されにくくなる。従ってグルー
ブ部に記録した場合、記録点のトラックに直角方向への
広がりが抑制され、消え残りや、再生波形歪みが抑制さ
れる。 上記基板は、ランド部を平坦な面にし、グルーブ部も底
部を平坦な面にし、ランド部とグルーブ部の間で急峻な
傾斜面を有する形状にしたものである。上記の基板に下
部保護層を介して上記記録膜を積層し、記録膜に接して
上部保護層を形威し、さらに,上記上部保護層に接して
上記金属膜を積層する。ここで、上記ランド部上の上記
記録膜に対して,上記グルーブ部上の上記金属膜が上記
上部保護層を介してほぼ横に並ぶような所望の膜厚にす
る。 上記の構造によれば、上記記録用ビームのグルーブ部を
中心とする照射により生じた温度分布は、グルーブ内で
の変化がゆるやかであり、上記の傾斜部で急激に下がっ
て、ランド部ではほとんど温度が上がらない。このため
記録点のトラックに直角方向の広がりが抑制されると同
時にグルーブ部の傾斜部に近い部分でも温度が高いため
に結晶化による消去が行われやすい。従って消え残りが
小さくなる。また、上記の急峻な傾斜面においては各層
の膜厚は薄いため、上記記録用ビームの照射により生じ
た上記記録膜中の熱が逃げにくく、記録感度が向上する
。 上記グルーブ部の幅は、上記記録用ビームの直径(光強
度が中心の1 / eになるところまでの円形領域の直
径)の20%以上70%以下が好ましく,より好ましく
は30%以上50%以下が好ましい。 中間層の膜厚は基板のグルーブ部とランド部の段差の0
.1倍以上2倍以下の範囲が好ましい。 また、上記反射層の膜厚は上記記録層の膜厚の0.2倍
以上5倍以下が好ましい。 さらに、上記基板の平面に対して、上記ランド部と上記
グルーブ部の間の傾斜部の傾斜は70度以上が好ましい
。上記ランド部と上記グルーブ部の間の傾斜部において
上記の記録膜の膜厚はできるだけ薄いことが好ましく、
存在しなければさらに好ましい。 上記の金属膜は、単体金属または熱伝導率を調節した合
金薄膜であり、上記の記録用ビームの照射によって生じ
る熱を吸収あるいは拡散させるが記録感度の低下は少な
い。また、外カ、特に引っ張り力に対して強い。それに
よって、再生波形歪みを小さくできるとともに、上記の
記録用ビームの照射によって生ずる変質あるいは変形を
防止することができる。 金属膜は、熱伝導率が500W/m/K以下の範囲が好
ましく、膜厚は5nm以上500nm以下の範囲が好ま
しい。特に、熱伝導率がIOOW/ m / K以上3
00W/m/K以下、膜厚が約20nm以上、100n
m以下の金属膜を用いると、記録感度が大きく低下せず
に上記の記録用ビームの照射によって生ずる変質あるい
は変形を防止する効果、および消え残りを小さくする効
果が顕著である。合金とすれば熱伝導率を最適化できる
ため、記録感度を大幅に下げずに変形防止効果を得るこ
とができる。熱拡散係数は2 3 c m2/sec以
上69m”/sec以下が好ましい.記録膜の膜厚は1
0nm以上250nm以下の範囲が記録感度、S/N比
などの点で好ましく,中間層の膜厚と合せて調整するこ
とが好ましい。 中間層の膜厚は10nm以上500nm以下の範囲が好
ましい。この層の膜厚は、光の干渉効果を利用して大き
な再生信号を得るために上記記録膜の膜厚と合せて調整
することが好ましい。 一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ねあわせにな
るため干渉をおこす.反射率で信号を読み取る場合には
、上記のそれぞれの膜の膜厚を調整して反射率の値が小
さい条件を満たすこ?が好ましい。これは、信号読みだ
し時のコントラスト比が大きくなり、記録感度も高くな
るがらである。中間層の特に好ましい膜厚範囲は3on
m以上200nm以下の範囲である.記録膜の屈折率と
膜厚の積は100nm以上、600nm以下、中間層の
屈折率と膜厚の積は40nm以上、500nm以下の範
囲が特に好ましい。ただし、記録膜については、記録膜
の少なくとも一部分の屈折率と膜厚の積が上記の範囲内
にあればよい。 中間層に使用できる物質は、酸化物、低酸化物、硫化物
、窒化物などであって、たとえば主成分がCeO2,L
a,○at sio,sio,,In20a,Al20
3,Gem,Gem.,Pb○,Sn○,SnO2,B
i,○g t T eO, t WO2t woa e
T a,Ost S c,O,, y2o3t T I
Ozv Z 11” O■tCdS,ZnSt Cd
Se,ZnSe,In2S3wI n2 S e3 r
S J S3 + S bz S ei? G a2
s3taa*se3t MgF,,CeF,,CaF
.tGem,GeSe,GeSe,,SnS,SnSe
,PbS,PbSe,Bi,S,,Bi.Se,,Ta
N,SiaN4,AIN,Si,Ti,B.C,SiC
,BおよびCのうちの少なくとも一考に近い組成である
ものあるいはこれらの混合物が好ましい.中間層は使用
するレーザ光の消衰係数kが0.03以上1.0以下で
あると、記録感度が高く好ましい。中間層とは反対側(
光入射側)の保護層にも中間層に用いるものに近い組成
の物質を使用できるが、消衰係数は0.1以下が好まし
いので,例えば酸化物の場合、酸素欠陥を少なくする方
がよい。 本発明の金属膜に近接してさらに上記の中間層に使用可
能な材料の層や金属膜を設ければさらに強度が増す。本
発明の金属膜は、記録膜と基板との間に形威してもよい
し、記録膜の基板とは反対の側に設けてもよい。 本発明はディスク状記録媒体ばかりでなく、テープ状、
カード状など、他の形態の記録媒体にも有効である。 記録膜としては相変化記録膜、光磁気記録膜、有機記録
膜のいずれを用いても効果が得られる。
以上の構成のごとく、基板の案内溝の形状を溝間の平坦
部(ランド)と平坦な底部を有する溝(グルーブ)にし
,ランドとグルーブに接する側面の傾斜を急峻にするこ
とにより、上記側面上の各層の膜厚を薄く出来る。これ
により、記録用ビームの照射を受けても、記録用薄膜で
発生した熱が拡散しにくくなり、記録に必要なレーザバ
ヮーを小さくできる.換言すれば、記録部材の感度を高
めることができる。
部(ランド)と平坦な底部を有する溝(グルーブ)にし
,ランドとグルーブに接する側面の傾斜を急峻にするこ
とにより、上記側面上の各層の膜厚を薄く出来る。これ
により、記録用ビームの照射を受けても、記録用薄膜で
発生した熱が拡散しにくくなり、記録に必要なレーザバ
ヮーを小さくできる.換言すれば、記録部材の感度を高
めることができる。
以下、本発明の一実施例を説明する。
まず、底部が平坦な案内溝を有する基板1を作成する。
この基板1はポリヵーボネート樹脂の成形体からなり、
直径130mm、厚さ1.2mm、グルーブ部(凹部)
とランド部(凸部)の段差80nm、グルーブ部および
ランド部の閲隔800nm、グルーブ部またはランド部
の間隔1600nmである。 上記基板1に光ビーム入射側保護層2としてZrSi○
,に近い組或の酸化物よりなる薄膜(約100nm)を
積層した後、上記光入射側保護層を上に記録用ビームの
照射を受けてほとんど変形を伴わないで原子配列変化を
生ずるSn−Sb−Te系情報記録用薄膜3(厚さ約3
0nm)を形成し、さらにZrSiO4に近い組成の酸
化物よりなる中間層4(厚さ約40nm)を積層する。 さらに金属元素を主成分とする薄膜5としてAuの薄膜
(約100nm)を積層し、さらに,Z r S i
O.に近い組成の酸化物よりなる補強層6(厚さ約20
0nm)を積層した後、紫外線の照射により硬化する樹
脂7を用いて、紫外線に約2分間露光し,前記補強層6
と保護板8(直径130mm、厚さ1.2mm)を貼り
あわせた。 次に、上記の情報記録用薄膜3に基板1側(紙面上で下
方)より記録用レーザビーム(図示略)を照射し、情報
の記録を行った。 次に、上記の情報記録用薄膜3に情報を記録した部分の
上記の樹脂7を上記保護板8側(図の上方)からと、上
記酸化物を主成分とする保護層2を上記基板l側(図の
下方)より顕微鏡(X400倍)で観察し、上記樹脂保
護層2、および基板lに変質および変形が生じていない
ことを確認した。 本実施例の上記情報記録用薄膜と上記金属元素を主成分
とする薄膜において、上記ランド部の記録用薄膜3の面
に対して、グルーブ部の金属膜5の面の位置を基板1の
面と垂直方向に変化させたとき、記録に必要なレーザパ
ワーと100回記録書き換え後の消え残りは次のように
変化した。 距離(nm) 消え残り 0 15dB 5 15dB 10 17dB 20 17dB 30 18dB 40 19dB 50 20dB 60 25dB 80 30dB 100 35dB 上記ランド部とグルーブ部の間の傾斜面の角度を変化さ
せたとき、記録に必要なレーザパワーと100回記録書
き換え後の消え残りは次のように変化した。 角度(度) 記録レーザバワー消え残り50 23
mW35dB 60 20mW 25dB70
15mW 20dB80 12m
W 15dB本実施例の保護層のZ r S
i04に近い組成の酸化物よりなる薄膜の膜厚の総和を
変化させたとき、記録に必要なレーザパワーと100回
記録書き換え後の雑音レベルは次のように変化した。 膜厚(nm) 記録レーザパワー 雑音レベル5
15mW −75dBm1 0 1
6 m W − 7 8 d B m30
17mW −80dBm1 0 0
1 8 m W − 8 2 d B m20
0 19mW −85dBm500
20mW −85dBm1000
21mW −85dBm20
00 23mW −85dBm
上記の金属元素を主成分とする薄膜5のAuの一部また
は全部をA 1 y C u t A g g M g
v S ipCa,Ti+ V,Cr,Mn,Fe,
Co,Zn,Zr,Nb,Mo,Rh,Zr,Pd,S
n,S b g T e g T a e W t
I r p P t * P b tおよびBiより戒
る群より選ばれた少なくとも一考を主成分とする金属で
置き換えても同様の特性が得られた。例えばNi−Cr
合金、Ti−A1合金を用いると記録感度が向上した。 また、上記の保護層のZ r S i O.の薄膜の一
部または全部を、B,O,,Sift Sin,,Ti
e.,AQ,O,,Ta.Os,Sn02t MnO,
Sb,S3,Sb,Se,,GeSt GeSe,Ge
S,,GeSe,,SnS,SnSe,SnS2,Sn
Se.,PbS,PbSe,In,S,,InzSez
y Cu,S,Ag,S,ZnStZnSe,CdS,
MgO,Y.O,,AIN,?iN,ZrN,BN,C
dSeおよびSi3N.に近い組或の材料より成る群よ
り選ばれた少なくとも一考で置き換えても同様の結果が
得られる。 例えば、上記の保護層をA Q S i N,,A處,
SiN3,A氾Si,N,,Si■sA Q*O*Ns
a (モル%),ZrA1,○,,または(ZnS).
。(Z roz)to,で置き換えても同様の結果が得
られた。 本実施例の保護層の酸化物、硫化物あるいは窒化物を主
成分とする薄膜の融点は700℃以上2900℃以下の
範囲が好ましい。特に、融点が1500℃以上2400
℃以下の酸化物、硫化物あるいは窒化物を主或分とする
薄膜を用いると、上記の記録用ビームの照射によって生
ずる変質あるいは変形を防止する効果が顕著であり、記
録感度の低下が少ない。 本実施例の保護層の酸化物,硫化物あるいは窒化物を主
或分とする薄膜の熱伝導率は50W/m/K以下の範囲
が好ましく、特に,熱伝導率が10W/m/K以上3
0 W / m / K以下が好ましい.また、記録膜
の非品質に近い状態の部分の屈折率と膜厚の積が80n
m以上、300nm以下、中間層の屈折率と膜厚の積が
30nm以上、1000nm以下の範囲で再生信号CN
比46dB以上が得られた.記録膜の結晶状態の部分の
屈折率と膜厚の積が上記の範囲内に有るようにしても差
し支えない。中間層を形戊しない場合は、記録感度が約
50%低下するが、他の特性に大きな変化は無く、使用
可能であった。 第2図に示したように、ガラス基板10上に形成した紫
外線硬化樹脂層工1の表面に本発明のグルーブおよびラ
ンドを有する案内溝を形成し、その上に第1図のディス
クと同様な記録層を順序を逆に(酸化物、硫化物あるい
は窒化物を主成分とする補強層5から)構成し、保護板
と貼り合せずに使用しても、ほぼ同様な効果が得られた
。ただし、この場合はレーザ光は基板とは反対の側から
入射させた. 第3図に示すように、従来は10’回の情報の書き換え
によって雑,音レベル(図中B)が10dB増加したが
、本発明の基板を導入することによって、雑音レベル(
図中A)はほとんど変化せず、消え残りも少ないことが
わかった.また、上記の保護層の形成の際、第4図に示
したように.ZrO,のターゲット19とSin,のタ
ーゲット20を並べたものを用いてスパッタすると、Z
r S i 04膜が容易に得られる。
直径130mm、厚さ1.2mm、グルーブ部(凹部)
とランド部(凸部)の段差80nm、グルーブ部および
ランド部の閲隔800nm、グルーブ部またはランド部
の間隔1600nmである。 上記基板1に光ビーム入射側保護層2としてZrSi○
,に近い組或の酸化物よりなる薄膜(約100nm)を
積層した後、上記光入射側保護層を上に記録用ビームの
照射を受けてほとんど変形を伴わないで原子配列変化を
生ずるSn−Sb−Te系情報記録用薄膜3(厚さ約3
0nm)を形成し、さらにZrSiO4に近い組成の酸
化物よりなる中間層4(厚さ約40nm)を積層する。 さらに金属元素を主成分とする薄膜5としてAuの薄膜
(約100nm)を積層し、さらに,Z r S i
O.に近い組成の酸化物よりなる補強層6(厚さ約20
0nm)を積層した後、紫外線の照射により硬化する樹
脂7を用いて、紫外線に約2分間露光し,前記補強層6
と保護板8(直径130mm、厚さ1.2mm)を貼り
あわせた。 次に、上記の情報記録用薄膜3に基板1側(紙面上で下
方)より記録用レーザビーム(図示略)を照射し、情報
の記録を行った。 次に、上記の情報記録用薄膜3に情報を記録した部分の
上記の樹脂7を上記保護板8側(図の上方)からと、上
記酸化物を主成分とする保護層2を上記基板l側(図の
下方)より顕微鏡(X400倍)で観察し、上記樹脂保
護層2、および基板lに変質および変形が生じていない
ことを確認した。 本実施例の上記情報記録用薄膜と上記金属元素を主成分
とする薄膜において、上記ランド部の記録用薄膜3の面
に対して、グルーブ部の金属膜5の面の位置を基板1の
面と垂直方向に変化させたとき、記録に必要なレーザパ
ワーと100回記録書き換え後の消え残りは次のように
変化した。 距離(nm) 消え残り 0 15dB 5 15dB 10 17dB 20 17dB 30 18dB 40 19dB 50 20dB 60 25dB 80 30dB 100 35dB 上記ランド部とグルーブ部の間の傾斜面の角度を変化さ
せたとき、記録に必要なレーザパワーと100回記録書
き換え後の消え残りは次のように変化した。 角度(度) 記録レーザバワー消え残り50 23
mW35dB 60 20mW 25dB70
15mW 20dB80 12m
W 15dB本実施例の保護層のZ r S
i04に近い組成の酸化物よりなる薄膜の膜厚の総和を
変化させたとき、記録に必要なレーザパワーと100回
記録書き換え後の雑音レベルは次のように変化した。 膜厚(nm) 記録レーザパワー 雑音レベル5
15mW −75dBm1 0 1
6 m W − 7 8 d B m30
17mW −80dBm1 0 0
1 8 m W − 8 2 d B m20
0 19mW −85dBm500
20mW −85dBm1000
21mW −85dBm20
00 23mW −85dBm
上記の金属元素を主成分とする薄膜5のAuの一部また
は全部をA 1 y C u t A g g M g
v S ipCa,Ti+ V,Cr,Mn,Fe,
Co,Zn,Zr,Nb,Mo,Rh,Zr,Pd,S
n,S b g T e g T a e W t
I r p P t * P b tおよびBiより戒
る群より選ばれた少なくとも一考を主成分とする金属で
置き換えても同様の特性が得られた。例えばNi−Cr
合金、Ti−A1合金を用いると記録感度が向上した。 また、上記の保護層のZ r S i O.の薄膜の一
部または全部を、B,O,,Sift Sin,,Ti
e.,AQ,O,,Ta.Os,Sn02t MnO,
Sb,S3,Sb,Se,,GeSt GeSe,Ge
S,,GeSe,,SnS,SnSe,SnS2,Sn
Se.,PbS,PbSe,In,S,,InzSez
y Cu,S,Ag,S,ZnStZnSe,CdS,
MgO,Y.O,,AIN,?iN,ZrN,BN,C
dSeおよびSi3N.に近い組或の材料より成る群よ
り選ばれた少なくとも一考で置き換えても同様の結果が
得られる。 例えば、上記の保護層をA Q S i N,,A處,
SiN3,A氾Si,N,,Si■sA Q*O*Ns
a (モル%),ZrA1,○,,または(ZnS).
。(Z roz)to,で置き換えても同様の結果が得
られた。 本実施例の保護層の酸化物、硫化物あるいは窒化物を主
成分とする薄膜の融点は700℃以上2900℃以下の
範囲が好ましい。特に、融点が1500℃以上2400
℃以下の酸化物、硫化物あるいは窒化物を主或分とする
薄膜を用いると、上記の記録用ビームの照射によって生
ずる変質あるいは変形を防止する効果が顕著であり、記
録感度の低下が少ない。 本実施例の保護層の酸化物,硫化物あるいは窒化物を主
或分とする薄膜の熱伝導率は50W/m/K以下の範囲
が好ましく、特に,熱伝導率が10W/m/K以上3
0 W / m / K以下が好ましい.また、記録膜
の非品質に近い状態の部分の屈折率と膜厚の積が80n
m以上、300nm以下、中間層の屈折率と膜厚の積が
30nm以上、1000nm以下の範囲で再生信号CN
比46dB以上が得られた.記録膜の結晶状態の部分の
屈折率と膜厚の積が上記の範囲内に有るようにしても差
し支えない。中間層を形戊しない場合は、記録感度が約
50%低下するが、他の特性に大きな変化は無く、使用
可能であった。 第2図に示したように、ガラス基板10上に形成した紫
外線硬化樹脂層工1の表面に本発明のグルーブおよびラ
ンドを有する案内溝を形成し、その上に第1図のディス
クと同様な記録層を順序を逆に(酸化物、硫化物あるい
は窒化物を主成分とする補強層5から)構成し、保護板
と貼り合せずに使用しても、ほぼ同様な効果が得られた
。ただし、この場合はレーザ光は基板とは反対の側から
入射させた. 第3図に示すように、従来は10’回の情報の書き換え
によって雑,音レベル(図中B)が10dB増加したが
、本発明の基板を導入することによって、雑音レベル(
図中A)はほとんど変化せず、消え残りも少ないことが
わかった.また、上記の保護層の形成の際、第4図に示
したように.ZrO,のターゲット19とSin,のタ
ーゲット20を並べたものを用いてスパッタすると、Z
r S i 04膜が容易に得られる。
本発明によれば、上記記録用ビームのグルーブ部を中心
とする照射により生じた温度分布は、グルーブ内での変
化がゆるやかであり、上記の傾斜部で急激に下がって、
ランド部ではほとんど温度が上がらない。このため記録
点のトラックに直角方向の広がりが抑制されると同時に
グルーブ部の傾斜部に近い部分でも温度が高いために結
晶化による消去が行われやすい。従って消え残りが小さ
くなり、記録する信号に忠実な相変化が起こり、再生波
形歪みが小さく出来る。また、記録に必要なレーザーバ
ワーを少なく出来る。さらに、ピンホールが少なく、か
つ,記録消去時に生ずる応力に対して強く、樹脂が変質
あるいは変形することかない.
とする照射により生じた温度分布は、グルーブ内での変
化がゆるやかであり、上記の傾斜部で急激に下がって、
ランド部ではほとんど温度が上がらない。このため記録
点のトラックに直角方向の広がりが抑制されると同時に
グルーブ部の傾斜部に近い部分でも温度が高いために結
晶化による消去が行われやすい。従って消え残りが小さ
くなり、記録する信号に忠実な相変化が起こり、再生波
形歪みが小さく出来る。また、記録に必要なレーザーバ
ワーを少なく出来る。さらに、ピンホールが少なく、か
つ,記録消去時に生ずる応力に対して強く、樹脂が変質
あるいは変形することかない.
第1図、第2図は本発明の実施例の記録用部材の構成を
示す断面図、第3図は本発明の記録用部材による情報の
書換え回数に対する雑音レベルの変化を示す特性図、第
4図は本発明の記録用部材の製造に用いられるスパッタ
リング装置の要部断面図である。 符号の説明 l・・・案内溝を有する基板、2、16・・・保護層薄
膜、3、15・・・情報記録用薄膜、4、14・・・中
間層、5、13・・・金属元素を主成分とする薄膜、6
、l2・・・補強層、7、17・・・樹脂、8、18・
・・保護板、10・・・ガラス基板、11・・・案内溝
を有する樹脂、19・・・ZrOターゲット.20・・
・Si○夕一ゲット、21・・・基板、22・・・スパ
ッタ容器、A・・・文L脊イ含号1へ゜ル(tεれ2
示す断面図、第3図は本発明の記録用部材による情報の
書換え回数に対する雑音レベルの変化を示す特性図、第
4図は本発明の記録用部材の製造に用いられるスパッタ
リング装置の要部断面図である。 符号の説明 l・・・案内溝を有する基板、2、16・・・保護層薄
膜、3、15・・・情報記録用薄膜、4、14・・・中
間層、5、13・・・金属元素を主成分とする薄膜、6
、l2・・・補強層、7、17・・・樹脂、8、18・
・・保護板、10・・・ガラス基板、11・・・案内溝
を有する樹脂、19・・・ZrOターゲット.20・・
・Si○夕一ゲット、21・・・基板、22・・・スパ
ッタ容器、A・・・文L脊イ含号1へ゜ル(tεれ2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、平坦な面を有するグルーブ部(凹部)と平坦な面を
有するランド部(凸部)およびその間の傾斜部からなる
案内溝(グルーブ)を有する基板上に形成された、記録
用ビームの照射を受けて変化を生ずる情報記録用部材に
おいて、上記ランド部の記録膜の上面が上記グルーブ部
の反射層の下面より上で上面の上50nmまでの範囲に
あるか、もしくは、上記ランド部の記録膜の下面が上記
グルーブ部の反射層の上面より下で下面の下50nmま
での範囲にあることを特徴とする情報記録用部材。 2、上記記録膜の膜厚が上記ランド部と上記グルーブ部
の段差量より小さい膜厚であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の情報記録用部材。 3、上記反射層の膜厚が上記ランド部と上記グルーブ部
の段差量の0.2倍以上5倍以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項もしくは第2項に記載の情報記
録用部材。4、上記グルーブ部の幅が上記記録用ビーム
の直径の20%以上70%以下の範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項、第2項および第3項のい
ずれかに記載の情報記録用部材。 5、上記ランド部と上記グルーブ部に接する傾斜部の上
記基板の平面に対しての傾きが70度以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、第3項およ
び第4項のいずれかに記載の情報記録用薄膜部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000572A JPH03205627A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 情報記録用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000572A JPH03205627A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 情報記録用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205627A true JPH03205627A (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11477429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000572A Pending JPH03205627A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 情報記録用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03205627A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189039A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報記録担体 |
| JPH03219434A (ja) * | 1988-12-27 | 1991-09-26 | Canon Inc | 光学的情報記録媒体 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2000572A patent/JPH03205627A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189039A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報記録担体 |
| JPH03219434A (ja) * | 1988-12-27 | 1991-09-26 | Canon Inc | 光学的情報記録媒体 |
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