JPH03205836A - 光素子および光電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光素子および光電子装置に係わり、特に半導体
レーザアレイ（半導体レーザ素子）を組み込んだ光電子
装置（半導体レーザ装置）の製造におけるワイヤポンデ
ィング技術に適用して有効な技術に関する。

〔従来の技術］ 半導体レーザ（レーザダイオード：　ＬＤ），発光ダイ
オード，ホトダイオード等の光素子は、高出力化，多機
能化を具現化する構造としてアレイ化が進められている
。たとえば、工業調査会発行「電子材料Ｊ　１９８７年
２月号、昭和６２年２月１日発行、Ｐ４２〜Ｐ４６には
、光電子集積回路（ＯＥＩＣ）についての記載があり、
波長多重伝送システムに用いる５波長集積化ＤＦＢレー
ザおよびこれに対応するホトダイオードアレイについて
記載されている．また、工業調査会発行「電子材料．１
９８７年６月号、昭和６２年６月１日発行、Ｐ１０７〜
Ｐ１１１にはモノリシック形３ビーム半導体レーザ（半
導体レーザ素子および半導体レーザ装置）の構造が開示
されている。このモノリシック形３ビーム半導体レーザ
素子（レーザダイオードチップ）にあっては、１００μ
ｍのピッチで３個の半導体レーザ（ＬＤ）が直線上に形
成されている。また、レーザダイオードチップの上面に
は２本の溝が平行に設けられてアイソレーションがなさ
れ、３つのＬＤが独立して制御できるように構成される
とともに、各半導体レーザ上にはそれぞれ給電線となる
ワイヤが接続されている。

一方、半導体レーザ装置やＩＣ（集積回路）等の半導体
装置においては、半導体レーザ素子（レーザダイオード
チップ）や半導体素子（チップ）の電極と、パッケージ
の外部に外端を突出させるリードの内端はワイヤで接続
されているが、このワイヤの接続は、たとえば、工業調
査会発行「電子材料別冊号」昭和６１年１１月１８日発
行、Ｐ１２３〜Ｐｌ２９に記載されているように、熱圧
着法（ＴＣ法），超音波法（ＵＳ法）．超音波熱圧着法
（ＴＳ法）等によって行われている。また、この文献に
は、ワイヤポンデイングにおける技術的問題点として、
高精度化では、「超ＬＳＩ，ＡＳＩＣ品では高集積化，
多ピン化．表面実装化へと進展してきており，精度要求
は一段と高まっている。ＴＳポンディングで７０μｍパ
ッドピッチ以下を想定した場合、ワイヤサイズ１８〜２
０μｍ，圧着ボール径４０〜５０μｍ．総合位置精度±
４〜±５μｍの装置が必要と予測しているが、現段階で
は１００〜１３０Ｉ！ｍが実用レヘルと考えられる」旨
記載されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

多ビーム半導体レーザは上記文献でも記載されているよ
うに、光通信用光源としてまたは情報処理用光源として
使用されている。

ところで、これは公知とされたものではないが、本出願
人も、たとえば第５図および第６図に示されるような多
ビーム半導体レーザアレイ（マルチ・レーザダイオード
・アレイ）を同様に開発している。この半導体レーザ素
子ｌは、モノリシックな４ビーム・レーザダイオード・
アレイであり、ｐ形ＧａＡｓからなる半導体基板２の主
面側に、前記文献の半導体レーザ素子と同様に１００μ
ｍピッチでＣ　Ｓ　Ｐ　（Ｃｈａｎｎｅｌｅｄ−Ｓｕｂ
ｓｔｒａｔｅ−Ｐ１ａｎａｒ）型からなる４つの半導体
レーザ（ＬＤ）３を設けた構造となっている。前記各半
導体レーザ３は、半導体基板２の主面に設けられたアイ
ソレーション溝４でアイソレーションされている．また
、半導体レーザ群（アレイ）の両側部分は一段低い低面
５となっている。各半導体レーザ３の共振器６は、第６
図の２本の二点鎖線で取り囲まれた領域であって、半導
体基板２の主面表層部に平行に設けられ、ピッチａはた
とえば１００μｍとなっている。また、前記半導体基板
２の裏面（下面）全域には電極（アノード電極）９が設
けられているとともに、半導体基板２の主面の各半導体
レーザ３の上面には電極（カソード電極）ｌｏが設けら
れている。これらカソード電極１０は、その幅ｂが８０
μｍ程度となっている。

しかし、このような構造の半導体レーザ素子１では、以
下の点で組立上好ましくない状態が発生するということ
が本発明者によってあきらかにされた。すなわち、この
ような半導体レーザ素子１にあっては、半導体レーザ素
子ｌの上下面にそれぞれ電極９，１０が設けられている
が、この場合、下部電極（アノード電極９）は共通電極
となってサブマウント等の支持板に固定され、上部電極
（カソード電極１０）は各半導体レーザ３の固有な電極
となりかつ給電線となるワイヤの一端が接続される。前
記ワイヤの他端は半導体レーザ装置のバノケージに取り
付けられるリードの内端に接続される。

半導体レーザアレイの場合、たとえば前記固有電極はア
レイを構成する半導体レーザの数に相当する数となる。

また、半導体レーザ素子は、両端からレーザ光を発振す
る共振器の全長に亘って電力を均一に供給する必要があ
ることから、前記固有電極は共振器の全長、換言するな
らば半導体レーザ素子の全長に亘って設けられる。また
、固有電極は相互に電気的に絶縁する必要がある。した
がって、複数の固有電極はアイソレーション領域を隔て
て平行に延存することになる。

また、半導体レーザ素子製造においては、アイソレーシ
ョン領域や上部電極の形戒の際のマスクアライメント余
裕度もパターン設計上考慮される。

このようなことから、固有電極の幅ｂは、並列状態で複
数配設される半導体レーザのビッチａよりも短くなり、
たとえば前記のように１００ｌＩｍピッチに半導体レー
ザが形成される場合には、上部電極の幅ｂは８０μｍ程
度が上限となる。

一方、ワイヤの先端を球形としかつこの球形部分を押し
潰して接続を行うワイヤボンディングにおいては、第６
図の二点鎖線円で示される押潰部１１の直径は、たとえ
ば２５μｍ直径程度の細いワイヤを用いた場合７０μｍ
前後となり、８０μｍ幅のワイヤボンディング・エリア
へのポンディングは、極めて高い位置精度が必要とされ
、ボンディング精度が低いと、ワイヤの押潰部１ｌは本
来固定されるべき固有電極から外れて、隣接する固有電
極側に食み出し、ショート不良の原因となる。

このような現象は、半導体レーザアレイの小型化，高密
度化による半・導体レーザの配列ピソチの狭小化によっ
てさらに起き易くなる。

本発明の目的は、ワイヤポンディング余裕度が高くでき
る光素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、電極幅の狭小化が達威できる光素
子を提供することにある。

本発明の他の目的は、ワイヤポンディングの歩留りおよ
び信頼性を高くできる光電子装置を提供することにある
。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明のアレイ型半導体レーザ装置において
は、アレイを構或するモノリシックな隣り合った複数の
半導体レーザは、幅が狭い幅狭部と幅が広い幅広部とで
構成されるとともに、この幅狭部および幅広部上に幅狭
部および幅広部に対応して幅狭電極部および幅広電極部
が設けられ、かつ前記幅広電極部にはワイヤボンデイン
グ・エリアが設けられてワイヤが接続され、さらに前記
幅広部および幅広電極部は隣接する幅狭部および幅狭電
極部の横に対面して延在するように構成されている。

（作用〕 上記した手段によれば、本発明のアレイ型半導体レーザ
装置においては、半導体レーザ素子における各半導体レ
ーザの固有電極におけるワイヤボンディング・エリアは
幅広電極部に設けられ、かつこの幅広電極部は隣接固有
電極の幅狭電極部に対面して延在する構造となることか
ら、前記幅狭電極部が狭い分だけ隣接固有電極側に張り
出した形状とすることができるため、ワイヤボンディン
グ・エリアが広くなり、ワイヤボンデイングの余裕度を
大きくでき、ショート不良防止が達成できる。また、前
記固有電極は幅広電極部とこれに連なる幅狭電極部とで
構戒され、かつ半導体レーザ群全体の電極パターンは前
記幅広電極部の横に幅狭電極部が並ぶパターンとなるこ
とから、半導体レーザ、すなわち共振器の配列ピッチを
一定とした場合、幅広電極部をより幅広くすることがで
きる。また、前記幅広電極部の幅を一定とした場合、共
振器の配列ピッチをより小さくすることができる。

〔実施例］ 以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ素子の模
式的平面図、第２図は同じく模式的断面図、第３図は同
じく一部の半導体レーザを示す拡大断面図、第４図は本
発明の一実施例による半導体レーザ装置を示す一部を切
り書いた斜視図である。

この実施例では、光素子としてアレイ型半導体レーザ素
子を組み込んだ光電子装置（半導体レーザ装置）に本発
明を適用した例について説明する，この半導体レーザ装
置は、たとえばコンパクト・ディスクに使用可能であり
、４つのビームを発光する半導体レーザ素子（４ビーム
半導体レーザ素子）を内蔵している。また、前記４ビー
ム半導体レーザ素子のプレイを構或する各半導体レーザ
（光素子部）は、内部電流狭窄型のＣＳＰ　（Ｃｈａｎ
ｎｅｌｅｄ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ−Ｐｌａｎａｒ）構造
となっている●４ビームを発光する半導体レーザ素子Ｉ
は、第２図に示されるようにｐ形Ｇ　ａ　Ａ　ｓからな
る半導体基板２と、この半導体基板２上に設けられた多
層戒長層７とを利用して形成されている。すなわち、前
記多層成長層７は、第１図にも示されるように、両側に
形成された低面５と、この間に設けられたアイソレーシ
ヲン溝４とによって４つの領域に分断され、こ−（７）
　ｌｅｉ域にそれぞれ半導体レーザ３が設けられている
。また、各半導体レーザ３間に設けられたアイソレーシ
ジン溝４および低面５との境はクランク形に延在してい
る。また、このクランク形は交互に反対方向に曲がって
いることから、半導体レーザ３は、その幅が広い幅広部
ｌ５と、幅が狭い幅狭部１６とで構成されるとともに、
幅広部ｌ５は、第１図に示されるように千鳥足跡状に配
列されることになる。そして、後に詳述するが、前記幅
広部ｌ５および幅狭部１６の中央線に沿う下方には端面
からレーザ光１４を発光する共振器６が延在する構造と
なっている。また、前記半導体基板２の下面（裏面）に
は電極（アノード電極）９が設けられているとともに、
半導体基板２の主面側の各半導体レーザ３の表面（主面
）には、電極（カソード電極）１０が設けられている。

このカソード電極１０は各半導体レーザ３にそれぞれ設
けられることから、説明の便宜上固有電極１０とも称す
る。前記固有電極１０は前記幅広部１５および幅狭部１
６対応し、第１図で単一の半導体レーザ３のみに説明上
明瞭に分るように点々を施してあるように、幅広電極部
ｌ９および幅狭電極部２０とで構成されている。さらに
、前記低面５には矩形の認識パターン２１が設けられて
いる。なお、この半導体レーザ素子１は寸法的には、た
とえば高さ１００μｍ．幅６００μｍ．長さが２５０μ
ｍとなっている。

ところで、このような半導体レーザ素子１においては、
半導体レーザ３の配列ピッチ、換言するならば共振器６
の配列ピッチをａ、電極（固有電極）１０における幅広
電極部１９の幅をｂ、固有電極１０における輻狭電極部
２０の幅をＣ、アイソレーシヲン溝４の幅をｄ，ｔ極１
０の縁カラアイソレーション溝４の縁までの長さをｅと
した場合、固有電極１０における幅広電極部ｌ９の幅ｂ
は次式で与えられる。

ｂ＝２ａ−　（ｃ＋ｄ＋４　ｅ）　　　　　　＝ｉｌ）
前記幅狭電極部２０の幅Ｃ、アイソレーシゴン溝４の幅
ｄ，Ｔｌ極１０の縁からアイソレーション溝４の縁まで
の長さｅは、それぞれ小さい数値が選択されることから
、幅広電極部１９の幅ｂは半導体レーザ３の配列ピンチ
ａよりも充分大きくなる。たとえば、半導体レーザ３の
配列ピッチａを１００μｍとし、幅狭電極部２０の幅Ｃ
を２０〜３０μｍ，電極１０を半導体レーザ３の最上層
の半導体層に一致して重ねかつ前記アイソレーション溝
４の幅ｄを２０μｍとした場合、前記幅広電極部ｌ９の
幅ｂは１６０〜１５０μｍとなる。したがって、第１図
の二点鎖線円で示すワイヤボンディング・エリア２２は
、１００〜１３０μｍ直径（あるいは一辺の長さが１０
０〜１３０μｍとなる矩形）を充分得ることができる。

また、前記ワイヤボンディング・エリア２２を１００〜
１３０μｍ直径（あるいは一辺の長さが１００〜１３０
μｍとなる矩形）とした場合、前記幅広電極部ｌ９の幅
ｂを、たとえば２０〜３０μｍとさらに狭くすることも
できるため、半導体レーザ３の配列ビソチａを１００μ
ｍよりもさらに小さくすることも可能となり、半導体レ
ーザ素子１の小型化あるいはさらに半導体レーザ３の配
列数を増大させることができる。

つぎに、前記半導体レーザ素子ｌにおける半導体レーザ
３の構造について説明する。第３図は半導体レーザ素子
１においてモノリシックに４つ並んで配設された半導体
レーザ３のうちの一つを示す模式的な断面図である。

この半導体レーザ３はＣＳＰ型であるとともに、内部狭
窄構造となっている。この半導体レーザ３は、ｐ形Ｇａ
Ａｓからなる半導体基板２の主面にストライブ状のチャ
ネル２５を隔ててｎ形ＧａＡＳからなる一対の内部狭窄
層２６を有している。

また、この半導体基板２の主面には、多層戒長層７が設
けられている。この多Ｎ戒長Ｎ７は、エビタキシャル戒
長によって、ｐ形のＧａＡｕＡｓ層からなるｐ形クラソ
ド層２７，ＧａＡｉＡｓからなる活性層２８．ｎ形Ｇａ
ＡＩＡｓ層からなるｎ形クラノド層２９．ｎ十形ＧａＡ
ｓ層からなるｎ＋形キャンプ層３０と順次積層されるこ
とによって形成されている。また、前記半導体基板２の
裏面には電極（アノード電極）９が設けられ、ｎ＋形キ
ャップ層３０上には電極（カソード電極）１０が設けら
れている。

この内部狭窄型の半導体レーザ素子１は、たとえば、数
１００ＩＩｍの厚さのｐ形ＧａＡｓからなる半導体基板
２上に、０．８μｍのｎ形ブロック層（内部狭窄層）２
６を形成した後、１００μｍピンチで４本のチャネル２
５を設ける。その後液相エビタキシャル威長によって、
厚，さ０．１５〜０．４５ａｍのＰ形クラッド層２７．
厚さ０．　　１μｍ以下の活性層２８，厚さ１．５〜２
．５μｍのｎ形クラッド層２９，厚さ１０〜２０μｍ程
度のｎ十形キャップ層３０を形戒する。つぎに、半導体
基板２の主面側全域に電極素材を設けた後、この電極素
材を常用のホトリソグラフィによって？ターン化し、第
１図に示されるようなパターンの電極（カソード電極）
１０を形成する。このカソード電極ＩＯは各半導体レー
ザ３にそれぞれ設けられることから、説明の便宜上固有
電極１０とも称する。ついで、前記半導体基板２の裏面
をエッチングして全体を１００μｍ程度の厚さにすると
ともに、半導体基板２の下面に電極（アノート電極）９
を形戒する。これにより半導体レーザ素子１が製造され
ることになる。なお、この半導体レーザ素子１にあって
は、共振器６の両端面にそれぞれ構造の異なる反射膜が
形成され、出力として使用される前方光（レーザ光１４
）がモニター用に使用される後方光（レーザ光１４）に
比較して出力大となるように構成されている。たとえば
、前方光と後方光との出力比が２０対１となるように、
前方光側の半導体レーザ素子１の端面にはλ／４の厚さ
のＳｉＯ■膜が設けられるとともに、後方光例の半導体
レーザ素子１の端面には、λ／４の厚さのＳｉｎ．膜と
λ／４の厚さのアモルファスシリコン膜が交互に重ねて
られて全体とじて４層となった反射膜が設けられる。ま
た、前記共振器６は前記チャネル２５に略対面する活性
層２８部分によって形成される。

つぎに、前記半導体レーザ素子１を組み込んだ半導体レ
ーザ装置（光電子装置）４０について、第４図を参照し
ながら説明する。

半導体レーザ装置４０は、熱放散性の良好な金属で形成
される矩形のステム４１の主面の中央部に、熱放散性の
良好な金属で形或されるヒートシンク４２を鑞材で固定
した構造となっている。このヒートシンク４２は、前記
ステム４ｌに固定される台座部４３と、この台座部４３
の一端側でかつ上方に直立突出した直立部４４とで構成
されている。そして、前記直立部４４の先端部内側面に
は、導電性のサブマウント４５を介して前記４ビームを
発光する半導体レーザ素子ｌが固定されている。この半
導体レーザ素子１はその上端および下端からそれぞれ４
ビームのレーザ光１４（１４ａ，　　１　４　ｂ，　　
１　４　ｃ，　　１　４　ｄ）を発光する（図では前方
光のみを示す）。また、前記台座部４３の主面は｛頃斜
面となるとともに、この主面にはセラミノクからなるサ
ブマウント４６を介して受光素子４７が固定され、前記
半導体レーザ素子１の後方光（レーザ光１４）を受光し
、光出力をモニターするようになっている。前記受光素
子４７は、上面に電極を有するとともに、下面には全域
に電極が設けられている。また、前記絶縁性のサブマウ
ント４６の主面には導電性のメタライズ層およびこのメ
タライズ層に重なるメッキ層が設けられ、かつこれら層
の一部は受光素子取付領域から外れてワイヤボンディン
グ・エリアを形成している。

一方、前記ステム４ｌには７本のリード５０が取り付け
られている。１本のリード５０は前記ステム４１に直接
固定される結果、前記半導体レーザ素子１の下部電極（
アノード電極９）と電気的に接続されることになる。ま
た、６本のりード５０は、いずれも前記ステム４１を貫
通し、かつガラスのような絶縁体５１を介してステム４
１に電気的に絶縁されて取り付けられている。そして、
前記ステム４１の主面側に内端を突出させた６本のリー
ド５０の内、台座部４３の一端側に配設された短い２本
のリード５０の内端にはそれぞれワイヤ５２が接続され
ている。これら２本のワイヤ５２の内、１本は直接受光
素子４７の主面の電極に接続され、他の１本のワイヤ５
２は前記受光素子４７を支持するサブマウント４６に形
成されたワイヤボンディング・エリアに接続されている
。

さらに、前記ステム４ｌの主面側に内端を突出させた残
りの４本のリード５０は、それぞれ２本づつ前記ヒート
シンク４２の両側に位置し、かつ内端が偏平とされたボ
ンディング部５３にワイヤ５２が接続されている。これ
らワイヤ５２は、それぞれ半導体レーザ素子ｌの４つの
半導体レーザ３の固有電極１０に接続されている。

他方、天井部に円形の窓５４を有する金属製のキャンプ
５５が、前記ステム４１の主面に気密的に固定され、前
記ヒートシンク４２，半導体レーザ素子１，受光素子４
７，リード５０の内端，ワイヤ５２等を封止している．
前記キャップ５５の天井部には窓５４を塞ぐ透明なガラ
ス板５６が気密的に固着されている。したがって、半導
体レーザ素子１の各半導体レーザ３の共振器６から発光
したレーザ光１４は、この窓５４を通過してステム４１
とキャンプ５５とによって形成されたパッケージ外に発
光される。なお、ステム４ｌには、この半導体レーザ装
置４０を使用機器に取り付ける際使用する取付孔５７が
設けられている。

このような半導体レーザ装置４０にあっては、その組立
において、半導体レーザ素子１のワイヤボンデイング・
エリアが１００μｍ以上と大きいことから、接続された
ワイヤ５２の押潰部１１がこのワイヤボンディング・エ
リアから食み出さなくなり、隣接固有電極との接触不良
の発生が抑止できる。また、ワイヤポンディングにおい
て、ワイヤボンディングの接続位置の余裕度も大きくな
ることから、ワイヤボンディングがし易くなるとともに
、歩留りおよびワイヤボンディングの信頼性が高くなる
． このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明のアレイ型半導体レーザ装置においては、
半導体レーザ素子における各半導体レーザの固有電極に
おけるワイヤポンデイング・エリアは、隣接固有電極の
幅狭電極部に対面して延在する構造となり、前記幅狭電
極部が狭い分だけ隣接固有電極側に張り出した形状とす
ることができるため、ワイヤボンデイング・エリアが広
くなり、ワイヤボンディングの余裕度を大きくでき、シ
ョート不良防止が達或できるという効果が得られる。

（２）上記（１）により、本発明のアレイ型半導体レー
ザ装置は、ワイヤボンディング・エリアが広くなること
から、確実なワイヤボンデイングが可能となり、ワイヤ
ボンデイングの信頼性が高くなるという効果が得られる
。

（３）上記（１）により、本発明のアレイ型半導体レー
ザ装置は、ワイヤボンデイング・エリアが広くなること
から、確実なワイヤポンデイングが可能となり、歩留り
が高くなるという効果が得られる。

（４）上記（１）により、本発明のアレイ型半導体レー
ザ装置においては、組み込んだアレイ型半導体レーザ素
子の半導体レーザの固有電極は、幅広電極部とこれに連
なる幅狭電極部とで構成され、かつ半導体レーザ群全体
の電極パターンは前記幅広電極部の横に幅狭電極部が並
ぶパターンとなることから、幅広電極部の幅をある程度
広くしても、半導体レーザすなわち共振器の配列ビノチ
狭くすることができるため、ビーム間隔の狭い半導体レ
ーザ装置が得られるという効果が得られる。

（５）本発明のアレイ型半導体レーザ素子は、各半導体
レーザの固有電極が幅広電極部とこれに連なる幅狭電極
部とで形成されかつワイヤボンディング・エリアが設け
られる幅広電極部は隣接固有電極の輻狭電極部に対面し
て延在する構造となっていることから、幅広電極部は幅
狭電極部が狭い分だけ隣接固有電極側に張り出した形状
とすることができるため、ワイヤボンディング・エリア
が広くなるという効果が得られる。

（６）上記（５）により、本発明の半導体レーザ素子は
、ワイヤボンディング・エリアが広くなることから、ワ
イヤポンディングの余裕度を大きくでき、ショート不良
防止が達威できるという効果が得られる。

（７）上記（５）により、本発明のアレイ型半導体レー
ザ素子は、ワイヤボンディング・エリアが広くなること
から、確実なワイヤポンデイングが可能となり、ワイヤ
ボンディングの信頼性が高くなるという効果が得られる
。

（８）上記（５）により、本発明のアレイ型半導体レー
ザ素子は、ワイヤボンデイング・エリアが設けられる幅
広電極部が必要以上に広くできることから、逆に幅広電
極部の幅を必要な大きさのワイヤボンディング・エリア
を有するようにした場合、半導体レーザの配列ピッチを
狭くすることができるという効果が得られる。

（９）上記（８）により、本発明の半導体レーザ素子は
、半導体レーザの配列ピッチを狭くすることができるこ
とから、半導体レーザ素子の小型化が達戒できるという
効果が得られる。

（ｌＯ）上記（８）により、本発明の半導体レーザ素子
は、半導体レーザの配列ビノチを狭くずることができる
ことから、より多数の半導体レーザを組み込むことも可
能となり、半導体レーザ素子の高密度化が達戒できると
いう効果が得られる。

（１１）上記（１）〜（１０）により、本発明によれば
、ワイヤボンディング・エリアが広くかつ半導体レーザ
の配列ピンチが小さくかつ高密度化が達成できる半導体
レーザ素子を提供することができるとともに、ワイヤボ
ンデイングの歩留りおよび信頼性が高い半導体レーザ装
置を安価に提供することができるという相乗効果が得ら
れる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体レーザ技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、アレイ型の発光ダイオード等の光素子およ
び光素子を組み込んだ光電子装置に適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明のアレイ型半導体レーザ装置においては、アレイ
型半導体レーザ素子の各半導体レーザの固有電極におけ
るワイヤボンディング・エリアは、一部が幅が広い幅広
電極部に設けられていることから、ワイヤボンディング
・エリアが広くなり、ワイヤボンディングの余裕度が向
上し、シコート不良の心配もなくなる。また、前記固有
電極は一部が幅が狭い輻狭電極部となっていて、二〇幅
狭電極部は隣りの幅広電極部の横に延在する構造となっ
ていることから、前記幅広電極部の幅を大きくしてワイ
ヤボンディング・エリアを増大しても、半導体レーザの
配列ピッチは狭くなり、アレイ型半導体レーザ素子の小
型化あるいは高密度化が達戒できる。したがって本発明
によれば、ワイヤボンディングの信頼性が高くかつ半導
体レーザアレイビノチの小さい半導体レーザ素子および
半導体レーザ装置を提供することができる．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ素子の模
式的平面図、 第２図は同じく模式的断面図、 第３図は同じく一部の半導体レーザを示す拡大断面図、 第４図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を示
す一部を切り書いた斜視図、 第５図は本出願人の開発による半導体レーザ素子の模式
的断面図、 第６図は同じく模式的平面図である。 １・・・半導体レーザ素子、２・・・半導体基板、３・
・・半導体レーザ、４・・・アイソレーション溝、５・
・・低面、６・・・共振器、７・・・多層成長層、９・
・・電極（アノード電゛極）、１０・・・電極（カソー
ド電極：固有電極）、１１・・・押潰部、ｌ４・・・レ
ーザ光、１５・・・幅広部、１６・・・幅狭部、１９・
・・幅広電極部、２０・・・幅狭電極部、２１・・・認
識パターン、２２・・・ワイヤボンディング・エリア、
２５・・・チャネル、２６・・・内部狭窄層、２７・・
・ｐ形クラッド層、２８・・・活性層、２９・・・ｎ形
クラッド層、３０・・・ｎ◆形キャ２プ層、４０・・・
半導体レーザ装置、４１・・・ステム、４２・・・ヒー
トシンク、４３・・・台座部、４４・・・直立部、４５
．４６・・・サブマウント、４７・・・受光素子、５０
・・・リード、５１・・・絶縁体、５２・・・ワイヤ、
５３・・・ボンディング部、５４・・・窓、５５・・・
キャンプ、５６・・・ガラス板、５７・・・取付孔。 ／一ゝ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、主面にワイヤボンディング・エリアを有する電極が
   並んで複数設けられてなるモノリシックな光素子であっ
   て、前記電極は幅が広い幅広電極部とこれに連なる幅が
   狭い幅狭電極部とで構成されるとともに、前記幅広電極
   部に前記ワイヤボンディング・エリアが設けられ、かつ
   前記幅広電極部は隣接電極の幅狭電極部の横に延在する
   ように構成されていることを特徴とする光素子。 ２、半導体基板の主面に複数の半導体レーザが並んで配
   設されたアレイ型光素子であって、前記半導体レーザは
   幅広部とこれに連なる幅狭部とからなるとともに、前記
   幅広部は隣接半導体レーザの幅狭部の横に延在し、かつ
   前記幅広部および幅狭部上には幅広部および幅狭部に対
   応した幅狭電極部および幅広電極部が設けられ、さらに
   前記幅広電極部にワイヤボンディング・エリアが設けら
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   光素子。 ３、パッケージと、このパッケージ内に配設されるとと
   もに複数の光素子部が並んでモノリシックに形成されて
   なる光素子と、前記パッケージに取り付けられたリード
   と、前記光素子部の固有電極と前記リードとを電気的に
   接続するワイヤとを有する光電子装置であって、前記光
   素子部は幅広部とこれに連なる幅狭部とで形成されてい
   るとともに、この幅広部および幅狭部上には幅広電極部
   および幅狭電極部が形成され、かつ前記幅広電極部にワ
   イヤの一端が接続され、さらに前記幅広部は隣接光素子
   部の幅狭部の横に延在するように構成されていることを
   特徴とする光電子装置。 ４、パッケージと、このパッケージ内に配設されるとと
   もに複数の半導体レーザが並んでモノリシックに形成さ
   れてなる半導体レーザ素子と、前記パッケージの外方に
   外端を突出させるリードと、前記半導体レーザ素子にお
   ける半導体レーザの固有電極と前記リードとを電気的に
   接続するワイヤとを有する光電子装置であって、前記半
   導体レーザ素子は幅広部とこれに連なる幅狭部とで形成
   されているとともに、この幅広部および幅狭部上には幅
   広電極部および幅狭電極部が形成され、かつ前記幅広電
   極部に前記ワイヤの一端が接続され、さらに前記幅広部
   は隣接半導体レーザの幅狭部の横に延在するように構成
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
   の光電子装置。