JPH0320606A - 微小寸法測定方法 - Google Patents
微小寸法測定方法Info
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- JPH0320606A JPH0320606A JP15538989A JP15538989A JPH0320606A JP H0320606 A JPH0320606 A JP H0320606A JP 15538989 A JP15538989 A JP 15538989A JP 15538989 A JP15538989 A JP 15538989A JP H0320606 A JPH0320606 A JP H0320606A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子ビームを照射し表面から出る特定の元素
の特性エックス線のプロファイルをもとに、微小な寸法
を測定する方法に関する。
の特性エックス線のプロファイルをもとに、微小な寸法
を測定する方法に関する。
従来の技術
半導体素子では微細化が進み、その最小寸法が１ μｍ
あるいはそれ以下のサブミクロンを基準にするようなも
のになると、その製造工程における品質管理、とくに各
マスク工程における寸法管理が重要になってくる。微細
化が進む半導体装置の製造工程におけるパターン寸法測
定には、光学式副長器にかわって測長ＳＥＭ（走査電子
顕微鏡）が用いられる場合が多くなってきている。
あるいはそれ以下のサブミクロンを基準にするようなも
のになると、その製造工程における品質管理、とくに各
マスク工程における寸法管理が重要になってくる。微細
化が進む半導体装置の製造工程におけるパターン寸法測
定には、光学式副長器にかわって測長ＳＥＭ（走査電子
顕微鏡）が用いられる場合が多くなってきている。
発明が解決しようとする課題
測長ＳＥＭを用いた場合、２次電子の情報をもとに寸法
測定を行うが、絶縁膜上のホトレジストパターンの測定
など、抵抗の高い材料ばかうで形戒されたパターンの測
定においては、２次電子像のコントラストがつきにくく
、パターンの境界が判明しにくいという問題がある。
測定を行うが、絶縁膜上のホトレジストパターンの測定
など、抵抗の高い材料ばかうで形戒されたパターンの測
定においては、２次電子像のコントラストがつきにくく
、パターンの境界が判明しにくいという問題がある。
本発明は、上記問題を解決するもので、正確な微小寸法
測定の方法を提供するものである。
測定の方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明は、電子ビームを被測
定材料に照射し、その表面から放出されル特定元素の特
性エックス線のプロファイルをもとに寸法測定を行う。
定材料に照射し、その表面から放出されル特定元素の特
性エックス線のプロファイルをもとに寸法測定を行う。
作 用
上記方法によシ、抵抗の高い膜上に形或された、抵抗の
高いパターンの寸法測定においても、材料の化学的組或
が異なる場合、特性エックス線のプロファイルをもとに
正確な寸法測定が可能となる。
高いパターンの寸法測定においても、材料の化学的組或
が異なる場合、特性エックス線のプロファイルをもとに
正確な寸法測定が可能となる。
実施例
以下、本発明による微小パターンの寸法測定方法の実施
例を図面を用いて詳しく説明する。
例を図面を用いて詳しく説明する。
第１図（ａ） ． （ｂ）は本発明の一実施例を示す被
測定パターンの断面図と、炭素のオージェ電子プロファ
イルである。第１図（ａ）に示す被測定パターンは、半
導体基板１に二酸化シリコン膜２を熱酸化によシ約１０
０ＯＡ形或したあとポジレジスト３を約１μｍの膜厚で
回転塗布し、つぎにボジレジスト３の一部を取シ除き所
望の微細パターンのボジレジスト層を形或したものであ
る。
測定パターンの断面図と、炭素のオージェ電子プロファ
イルである。第１図（ａ）に示す被測定パターンは、半
導体基板１に二酸化シリコン膜２を熱酸化によシ約１０
０ＯＡ形或したあとポジレジスト３を約１μｍの膜厚で
回転塗布し、つぎにボジレジスト３の一部を取シ除き所
望の微細パターンのボジレジスト層を形或したものであ
る。
つぎにこの表面にむかってビーム径を約０．３μｍにし
ぼった電子ビームを走査する。このとき試料表面から放
出される特性エックス線を補捉し、炭素含有量の分布を
チャートにあらわす。このようにして得られた炭素のプ
ロファイルは第１図（ｂ）に示すように、ポジレジスト
３に相当する部分で強度が強くなシ、二酸化シリコン膜
２に相当する部分との境で信号の立ち上がシ、および、
立ち下がクか見られる。この炭素が検出された立ち上が
ク点から、信号が立ち下がって炭素が検出されなくなっ
た点１での距離が、ポジレジスト３の寸法である。
ぼった電子ビームを走査する。このとき試料表面から放
出される特性エックス線を補捉し、炭素含有量の分布を
チャートにあらわす。このようにして得られた炭素のプ
ロファイルは第１図（ｂ）に示すように、ポジレジスト
３に相当する部分で強度が強くなシ、二酸化シリコン膜
２に相当する部分との境で信号の立ち上がシ、および、
立ち下がクか見られる。この炭素が検出された立ち上が
ク点から、信号が立ち下がって炭素が検出されなくなっ
た点１での距離が、ポジレジスト３の寸法である。
発明の効果
以上本発明によれば、従来の測長ＳＥＭを用いて測定が
困難な場合にも、材料の化学的組或が異なシさえすれば
、非常に正確な測定が可能となり、ｅ細パターンの測定
がきわめて容易となる。
困難な場合にも、材料の化学的組或が異なシさえすれば
、非常に正確な測定が可能となり、ｅ細パターンの測定
がきわめて容易となる。
第１図（ａ）は被測定パターンの断面図、同図中）は炭
素の特性エックス線のプロファイルである。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン膜（Ｓｌｏ２）、３・・・・・・ボジレジスト、４
・・・・・・特性エックス線（炭素）プロフ７イル、６
・・・・・・ポジレジスト寸法。
素の特性エックス線のプロファイルである。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン膜（Ｓｌｏ２）、３・・・・・・ボジレジスト、４
・・・・・・特性エックス線（炭素）プロフ７イル、６
・・・・・・ポジレジスト寸法。
Claims (1)
- 電子ビームを被測定材料に照射し、その表面から放出さ
れる特定元素の特性エックス線のプロファイルをもとに
、パターン寸法を測定する微小寸法測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538989A JPH0320606A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 微小寸法測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538989A JPH0320606A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 微小寸法測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320606A true JPH0320606A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15604886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15538989A Pending JPH0320606A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 微小寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320606A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189409A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 電子線測長装置 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15538989A patent/JPH0320606A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189409A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 電子線測長装置 |
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