JPH0320607A - 微小寸法測定方法 - Google Patents
微小寸法測定方法Info
- Publication number
- JPH0320607A JPH0320607A JP15541389A JP15541389A JPH0320607A JP H0320607 A JPH0320607 A JP H0320607A JP 15541389 A JP15541389 A JP 15541389A JP 15541389 A JP15541389 A JP 15541389A JP H0320607 A JPH0320607 A JP H0320607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive resist
- carbon
- size
- profile
- electron beam
- Prior art date
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- Pending
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子ビームを照射し表面から出る特定の元素
のオージェ電子プロファイルをもとに、微小な寸法を測
定する方法に関する。
のオージェ電子プロファイルをもとに、微小な寸法を測
定する方法に関する。
従来の技術
半導体素子では微細化が進み、その最小寸法が１μｍあ
るいはそれ以下のサブミクロンを基準にするようなもの
になると、その製造工程における品質管理、とくに各々
スク工程に訃ける寸法管理が重要になってくる。微細化
が進む半導体装置の製造工程におけるパターン寸法測定
には、光学式測長器にかあわって測長ＳＥＭ（走査電子
顕微鏡）が用いられる場合が多くなってきている。
るいはそれ以下のサブミクロンを基準にするようなもの
になると、その製造工程における品質管理、とくに各々
スク工程に訃ける寸法管理が重要になってくる。微細化
が進む半導体装置の製造工程におけるパターン寸法測定
には、光学式測長器にかあわって測長ＳＥＭ（走査電子
顕微鏡）が用いられる場合が多くなってきている。
発明が解決しようとする課題
測長ＳＥＭを用いた場合、２次電子の情報をもとに寸法
測定を行うが、絶縁膜上のホトレジストパターンの測定
など抵抗の高い材料ばかりで形或されたパターンの測定
ｒｔｃｓ＝ｈでは、２次電子像のコントラストがつきに
くく、パターンの境界が判明しにくいという問題がある
。
測定を行うが、絶縁膜上のホトレジストパターンの測定
など抵抗の高い材料ばかりで形或されたパターンの測定
ｒｔｃｓ＝ｈでは、２次電子像のコントラストがつきに
くく、パターンの境界が判明しにくいという問題がある
。
本発明は、上記問題を解決するもので，正確な微小寸法
測定・の方法を提供するものである。
測定・の方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために、本発明は、電子ビームを被
測定材料に照射し、その表面から放出される特定元素の
オージェ電子のプロファイルをもとに寸法測定を行う。
測定材料に照射し、その表面から放出される特定元素の
オージェ電子のプロファイルをもとに寸法測定を行う。
作 用
上記方法により、抵抗の高い膜上に形或された、抵抗の
高いパターンの寸法測定にかいても、材料の化学的組或
が異なる場合、オージェ電子のプロファイ〃をもとに正
確な寸法測定が可能となる。
高いパターンの寸法測定にかいても、材料の化学的組或
が異なる場合、オージェ電子のプロファイ〃をもとに正
確な寸法測定が可能となる。
実施例
以下、本発明による微小パターンの寸法測定方法の実施
例を図面を用いて詳しく説明する。
例を図面を用いて詳しく説明する。
第１図（ａ），Φ）は本発明の一実施例を示す被測定パ
ターンの断面図と，炭素のオージェ電子プロファイ〃で
ある。第１図（ａ）に示す被測定パターンは、半導体基
板に二酸化シリコン膜２を熱酸化により約１０００人形
威したあとポジレジスト３を約１μｍの膜厚で回転塗布
し、つぎにポジレジスト３の一部を取り除き所望の微細
パターンのポジレジスト層を形或したものである。
ターンの断面図と，炭素のオージェ電子プロファイ〃で
ある。第１図（ａ）に示す被測定パターンは、半導体基
板に二酸化シリコン膜２を熱酸化により約１０００人形
威したあとポジレジスト３を約１μｍの膜厚で回転塗布
し、つぎにポジレジスト３の一部を取り除き所望の微細
パターンのポジレジスト層を形或したものである。
つぎにこの表面にむかってビーム径を約α３μｍにしぼ
った電子ビームを走査する。このとき試料表面から放出
されるオージェ電子を捕捉し、炭素含有量の分布をチャ
ートにあらわす。このようにして得られた炭素のプロフ
ァイルは第１図０３）に示すように、ポジレジスト３に
相当する部分で強度が強くなり、二酸化シリコン膜２に
相当する部分との境で信号のたち上がり、および、立ち
下がシが見られる。この炭素が検出された立ち上がり点
から、信号が立ち下がって炭素が検出されなくなった点
１での距離が、ポジレジスト３の寸法である。
った電子ビームを走査する。このとき試料表面から放出
されるオージェ電子を捕捉し、炭素含有量の分布をチャ
ートにあらわす。このようにして得られた炭素のプロフ
ァイルは第１図０３）に示すように、ポジレジスト３に
相当する部分で強度が強くなり、二酸化シリコン膜２に
相当する部分との境で信号のたち上がり、および、立ち
下がシが見られる。この炭素が検出された立ち上がり点
から、信号が立ち下がって炭素が検出されなくなった点
１での距離が、ポジレジスト３の寸法である。
発明の効果
以上本発明によれば、従来の測長ＳＥＭを用いて測定が
困難な場合にも、材料の化学的組或が異なりさえすれば
、非常に正確な測定が可能となり、微細パターンの測定
がきわめて容易となる。
困難な場合にも、材料の化学的組或が異なりさえすれば
、非常に正確な測定が可能となり、微細パターンの測定
がきわめて容易となる。
第１図（ａ）は被測定パターンの断面図、同図（ｂ）は
炭素のオージェ電子フ゜ロファイルである。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン膜（ Ｓ １０２ ）、３・・・・・・ポジレジヌ
ト、４・・・・・・オージェ電子（炭素）プロフ１イル
、５・・・・・・ポジレジヌト寸法。
炭素のオージェ電子フ゜ロファイルである。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン膜（ Ｓ １０２ ）、３・・・・・・ポジレジヌ
ト、４・・・・・・オージェ電子（炭素）プロフ１イル
、５・・・・・・ポジレジヌト寸法。
Claims (1)
- 電子ビームを被測定材料に照射し、その表面から放出さ
れる特定元素のオージェ電子プロファイルをもとに、パ
ターン寸法を測定する微小寸法測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15541389A JPH0320607A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 微小寸法測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15541389A JPH0320607A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 微小寸法測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320607A true JPH0320607A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15541389A Pending JPH0320607A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 微小寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010186144A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Swcc Showa Device Technology Co Ltd | 防音装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278404A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Toshiba Corp | 微小線の線幅測定方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15541389A patent/JPH0320607A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278404A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Toshiba Corp | 微小線の線幅測定方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010186144A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Swcc Showa Device Technology Co Ltd | 防音装置 |
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