JPH0320649A - フォトマスク検査装置 - Google Patents
フォトマスク検査装置Info
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- JPH0320649A JPH0320649A JP1155422A JP15542289A JPH0320649A JP H0320649 A JPH0320649 A JP H0320649A JP 1155422 A JP1155422 A JP 1155422A JP 15542289 A JP15542289 A JP 15542289A JP H0320649 A JPH0320649 A JP H0320649A
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- Japan
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- laser
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子製造に用いるフォトマスクの検査
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来の技術
半導体素子製造に際して半導体基板上に所定の素子構或
パターンを露光するために該パターンを金属、例えばク
ロム（ＣＩ）が蒸着されたガラス基板上に１〜１０倍に
拡大して形戊したフォトマスクが使用される。フォトマ
スクの欠陥やフォトマスク上の異物はその１１半導体基
板上に転写されるため、半導体素子歩留の低下に大きく
影響を与える。このフォトマスクの欠陥検査に関して所
定の集積回路を形或する本体パターンが複数＠配置され
たフォトマスクや単個配置でも繰り返しパターンの多い
メモリーパターンなどを検査する場合、隣り合ったパタ
ーン電気信号に変換し相違を検査する方式がある（以後
パターン比較検査と称す）。
パターンを露光するために該パターンを金属、例えばク
ロム（ＣＩ）が蒸着されたガラス基板上に１〜１０倍に
拡大して形戊したフォトマスクが使用される。フォトマ
スクの欠陥やフォトマスク上の異物はその１１半導体基
板上に転写されるため、半導体素子歩留の低下に大きく
影響を与える。このフォトマスクの欠陥検査に関して所
定の集積回路を形或する本体パターンが複数＠配置され
たフォトマスクや単個配置でも繰り返しパターンの多い
メモリーパターンなどを検査する場合、隣り合ったパタ
ーン電気信号に変換し相違を検査する方式がある（以後
パターン比較検査と称す）。
第２図に上述したパターン比較検査装置の概要図を示す
。フォトマスク７上の隣りあったパターンは光学系１を
介し光学変換装置２により比較データＤに変換される。
。フォトマスク７上の隣りあったパターンは光学系１を
介し光学変換装置２により比較データＤに変換される。
光学系の焦点をあわすためにはレーザ源６より発せられ
たレー ザ光がフォトマヌク７に照射され、反射光を受
光部８で受け、反射光強度が最大のところに光学系１の
高さを調整することにより行なわれる。実パターンの比
較データＤは比較部３により比較され異なる場合のみ比
較情報を不良パターンメモリ４に貯え外部出力６に出力
し欠陥箇所のパターン確認を行う。
たレー ザ光がフォトマヌク７に照射され、反射光を受
光部８で受け、反射光強度が最大のところに光学系１の
高さを調整することにより行なわれる。実パターンの比
較データＤは比較部３により比較され異なる場合のみ比
較情報を不良パターンメモリ４に貯え外部出力６に出力
し欠陥箇所のパターン確認を行う。
発明が解決しようとする課題
しかしながら従来の検査装置ではフォトマスク７上に付
着したゴミとフォトマスクのＤｒ残り部の弁別をオペレ
ータが確認する必要があり、筐たＣｒパターン上のゴミ
の確認は不可能であるという問題点を有していた。
着したゴミとフォトマスクのＤｒ残り部の弁別をオペレ
ータが確認する必要があり、筐たＣｒパターン上のゴミ
の確認は不可能であるという問題点を有していた。
本発明は上記の問題点を解決するものでパターン比較検
査と表面異物検査を同時に実施することを目的とする。
査と表面異物検査を同時に実施することを目的とする。
課題ｆ解決するための手段
この目的を達或するために本発明によるノオ１・マヌク
検査装置はパターン比較検査に訃ける焦点合わせのため
のレーザ光の反射光受光部にくわえ、．散乱光の受光部
を有している。
検査装置はパターン比較検査に訃ける焦点合わせのため
のレーザ光の反射光受光部にくわえ、．散乱光の受光部
を有している。
作 用
以上のような構或の検査装置を使用することにより、フ
ォトマスクに照射されたレーザ光は反射光の強度により
焦点あわせを行い、散乱光強度によう異物検出を行う。
ォトマスクに照射されたレーザ光は反射光の強度により
焦点あわせを行い、散乱光強度によう異物検出を行う。
このようにしてパターン比較検査と表面異物検査が並行
して行われる。
して行われる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明のフォトマスク検査装置概要の一実施例
を示す１． なお、図Ｖ？：′訃いて１は光学系、２け光電変換部、
３ぱ比較部、４は不良パターンメ七り、６は外部出力で
これらは従来例のパターン比較検査機の構或と同じもの
である。アはフォトマスク、６１ｄレーザ源、８はフォ
トマスクからのｌ，／−ザ反射光を・受光する反躬光受
光部、９はフ，ｔｉ−マヌクからのレーザ散乱光を受光
する敢乱光受光部である。
を示す１． なお、図Ｖ？：′訃いて１は光学系、２け光電変換部、
３ぱ比較部、４は不良パターンメ七り、６は外部出力で
これらは従来例のパターン比較検査機の構或と同じもの
である。アはフォトマスク、６１ｄレーザ源、８はフォ
トマスクからのｌ，／−ザ反射光を・受光する反躬光受
光部、９はフ，ｔｉ−マヌクからのレーザ散乱光を受光
する敢乱光受光部である。
以上のように構或された本実施例のフォトマスク検査装
置について以下その機構を゛説明する。１ずレーザ源６
から発生したレーザ光がフォトマスク７にある角度をも
って照射される。反射光が同角度で受光部８によりつけ
られ、反射光強度の強いところにくるように光学系１の
高さが調整され焦点があわされる。フォトマスクに照射
されたレーザ光の散乱光が散乱光受光部９によシ受光さ
れる。異物からの散乱光はレーザ源からのレーザ光と位
相が逆になるので受光部９はレーザ源の位相と９０’変
化した光のみ受光するものにするように偏光フィノレタ
を有している。異物から散乱さわされた散乱光が散乱光
受光部９で受光され強度が強いところでの光データがメ
モリーバッファ４に記憶される。
置について以下その機構を゛説明する。１ずレーザ源６
から発生したレーザ光がフォトマスク７にある角度をも
って照射される。反射光が同角度で受光部８によりつけ
られ、反射光強度の強いところにくるように光学系１の
高さが調整され焦点があわされる。フォトマスクに照射
されたレーザ光の散乱光が散乱光受光部９によシ受光さ
れる。異物からの散乱光はレーザ源からのレーザ光と位
相が逆になるので受光部９はレーザ源の位相と９０’変
化した光のみ受光するものにするように偏光フィノレタ
を有している。異物から散乱さわされた散乱光が散乱光
受光部９で受光され強度が強いところでの光データがメ
モリーバッファ４に記憶される。
発明の効果
以上のように本発明によればフォトマスクの焦欝あわせ
用に設置されたレーザ光を任意角で照射し、散乱光を受
光することによりフォトマスク上の表面異物検査を行う
ことができる。このようにパターン比較検査と表面異物
検査を同時に行い、パターンの欠落・Ｃｒ残シ・ガラス
面の異物・Ｃｒ面の異物が分類できる。
用に設置されたレーザ光を任意角で照射し、散乱光を受
光することによりフォトマスク上の表面異物検査を行う
ことができる。このようにパターン比較検査と表面異物
検査を同時に行い、パターンの欠落・Ｃｒ残シ・ガラス
面の異物・Ｃｒ面の異物が分類できる。
１た、本発明の場合、パターン比較部で余分パターンで
あると認識された信３がＣｒ残りか異物かを異物検査部
で確認できるため、欠陥自動分類をする装置の場合に正
確な分類が行なうことができ、検査時間の短縮に大いに
役立つものである。
あると認識された信３がＣｒ残りか異物かを異物検査部
で確認できるため、欠陥自動分類をする装置の場合に正
確な分類が行なうことができ、検査時間の短縮に大いに
役立つものである。
第１図は本発明の一実施例におけるパターン比較釦よび
表面異物検出フォトマスク検査装置の概要図、第２図は
従来のパターン比較フオｌ・マスク検査装置の概要図で
ある。 １・・・・・・光学系、２・・・・・・光電変換部、３
・・・・・・比較部、４・・・・・・メモリーバッファ
、５・・・・・・外部出力、６・・・・・・レーザ源、
了・・・・・・フォトマスク、８・・・・・・反射光受
光部、９・・・・・・散乱光受光部。
表面異物検出フォトマスク検査装置の概要図、第２図は
従来のパターン比較フオｌ・マスク検査装置の概要図で
ある。 １・・・・・・光学系、２・・・・・・光電変換部、３
・・・・・・比較部、４・・・・・・メモリーバッファ
、５・・・・・・外部出力、６・・・・・・レーザ源、
了・・・・・・フォトマスク、８・・・・・・反射光受
光部、９・・・・・・散乱光受光部。
Claims (1)
- レーザ光の反射光と散乱光の受光部を備えたことを特徴
とするフォトマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155422A JPH0320649A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | フォトマスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155422A JPH0320649A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | フォトマスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320649A true JPH0320649A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155422A Pending JPH0320649A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | フォトマスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001066262A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-03-16 | Nkk Corp | 表面疵マーキング装置およびマーキング付き金属帯ならびにその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155422A patent/JPH0320649A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001066262A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-03-16 | Nkk Corp | 表面疵マーキング装置およびマーキング付き金属帯ならびにその製造方法 |
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